JPH0197923A - 記録表示素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

〔産業上の利用分野〕 大発明は記録表示素子に関する。 〔従来の技術〕 最近、高分子液晶を用いた記録表示素子が活発に研究さ
れるようになっており、高分子液晶配向膜に熱エネルギ
ーを加えて書込むという方式が通常取られている。高分
子液晶を再配向して消去し、初期配向状態に戻すには素
子の外部から電界印加装置によって電気的コンタクトを
取りなから加熱するという方法がとられている（たとえ
ば英国特許λ１４６，７８７Ａ号）。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながらこの技術では、回転する光ダイスフに電気
的コンタクトをとるためノイズの原因となるスパークが
発生するという問題がある。 〔問題を解決するための手段〕 木発明者らは、根本的にノイズを発生させずに？ｌ界を
印加できる記録表示素子について鋭意検討した結果、大
発明に到達した。 すなわち、大発明は加熱または冷却によって電界を与え
ることのできる無電体層と液晶層およびそれらを挾んだ
２枚のＷｔ極から構成されることを特徴とする記録表示
素子である。 大発明において焦電体を構成する焦電材料は、１ｏ−＋
１ク一ロン／ｃｍ”・Ｃ以上の焦電係数を有することが
必要であり、好ましくは、１０−＠クーロン／’　Ｃｍ
”・Ｃ以上である。各１材料の焦電係数は、塩崎忠監修
「圧電材料の製造と応用」（シーエムシー、昭和５９年
刊行）に記載されている。 焦電材料は、有機系焦電材料、無機系無電材料および複
合＊Ｗ材料に分類することができる。。 有機系無電材料としては、ビニリデン系重合体。 ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニル、ナイロン１１゜三
硫化グリシン硫酸塩結晶系（ＴＧＳ系と略記）などがあ
げられる。 ビニリデン系重合体としては、ポリフッ化ビニリデン、
フッ化ビニリデン−トリフルオロエチレン共重合体、フ
ッ化ビニリデン−テトラフルオロエチレン共重合体およ
びシアン化ビニリデン系共重合体たとえばシアン化ビニ
リデン−酢酸ビニル共重合体、シアン化ビニリデン−メ
タクリル酸メチル共重合体、シアン化ビニリデン−安息
香酸ビニル共重合体、シアン化ビニリデン−イソブチレ
ン共重合体などをあげることができる。 フッ化ビニリデン−トリフルオロエチレン共重合体の共
重合体中のフッ化ビニリデンの量はモル基準で好ましく
は３０〜９０％である。またこの共重合体には通常０．
１〜１０モル％のテトラフルオロエチレン、ヘキサフル
オロプロピレン、フッ化ビニル等を第３成分あるいは第
４成分として含んでいてもよい。 シアン化ビニリデン系共重合体のうち、シアン化ビニリ
デン−酢酸ビニル共重合体およびシアン化ビニリデン−
安息香酸ビニル共重合体は交互共重合体が好ましく、他
のシアン化ビニリデン共重合体はランダム共重合体が好
ましく用いられる。 ＴＧＳ系は、三斜晶系結晶を形成するものであり三硫化
グリシン硫酸塩（Ｎｌ２　ＣＨ鵞Ｃ０ＯＨ）ａ・ＨＩ　
Ｓ０４の他に、三硫化グリシン重硫酸塩（ＮＨｘ　ＣＨ
！　Ｃ０ＯＨ）３・０２ＳＯｓ　−Ｌ−アラニンをドー
プしたＴＧＳ　（ＬＡＴＧＳと略記］、重硫酸重硫酸で
置換したＬＡＴＧＳ　（ＤＬＡＴＧＳ）　　、硫酸をセ
レン酸Ｈ冨５ｅ０４　で置換したＴＧＳ（ＴＧＳｅ）　
、硫酸をベリリッツ酸ＨＩＢｅＦ４　で置換したＴＧＳ
　（ＴＧＢＦ）をあげることができる。 このような有機系環！材料は、他の組成の有機系無電材
料と混合して用いてもよい。また互いに共重合比の異な
る共重合体間で混合して用いてもよい。 無機系焦電材料としては、タンタル酸リチウム結晶系Ｃ
ＬＴ系と略記】およびセラミクス系をあげることができ
る。 ＬＴ系としては、タンタル酸りチウムＬｉＴａＯ３以外
に・、ニオブ酸リチウムＬｉＮｂ０ａ一般式Ｓｒｔ　−
１１Ｌ　Ｂａ１ＮｂｘＯｓ　　　　　　　　　　（２）
（式中０　＜　ｘ　＜　１である〕で表わされるニオブ
酸ストロンチウムバリウム（ＳＢＮと略記］があげられ
る。 無機系無電材料としてはその他にゲルマニウム酸鉛Ｐｂ
ｇＧｅａＯｔｔ一般式 ％式％（３） （式中０＜ｒ＜５である］で示される化合物、モリブデ
ン酸稀土類、例えばモリブデン酸テルビウムＴｂ！（Ｍ
ｏ　Ｏａ　）ａ　ｓプロピオン酸カルシウム鉛Ｃａ２Ｐ
　ｂ　（ＣＨｘ　ＣＨｘ　Ｃｏｏ　）ｓ　　一般式％式
％（４） （式中ＭはＣｏ″＋＊　Ｎ１”　、　Ｍｎ”　、　Ｆｅ
”　、　Ｃａ”＋等の２価のカチオンであり、ＸはＣ７
１−、Ｂｒ−、Ｉ−である］で示されるボラサイト系化
合物をあげることができる。 セラミクス系としては、チタン酸鉛ＰｂＴｉ０ａ　の他
に、一般式 ％式％） （式中０　＜　ｘ　＜　１である。］で表わされるチタ
ン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴと略記〕およびランタンをド
ープした一般式（１１で示されるチタン酸ジルコン酸鉛
（ＰＬＺＴと略記）、ジルコン酸鉛ＰｂＺｒＯ３、式％
式％） で示される化合物で変成されたジルコン酸鉛（ＰＺＦＮ
と略記）、鉛の一部がビスマスで、ジルコニウムの一部
がチタ〜ニウムで置換されたジルコン酸鉛（ＰＢＺＴ　
　と１！記）　、　ＰＺＦＮとチタン酸鉛の混合系（Ｐ
ＺＦＮＴと略記）、チタン酸バリウムＢａＴｉＯ３゜バ
リウムの一部を鉛、カルシウムで＠喚した一般式 ％式％（６） （式中０−ｙ＜１．０＜−ｚ＜１．０＜ｙ４−ｚ＜１く である。］で示されるセラミクスがあげられる。 上記のセラミクス系に、第二、第三の成分として、へ酸
化三ウランＶ３０１１　＊五酸化二ニオブＮ　ｂ２０ｓ
　＊Ｐｂ１ＳｎＳｂＯｓ等を加えることもできる。 複合焦電材料としては、ＦｅＩボラサイト、Ｆｅ５Ｂ、
Ｏｌ、１の粉末をニブキシ樹脂中に分散したもの、チタ
ン酸鉛の粉末をポリフッ化ビニリデン中に分散したもの
のように無機系無電材料あるいはセラミクス系焦電材料
の粉末等をゼリマーに分散したのをあげることができる
。 前述の各種焦電材料めうちで、ビニリデン系重合体は、
ＴＧＳ系、ＬＴ系、セラ電りス系複合焦電材料より一般
に約１桁焦電係数が小さいが、加工性が優れているため
薄膜化しやすく好ましい。フッ化ビニリデン−トリフル
オロエチレン共重合体およびシアン化ビニリデン−酢酸
ｅニル共重合体は塗布、ポーリング（分極処理］したも
のがそのまま焦電体となるので、特に好ましい。 大発明において液晶層を形成する液晶としては、高分子
液晶、低分子液晶およびその併用系があげられる。 島分子液晶としては、主鎖型高分子液晶、側鎖型高分子
液晶、主鎖−側鎖複合型高分子液晶（主鎖と側鎖にメソ
ーゲンを含有する高分子液晶）のいずれを用いることも
可能である。 主鎖型高分子液晶はメソーゲンが主鎖中に含まれる高分
子化合物で必要に応じて可撓性のある基（以下「スペー
サ」と言う）を含んでいてもよい。 メソーゲンとしては◇Ｘｘ＠とじて表わされるものが通
常使用される。ここでＸとしてはＣＨ−ＣＨ％Ｃ■Ｃ％
ＣＨ−ＣＨ−ＣＯ％ＣＯ−０，Ｃｏ　−Ｎ）ｉ。 スペーサとしてはＣ１〜Ｃ１！のメチレン鎖、オキシエ
チレン鎖、オキシプロピレン鎖などがあげられる。 主鎖型高分子液晶の例としてはマクロモレキュラーレ・
ヘミ−１８４巻％２５３頁（１９８３年］記載の下記溝
造単位を有するものをあげることができる。 （−（ＣＨｚ）ｔｘｏ＋ｃｏ−０＠−Ｃｏ−０＠−０＋
　　（ｎその他の主鎖型高分子液晶として、−り

【ｒ−
ベンジル−グルタメート］のような？リベプチド、ヒド
ロキシプロピルセルロースなどのようなセルロース誘導
体を使用することもできる。 側鎖型高分子液晶とはメソーゲンが側鎖に含まれるもの
でスペーサが主鎖とメソーゲンとの間に介在していても
よい。メソーゲンとしては上記に述べた以外に、コレス
テリル基、もしくはカイラルネマチック基を含むものが
通常使用できる。側鎖型高分子液晶に用いられる主鎖と
してはＣ−Ｃ結合、５１−０結合が通常使用される。前
者の例としてはマクロモノキュラーレ・ヘミ−１１７９
巻、２５４１頁、（１９７８年］記載の下記化学構造単
位を有するものがあげられる。 後者の例としては下記化学構造単位を有するものがあげ
られる。 主鎖型島分子液晶および側鎖型高分子液晶については岡
野光治・小林酸分共編「液晶・基礎編」第８章（培風館
、昭和６０年刊行］に記載の高分子液晶も使用可能であ
る。 主鎖−側鎖複合型湾分子液晶の例としては、マクロモレ
キュラーレ・ヘミ−；ラビッド・コミュニケーション、
第６巻、２９１頁（１９８５年］に記載のものをあげる
ことができる。 大発明において高分子液晶は必要によっては３次元に架
橋されていてもよい。架橋された高分子液晶を得る方法
としては特会昭６１−、ａ０２５０号公報に記載の方法
をあげることができる。 大発明において高分子液晶のうち好ましいものは側鎖型
高分子液晶である。錆分子液晶の取る液晶相としては、
スメクテイツク、ネマティック、コレステリック（カイ
ラルネマティック）のいずれでもよい。特に短い応答時
間が必要な場合は、カイ゛ラルスメクテイツクＣ相の高
分子液晶が好ましい。 高分子液晶には必要により、メソーゲンを含有するが液
晶ではない低分子化合物（メソーゲン化合物と略記］を
加えることもできる（過言、圧分子液晶に対し３０ｆｉ
ｉ％以下）。メソーゲン化合物としては、４−アリロキ
シ安息香酸−４′−シアノフェニルエステル、４−アセ
トキシ安８香ｔａ−４’−シアノフェニルエステルなど
をあげるこトカできる。 蓬分子液晶は必要により通常のポリマーと混合すること
もできる。この−リマーとしては、オレフィン系樹脂、
アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリエチレン系樹
カ旨、ポリエステル系樹脂。 ポリカーボネート系樹脂、スチレン−ブタジェン共重合
体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体などが
あげられる。 この重量比は、通常のポリマーを増加すると、成膜性は
向上するが液晶性は低下してしまうため最適値があり高
分子液晶１に対し、通常のがリフ−２以下である。 低分子液晶としては、ビフェニル系およびそのエステル
類、フェニルシクロヘキサン系およびそのエステル類、
シクロへキシルシクロヘキサン系およびそのエステル類
、フエニルジオキサン系およびそのエステル類、フェニ
ルピリミジン系およびそのエステル類などをあげること
ができる。 またその他にカイラルアルキル基を含む低分子液晶、具
体的には安息香酸フェニルエステル類、ベンジリデンア
ニリン類、ビフェニルカルボン酸エステル類のような岡
野光冶パ小林酸分共編「液晶・基礎榎」第７章（培風館
、昭和６０年刊行）に記載のものを用いることができる
。またカイラルアルキル基を含゛むトラン類も使用可能
である。 大発明において、高分子液晶に低分子液晶を加えてもよ
い。 また低分子［４と通゛常のポリマーとを混合して作成し
た膜が大発明における上記高分子液晶を含有する膜と同
様な働きを示す場合がある。この場合も大発明における
高分子液晶を含有する膜と同様に表示媒体として使用が
可能である。使用可能なポリマーとしては、メチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチル−メタクリレート樹脂な
どのアクリル系樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエステル
系樹脂、プリカーボネート樹脂等があげられる。また共
重合樹脂としてスチレン・ブタジェン共重合体や塩化ビ
ニリデン−アクリロニトリル共重合体等が上記ポリマー
として使用可能である。 上記ポリマーの混合割合は低分子液晶ｌｉ量部に対して
、通常０，０１〜４Ｍ量部である。ポリマーが４重量部
を越えると液晶性が低下し、組み合わせによっては液晶
相を示さない。 液晶の誘電異方性は、正であっても負であってもよい。 正の場合であれば、電界印加で液晶分子は界面に垂直に
配列（ホメオトロピツクコし、負の場合は平行に配列（
ホモジニアス）する。 本発明において液晶がとる中間相としては、スメクテイ
ツク、ネマティック、コレステリック（カイラルネマテ
ィック］のいずれでもよい。特に短い応答時間が必要な
場合にはカイラルスメクテイツクＣ相が好ましい。 記録あるいは消去のために、光を照射する場合。 光吸収効率を上げるために色素を用いることが可能であ
る。 記録光の波長に吸収ある色素としては、半導体レーザを
用いる場合は近赤外線吸収色素を用いるのが好ましく　
、Ｈｅ−Ｎｅレーザ、Ａｒレーザ、タングステンランプ
、ハロゲンランプなどを用いる場合は可視光吸収色素を
用いるのが好ましい。 近赤外線吸収色素は近年種々のものが開発されており、
有機合成化学第４３巻、第４号、３６〜４５頁（１９８
５）に記載のものたとえばフタロシアニン色素、テトラ
デヒドロコリン、ベンゼンジチオールニッケル錯体、ナ
フトキノン染料などがあげられる。市販品としては、Ｉ
Ｒ−７５０（７４３）、ＩＲＧ−００２（９８０）、Ｉ
ＲＧ−００３（９８０）、（以上日水化薬製）；ＮＫシ
リーズたとえばＮＫ−７８（８００）、１２３（８１７
）、１２５（７４０３，１２６（７６１）、２０１４（
７８０）、２４２１（７４０）、２７７２（７７０）　
　Ｃ以上８木感光色素研究所製）：ＩＲアブソーバＰＡ
シリーズたとえばＰＡ−１００１（１１１０）、１００
３（８８５）、１００５（８５０）、１００６（８７０
）ｉ　（三井東圧化学製］がある（上記において括弧内
の数字はλｍａｘを示す）。 可視光吸収色素としてはソルベントイエロー９８、ソル
ベントオレンジ７２．ソルベントイエロー２％ローグミ
νＢなどがあげられる。 このような光吸収剤は焦電体層に加えてもよく、また液
晶層に加えてもよい。 液晶層の記録を表示、あるいは読出す必要上、二色性色
素を液晶に添加することも可能である。 二色性色素としては、メロシアニン系色素類、アントラ
キノン系色素類、アゾ系色素類、スチリル系色素類、ア
ゾメチン系色素類、テトラジン系色素類、メチン系色素
類、スクワリリウム系色素類をあげることができる。 光吸収色素および、／または二色性色素を使用する場合
には、焦電体および／または液晶とこれらの光吸収色素
および／または二色性色素との重量比は通常１：ｏ、ｏ
ｔ〜１：０．２である。液晶中に必要に応じて他の成分
を加えることができ、この成分としては応答時間短縮あ
るいは駆動しきい電圧低下のための非液晶性液体や、キ
ラル物質を用いることがある。このような非液晶性液体
としては２−オキサゾリジノン類、プロピレンカーボネ
ート、ジアルキルビスフェノール類、アルキルシクロフ
ェニル、シクロヘキサン類などがあげられる。またカイ
ラル物質としては、安息香酸−２−メチル゛ブチルエス
テルなどがあげられる。 本発明において！極は、透明電極と不透明電極のいずれ
を用いることも可能である。使用する２枚の電極のうち
１枚は透明ｔＩｔ極であることが必要である。 透明電極はインジウムスズオキシド（ＩＴＯ）あるいは
酸化スズが通常用いられる。また不透明電極としては金
４が用いられるが、通常はアルミニウム、金、銀、銅な
どが用いられる。 本発明の素子の１例を図面により説明する。第１図は本
発明の素子の断面図である。透明＠ｔ！！ｉｉｇ付きの
透明支持基体ｌの上に液晶ｍ３を付け、その上に焦９体
層４を設け、電極５を積層しである。 ２つの電極間は開閉器７付きの電線６でつないである。 透明Ｒ極付さ透明支持基体憂こおいて、基体は熱伝導性
、平面精度、機械的強蜜、吸湿性、ソリ、軽量性、加工
性、コストなどを考慮して選択するのが好ましい。基体
の例としては、ガラス、セラミックス、プラスチックス
（アクリル樹脂、メタクリル樹脂、プリエステル樹脂、
ぼりカーボネート樹脂、エポキシ樹脂など〕、金属など
の一般に使用されている記録材料の基体があげられる。 これらのうち、平面消電などの点からはガラスが好まし
い。また軽量性、加工性、コストなどの点からはプラス
チックスが好ましい。 基体の形状は用途に応じ種々変えることができ、たとえ
ば板状、ディスク（円盤）状、ドラム（円筒］状などが
あげられる。 その上に付ける液・晶層の形成方法としては、液ａ　’
ｌ’　Ｍ　ｔＪＸ　（クロロホルム、トルエンなト）に
溶解させて塗布する方法および流動点以上に加熱しなが
ら塗布する方法があげられる。塗布する方法としては、
スピンコード法、キャスト法、デイツプ法、バーコード
法、ロールコート法などをあげることができる。 また低分子液晶であれば、通常セル中への真空注入によ
って目的の液晶層をえることができる。 液晶層は基体上に通常０．１μｍ〜１ｍｆｉ、好ましく
は０．５〜２０μｍの厚さに形成される。 その上に設ける無電体１は、別に薄膜成形およびポーリ
ングしておいたものを液晶Ｉｆｉ上に積層する方法と、
溶液あるいは融液のかたちで塗布した後、ポーリングす
る方法の二種がある。 前音の方法は、通常無機系焦電体、複合焦電体およびフ
ッ化ビニリデン重合体において用いられる。後者の方法
は、通常フッ化ビニリデン−トリフルオロエチレン共重
合体およびシアン化ビニリデン−酢酸ビニル共重合体に
おいて用いられる。 焦電体層は液晶ｌＩｌ！上に通常０．Ｏ１μｍ〜ｔｍｍ
、好ましくは０．１〜３０μｍの厚さに形成される。 第１図に示した以外に光吸収１１、電気線ｉｌｔ層、層
間絶縁Ｒ，ＦＬ晶配向層などを必要に応じて設けてもよ
い。 光吸収層の材料としては、その記録光の波長に吸収のあ
る色素、金属、カーボンブラックなどがあげられる。 色素としては、先に述べたような近赤外線吸収色素、可
視光吸収色素があげられる。 金属としてはＣｕ　、　Ａｕ　、　Ｂｉ　、　Ｔｅ　、
　Ｓｅ　、　Ｉｎなどおよびそれらの合金（Ｔｅ−Ｓｅ
合金など）があげられる。 電気絶縁層の材料としては、高分子、例えば−リエチレ
ン、プリプロピレン、ポリイミド、ポリビニルアルコー
ルなどや、無機化合物、例えば酸化ケイ素、窒化ケイ素
、窒化アルミなどが用いられる。 電気絶縁層の厚さは、通常０．０１μｍ〜ｔｍｍである
。 層間絶縁１は、通常液晶１上に焦電材料の溶液等の塗布
の場合に、液晶の溶出を防止する目的で設けられる。層
間絶縁層の材料としては、架橋性樹脂、特に光架橋樹脂
（多官能アクリル酸エステル類に増感剤を添加したもの
）やｍ！材料の溶液中の溶剤に不溶のものであれば種々
のもの（ぼりビニルアルコールなど］を用いることがで
きる。 層間絶縁層の厚さは、通常０．０１〜１００μｍである
。 液晶配向層は大別して、液晶分子の垂直配向および水平
配向の処理のために用いられる。垂直配向処理剤として
は、レシチン、ステアリン酸。 ＣＴＡＢ　（ヘキサデシルトリメチルアンモニウムプロ
ミド］等をあげることができる。水平配向処理剤として
はポリイミド、？リビニル、アルコール、パーサミド１
２５（ダイマー酸系ボリアミド樹脂、ゼネラルミルズ社
製品］、カーボン、ポリオキシエチレンなどをあげる仁
とができる。 第１図のような断面を有する記録表示素子を作製する一
般的プロセスを述べる。まず透明電極付支持基体に高分
子液晶の溶液を塗布し、乾燥させる。次に光架橋樹脂と
して紫外線硬化樹脂を塗布、紫外線照射して層間絶縁層
をつくる。この上に焦電材料のｆｇ液を塗布し、アルミ
ニ′ウムを真空蒸着により電極形成する。二枚の電極を
電線で接続し両極に、加熱（通常５０°〜２００６Ｃ）
Ｌながら直流電界（通常５０〜２００ＭＶ／＋１１３を
かけてプーリングする。 この時、液晶層はホメオトロピックあるいはホモジニア
スに配向する。電極を結ぶ電線の途中に開閉器を配置す
れば、本発明の素子が基本的に完成する。 本発明の記録表示素子の使用法、より具体的には書換え
可能な光メモリ媒体としての使用法を−例として述べる
。 第１図のような断面を有する素子は必要に応じて加熱し
ながら、電界をかけすでに液晶層がホメオトロピックあ
るいはホモジニアスに配向しであるものとする。 これに回路の開閉器をＯＦＦにして、透明点以上に加熱
急冷すると、液晶配列が乱れ、光散乱性とムリ反射率が
下がる。これが書込み過程である。 消去する場合には、回路の開閉器をＯＮｇこしたままで
加熱、徐冷すると、＃Ａ電体が分極、電界が液晶層にか
かつて再配列し、初期状態に戻る。これが消去過程であ
る。 初期状態として無配向状態（光散乱性）を選ぶと、信込
み時に開閉器がＯＮのとき、透明な記録状態が得られる
ことになる。そして開閉器がＯＦＦで加熱すると無配向
の初期状態に戻る。 このような初期状態が無配向の素子を作る方法は、前述
の作製プロセスのうち、異なる点は、−一リングで通常
配向してしまう液晶を開閉器をＯＦＦにし、素子全体を
透明点以上にした後急冷して乱してやるプロセスが最後
に加わることのみで　。 ある。 〔実施例〕 以下、実施例により本発明をさらに説明するが、本発明
はこれに限定されるものではない。 以下の実施例では、基本的に第１図に示した構成の記録
表示素子を作製した。 実施例１ ４−アリロキシ安息香酸−４′−シアノフェニルエステ
ル（メソーゲン化合物＋１）　）を次のように合成した
。まず４−オキシ安息香酸１３８ｇおよび水酸化カリウ
ム１３２ｇを水２７０ｒｌｔに溶解し、これにテトラブ
チルアンモニウムプロミド６ｇを加えた後、塩化アリル
１００ｇのトルエン希釈液を４０℃で攪拌しながら滴下
した。反応終了後、水層を４Ｎ−塩酸でｐＨを３にし、
水洗後の固形物をエタノールで再結晶し、アリロキシ安
息香酸８９．０ｇを得た（収率４９％］。 次に、アリロキシ安息香酸３６．４ｇに塩化チオニル３
５ｍＪを加えて攪拌し、反応混合物が透明になってから
過剰の塩化チオニルを除去し、４−シアノフェノール２
１８ｇ、トルエン５０ｍ４１ｓジメチルフオルムア電ド
１ｍＪを加えて、水洗後、トルエンを除去し、エタノー
ルから再結晶して８４６ｇの化合物１１）を得た（収率
６２形］。化合物（１）は液晶相をもたず融点は１０４
℃であった。 次に、化合物（１）２７５ｇおよびポリメチルハイドロ
−ジメチルシロキサンコポリマー〔コモノマーの２合度
はそれぞれ６０．信越化学（株）Ｉ！　ｒＸ−６５００
Ｊ）１．１８８ｇをテトラヒドロフラン１０ｍＪに溶解
し、塩化白金酸３ｍｇを加えて５時間攪拌した。この生
成物をメタノールにて３回再沈し乾燥させて、１５ｇの
固形物を得た。 この生成物を偏光顕微鏡観察したところ、４３℃以下で
液晶性を示す高分子液晶であることが確認された。 この高分子液晶０．９ｇおよび化合物ｔ１７０．１ｇを
クロロホルムに溶かしたものを、ＩＴＯ付ガタガラス板
布して１０μｍの液晶層を形成した。 一方ポーリング済のフッ化ビニリデン重合体フィルム（
「ＰＶＤＦピエゾフィルム」県別化学工業（株）製、膜
厚３０μｍ】で−一リングのために両面に付けであるア
ルミニウム電極のうち、−面をカセイカリ水溶液で取除
いた。これを先はどの液晶層の表面に重ねあわせ密着さ
せた。 アルミ電極およびＩＴＯ電極を銅線で接続し、途中に開
閉器を配置した。約４０’に加熱しなから１００Ｖ、　
６０Ｈｚ　　の電圧を二電極間にかけ全体をホメオトロ
ピックＧζ配回させ、本発明の素子とした。 開閉器をＯＦＦの状態で温風をあて急冷すると。 透明であった液晶層が白濁した。次に開閉器をＯＮの状
態で温風をあてると再び透明の状態になり、初期の状態
に戻った。このようにして記録表示ができることを確認
した。 実施例２ 実施例１で用いた亮分子液晶、ｌ化合物（υの混合物に
９８０ｎｍに吸収ピークを持つ赤外線吸収剤ＩＲＧ００
３（日木化薬（株］製】を１％添加し、前記と同様に液
晶層を形成した。実施例１と同様の素子を作製°シ８３
０ｎｍを発振する半導体レーザのビームを出力１０ｍＷ
で１〜２μｍ程！に絞り開閉器ＯＦＦ状態の素子８こ５
０μｓｅｃの単パルスを照射するとほぼ円形のスポット
が描かれた。次に開閉器をＯＮにして温風をあてるとス
ポットがほぼ完全に消滅し、可逆性のある記録表示を行
えることが確認された。 実施例３ ４−ｎ−オクチル−４′−シアノビフェニルおよび４−
ｎ−デシル−４′−シアノビフェニルをモル３７°　　
　　　　４２゜ ツクＡ−ネマティック　−等方相という相転移を示す。 一方市販のＰＶＤＦピエゾフィルムをガラス板に接着し
た後、ガラス板と反対側のアルミ電極をカセイカリ水溶
液で除去した。これと！旬付ガラス板とで１０μｍのす
き間を有する液晶セルを作製し、先の液晶を真空注入、
封止した。１００Ｖ。 ６０Ｈｚ　Ｗ界で初期配向した。銅線での接続、開閉器
設置は前実施例と同様に行い、大発明の素子とした。 開閉器ＯＦＦの状態で温風をあてると、透明の状態から
白濁の状態に変化した。次に開閉器ＯＮの状態で温風を
あてると再び透明な状態に戻った。このようにして、可
逆性のある記録表示が可能なことを確認した。 〔発明の効果〕 大発明の記録表示素子は下記効果を奏する。 １、　根本的にノイズを発生させずに電界を印加できる
素子である。回転するディスクに電気的コンタクトを取
らなくても電界を与えることができるため、接点から発
生するスパークによって生じるノイズが完全に防止でき
る。このようなノイズは読出しの信号処理上、極めて不
都合なものであり、従来の方法ではノイズを防止するこ
とが困難であった。また、大発明の素子は電界を与える
ためのコンタクト装置が不要になり記録表示素子に包含
してしまうことが可能になる。 λ　大発明の素子は、高分子液晶を用いた書換え型光記
録モードにおいてメソーゲンが配向した透明な状態と乱
れた光散乱の状態との間での書込み・消去の繰返しを可
能にする。高分子液晶の誘電異方性が正の場合、メソー
ゲンは電極に垂直に配向し、負の場合は、平行に配向し
た膜を得ることができる。 焦電体膜の作用を書込みの時に行わせるか、消去の時に
行わせるかによってポジ、ネガの使い分けをすることも
できる。また、レーザの代わりにサーマルヘッドなどの
書込みも可能である。 ３、　低分子液晶を用いた直流電界による記録表示モー
ドのすべてについて、大発明を適用することが原理的に
可能であり、特に大面積表示媒体の応用可能ながある。 上記効果を奏することから大発明の記録表示素子の適用
可能な記録表示モードとしては、ネマチック液晶を用い
たねじれネマ千ツクモード（略称ＴＮ）、ゲスト−ホス
トモード（Ｇｌ３、電圧制御複屈折モード（ＶＣＢある
いはＴＢ）、コレステリック液晶を用いた光ブラック反
射モード（ＢＲ）、蓄積型モード（ＳＴ）、双安定モー
ド（ＢＳ　）、スメクテイツクＡ液晶を用いた熱書込み
モード（ＴＡ　）およびカイラルスメクティックＣ液晶
を用いた電圧制御複屈折率モード（ＶＣＢあるいはＴＢ
　）　、ゲストホストモード（Ｇｌ（Ｊをあげることが
できる。

【図面の簡単な説明】

ＩＩＩ図、第２図はそれぞれ大発明の記録表示素子の断
面図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、加熱または冷却によつて電界を与えることのできる
   焦電体層と液晶層およびそれらを挟んだ２枚の電極から
   構成されることを特徴とする記録表示素子。 ２、該電極間が導電体で接続されている特許請求範囲第
   １項記載の記録表示素子。 ３、該導電体が開閉器を備えている特許請求範囲第２項
   記載の記録表示素子。 ４、焦電体層を構成する焦電材料が１０＾−＾１＾１ク
   ーロン／ｃｍ＾２・℃以上の焦電係数を有する特許請求
   範囲第１項〜第３項のいずれか一項に記載の記録表示素
   子。 ５、焦電材料がビニリデン系重合体である特許請求範囲
   第４項記載の記録表示素子。 ６、ビニリデン系重合体が、ポリフッ化ビニリデン、フ
   ッ化ビニリデン−トリフルオロエチレン共重合体、シア
   ン化ビニリデン−酢酸ビニル共重合体である特許請求範
   囲第５項記載の記録表示素子。 ７、焦電材料が無機系焦電材料である特許請求範囲第４
   項記載の記録表示素子。 ８、無機焦電材料が、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リ
   チウム、チタン酸鉛、一般式 ＰｂＺｒ＿ｘＴｉ＿１＿−＿ｘＯ＿３（１）（式中０＜
   ｘ＜１である）で示されるチタン酸ジルコン酸鉛および
   ランタンをドープした一般式（１）で示されるチタン酸
   ジルコン酸鉛からなる群より選ばれる化合物である特許
   請求範囲第７項記載の記録表示素子。 ９、焦電材料が無機系焦電材料を高分子中に分散させた
   複合焦電材料である特許請求範囲第４項記載の記録表示
   素子。 １０、液晶が高分子液晶である特許請求範囲第１項〜第
   ９項のいずれか一項に記載の記録表示素子。 １１、液晶が低分子液晶である特許請求範囲第１項〜第
   ９項のいずれか一項に記載の記録表示素子。 １２、加熱をレーザ、発光ダイオード、サーマルヘッド
   またはランプで行う特許請求範囲第１項〜第１１項のい
   ずれか一項に記載の記録表示素子。