JPH0196384A - 透明導電膜パターン上へのめっき方法 - Google Patents
透明導電膜パターン上へのめっき方法Info
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- JPH0196384A JPH0196384A JP25436587A JP25436587A JPH0196384A JP H0196384 A JPH0196384 A JP H0196384A JP 25436587 A JP25436587 A JP 25436587A JP 25436587 A JP25436587 A JP 25436587A JP H0196384 A JPH0196384 A JP H0196384A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、液晶パネルなど透明な無機ガラス、有機フィ
ルム上等に形成される透明導電膜パターン上へ、選択的
にめっきを施す方法に関するものである。
ルム上等に形成される透明導電膜パターン上へ、選択的
にめっきを施す方法に関するものである。
透明導電膜パターン上の所定部分を酸性又はアルカリ性
の透明導電膜活性処理液で電解処理した後、パラジウム
を含む液に浸漬してパラジウムを付着析出させた後、無
電解めっきを行うことにより、所望とする通電膜パター
ン上へ選択的にめっきを形成する方法を提供するもので
ある。
の透明導電膜活性処理液で電解処理した後、パラジウム
を含む液に浸漬してパラジウムを付着析出させた後、無
電解めっきを行うことにより、所望とする通電膜パター
ン上へ選択的にめっきを形成する方法を提供するもので
ある。
液晶パネルにおいては、大型化、高密度化に伴い高信幀
性実装法として、端子部のメタライズがなされている。
性実装法として、端子部のメタライズがなされている。
従来液晶パネル基板としては、ソーダガラス、硬質ガラ
スなどの無機材料、ポリエステル、ポリエーテルサルフ
ォン樹脂等の有機材料がある。このような基板上に酸化
スズまたは、ＩＴＯなどの透明導電膜が、スパッタ、蒸
着、ＣＶＤ法などより形成された後、フォトリソグラフ
ィーにより所定のパターンにエツチングされる０次に透
明導電膜上にメタライズする方法としては、蒸着、スパ
ッタなどのドライめっき法とウェットめっき法がある。
スなどの無機材料、ポリエステル、ポリエーテルサルフ
ォン樹脂等の有機材料がある。このような基板上に酸化
スズまたは、ＩＴＯなどの透明導電膜が、スパッタ、蒸
着、ＣＶＤ法などより形成された後、フォトリソグラフ
ィーにより所定のパターンにエツチングされる０次に透
明導電膜上にメタライズする方法としては、蒸着、スパ
ッタなどのドライめっき法とウェットめっき法がある。
しかし、ドライめっき法は、装置が高価なものとなり、
またバッジ処理のため量産化に欠けるなどの問題がある
。一般的には、処理コストが安価で自由形状のものにメ
タライズ可能なウェットめっき法が採用されている。ガ
ラス基板上に形成された透明導電膜上のウェットめっき
法は、めっき性、密着性などの点で優れている無電解め
っきが採用されている。これら従来の透明導電膜上無電
解めっき法は、被めっき物を脱脂、酸洗い後、塩化スズ
、塩化パラジウムを含む触媒付与液に浸漬しその後、フ
ン化物を含む活性液へ浸漬する。
またバッジ処理のため量産化に欠けるなどの問題がある
。一般的には、処理コストが安価で自由形状のものにメ
タライズ可能なウェットめっき法が採用されている。ガ
ラス基板上に形成された透明導電膜上のウェットめっき
法は、めっき性、密着性などの点で優れている無電解め
っきが採用されている。これら従来の透明導電膜上無電
解めっき法は、被めっき物を脱脂、酸洗い後、塩化スズ
、塩化パラジウムを含む触媒付与液に浸漬しその後、フ
ン化物を含む活性液へ浸漬する。
この活性液の浸漬は、ガラス基板および透明導電膜に付
着した触媒（パラジウム）を活性化させる他、ガラス基
板に付着した触媒を遊離させるものである。その後、無
電解ニッケルめっき、無電解鋼めっき等を施すことによ
り透明導電膜上のみに選択的にめっきがなされるもので
あった。
着した触媒（パラジウム）を活性化させる他、ガラス基
板に付着した触媒を遊離させるものである。その後、無
電解ニッケルめっき、無電解鋼めっき等を施すことによ
り透明導電膜上のみに選択的にめっきがなされるもので
あった。
しかし、これら一連の工程の中で、選択性を出す活性液
は、フン化物が含有されているためガラス基板毫侵す問
題があった。また、耐薬品性のあ、る硬質ガラス基板で
は、ガラス面にもめっきが析出してしまうなど選択性の
点で問題があった０本発明は、これら問題点を解決する
ために行われたものである。
は、フン化物が含有されているためガラス基板毫侵す問
題があった。また、耐薬品性のあ、る硬質ガラス基板で
は、ガラス面にもめっきが析出してしまうなど選択性の
点で問題があった０本発明は、これら問題点を解決する
ために行われたものである。
本発明は上記問題点を解決するため、透明導電膜パター
ン所定部分を酸性又はアルカリ性の透明導電改質活性化
処理液中で電解処理を行い、酸化スズ又は１７０等透明
導電膜の改質を活性化させた後、パラジウムを含む溶液
に浸漬してパラジウムイオンを透明導電膜（酸化スズ又
はＩＴＯなど）上にパラジウムを完全に析出させた後、
無電解めっきを行うことにより、ガラス基板をいためず
、そのうえ選択性良好で密着力の強い透明導電膜上への
めっきを形成する方法を見出したものである。
ン所定部分を酸性又はアルカリ性の透明導電改質活性化
処理液中で電解処理を行い、酸化スズ又は１７０等透明
導電膜の改質を活性化させた後、パラジウムを含む溶液
に浸漬してパラジウムイオンを透明導電膜（酸化スズ又
はＩＴＯなど）上にパラジウムを完全に析出させた後、
無電解めっきを行うことにより、ガラス基板をいためず
、そのうえ選択性良好で密着力の強い透明導電膜上への
めっきを形成する方法を見出したものである。
以下、本発明の実施例の１つとして第１図をもとに説明
する。第１図は、液晶パネルの外部端子部分の斜視図で
ある。１は硬質ガラス基板、２は硬質ガラス上に蒸着方
法で形成された複数のＩＴＯｉ３明導電膜、３は半田付
は接合するためのメタライズ端子部分、４はめっき析出
防止のためのマスキング剤、５は透明電極端子間を短絡
させるためのＩＴＯ透明導電膜である。まず、ガラス基
板ｌ上に透明導電１ａ２をパターニングし、メタライズ
不要部分をマスキング剤４によりマスクし、ついでこれ
らを脱脂した後、水洗後塩酸酸性液に透明導電膜を陽極
にして電解処理した。
する。第１図は、液晶パネルの外部端子部分の斜視図で
ある。１は硬質ガラス基板、２は硬質ガラス上に蒸着方
法で形成された複数のＩＴＯｉ３明導電膜、３は半田付
は接合するためのメタライズ端子部分、４はめっき析出
防止のためのマスキング剤、５は透明電極端子間を短絡
させるためのＩＴＯ透明導電膜である。まず、ガラス基
板ｌ上に透明導電１ａ２をパターニングし、メタライズ
不要部分をマスキング剤４によりマスクし、ついでこれ
らを脱脂した後、水洗後塩酸酸性液に透明導電膜を陽極
にして電解処理した。
（処理条件）
電解電圧 １．５〜３ｖ
温 度 室温
時 間 １〜５分
陰 極 カーボン
電解液濃度 ５０％塩酸
次に水洗後、塩化パラジウムを主成分とする触媒付与及
び活性液（カニゼン社製レッドシューマー）でパラジウ
ムを付着析出させ、次に水洗後、無電解ニッケルめっき
（カニゼン社製Ｓ−６８０）を５０℃７分間めっきして
約０．５ミクロンのニッケルーリン被膜を透明電極上に
選択的に形成した。その後、透明電極間をつなぐ端子５
を切断し、マスキング剤を除去した後、２５０℃、３０
分の熱処理を行った。このようにして得られた無電解め
っきは、透明電極パターンの所定部分に良好なめっき被
膜を形成し、また、ガラス基板の損傷も全く見られなか
った。なお実施例では陽極電解処理方法を示したが、陰
極電解液処理、パルス波形処理、断続波形電解処理、脈
流波形電解処理、交直重畳電解処理、交直併用電解処理
等でも可能である。
び活性液（カニゼン社製レッドシューマー）でパラジウ
ムを付着析出させ、次に水洗後、無電解ニッケルめっき
（カニゼン社製Ｓ−６８０）を５０℃７分間めっきして
約０．５ミクロンのニッケルーリン被膜を透明電極上に
選択的に形成した。その後、透明電極間をつなぐ端子５
を切断し、マスキング剤を除去した後、２５０℃、３０
分の熱処理を行った。このようにして得られた無電解め
っきは、透明電極パターンの所定部分に良好なめっき被
膜を形成し、また、ガラス基板の損傷も全く見られなか
った。なお実施例では陽極電解処理方法を示したが、陰
極電解液処理、パルス波形処理、断続波形電解処理、脈
流波形電解処理、交直重畳電解処理、交直併用電解処理
等でも可能である。
また、実施例で示した対極材料はカーボンの他、不溶性
極板ならどれでも使用可能である。また透明導電膜活性
液については、実施例で塩酸を用いたが、硫酸、硝酸等
の酸性液や苛性ソーダ、苛性カリ等のアルカリ性液でも
透明導電膜の活性液と。
極板ならどれでも使用可能である。また透明導電膜活性
液については、実施例で塩酸を用いたが、硫酸、硝酸等
の酸性液や苛性ソーダ、苛性カリ等のアルカリ性液でも
透明導電膜の活性液と。
して使用可能である。
本発明の実施例では、透明絶縁基板に硬質ガラスを用い
たが、ソーダガラス、石英ガラスなどの無機材料、また
、ポリエステルやポリエーテルサルフォンなどの有機フ
ィルムであっても同様な効果を得ることが可能である。
たが、ソーダガラス、石英ガラスなどの無機材料、また
、ポリエステルやポリエーテルサルフォンなどの有機フ
ィルムであっても同様な効果を得ることが可能である。
以上詳述したように本発明によれば、所望とする透明導
電膜パターン上のメタライズをする場合、透明導電膜パ
ターン部分を酸性又はアルカリ性導電膜活性液中で電解
処理を行った後、パラジウムを付着析出させた後、無電
解めっきを施すことによりガラス基板又は有機材料基板
に損傷を与えることなく、選択的な無電解めっき被膜を
形成することができ、さらに従来の方法のものより密着
力強度があり、信頼性の高い液晶パネルなどの実装を可
能としたものでその効果は大きい。
電膜パターン上のメタライズをする場合、透明導電膜パ
ターン部分を酸性又はアルカリ性導電膜活性液中で電解
処理を行った後、パラジウムを付着析出させた後、無電
解めっきを施すことによりガラス基板又は有機材料基板
に損傷を与えることなく、選択的な無電解めっき被膜を
形成することができ、さらに従来の方法のものより密着
力強度があり、信頼性の高い液晶パネルなどの実装を可
能としたものでその効果は大きい。
第１図は液晶パネル外部端子部分の斜視図である。
１・・・ガラス基板（透明絶８！基板）２・・・透明電
極 （ＩＴＯ膜） ３・・・透明電極メタライズ必要部 ４・パ・マスキング剤 ５・・・透明電極間を結ぶ端子（ＩＴＯ膜）以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 パネフレダ瘤じ島３ｒ邸分の茅着地図 第１ ■
極 （ＩＴＯ膜） ３・・・透明電極メタライズ必要部 ４・パ・マスキング剤 ５・・・透明電極間を結ぶ端子（ＩＴＯ膜）以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 パネフレダ瘤じ島３ｒ邸分の茅着地図 第１ ■
Claims (1)
- 透明絶縁基板上に形成される透明導電膜パターンの所定
部分を透明導電膜活性処理液中で電解処理を行った後、
パラジウムを含む溶液に浸漬する工程を経てから、その
あとに無電解めっきを施すことを特徴とする透明導電膜
パターン上へのめっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25436587A JPH0196384A (ja) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | 透明導電膜パターン上へのめっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25436587A JPH0196384A (ja) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | 透明導電膜パターン上へのめっき方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0196384A true JPH0196384A (ja) | 1989-04-14 |
Family
ID=17263976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25436587A Pending JPH0196384A (ja) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | 透明導電膜パターン上へのめっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0196384A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19726850B4 (de) * | 1996-06-24 | 2005-12-08 | Yazaki Corp. | Verfahren zur Herstellung vonr Leiterplatten |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60141874A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-26 | Seiko Epson Corp | 無電解メツキ方法 |
-
1987
- 1987-10-08 JP JP25436587A patent/JPH0196384A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60141874A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-26 | Seiko Epson Corp | 無電解メツキ方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19726850B4 (de) * | 1996-06-24 | 2005-12-08 | Yazaki Corp. | Verfahren zur Herstellung vonr Leiterplatten |
| DE19726850B8 (de) * | 1996-06-24 | 2006-04-13 | Yazaki Corp. | Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten |
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