JPH0197666A - サーマルヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
サーマルヘッドおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH0197666A JPH0197666A JP25373887A JP25373887A JPH0197666A JP H0197666 A JPH0197666 A JP H0197666A JP 25373887 A JP25373887 A JP 25373887A JP 25373887 A JP25373887 A JP 25373887A JP H0197666 A JPH0197666 A JP H0197666A
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- JP
- Japan
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- layer
- resistance
- substrate
- plating
- thermal head
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の目的）
（産業上の利用分野）
本発明は、サーマルヘッドおよびその製造方法に依り、
特にその共通電極の構成に関するものである。
特にその共通電極の構成に関するものである。
（従来の技術）
一般に、サーマルヘッドは、アルミナセラミック基板上
に形成されたグレーズ層上に発熱抵抗体を形成し、この
発熱抵抗体に電気的に接続する個別電極および共通電極
を形成して基本構成が完成する。
に形成されたグレーズ層上に発熱抵抗体を形成し、この
発熱抵抗体に電気的に接続する個別電極および共通電極
を形成して基本構成が完成する。
ところで、このグレーズ層の種類は大別すると二種あり
、第一種は発熱抵抗体の下部のみ凸状形状に設ける部分
グレーズ層であり、第二種はアルミナセラミック基板全
面に形成する全面グレーズ層である。一般に、プラテン
圧の集中が生じる転写を用いての記録には、部分グレー
ズ層からなるサーマルヘッドを用いることが有利とされ
ているが、発熱抵抗体等の微細パターンの形成の点にお
いて全面グレーズ層の方がより優れているとされ、全面
グレーズ層からなるサーマルヘッドが多用されている。
、第一種は発熱抵抗体の下部のみ凸状形状に設ける部分
グレーズ層であり、第二種はアルミナセラミック基板全
面に形成する全面グレーズ層である。一般に、プラテン
圧の集中が生じる転写を用いての記録には、部分グレー
ズ層からなるサーマルヘッドを用いることが有利とされ
ているが、発熱抵抗体等の微細パターンの形成の点にお
いて全面グレーズ層の方がより優れているとされ、全面
グレーズ層からなるサーマルヘッドが多用されている。
ところで、サーマルヘッドでは共通電極の電圧降下（ド
ロップ）を防止するために、個別電極等の薄膜化に加え
、共通電極を、半田バスバー、薄膜をさらに厚く形成す
る方法を用いたり、厚膜印刷、めっきなどで補強する。
ロップ）を防止するために、個別電極等の薄膜化に加え
、共通電極を、半田バスバー、薄膜をさらに厚く形成す
る方法を用いたり、厚膜印刷、めっきなどで補強する。
このうち、共通電極を銅等の比抵抗の小さい金属で形成
することが、精度よくパターン形成出来、さらに母産に
適している。しかしながら、コスト面から、現在電極材
料はアルミニウム（以下へ１と称す）を用いている。
することが、精度よくパターン形成出来、さらに母産に
適している。しかしながら、コスト面から、現在電極材
料はアルミニウム（以下へ１と称す）を用いている。
また、膜′厚１−のＡρは、電気めっき、無電解めっき
とも技術的に困難であるため、絶縁基板上への無電解め
っきが望ましい。したがって、全面グレーズ層上へは、
八βを無電界めっきで形成しサーマルヘッドを構成する
ことが最も中ましいこととされている。
とも技術的に困難であるため、絶縁基板上への無電解め
っきが望ましい。したがって、全面グレーズ層上へは、
八βを無電界めっきで形成しサーマルヘッドを構成する
ことが最も中ましいこととされている。
しかしながら、グレーズ層上は表面が極めて平滑なため
に八でめっきが析出し難いため、本発明者はグレーズ面
をフッ酸系溶液でエツチングし、粗面として、へ１無電
解めっきを行なってみた。
に八でめっきが析出し難いため、本発明者はグレーズ面
をフッ酸系溶液でエツチングし、粗面として、へ１無電
解めっきを行なってみた。
しかし、充分な付着力を確保するに至らなかった。
また、その上、フッ酸系溶液のグレーズ層のエツチング
はグレーズ層表面を粗面とするため、発熱抵抗体層を形
成する部分のグレーズ層表面の平滑性を確保するために
、エツチング時にマスクを施こさなければならない。換
言するならば、必要部分のみめつき出来る様なマスキン
グやエツチングの工程が必要となり、工程の増加を伴な
う。これは、現在置型のサーマルヘッドを模索中の技術
の潮流に反することとなる。
はグレーズ層表面を粗面とするため、発熱抵抗体層を形
成する部分のグレーズ層表面の平滑性を確保するために
、エツチング時にマスクを施こさなければならない。換
言するならば、必要部分のみめつき出来る様なマスキン
グやエツチングの工程が必要となり、工程の増加を伴な
う。これは、現在置型のサーマルヘッドを模索中の技術
の潮流に反することとなる。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は上述の問題点に鑑みてなされたものであり、高
抵抗基体上への電極の付着力を向上させたサーマルヘッ
ドおよびその製造方法を提供することを目的とする。
抵抗基体上への電極の付着力を向上させたサーマルヘッ
ドおよびその製造方法を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明は上記問題点を解決するために被めっき領域に高
抵抗基体例えばセラミックが露出しているグレーズとセ
ラミック基板を用い、選択的にセラミック面に無電解め
っきすることを骨子とする。
抵抗基体例えばセラミックが露出しているグレーズとセ
ラミック基板を用い、選択的にセラミック面に無電解め
っきすることを骨子とする。
めっきの構成は高抵抗基体例えばセラミックとの密着力
がよく、めっき液の安定性がよい無電解ニッケルめっき
を行なった後、ニッケルめっきは比抵抗が高いため、比
抵抗の小さい金属、例えば銅をめっきする。その上を銅
の酸化を防ぎ、上層の薄膜との付着力をよくするために
、例えばニッケルめっきで覆った３層構成である。
がよく、めっき液の安定性がよい無電解ニッケルめっき
を行なった後、ニッケルめっきは比抵抗が高いため、比
抵抗の小さい金属、例えば銅をめっきする。その上を銅
の酸化を防ぎ、上層の薄膜との付着力をよくするために
、例えばニッケルめっきで覆った３層構成である。
２層目、３層目のめつき層を、電気めっきで形成すると
千層目の導体バタン周辺が厚くめっきされ、その上に形
成される薄膜電極膜が断切れを生じ易くなるため、無電
解−っで行なう必要がある。
千層目の導体バタン周辺が厚くめっきされ、その上に形
成される薄膜電極膜が断切れを生じ易くなるため、無電
解−っで行なう必要がある。
（作 用）
上述の構成をとることにより、共通電極と高低、抗基板
との間に充分な付着力が得られることになる。その上、
高抵抗体層例えばグレーズ層上には、無電解めっきは析
出しにくいので選択的に共通電極バタンのみに無電解め
っきを形成することが可能となり、マスキングやエツチ
ングの工程も省略できる。
との間に充分な付着力が得られることになる。その上、
高抵抗体層例えばグレーズ層上には、無電解めっきは析
出しにくいので選択的に共通電極バタンのみに無電解め
っきを形成することが可能となり、マスキングやエツチ
ングの工程も省略できる。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を第１図を参照して説明する。
セラミック基板■に共通電極補強部以外グレーズ■を焼
成した基板を表面の汚れを取り除き、めっきが均一に析
出するようにトリクレンなどで脱脂を行なう。次にセラ
ミック部に活性化の触媒を付与するために、塩化パラジ
ウムや塩化スズを含む水溶液に約２分間浸した後、水洗
する。
成した基板を表面の汚れを取り除き、めっきが均一に析
出するようにトリクレンなどで脱脂を行なう。次にセラ
ミック部に活性化の触媒を付与するために、塩化パラジ
ウムや塩化スズを含む水溶液に約２分間浸した後、水洗
する。
次いで、Ｎ１−ＰあるいはＮ＋−Ｓを無電解めつきによ
り膜厚約２ＪＪＪｎ付ける■。この実施例中、Ｐ又はＢ
は還元剤であり、Ｎｉ無電界めっき膜中には、Ｐ又はＢ
がとりこまれている。水洗、ｎｌｌ理後、Ｃｕを無電解
めっきにより厚さ約５ＪＪＩｆｔ付ける（イ）。水洗、
酸処理俊、銅表面を覆うために、Ｎ；−ｐあるいはＮ１
−Ｂの無電解めっきを行なう０゜厚さは２ＪＪＩＩｔあ
れば充分である。もともと、セラミック上には凹凸性が
あるため、セラミックとＮｉめっきとの付着力は高いが
、ざらにセラミックとＮｉめっきの付着力を向上するた
めには、２００〜３００℃の熱処理を行なうと良い。そ
の後、薄膜工程前に、基板をこすり洗浄し、グレーズ上
に弱く付着しているめっきを取り除く。
り膜厚約２ＪＪＪｎ付ける■。この実施例中、Ｐ又はＢ
は還元剤であり、Ｎｉ無電界めっき膜中には、Ｐ又はＢ
がとりこまれている。水洗、ｎｌｌ理後、Ｃｕを無電解
めっきにより厚さ約５ＪＪＩｆｔ付ける（イ）。水洗、
酸処理俊、銅表面を覆うために、Ｎ；−ｐあるいはＮ１
−Ｂの無電解めっきを行なう０゜厚さは２ＪＪＩＩｔあ
れば充分である。もともと、セラミック上には凹凸性が
あるため、セラミックとＮｉめっきとの付着力は高いが
、ざらにセラミックとＮｉめっきの付着力を向上するた
めには、２００〜３００℃の熱処理を行なうと良い。そ
の後、薄膜工程前に、基板をこすり洗浄し、グレーズ上
に弱く付着しているめっきを取り除く。
さらに次に、薄膜の発熱抵抗体Ｔａ−３ｉＯ２■をスパ
ッタ法で形成する。この発熱抵抗体■に電気的に接続す
るようにアルミニウム電極■、（８）を蒸着あるいはス
パッタリング技術等で形成する。
ッタ法で形成する。この発熱抵抗体■に電気的に接続す
るようにアルミニウム電極■、（８）を蒸着あるいはス
パッタリング技術等で形成する。
フォトリソグラフィにより個別電極■および共通電極■
と発熱抵抗体０を形成した後、発熱抵抗体（４）の全面
にわたって耐酸化、耐摩耗作用のある例えばＳ ｔ ０
２とＴａ２０５との混合膜による保護層０をスパッタリ
ング技術を用いて着膜する。
と発熱抵抗体０を形成した後、発熱抵抗体（４）の全面
にわたって耐酸化、耐摩耗作用のある例えばＳ ｔ ０
２とＴａ２０５との混合膜による保護層０をスパッタリ
ング技術を用いて着膜する。
上記構成の絶縁基板を用いることにより、必要な領域の
みに選択的にめっき析出する。
みに選択的にめっき析出する。
したがって非めっき部分のマスキングやグレーズのエツ
チング工程が省略でき、かつセラミック上へ無電解めっ
きするため、エツチングしたグレーズ面よりも強い付着
力が１ｑられる。この方法は電極上へのめっきと異なり
、電極材料にかかわらず、すべてのサーマルヘッドに対
し、簡易な無電解めっきにより共通電極の補強が行なえ
る。
チング工程が省略でき、かつセラミック上へ無電解めっ
きするため、エツチングしたグレーズ面よりも強い付着
力が１ｑられる。この方法は電極上へのめっきと異なり
、電極材料にかかわらず、すべてのサーマルヘッドに対
し、簡易な無電解めっきにより共通電極の補強が行なえ
る。
また、グレーズ層は約６０ＪＩＪｎあるため発熱抵抗体
に対し共通電極は約５０凱低い。このため紙の摩擦力が
低減する効果もある。
に対し共通電極は約５０凱低い。このため紙の摩擦力が
低減する効果もある。
上述の実施例において、高抵抗基体をセラミック基板で
説明したが、本発明はこれに限られず、例えば鉄板の表
面を加熱して、酸化被膜等を形成した基板を用いても良
い。また、高抵抗層は、グレーズガラス以外にも、ポリ
イミド樹脂を用いても良い。ざらに、共通電極■は、金
属めっき層のみから構成しても良いし、また、上述の実
施例の如く金属めっき層上にアルミニウム電極を形成し
ても良い。また、金属めっき層の構成例として、上述の
実施例ではその一つの層が、Ｎ１−Ｐ又はＮｉ−５の無
電解めっきで説明したが、本発明はこれに限られず、Ｎ
ｉの無電解めっきでも良いし、他の元素等を添加したＮ
ｉの無電解めっきでも良い。
説明したが、本発明はこれに限られず、例えば鉄板の表
面を加熱して、酸化被膜等を形成した基板を用いても良
い。また、高抵抗層は、グレーズガラス以外にも、ポリ
イミド樹脂を用いても良い。ざらに、共通電極■は、金
属めっき層のみから構成しても良いし、また、上述の実
施例の如く金属めっき層上にアルミニウム電極を形成し
ても良い。また、金属めっき層の構成例として、上述の
実施例ではその一つの層が、Ｎ１−Ｐ又はＮｉ−５の無
電解めっきで説明したが、本発明はこれに限られず、Ｎ
ｉの無電解めっきでも良いし、他の元素等を添加したＮ
ｉの無電解めっきでも良い。
本発明のサーマルヘッドおよびその製造方法は上記の構
成をとることにより、マスキング、エツチングなどを行
なわずに必要な領域のみに付着力の強い無電解めっきが
形成されるため、安価で信頼性のあるサーマルヘッドが
得られる。その上共通電極が発熱抵抗体よりも低いため
紙の摩擦力が低減し、紙走行性の優れたサーマルヘッド
を得ることができる。
成をとることにより、マスキング、エツチングなどを行
なわずに必要な領域のみに付着力の強い無電解めっきが
形成されるため、安価で信頼性のあるサーマルヘッドが
得られる。その上共通電極が発熱抵抗体よりも低いため
紙の摩擦力が低減し、紙走行性の優れたサーマルヘッド
を得ることができる。
第１図は本発明のサーマルヘッドの実施例を示す断面簡
略図である。 ■・・・アルミナセラミック（高抵抗基体）■・・・グ
レーズ層（高抵抗体層） ■・・・Ｎｉ無電解めつぎ（共通電極）（イ）・・・Ｃ
ｕ無電解めっき（共通電極）■・・・Ｎ１無電解めっき
（共通電極）■・・・発熱抵抗体 ■・・・個別電極 （８）・・・共通電極 ０・・・保護膜 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 第、１ 図
略図である。 ■・・・アルミナセラミック（高抵抗基体）■・・・グ
レーズ層（高抵抗体層） ■・・・Ｎｉ無電解めつぎ（共通電極）（イ）・・・Ｃ
ｕ無電解めっき（共通電極）■・・・Ｎ１無電解めっき
（共通電極）■・・・発熱抵抗体 ■・・・個別電極 （８）・・・共通電極 ０・・・保護膜 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 第、１ 図
Claims (5)
- （１）高抵抗基体と、 この高抵抗基体の主面の一部に形成された高抵抗体層と
、 この高抵抗体層上に形成された複数の発熱抵抗体と、 前記高抵抗基体の主面に少なくとも形成され、かつ複数
の前記発熱抵抗体の一端に電気的に接続する個別電極と
、 前記高抵抗基体の主面に少なくとも形成され、かつ複数
の前記発熱抵抗体の他端を電気的に共通接続し、その少
なくとも一部が金属めっき層からなる共通電極とを少な
くとも備え、 少なくとも前記金属めっき層が形成された前記高抵抗基
体の主面上には、前記高抵抗体層が形成されていないこ
とを特徴とするサーマルヘッド。 - （２）前記金属めっき層は、第１層が主としてニッケル
無電解めっき、第２層が主として銅無電解めっき、第３
層が主としてニッケル無電解めっきから構成されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のサーマル
ヘッド。 - （３）前記高抵抗基体は、セラミック基板、または金属
基板上に絶縁層を形成してなる絶縁基体からなることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のサーマルヘッド
。 - （４）前記高抵抗体層は、グレーズガラスまたはポリイ
ミド樹脂からなることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載のサーマルヘッド。 - （５）高抵抗基体の主面上の少なくとも一部に高抵抗体
層を形成する第１の工程と、 この高抵抗体層が形成されていない前記高抵抗基体の主
面上に金属めっき層を形成する第２の工程と、 少なくとも前記高抵抗体層上に発熱抵抗体層を形成する
第３の工程と、 少なくとも前記発熱抵抗体層上に電極層を形成する第４
の工程と、 複数の発熱抵抗体と、この発熱抵抗体の一端に電気的に
接続する個別電極と、この発熱抵抗体の他端を共通に電
気的に接続しかつ少なくとも一部に前記金属めっき層を
含む共通電極とを形成する第５の工程とを備えたことを
特徴とするサーマルヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25373887A JPH0197666A (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | サーマルヘッドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25373887A JPH0197666A (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | サーマルヘッドおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0197666A true JPH0197666A (ja) | 1989-04-17 |
Family
ID=17255451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25373887A Pending JPH0197666A (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | サーマルヘッドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0197666A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6777778B2 (en) * | 2001-06-20 | 2004-08-17 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin-film resistor and method for manufacturing the same |
-
1987
- 1987-10-09 JP JP25373887A patent/JPH0197666A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6777778B2 (en) * | 2001-06-20 | 2004-08-17 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin-film resistor and method for manufacturing the same |
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