JPS625358B2 - - Google Patents
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- JPS625358B2 JPS625358B2 JP2220579A JP2220579A JPS625358B2 JP S625358 B2 JPS625358 B2 JP S625358B2 JP 2220579 A JP2220579 A JP 2220579A JP 2220579 A JP2220579 A JP 2220579A JP S625358 B2 JPS625358 B2 JP S625358B2
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Landscapes
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Description
本発明は薄膜又は厚膜の導体パターンと厚膜絶
縁体を組合せた混成回路基板の製造方法の改良に
関する。 周知の如く、この種の混成回路基板はCML、
ECL、TTL、MOSなどのICやLSI等を実装する
のに用いられている。このため、実装されたIC
やLSIの信号線となる導電パターンはセラミツク
基板に対して強固に形成されると共に実装密度を
上げるため断面積が小さく、線巾が小さくなるよ
うに設計することが望ましい。 ところで、従来、混成回路基板を製造するには
セラミツク基板上に単一金属からなる導体パター
ンを形成した後、該導体パターンの少なくとも一
部に厚膜絶縁体を被覆する方法が採用されている
が、厚膜絶縁体の形成に際しての焼成により導体
パターンがクラツク等を発生する不都合さがあ
る。 このようなことから、最近、RCA社等からア
ルミナ基板上にCuとAuからなる２層構造の導電
パターンを形成する方法が開発されている。しか
しながら、この方法で形成された導電パターンは
基板であるアルミナとこの基板に接触するCuと
の間の接着強度が弱いために、導電パターンが剥
離し易く信頼性の点で問題がある。また、２層構
造の導電パターンとしてCr／Au、Ti／Auからな
るものも提案されているが、この導体パターン上
に厚膜絶縁ペーストを被覆し焼成すると、厚膜絶
縁体中にAuの接着用金属であるCr、Tiが拡散
し、その結果Au膜が分断されて信号線がオープ
ンとなる不都合さがある。 一方、上記方法とは別に選択メツキによる金パ
ターンを利用して導体パターンを形成する方法が
提案されている（昭和50年12月15日、電通学会、
Vol 75、No.176）。この方法はセラミツク基板上
にTi膜を蒸着し、さらにTi膜上にはAuメツキが
付着し難いためにこのTi膜上にAu選択メツキの
ための導電膜（Ni膜）を被着した後、この導電
膜上にAu選択メツキにより金パターンを形成
し、さらに該金パターンをマスクとして露出する
導電膜部分及びその下のTi膜部分をエツチング
除去して導電パターンを形成するものである。し
かしながら、この方法にあつてはAu選択メツ
キ、Auパターンをマスクとするエツチング除去
等のプロセスの複雑さにより作業能率の低下を招
く。また、Au選択メツキ時における金パターン
の精度がメツキマスクの性状に多大に影響され、
製造歩留りが悪いという欠点がある。さらに、
Au選択メツキに際してのメツキ電極の取付部を
導体パターンとは別の個所に設けなければならな
い等の問題がある。 そこで、本発明者は上記欠点を解消するために
鋭意研究した結果、厚膜絶縁体に対して拡散し易
い性質を有するものの、セラミツク基板に対する
接着性が良好な金属薄膜（第１の金属薄膜）をセ
ラミツク基板上に被着し、この金属薄膜上に酸化
し難く電気伝導性の良好な金属薄膜（第３の金属
薄膜）をじかに被着せず、これら第１、第３の金
属膜と異なる金属薄膜（第２の金属薄膜）を介し
て被着した３層構造膜で導体を構成することによ
つて、セラミツク基板に対する接着強度も、厚膜
絶縁体に対する第１の金属薄膜が拡散しても第２
の金属薄膜のセラミツクに対しての強度を保ち、
且つ、絶縁体下では、第２の金属はセラミツクに
対してさほど強度が強くないが、絶縁体によつて
覆れているので、第１の金属ほどの強度は不要で
あることを究明した。 しかして、本発明者は上記知見を踏えて更に研
究を重ねセラミツク基板上に上述の第１、第２、
第３の金属薄膜を順次被着した後、レジストパタ
ーンをマスクとする写真蝕刻法等により選択的に
エツチングすることによつて、従来の選択Auメ
ツキによる煩雑かつ厳格な工程管理を招くことな
く接着強度も厚膜絶縁体への適合性も満足した導
体パターンを備えた混成回路基板を極めて簡単か
つ歩留りよく製造し得る方法を見い出した。な
お、本発明により得た混成回路基板について更に
詳しく説明すれば、厚膜絶縁体に被覆されていな
い導体パターン部分はその最下層の第１の金属薄
膜によりセラミツク基板への接着性が補償され、
一方、厚膜絶縁体に被覆されている導体パターン
部分は第２の金属薄膜と第１、第３の金属薄膜と
が厚膜絶縁体を形成するときの焼成工程での高温
下で合金化することにより、厚膜絶縁体中に第１
の金属薄膜等が拡散することが防止される。第２
の金属は、第１の金属に比べセラミツクに対する
付着強度は劣るが、絶縁体がこの導体膜を被覆し
ているため、第２の金属と第３の金属が形状変化
し、分断されることはない。 すなわち、本発明はセラミツク基板上に薄膜又
は厚膜の導体パターンを形成し、さらに該導電パ
ターン上の少なくとも一部に厚膜絶縁体を形成し
て混成回路基板を製造するにあたり、セラミツク
基板上に該基板に対して接着力が強い第１の金属
薄膜、酸化し難い電気伝導性が良好な第３の金属
薄膜、及び第１、第３の金属薄膜の間にこれらと
異なる第２の金属薄膜を介在させた三層構造膜を
第１、第２、第３の金属薄膜の順序で形成する工
程と、この三層構造膜を選択的にエツチングして
導体パターンを形成する工程と、この導体パター
ンの少なくとも一部に絶縁ペーストを被覆した後
焼成せしめて厚膜絶縁体を形成する工程とを具備
したことを特徴とするものである。 本発明に使用するセラミツク基板としては、例
えばアルミナ基板、ガラス基板等を挙げることが
できる。 本発明に使用する第１の金属薄膜とは、基板に
対する接着力は強いが、厚膜絶縁体に対して拡散
し易い性質を有するもので、通常、酸化物自由生
成エネルギーが−130kcal／molより絶対値が大
きいものである。この第１の金属薄膜を具体的に
例示すれば、Ti、Zr、Ｖ及びCrのうち少なくと
も１種からなるものである。また、第１の金属薄
膜の厚さとしては50〜1000Åの範囲にすることが
望ましい。 本発明に使用する第２金属薄膜は基板に対する
接着力は劣るが、第１、第３の金属薄膜と異なる
材質であつて、これらと合金化し易いものであれ
ばよく、通常、酸化生成自由エネルギーが−90〜
120kcal／mol程度のものである。但し、第２の
金属薄膜は電気伝導性が格段に優れている必要性
はなく、第３の金属薄膜の下地として役目を有れ
ば足りる。この第２の薄膜を具体的に示すと
Ni、Cu、Co、Mo、Fe、Ｗ及びTaのうち少なく
とも１種からなるものである。また、第２の薄膜
の厚さは50〜2000Åの範囲にすることが望まし
い。 本発明に使用する第３の金属薄膜とは酸化し難
く電気伝導性の良好なものであり、具体的には
Au、Pt、Pd、Ir、Os、Re、Rhのうちの少くと
も１種からなるものである。また、第３の金属薄
膜の厚さは5000Å〜２μｍの範囲にすることが望
ましい。これ以上厚くしてもかまわないが、これ
は価格と要求する電気抵抗とのかね合いで決ま
る。 本発明における第１、第２、第３の金属薄膜の
被着手段としては、無電解メツキ、スパツタ、蒸
着等が採用し得る。 本発明における３層構造膜の選択エツチング手
段としては、例えばレジストパターンをマスクと
する写真蝕刻法等が採用し得る。 本発明に使用する絶縁ペーストとしては、例え
ば（Al2O3）o−（SiO2）o-1系ペースト、SiO2−PbO
系ペースト、硼珪酸ガラスペースト、硼珪酸鉛ガ
ラスペースト、硼酸酸化バナジウム系ペースト等
を挙げることができる。 次に、本発明の実施例を説明する。 実施例 アルミナ基板上に、スパツタ法により厚さ600
ÅのTi薄膜、厚さ1000ÅのNi薄膜、及び厚さ１
μｍのAu薄膜を順次被着して３層構造膜を形成
した。次いで、この３層構造膜をレジストパター
ンをマスクとした写真蝕刻法により選択的にエツ
チングして巾100μｍの導体パターンを形成し
た。その後、この導体パターン上に（Al2O3）o−
（SiO2）o-1系ペーストを塗布し、925℃で焼成せし
めて厚膜絶縁体を形成し混成回路基板を造つた。 しかして、本実施例の混成回路基板及び100μ
ｍ巾の導体パターンが100ÅTi／6000ÅAuからな
る混成回路基板（比較例１−１）、同パターンが
100ÅTi／１μｍAuからなる混成回路基板（比較
例１−２）、同パターンが1000ÅNi／１μｍAuか
らなる混成回路基板（比較例２−１）、同パター
ンが1000ÅNi／２μｍAuからなる混成回路基板
（比較例２−１）について、次のような評価条件
で導体パターンの抵抗変化を調べたところ、図の
如き結果となつた。評価は、絶縁体被覆前で焼成
前、同被覆前で925℃の１回焼成、同被覆前で４
回焼成、絶縁体被覆後で925℃の１回焼成、２回
焼成、３回焼成、４回焼成及び５回焼成、の８種
の条件下での導体パターンの抵抗変化を調べるこ
とにより行なつた。なお、図中のＡは本実施例の
導体パターンにおける抵抗特性曲線、B1は比較
例１−１の導体パターンにおける同特性曲線、
B2は比較例１−２の導体パターンにおける同特
性曲線、C1は比較例２−１の導体パターンにお
ける同特性曲線、C2は比較例２−２の導体パタ
ーンにおける同特性曲線である。 また、本実施例及び比較例１−２、比較例２−
１の導体パターンのアルミナ基板に対する接着強
度を調べたところ、下記表の如き結果となつた。
縁体を組合せた混成回路基板の製造方法の改良に
関する。 周知の如く、この種の混成回路基板はCML、
ECL、TTL、MOSなどのICやLSI等を実装する
のに用いられている。このため、実装されたIC
やLSIの信号線となる導電パターンはセラミツク
基板に対して強固に形成されると共に実装密度を
上げるため断面積が小さく、線巾が小さくなるよ
うに設計することが望ましい。 ところで、従来、混成回路基板を製造するには
セラミツク基板上に単一金属からなる導体パター
ンを形成した後、該導体パターンの少なくとも一
部に厚膜絶縁体を被覆する方法が採用されている
が、厚膜絶縁体の形成に際しての焼成により導体
パターンがクラツク等を発生する不都合さがあ
る。 このようなことから、最近、RCA社等からア
ルミナ基板上にCuとAuからなる２層構造の導電
パターンを形成する方法が開発されている。しか
しながら、この方法で形成された導電パターンは
基板であるアルミナとこの基板に接触するCuと
の間の接着強度が弱いために、導電パターンが剥
離し易く信頼性の点で問題がある。また、２層構
造の導電パターンとしてCr／Au、Ti／Auからな
るものも提案されているが、この導体パターン上
に厚膜絶縁ペーストを被覆し焼成すると、厚膜絶
縁体中にAuの接着用金属であるCr、Tiが拡散
し、その結果Au膜が分断されて信号線がオープ
ンとなる不都合さがある。 一方、上記方法とは別に選択メツキによる金パ
ターンを利用して導体パターンを形成する方法が
提案されている（昭和50年12月15日、電通学会、
Vol 75、No.176）。この方法はセラミツク基板上
にTi膜を蒸着し、さらにTi膜上にはAuメツキが
付着し難いためにこのTi膜上にAu選択メツキの
ための導電膜（Ni膜）を被着した後、この導電
膜上にAu選択メツキにより金パターンを形成
し、さらに該金パターンをマスクとして露出する
導電膜部分及びその下のTi膜部分をエツチング
除去して導電パターンを形成するものである。し
かしながら、この方法にあつてはAu選択メツ
キ、Auパターンをマスクとするエツチング除去
等のプロセスの複雑さにより作業能率の低下を招
く。また、Au選択メツキ時における金パターン
の精度がメツキマスクの性状に多大に影響され、
製造歩留りが悪いという欠点がある。さらに、
Au選択メツキに際してのメツキ電極の取付部を
導体パターンとは別の個所に設けなければならな
い等の問題がある。 そこで、本発明者は上記欠点を解消するために
鋭意研究した結果、厚膜絶縁体に対して拡散し易
い性質を有するものの、セラミツク基板に対する
接着性が良好な金属薄膜（第１の金属薄膜）をセ
ラミツク基板上に被着し、この金属薄膜上に酸化
し難く電気伝導性の良好な金属薄膜（第３の金属
薄膜）をじかに被着せず、これら第１、第３の金
属膜と異なる金属薄膜（第２の金属薄膜）を介し
て被着した３層構造膜で導体を構成することによ
つて、セラミツク基板に対する接着強度も、厚膜
絶縁体に対する第１の金属薄膜が拡散しても第２
の金属薄膜のセラミツクに対しての強度を保ち、
且つ、絶縁体下では、第２の金属はセラミツクに
対してさほど強度が強くないが、絶縁体によつて
覆れているので、第１の金属ほどの強度は不要で
あることを究明した。 しかして、本発明者は上記知見を踏えて更に研
究を重ねセラミツク基板上に上述の第１、第２、
第３の金属薄膜を順次被着した後、レジストパタ
ーンをマスクとする写真蝕刻法等により選択的に
エツチングすることによつて、従来の選択Auメ
ツキによる煩雑かつ厳格な工程管理を招くことな
く接着強度も厚膜絶縁体への適合性も満足した導
体パターンを備えた混成回路基板を極めて簡単か
つ歩留りよく製造し得る方法を見い出した。な
お、本発明により得た混成回路基板について更に
詳しく説明すれば、厚膜絶縁体に被覆されていな
い導体パターン部分はその最下層の第１の金属薄
膜によりセラミツク基板への接着性が補償され、
一方、厚膜絶縁体に被覆されている導体パターン
部分は第２の金属薄膜と第１、第３の金属薄膜と
が厚膜絶縁体を形成するときの焼成工程での高温
下で合金化することにより、厚膜絶縁体中に第１
の金属薄膜等が拡散することが防止される。第２
の金属は、第１の金属に比べセラミツクに対する
付着強度は劣るが、絶縁体がこの導体膜を被覆し
ているため、第２の金属と第３の金属が形状変化
し、分断されることはない。 すなわち、本発明はセラミツク基板上に薄膜又
は厚膜の導体パターンを形成し、さらに該導電パ
ターン上の少なくとも一部に厚膜絶縁体を形成し
て混成回路基板を製造するにあたり、セラミツク
基板上に該基板に対して接着力が強い第１の金属
薄膜、酸化し難い電気伝導性が良好な第３の金属
薄膜、及び第１、第３の金属薄膜の間にこれらと
異なる第２の金属薄膜を介在させた三層構造膜を
第１、第２、第３の金属薄膜の順序で形成する工
程と、この三層構造膜を選択的にエツチングして
導体パターンを形成する工程と、この導体パター
ンの少なくとも一部に絶縁ペーストを被覆した後
焼成せしめて厚膜絶縁体を形成する工程とを具備
したことを特徴とするものである。 本発明に使用するセラミツク基板としては、例
えばアルミナ基板、ガラス基板等を挙げることが
できる。 本発明に使用する第１の金属薄膜とは、基板に
対する接着力は強いが、厚膜絶縁体に対して拡散
し易い性質を有するもので、通常、酸化物自由生
成エネルギーが−130kcal／molより絶対値が大
きいものである。この第１の金属薄膜を具体的に
例示すれば、Ti、Zr、Ｖ及びCrのうち少なくと
も１種からなるものである。また、第１の金属薄
膜の厚さとしては50〜1000Åの範囲にすることが
望ましい。 本発明に使用する第２金属薄膜は基板に対する
接着力は劣るが、第１、第３の金属薄膜と異なる
材質であつて、これらと合金化し易いものであれ
ばよく、通常、酸化生成自由エネルギーが−90〜
120kcal／mol程度のものである。但し、第２の
金属薄膜は電気伝導性が格段に優れている必要性
はなく、第３の金属薄膜の下地として役目を有れ
ば足りる。この第２の薄膜を具体的に示すと
Ni、Cu、Co、Mo、Fe、Ｗ及びTaのうち少なく
とも１種からなるものである。また、第２の薄膜
の厚さは50〜2000Åの範囲にすることが望まし
い。 本発明に使用する第３の金属薄膜とは酸化し難
く電気伝導性の良好なものであり、具体的には
Au、Pt、Pd、Ir、Os、Re、Rhのうちの少くと
も１種からなるものである。また、第３の金属薄
膜の厚さは5000Å〜２μｍの範囲にすることが望
ましい。これ以上厚くしてもかまわないが、これ
は価格と要求する電気抵抗とのかね合いで決ま
る。 本発明における第１、第２、第３の金属薄膜の
被着手段としては、無電解メツキ、スパツタ、蒸
着等が採用し得る。 本発明における３層構造膜の選択エツチング手
段としては、例えばレジストパターンをマスクと
する写真蝕刻法等が採用し得る。 本発明に使用する絶縁ペーストとしては、例え
ば（Al2O3）o−（SiO2）o-1系ペースト、SiO2−PbO
系ペースト、硼珪酸ガラスペースト、硼珪酸鉛ガ
ラスペースト、硼酸酸化バナジウム系ペースト等
を挙げることができる。 次に、本発明の実施例を説明する。 実施例 アルミナ基板上に、スパツタ法により厚さ600
ÅのTi薄膜、厚さ1000ÅのNi薄膜、及び厚さ１
μｍのAu薄膜を順次被着して３層構造膜を形成
した。次いで、この３層構造膜をレジストパター
ンをマスクとした写真蝕刻法により選択的にエツ
チングして巾100μｍの導体パターンを形成し
た。その後、この導体パターン上に（Al2O3）o−
（SiO2）o-1系ペーストを塗布し、925℃で焼成せし
めて厚膜絶縁体を形成し混成回路基板を造つた。 しかして、本実施例の混成回路基板及び100μ
ｍ巾の導体パターンが100ÅTi／6000ÅAuからな
る混成回路基板（比較例１−１）、同パターンが
100ÅTi／１μｍAuからなる混成回路基板（比較
例１−２）、同パターンが1000ÅNi／１μｍAuか
らなる混成回路基板（比較例２−１）、同パター
ンが1000ÅNi／２μｍAuからなる混成回路基板
（比較例２−１）について、次のような評価条件
で導体パターンの抵抗変化を調べたところ、図の
如き結果となつた。評価は、絶縁体被覆前で焼成
前、同被覆前で925℃の１回焼成、同被覆前で４
回焼成、絶縁体被覆後で925℃の１回焼成、２回
焼成、３回焼成、４回焼成及び５回焼成、の８種
の条件下での導体パターンの抵抗変化を調べるこ
とにより行なつた。なお、図中のＡは本実施例の
導体パターンにおける抵抗特性曲線、B1は比較
例１−１の導体パターンにおける同特性曲線、
B2は比較例１−２の導体パターンにおける同特
性曲線、C1は比較例２−１の導体パターンにお
ける同特性曲線、C2は比較例２−２の導体パタ
ーンにおける同特性曲線である。 また、本実施例及び比較例１−２、比較例２−
１の導体パターンのアルミナ基板に対する接着強
度を調べたところ、下記表の如き結果となつた。
【表】
上述した図及び表から明らかなように本発明の
混成回路基板における３層構造からなる導体パタ
ーンは厚膜絶縁体の被覆の有無、焼成回数に関係
なく抵抗変化が全くなく（図中のＡ参照）しかも
アルミナ基板に対して高い接着強度を有すること
がわかる。これに対し、導電パターンがTi／Au
からなる比較例１−１、１−２は基板上で単に焼
成を繰り返す場合には抵抗の変化がないが、厚膜
絶縁体を被覆すると、抵抗が上昇し、ついには断
線となる。また、導体パターンがNi／Auからな
る比較例２−１、２−２は厚膜絶縁体被覆後も抵
抗の変化がないが上表に示すように基板に対する
接着強度が24Kg／cm2と著しく弱い欠点がある。 以上詳述した如く、本発明によればセラミツク
基板上に３層構造膜を被覆し、この３層構造膜を
選択的にエツチングして導体パターンを形成した
後、この導体パターンの少なくとも一部に厚膜絶
縁体を形成することによつて、セラミツク基板に
対する導体パターンの接着性を第１の金属薄膜で
補償し、かつ厚膜絶縁体の形成に際しての焼成時
に第１の金属薄膜が拡散しその上の第３の金属薄
膜が分断されるのを第１〜第３の金属薄膜が焼成
時の高温によつて合金化することで防止でき、セ
ラミツク基板に対する接着強度も厚膜絶縁体への
適合性も十分満足し得る導体パターンを備えた信
頼性の高い混成回路基板を簡単かつ歩留りより製
造できる等顕著な効果を有する。
混成回路基板における３層構造からなる導体パタ
ーンは厚膜絶縁体の被覆の有無、焼成回数に関係
なく抵抗変化が全くなく（図中のＡ参照）しかも
アルミナ基板に対して高い接着強度を有すること
がわかる。これに対し、導電パターンがTi／Au
からなる比較例１−１、１−２は基板上で単に焼
成を繰り返す場合には抵抗の変化がないが、厚膜
絶縁体を被覆すると、抵抗が上昇し、ついには断
線となる。また、導体パターンがNi／Auからな
る比較例２−１、２−２は厚膜絶縁体被覆後も抵
抗の変化がないが上表に示すように基板に対する
接着強度が24Kg／cm2と著しく弱い欠点がある。 以上詳述した如く、本発明によればセラミツク
基板上に３層構造膜を被覆し、この３層構造膜を
選択的にエツチングして導体パターンを形成した
後、この導体パターンの少なくとも一部に厚膜絶
縁体を形成することによつて、セラミツク基板に
対する導体パターンの接着性を第１の金属薄膜で
補償し、かつ厚膜絶縁体の形成に際しての焼成時
に第１の金属薄膜が拡散しその上の第３の金属薄
膜が分断されるのを第１〜第３の金属薄膜が焼成
時の高温によつて合金化することで防止でき、セ
ラミツク基板に対する接着強度も厚膜絶縁体への
適合性も十分満足し得る導体パターンを備えた信
頼性の高い混成回路基板を簡単かつ歩留りより製
造できる等顕著な効果を有する。
図は本発明の実施例及び従来の混成回路基板に
おける導体パターンの厚膜絶縁体の被覆前、被覆
後の焼成による抵抗値変化を示す特性図である。
おける導体パターンの厚膜絶縁体の被覆前、被覆
後の焼成による抵抗値変化を示す特性図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ セラミツク基板上に薄膜の導体パターンを形
成し、さらに該導体パターン上の少なくとも一部
に厚膜絶縁体を形成して混成回路基板を製造する
にあたり、セラミツク基板上に該基板に対して接
着力が強い第１の金属薄膜、酸化し難い電気伝導
性が良好な第３の金属薄膜、及び第１、第３の金
属薄膜の間にこれらと異なる第２の金属薄膜を介
在させた三層構造膜を第１、第２、第３の金属薄
膜の順序で形成する工程と、この三層構造膜を選
択的にエツチングして導体パターンを形成する工
程と、この導体パターンの少なくとも一部に絶縁
ペーストを被覆した後焼成せしめて厚膜絶縁体を
形成する工程とを具備したことを特徴とする混成
回路基板の製造方法。 ２ 第１の金属薄膜がTi、Zr、Ｖ及びCrのうち
の少なくとも一種、第２の金属薄膜がNi、Cu、
Co、Mo、Fe、Ｗ及びTaのうちの少なくとも一
種、第３の金属薄膜がAu、Pt、Pd、Ir、Os、
Re、Rhのうちの少なくとも一種からなることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の混成回路
基板の製造方法。 ３ 第１の金属薄膜の厚さが50〜1000Å、第２の
金属薄膜の厚さが50〜2000Å、第３の金属薄膜の
厚さが5000Å〜２μｍであることを特徴とする特
許請求の範囲第１項または第２項記載の混成回路
基板の製造方法。 ４ 第１、第２、第３の金属薄膜を無電解メツキ
またはスパツタにより形成することを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の第１項〜ないし第３
項のいずれかに記載の混成回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2220579A JPS55115392A (en) | 1979-02-27 | 1979-02-27 | Method of fabricating hybrid circuit board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2220579A JPS55115392A (en) | 1979-02-27 | 1979-02-27 | Method of fabricating hybrid circuit board |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55115392A JPS55115392A (en) | 1980-09-05 |
| JPS625358B2 true JPS625358B2 (ja) | 1987-02-04 |
Family
ID=12076283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2220579A Granted JPS55115392A (en) | 1979-02-27 | 1979-02-27 | Method of fabricating hybrid circuit board |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55115392A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6486224A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-30 | Nec Corp | Standby device for microcomputer |
| JPH07212988A (ja) * | 1994-01-14 | 1995-08-11 | Fujitsu Ten Ltd | マイクロコンピュータの電源装置 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4628149A (en) * | 1981-11-30 | 1986-12-09 | Nippon Electric Co., Ltd. | Substrate having a pattern of an alloy of gold and a noble and a base metal with the pattern isolated by oxides of the noble and the base metals |
| JPH0382188A (ja) * | 1989-08-25 | 1991-04-08 | Kyocera Corp | セラミック配線基板の製造方法 |
| JP4921426B2 (ja) * | 2008-06-30 | 2012-04-25 | イースタン技研株式会社 | 清水液防錆処理装置 |
-
1979
- 1979-02-27 JP JP2220579A patent/JPS55115392A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6486224A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-30 | Nec Corp | Standby device for microcomputer |
| JPH07212988A (ja) * | 1994-01-14 | 1995-08-11 | Fujitsu Ten Ltd | マイクロコンピュータの電源装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55115392A (en) | 1980-09-05 |
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