JPH0198146A - 高密度情報記録担体 - Google Patents
高密度情報記録担体Info
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- JPH0198146A JPH0198146A JP25694087A JP25694087A JPH0198146A JP H0198146 A JPH0198146 A JP H0198146A JP 25694087 A JP25694087 A JP 25694087A JP 25694087 A JP25694087 A JP 25694087A JP H0198146 A JPH0198146 A JP H0198146A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はレーザー光を用いて情報の記録・再生を行う光
学式記録・再生方式で用いられる高密度情報記録担体に
関するものであり、特に、光磁気記録・再生特性に優れ
且つジッター特性にも優れた光磁気記録・再生方式の高
密度情報記録担体に関するものである。
学式記録・再生方式で用いられる高密度情報記録担体に
関するものであり、特に、光磁気記録・再生特性に優れ
且つジッター特性にも優れた光磁気記録・再生方式の高
密度情報記録担体に関するものである。
従来の技術とその問題点
光磁気ディスクのような光磁気記録媒体において、現在
、技術的に最も要求されている問題点は信頼性の向上を
いかにして達成するかということと、記録・再生特性を
さらに改善させることである。
、技術的に最も要求されている問題点は信頼性の向上を
いかにして達成するかということと、記録・再生特性を
さらに改善させることである。
特に透明基板としてプラスチック基板を用いた場合には
、その基板中に残留する水分やモノマーあるいは基板を
通して浸入してくる水分等によって記録担体が劣化、あ
るいは変質してしまうという欠点があった。本発明者は
、特開昭61−289.560号において上記欠点を解
決する方法として、プラスチック基板と記録層の間に無
アルカリガラスの薄膜を設けることを提案した。この方
法は、光ディスクの耐久性を驚異的に延ばし、完全に満
足のゆ(ものであるが、光磁気効果は、従来のままであ
るため、C/N値は従来のものと変わらず、実用的な見
地からはさらに改良の余地があった。
、その基板中に残留する水分やモノマーあるいは基板を
通して浸入してくる水分等によって記録担体が劣化、あ
るいは変質してしまうという欠点があった。本発明者は
、特開昭61−289.560号において上記欠点を解
決する方法として、プラスチック基板と記録層の間に無
アルカリガラスの薄膜を設けることを提案した。この方
法は、光ディスクの耐久性を驚異的に延ばし、完全に満
足のゆ(ものであるが、光磁気効果は、従来のままであ
るため、C/N値は従来のものと変わらず、実用的な見
地からはさらに改良の余地があった。
そこでさらに、本発明者は、上記のC/N値を改良する
ための方法として特開昭62−24.458号において
、カー効果エンハンスメント薄膜層を用いることにより
、実用的なC/N値が得られることを示した。
ための方法として特開昭62−24.458号において
、カー効果エンハンスメント薄膜層を用いることにより
、実用的なC/N値が得られることを示した。
しかし、最近では、光磁気記録担体の特性を示すC/N
値以外に、記録パルス時間に対する再生パルス時間の標
準偏差(以後、ジッターという)を更に改善することが
強く望まれるようになっている。しかし、上記の従来の
方法では満足できるジッター特性を有する光磁気記録担
体を作ることはできなかった。
値以外に、記録パルス時間に対する再生パルス時間の標
準偏差(以後、ジッターという)を更に改善することが
強く望まれるようになっている。しかし、上記の従来の
方法では満足できるジッター特性を有する光磁気記録担
体を作ることはできなかった。
従って、本発明の目的は、上記本発明者達の提供した優
れた耐久性を有し且つ高い実用的なC/N値を有する光
磁気記録担体において、さらに、上記ジッター特性も改
良された新規な光磁気ディスク等の光磁気記録担体を提
供することにある。
れた耐久性を有し且つ高い実用的なC/N値を有する光
磁気記録担体において、さらに、上記ジッター特性も改
良された新規な光磁気ディスク等の光磁気記録担体を提
供することにある。
問題を解決するための手段
本発明の提供する高密度情報記録担体は、透明基板と、
この基板上に形成された光磁気記録材層と、この記録材
層の少なくとも一方の表面上に形成されたカー効果エン
ハンスメント薄膜層とを有する光磁気記録・再生方式を
用いた高密度情報記録担体において、上記光磁気記録材
層と上記カー効果エンハンスメント薄膜層との間に透明
薄膜層が設けられていることを特徴としている。
この基板上に形成された光磁気記録材層と、この記録材
層の少なくとも一方の表面上に形成されたカー効果エン
ハンスメント薄膜層とを有する光磁気記録・再生方式を
用いた高密度情報記録担体において、上記光磁気記録材
層と上記カー効果エンハンスメント薄膜層との間に透明
薄膜層が設けられていることを特徴としている。
上記透明薄膜層の屈折率は、可視光に対して、上記カー
効果エンハンスメント薄膜層の屈折率より小さいのが好
ましい。
効果エンハンスメント薄膜層の屈折率より小さいのが好
ましい。
本発明で用いる上記透明基板はガラス基板やエポキシ樹
脂基板などいずれのものでもよいが、特に量産性を考慮
に入れると、射出成形の可能なプラスチック基板が好ま
しく、その中でもポリカーボネートを用いたものが更に
好ましい。
脂基板などいずれのものでもよいが、特に量産性を考慮
に入れると、射出成形の可能なプラスチック基板が好ま
しく、その中でもポリカーボネートを用いたものが更に
好ましい。
本発明で用いられる上記カー効果エンノ1ンスメント薄
膜層自体は公知であり、その作用は一般に誘電体層を設
けて、その操り返し反射によりみかけのカー回転角を増
加させるもので、一般には、5iO1A12oz、Al
N5ZnS、5tsNa、’j i O2等が用いられ
る。一般に、これらの誘電体薄膜の屈折率は、可視光に
対して1.7〜2.6の範囲である。
膜層自体は公知であり、その作用は一般に誘電体層を設
けて、その操り返し反射によりみかけのカー回転角を増
加させるもので、一般には、5iO1A12oz、Al
N5ZnS、5tsNa、’j i O2等が用いられ
る。一般に、これらの誘電体薄膜の屈折率は、可視光に
対して1.7〜2.6の範囲である。
これらのカー効果エンハンスメント薄膜層は周知の物理
蒸着法、例えば、スパッタリングで形成でき、その膜厚
は材料によっても異なるが、一般には500〜1500
Aである。
蒸着法、例えば、スパッタリングで形成でき、その膜厚
は材料によっても異なるが、一般には500〜1500
Aである。
また、本発明で用いられる上記光磁気記録材は希土類−
遷移金属(RE−TM)より成るアモルファス合金薄膜
の光磁気記録・再生層であり、この光磁気記録・再生層
は周知のようにレーザービームの照射によって熱−磁気
記録され、光−磁気効果によって再生される。上記RE
−TM膜としてはTbFe、 GdTbFe5TbFe
Co等の公知の任意の材料を用いることができる。
遷移金属(RE−TM)より成るアモルファス合金薄膜
の光磁気記録・再生層であり、この光磁気記録・再生層
は周知のようにレーザービームの照射によって熱−磁気
記録され、光−磁気効果によって再生される。上記RE
−TM膜としてはTbFe、 GdTbFe5TbFe
Co等の公知の任意の材料を用いることができる。
本発明の特徴は上記光磁気記録材層と上記カー効果エン
ハンスメント薄膜層との間に透明薄膜層を介在させる点
にある。
ハンスメント薄膜層との間に透明薄膜層を介在させる点
にある。
この透明薄膜層を構成する材料としてはLiF、MgF
a、MgO1KBrSSi 02、ガラス等を挙げるこ
とができる。これらの材料の屈折率は1.3〜1.7の
範囲にある。これらの透明薄膜材料の中でガラス、特に
、無アルカリガラスが好ましい。この無アルカリガラス
薄膜の屈折率は約1.53である。
a、MgO1KBrSSi 02、ガラス等を挙げるこ
とができる。これらの材料の屈折率は1.3〜1.7の
範囲にある。これらの透明薄膜材料の中でガラス、特に
、無アルカリガラスが好ましい。この無アルカリガラス
薄膜の屈折率は約1.53である。
また、上記透明薄膜層の厚みは、用いる物質によって異
なるが、好ましくは10〜1000人であり、更に好ま
しくは50〜500人である。これらの透明薄膜層は周
知の物理蒸着法、例えばスパッタリングや真空蒸着法で
容易に形成できる。
なるが、好ましくは10〜1000人であり、更に好ま
しくは50〜500人である。これらの透明薄膜層は周
知の物理蒸着法、例えばスパッタリングや真空蒸着法で
容易に形成できる。
上記の無アルカリガラス薄膜は本出願人が特開昭61−
289.560号において、光磁気記録媒体の耐久性を
向上させるためにプラスチック基板と光磁気記録再生層
との間に設けることを提案したものと同じにすることが
できる。この無機ガラス薄膜層は、アルカリ金属すなわ
ちLi5NaSK、 Rh、 Csをアルカリ金属酸化
物に換算して1重量%以下、好ましくは0.8重量%以
下しか含まない無アルカリガラスで構成されているのが
好ましい。詳細については上記発明の明細書を参照され
たい。
289.560号において、光磁気記録媒体の耐久性を
向上させるためにプラスチック基板と光磁気記録再生層
との間に設けることを提案したものと同じにすることが
できる。この無機ガラス薄膜層は、アルカリ金属すなわ
ちLi5NaSK、 Rh、 Csをアルカリ金属酸化
物に換算して1重量%以下、好ましくは0.8重量%以
下しか含まない無アルカリガラスで構成されているのが
好ましい。詳細については上記発明の明細書を参照され
たい。
発明の効果
従来、カー効果エンハンスメント薄膜層を用いることに
より、記録再生特性が良好になり、高いC/N値と高い
記録感度を有する高密度記録担体が得られることは公知
であったが、C/N以外の記録再生特性の内、ジッター
については、まだ実用化可能なレベルまで改良されたも
のは無く、さらに、改善が強く望まれていた。
より、記録再生特性が良好になり、高いC/N値と高い
記録感度を有する高密度記録担体が得られることは公知
であったが、C/N以外の記録再生特性の内、ジッター
については、まだ実用化可能なレベルまで改良されたも
のは無く、さらに、改善が強く望まれていた。
本発明によって、こうした要請に十分応えることが可能
になった。
になった。
すなわち、透明薄膜層を記録層とカー効果エンハンスメ
ント薄膜層との間に設けることにより、他の特性に変化
を与えずに、上記ジッターに関する問題を解決できた。
ント薄膜層との間に設けることにより、他の特性に変化
を与えずに、上記ジッターに関する問題を解決できた。
以下、実施例を用いて本発明を更に詳細に説明するが、
これによ、って本発明が限定されるものではない。
これによ、って本発明が限定されるものではない。
実施例1
プラスチック基板として直径が130胴、厚さ1.2m
mのポリカーボネート製基板を用意した。この基板には
、0.6μm幅の案内溝が設けてあり、そのピッチは1
.6μmである。この基板上にスパッタリング装置(日
本真空技術■製RFマグネトロンスパッタリング装置)
を用いて無アルカリガラスであるコーニング7059を
中間保護層としてスパッタリングで膜厚500人の薄膜
に形成した。次いでカー効果エンハンスメント薄膜層と
してZnSをスパッタリングによって90OAの薄膜に
し、このカー効果エンハンスメント薄膜層上に、中間保
護膜に用いた上記コーニング7059の無アルカリガラ
スの膜厚を250人の厚さに形成し、この中間保護膜の
上にさらにTI]2sFessCOt (原子%)の
光磁気記録記録・再生層を上記スパッタリング装置を用
いて膜厚1000 Aに形成した。さらに、その上に、
上記と同じ方法で、上記コーニング7059をスパッタ
リングして膜厚1000人の表面保護層を形成した。
mのポリカーボネート製基板を用意した。この基板には
、0.6μm幅の案内溝が設けてあり、そのピッチは1
.6μmである。この基板上にスパッタリング装置(日
本真空技術■製RFマグネトロンスパッタリング装置)
を用いて無アルカリガラスであるコーニング7059を
中間保護層としてスパッタリングで膜厚500人の薄膜
に形成した。次いでカー効果エンハンスメント薄膜層と
してZnSをスパッタリングによって90OAの薄膜に
し、このカー効果エンハンスメント薄膜層上に、中間保
護膜に用いた上記コーニング7059の無アルカリガラ
スの膜厚を250人の厚さに形成し、この中間保護膜の
上にさらにTI]2sFessCOt (原子%)の
光磁気記録記録・再生層を上記スパッタリング装置を用
いて膜厚1000 Aに形成した。さらに、その上に、
上記と同じ方法で、上記コーニング7059をスパッタ
リングして膜厚1000人の表面保護層を形成した。
得られた光磁気ディスクのジッターの評価は書込み周波
数2MHz、duty50%、記録線速度4.2m/s
。
数2MHz、duty50%、記録線速度4.2m/s
。
分解能帯域幅30KHzで測定した。その結果、C/N
比および耐久性は従来のものとまた全く変わらずに、ジ
ッター値は5.1 n5ecとなった。
比および耐久性は従来のものとまた全く変わらずに、ジ
ッター値は5.1 n5ecとなった。
実施例2
実施例1において、上記コーニング7059の無アルカ
リガラスの中間保護層を成膜しなかった他は全て同様な
膜構成をもつ光磁気ディスクを作成した。評価方法を実
施例1と同様にして測定した結果、ジッターは5.5
n secとなった。
リガラスの中間保護層を成膜しなかった他は全て同様な
膜構成をもつ光磁気ディスクを作成した。評価方法を実
施例1と同様にして測定した結果、ジッターは5.5
n secとなった。
実施例3
実施例2において、光磁気記録記録・再生層とカー効果
エンハンスメント薄膜層との間に設けたコーニング70
59薄膜の代わりにMg F 2薄膜を膜厚250人に
成膜した他は、全て実施例2と同様な膜構成をもつ光磁
気ディスクを作成した。実施例1と同様な方法で評価し
た結果、ジッターは5.4nsecとなった〇 比較例1 実施例1において、光磁気記録記録・再生層とカー効果
エンハンスメント薄膜層との間に設けた上記コーニング
7059薄膜を設けなかった他は全て実施例1と同様な
膜構成をもつ光磁気ディスクを作成した。実施例1と同
様な方法で評価した結果、ジッターは7.5 n se
cとなった。
エンハンスメント薄膜層との間に設けたコーニング70
59薄膜の代わりにMg F 2薄膜を膜厚250人に
成膜した他は、全て実施例2と同様な膜構成をもつ光磁
気ディスクを作成した。実施例1と同様な方法で評価し
た結果、ジッターは5.4nsecとなった〇 比較例1 実施例1において、光磁気記録記録・再生層とカー効果
エンハンスメント薄膜層との間に設けた上記コーニング
7059薄膜を設けなかった他は全て実施例1と同様な
膜構成をもつ光磁気ディスクを作成した。実施例1と同
様な方法で評価した結果、ジッターは7.5 n se
cとなった。
比較例2
実施例2において、光磁気記録記録・再生層とカー効果
エンハンスメント薄膜層との間に設けた上記コーニング
7059薄膜を設けなかった他は、全て、実施例2と同
様な膜構成をもつ光磁気ディスクを作成した。実施例1
と同様な方法で評価した結果、ジッターは3. Q n
secとなった。
エンハンスメント薄膜層との間に設けた上記コーニング
7059薄膜を設けなかった他は、全て、実施例2と同
様な膜構成をもつ光磁気ディスクを作成した。実施例1
と同様な方法で評価した結果、ジッターは3. Q n
secとなった。
比較例3
実施例3において、光磁気記録記録・再生層とカー効果
エンハンスメント薄膜層との間に設けた上記MgF2薄
膜を設けなかった他は、全て、実施例3と同様な膜構成
をもつ光磁気ディスクを作成した。実施例1と同様な方
法で評価した結果、ジッターは8.2nSeCとなった
。
エンハンスメント薄膜層との間に設けた上記MgF2薄
膜を設けなかった他は、全て、実施例3と同様な膜構成
をもつ光磁気ディスクを作成した。実施例1と同様な方
法で評価した結果、ジッターは8.2nSeCとなった
。
Claims (2)
- (1)透明基板と、この基板上に形成された光磁気記録
材層と、この記録材層の少なくとも一方の表面上に形成
されたカー効果エンハンスメント薄膜層とを有する光磁
気記録・再生方式を用いた高密度情報記録担体において
、上記光磁気記録材層と上記カー効果エンハンスメント
薄膜層との間に透明薄膜層が設けられていることを特徴
とする高密度情報記録担体。 - (2)上記透明薄膜層の屈折率が、可視光に対して、上
記カー効果エンハンスメント薄膜層の屈折率より小さい
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の高密度
情報記録担体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25694087A JPH0198146A (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | 高密度情報記録担体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25694087A JPH0198146A (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | 高密度情報記録担体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0198146A true JPH0198146A (ja) | 1989-04-17 |
Family
ID=17299476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25694087A Pending JPH0198146A (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | 高密度情報記録担体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0198146A (ja) |
-
1987
- 1987-10-12 JP JP25694087A patent/JPH0198146A/ja active Pending
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