JPH02220401A - 半導体セラミック電子部品の製造方法 - Google Patents
半導体セラミック電子部品の製造方法Info
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- JPH02220401A JPH02220401A JP1041337A JP4133789A JPH02220401A JP H02220401 A JPH02220401 A JP H02220401A JP 1041337 A JP1041337 A JP 1041337A JP 4133789 A JP4133789 A JP 4133789A JP H02220401 A JPH02220401 A JP H02220401A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、正特性サーミスタ、負特性サーミスタ等のよ
うな半導体セラミック電子部品の製造方法に間するもの
である。
うな半導体セラミック電子部品の製造方法に間するもの
である。
←従来技術）
従来の半導体セラミック電子部品には、第３図に示すよ
うなものがある。この半導体セラミック電子部品１は、
例えば正特性サーミスタであり、半導体セラミック電子
部品１の半導体セラミック素体２の両端部には、それぞ
れ２層構造となった外部電極３．４が形成されている。
うなものがある。この半導体セラミック電子部品１は、
例えば正特性サーミスタであり、半導体セラミック電子
部品１の半導体セラミック素体２の両端部には、それぞ
れ２層構造となった外部電極３．４が形成されている。
この２層構造の外部電極３，４の第１外部電極層は、無
電解メッキによって形成されたニッケル、コバルト、鉄
のうちいずれか１種あるいは２種以上の材料からなるオ
ーミック性の無電解メッキ層５，６である。
電解メッキによって形成されたニッケル、コバルト、鉄
のうちいずれか１種あるいは２種以上の材料からなるオ
ーミック性の無電解メッキ層５，６である。
そして、この無電解メッキ層５，６は、半導体セラミッ
ク電子部品の電気的特性を安定化するために無電解メッ
キ後、２５０℃〜４００℃の酸化雰囲気中で１０分〜６
０分熱処理を行う、また、外部電極８，４の第２外部電
極層は、銀を主成分とするペーストを塗布した後、焼き
付けることによって形成される銀厚膜層７，８である。
ク電子部品の電気的特性を安定化するために無電解メッ
キ後、２５０℃〜４００℃の酸化雰囲気中で１０分〜６
０分熱処理を行う、また、外部電極８，４の第２外部電
極層は、銀を主成分とするペーストを塗布した後、焼き
付けることによって形成される銀厚膜層７，８である。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上述した半導体セラミック電子部品では
、外部型ｆｌｉ３．４の表面が銀厚膜層であるため、銀
の早田くわれやマイクレージョンが起こることがあり、
半田濡れ性も悪かった。
、外部型ｆｌｉ３．４の表面が銀厚膜層であるため、銀
の早田くわれやマイクレージョンが起こることがあり、
半田濡れ性も悪かった。
このような問題点を解決するために、チップコンデンサ
、チップ抵抗器で実用化されている電気メッキ法により
、銀厚膜層上にさらに電気メッキ層を形成することが案
出されている。
、チップ抵抗器で実用化されている電気メッキ法により
、銀厚膜層上にさらに電気メッキ層を形成することが案
出されている。
しかし、半導体セラミック電子部品に電気メッキを行う
と、第４図に示すように、部品全面に電気メッキ層９が
形成されてしまい、外部電極３および４を短絡させてし
まった。また、短絡した外部電極３および４を分離する
ために、エツチング等の方法で電気メッキ層９の不要部
を除去することを試みたが、外部電極の端部から無電解
メッキ層、銀厚膜層、電気メッキ層のうち少なくとも１
つの層が露出し、半田付性を劣化する等の不都合が生じ
た。特に、銀厚膜層が露出すると、銀のマイクレージョ
ンを起こさせる恐れがあった。
と、第４図に示すように、部品全面に電気メッキ層９が
形成されてしまい、外部電極３および４を短絡させてし
まった。また、短絡した外部電極３および４を分離する
ために、エツチング等の方法で電気メッキ層９の不要部
を除去することを試みたが、外部電極の端部から無電解
メッキ層、銀厚膜層、電気メッキ層のうち少なくとも１
つの層が露出し、半田付性を劣化する等の不都合が生じ
た。特に、銀厚膜層が露出すると、銀のマイクレージョ
ンを起こさせる恐れがあった。
そこで本発明は、上述した問題点を解決しようとするも
のであり、銀の半田くわれやマイグレーションの発生を
起こしにくくできる半導体セラミック電子部品の製造方
法を提供することを目的とする。
のであり、銀の半田くわれやマイグレーションの発生を
起こしにくくできる半導体セラミック電子部品の製造方
法を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明の半導体セラミック電子部品の製造方法は、半導
体セラミック素体を準備する工程と、この半導体セラミ
ック素体の表面に無電解メッキによって第１外部電極層
である無電解メッキ層を形成する工程と、 この無電解メッキ層上に銀を主成分とする材料を塗布し
た後、焼き付けることによって第２外部電極層である銀
厚膜層を形成する工程と、との銀厚膜層上に触媒金属を
付与する工程と、この触媒金属を付与した銀厚膜層上に
無電解メッキによって第３外部電極層である無電解メッ
キ層を形成すること工程からなる。
体セラミック素体を準備する工程と、この半導体セラミ
ック素体の表面に無電解メッキによって第１外部電極層
である無電解メッキ層を形成する工程と、 この無電解メッキ層上に銀を主成分とする材料を塗布し
た後、焼き付けることによって第２外部電極層である銀
厚膜層を形成する工程と、との銀厚膜層上に触媒金属を
付与する工程と、この触媒金属を付与した銀厚膜層上に
無電解メッキによって第３外部電極層である無電解メッ
キ層を形成すること工程からなる。
（作用）
本発明の半導体セラミック電子部品の製造方法によれば
、あらかじめ第２外部電極層である銀厚膜層上に触媒と
なる触媒金属を付与しておくので、その後、銀厚膜層上
に無電解メッキによって第３外部電極層となる無電解メ
ッキ層を形成できるようになる。
、あらかじめ第２外部電極層である銀厚膜層上に触媒と
なる触媒金属を付与しておくので、その後、銀厚膜層上
に無電解メッキによって第３外部電極層となる無電解メ
ッキ層を形成できるようになる。
（実施例）
以下に、本発明の半導体セラミック電子部品の製造方法
の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
本発明の半導体セラミック電子部品の製造方法の特徴は
、第２外部電極層である銀厚膜層上に、あらかじめ無電
解メッキの触媒となるパラジウム等の触媒金属を付与し
ておき、その後、無電解メッキによって第３外部電極で
ある無電解メッキ層を形成したところにある。
、第２外部電極層である銀厚膜層上に、あらかじめ無電
解メッキの触媒となるパラジウム等の触媒金属を付与し
ておき、その後、無電解メッキによって第３外部電極で
ある無電解メッキ層を形成したところにある。
なお、本発明において、第１外部電極層である無電解メ
ッキ層および第２外部電極層である銀厚膜層の形成工程
は、従来例で示したものと同一であり、同一番号を付し
てその説明を省略する。
ッキ層および第２外部電極層である銀厚膜層の形成工程
は、従来例で示したものと同一であり、同一番号を付し
てその説明を省略する。
まず、第３図に示した無電解メッキ層５，６および銀厚
膜層７，８が形成された半導体セラミック素体２を界面
活性剤と苛性ソーダの混合溶液に浸漬した後、酸処理を
行う。この工程は、銀厚膜層７，８の表面を脱脂し、濡
れ性をよくするために行う。
膜層７，８が形成された半導体セラミック素体２を界面
活性剤と苛性ソーダの混合溶液に浸漬した後、酸処理を
行う。この工程は、銀厚膜層７，８の表面を脱脂し、濡
れ性をよくするために行う。
次に、パラジウム濃度が５〜１１００ｐｐ程度の塩化パ
ラジウム−塩素系の水溶液中に、半導体セラミック素体
２を浸漬する。これによって、半導体セラミック素体２
の銀厚膜層７，８上にパラジウムが置換析出するととも
に、半導体セラミック素体２の露出面にパラジウムが吸
着し、後工程の無電解メッキの触媒となるパラジウムが
付与された。
ラジウム−塩素系の水溶液中に、半導体セラミック素体
２を浸漬する。これによって、半導体セラミック素体２
の銀厚膜層７，８上にパラジウムが置換析出するととも
に、半導体セラミック素体２の露出面にパラジウムが吸
着し、後工程の無電解メッキの触媒となるパラジウムが
付与された。
なお、この実施例では無電解メッキの触媒としてパラジ
ウムを用いたが、白金、ロジウム等の触媒金属を用いて
もよい。
ウムを用いたが、白金、ロジウム等の触媒金属を用いて
もよい。
次に、半導体セラミック素体２の露出面に吸着したパラ
ジウムと半導体セラミック素体２の銀厚膜層７，８上に
置換析出したパラジウムとの溶解力の差を利用して、半
導体セラミック素体２の露出面に吸着したパラジウムを
洗浄液、たとえばＮＨ３系の水溶液で半導体セラミック
素体２を洗浄して除去し、第１図に示すように、銀膜厚
層７，８上にだけパラジウム１０が付与されているよう
な状態にする。この工程で半導体セラミック素体２の露
出面に吸着したパラジウムを除去するための洗浄液とし
てＮＨ３系の水溶液を用いたが、これに限定されるもの
ではなく、半導体セラミック素体２の銀厚膜層７，８上
に置換析出したパラジウムよりも半導体セラミック素体
２の露出面に吸着したパラジウムの方が溶解しやすい洗
浄液であればよい。
ジウムと半導体セラミック素体２の銀厚膜層７，８上に
置換析出したパラジウムとの溶解力の差を利用して、半
導体セラミック素体２の露出面に吸着したパラジウムを
洗浄液、たとえばＮＨ３系の水溶液で半導体セラミック
素体２を洗浄して除去し、第１図に示すように、銀膜厚
層７，８上にだけパラジウム１０が付与されているよう
な状態にする。この工程で半導体セラミック素体２の露
出面に吸着したパラジウムを除去するための洗浄液とし
てＮＨ３系の水溶液を用いたが、これに限定されるもの
ではなく、半導体セラミック素体２の銀厚膜層７，８上
に置換析出したパラジウムよりも半導体セラミック素体
２の露出面に吸着したパラジウムの方が溶解しやすい洗
浄液であればよい。
次に、銀厚膜層７，８上のパラジウム１０を触媒として
無電解メッキを行ない、第２図に示すように、銀厚膜層
５．６上にニッケルかるなる第３外部電極層の無電解メ
ッキ層１１．１２を形成した。これによって、３層構造
の外部電極１３，１４′ｆ：備えた半導体セラミック電
子部品１５ｔ′得た。
無電解メッキを行ない、第２図に示すように、銀厚膜層
５．６上にニッケルかるなる第３外部電極層の無電解メ
ッキ層１１．１２を形成した。これによって、３層構造
の外部電極１３，１４′ｆ：備えた半導体セラミック電
子部品１５ｔ′得た。
なお、この実施例では第３外部電極層にニッケルを用い
たが、ニッケル合金、銅、銅合金を用いたものでもよい
。
たが、ニッケル合金、銅、銅合金を用いたものでもよい
。
さらに、得られた半導体セラミック電子部品１５をフラ
ックスに浸漬し、１３０℃〜１５０℃で約１分間予熱を
行ったのち、溶融半田に浸漬することによって無電解メ
ッキ層１１．１２上に半田層を形成してもよい（図示せ
ず）、この半田層が形成された半導体セラミック電子部
品は、基板に対して面実装する際の半田付の信頼性を向
上することができる。
ックスに浸漬し、１３０℃〜１５０℃で約１分間予熱を
行ったのち、溶融半田に浸漬することによって無電解メ
ッキ層１１．１２上に半田層を形成してもよい（図示せ
ず）、この半田層が形成された半導体セラミック電子部
品は、基板に対して面実装する際の半田付の信頼性を向
上することができる。
なお、前記実施例において、半導体セラミック電子部品
を正特性サーミスタとしたが、これに限るものではなく
、他の半導体セラミック電子部品にも適用することがで
きる。
を正特性サーミスタとしたが、これに限るものではなく
、他の半導体セラミック電子部品にも適用することがで
きる。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明の半導体セラミック電子部
品の製造方法は、あらかじめ第２外部電極層上に触媒と
なる触媒金属を付与しておき、その後、無電解メッキに
よって第３外部電極層となる無電解メッキ層を形成する
ので、銀厚膜層が無電解メッキ層によって覆われること
になる。したがって、銀厚膜層は露出せず、銀の半田く
われやマイクレージョンの発生を起きにくくすることが
できる。
品の製造方法は、あらかじめ第２外部電極層上に触媒と
なる触媒金属を付与しておき、その後、無電解メッキに
よって第３外部電極層となる無電解メッキ層を形成する
ので、銀厚膜層が無電解メッキ層によって覆われること
になる。したがって、銀厚膜層は露出せず、銀の半田く
われやマイクレージョンの発生を起きにくくすることが
できる。
第１図は本発明の半導体セラミック電子部品の製造方法
の一工程を示す一部側断面図、第２図は本発明の半導体
セラミック電子部品の製造方法によって製造された半導
体セラミック電子部品を示す一部側断面図、第３図およ
び第４図は従来の半導体セラミック電子部品の製造方法
を示す一部側断面図である。 ２・・・半導体セラミック素体、 ５．６・・・無電解メッキ層、７，８・・・銀厚膜層１
０・・・パラジウム、１１．１２・・・無電解メッキ層
１３．１４・・・外部電極、 １５・・・半導体セラミック電子部品。
の一工程を示す一部側断面図、第２図は本発明の半導体
セラミック電子部品の製造方法によって製造された半導
体セラミック電子部品を示す一部側断面図、第３図およ
び第４図は従来の半導体セラミック電子部品の製造方法
を示す一部側断面図である。 ２・・・半導体セラミック素体、 ５．６・・・無電解メッキ層、７，８・・・銀厚膜層１
０・・・パラジウム、１１．１２・・・無電解メッキ層
１３．１４・・・外部電極、 １５・・・半導体セラミック電子部品。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体セラミック素体を準備する工程と、 この半導体セラミック素体の表面に無電解メッキによっ
て第１外部電極層である無電解メッキ層を形成する工程
と、 この無電解メッキ層上に銀を主成分とする材料を塗布し
た後、焼き付けることによつて第２外部電極層である銀
厚膜層を形成する工程と、 この銀厚膜層上に触媒金属を付与する工程と、この触媒
金属を付与した銀厚膜層上に無電解メッキによつて第３
外部電極層である無電解メッキ層を形成する工程と、 からなる半導体セラミック電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1041337A JP2626028B2 (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | 半導体セラミック電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1041337A JP2626028B2 (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | 半導体セラミック電子部品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02220401A true JPH02220401A (ja) | 1990-09-03 |
| JP2626028B2 JP2626028B2 (ja) | 1997-07-02 |
Family
ID=12605706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1041337A Expired - Fee Related JP2626028B2 (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | 半導体セラミック電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2626028B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999057731A1 (en) * | 1998-05-04 | 1999-11-11 | Mds Nordion Inc. | Production of palladium-103 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56146221A (en) * | 1980-04-16 | 1981-11-13 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Method of manufacturing ceramic electronic part |
| JPS57148301A (en) * | 1981-03-10 | 1982-09-13 | Tdk Electronics Co Ltd | Method of producing positive temperature coefficient thermistor element |
| JPS60202901A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-14 | 松下電器産業株式会社 | チタン酸バリウム系半導体磁器の電極形成方法 |
-
1989
- 1989-02-21 JP JP1041337A patent/JP2626028B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56146221A (en) * | 1980-04-16 | 1981-11-13 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Method of manufacturing ceramic electronic part |
| JPS57148301A (en) * | 1981-03-10 | 1982-09-13 | Tdk Electronics Co Ltd | Method of producing positive temperature coefficient thermistor element |
| JPS60202901A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-14 | 松下電器産業株式会社 | チタン酸バリウム系半導体磁器の電極形成方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999057731A1 (en) * | 1998-05-04 | 1999-11-11 | Mds Nordion Inc. | Production of palladium-103 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2626028B2 (ja) | 1997-07-02 |
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