JPH0198146A - 高密度情報記録担体 - Google Patents

高密度情報記録担体

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JPH0198146A
JPH0198146A JP25694087A JP25694087A JPH0198146A JP H0198146 A JPH0198146 A JP H0198146A JP 25694087 A JP25694087 A JP 25694087A JP 25694087 A JP25694087 A JP 25694087A JP H0198146 A JPH0198146 A JP H0198146A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
magneto
layer
optical recording
thickness
Prior art date
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Pending
Application number
JP25694087A
Other languages
English (en)
Inventor
Hirotoshi Niwa
丹羽 弘敏
Masaru Kinoshita
木下 勝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Daicel Corp
Original Assignee
Daicel Chemical Industries Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0198146A publication Critical patent/JPH0198146A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はレーザー光を用いて情報の記録・再生を行う光
学式記録・再生方式で用いられる高密度情報記録担体に
関するものであり、特に、光磁気記録・再生特性に優れ
且つジッター特性にも優れた光磁気記録・再生方式の高
密度情報記録担体に関するものである。
従来の技術とその問題点 光磁気ディスクのような光磁気記録媒体において、現在
、技術的に最も要求されている問題点は信頼性の向上を
いかにして達成するかということと、記録・再生特性を
さらに改善させることである。
特に透明基板としてプラスチック基板を用いた場合には
、その基板中に残留する水分やモノマーあるいは基板を
通して浸入してくる水分等によって記録担体が劣化、あ
るいは変質してしまうという欠点があった。本発明者は
、特開昭61−289.560号において上記欠点を解
決する方法として、プラスチック基板と記録層の間に無
アルカリガラスの薄膜を設けることを提案した。この方
法は、光ディスクの耐久性を驚異的に延ばし、完全に満
足のゆ(ものであるが、光磁気効果は、従来のままであ
るため、C/N値は従来のものと変わらず、実用的な見
地からはさらに改良の余地があった。
そこでさらに、本発明者は、上記のC/N値を改良する
ための方法として特開昭62−24.458号において
、カー効果エンハンスメント薄膜層を用いることにより
、実用的なC/N値が得られることを示した。
しかし、最近では、光磁気記録担体の特性を示すC/N
値以外に、記録パルス時間に対する再生パルス時間の標
準偏差(以後、ジッターという)を更に改善することが
強く望まれるようになっている。しかし、上記の従来の
方法では満足できるジッター特性を有する光磁気記録担
体を作ることはできなかった。
従って、本発明の目的は、上記本発明者達の提供した優
れた耐久性を有し且つ高い実用的なC/N値を有する光
磁気記録担体において、さらに、上記ジッター特性も改
良された新規な光磁気ディスク等の光磁気記録担体を提
供することにある。
問題を解決するための手段 本発明の提供する高密度情報記録担体は、透明基板と、
この基板上に形成された光磁気記録材層と、この記録材
層の少なくとも一方の表面上に形成されたカー効果エン
ハンスメント薄膜層とを有する光磁気記録・再生方式を
用いた高密度情報記録担体において、上記光磁気記録材
層と上記カー効果エンハンスメント薄膜層との間に透明
薄膜層が設けられていることを特徴としている。
上記透明薄膜層の屈折率は、可視光に対して、上記カー
効果エンハンスメント薄膜層の屈折率より小さいのが好
ましい。
本発明で用いる上記透明基板はガラス基板やエポキシ樹
脂基板などいずれのものでもよいが、特に量産性を考慮
に入れると、射出成形の可能なプラスチック基板が好ま
しく、その中でもポリカーボネートを用いたものが更に
好ましい。
本発明で用いられる上記カー効果エンノ1ンスメント薄
膜層自体は公知であり、その作用は一般に誘電体層を設
けて、その操り返し反射によりみかけのカー回転角を増
加させるもので、一般には、5iO1A12oz、Al
N5ZnS、5tsNa、’j i O2等が用いられ
る。一般に、これらの誘電体薄膜の屈折率は、可視光に
対して1.7〜2.6の範囲である。
これらのカー効果エンハンスメント薄膜層は周知の物理
蒸着法、例えば、スパッタリングで形成でき、その膜厚
は材料によっても異なるが、一般には500〜1500
 Aである。
また、本発明で用いられる上記光磁気記録材は希土類−
遷移金属(RE−TM)より成るアモルファス合金薄膜
の光磁気記録・再生層であり、この光磁気記録・再生層
は周知のようにレーザービームの照射によって熱−磁気
記録され、光−磁気効果によって再生される。上記RE
−TM膜としてはTbFe、 GdTbFe5TbFe
Co等の公知の任意の材料を用いることができる。
本発明の特徴は上記光磁気記録材層と上記カー効果エン
ハンスメント薄膜層との間に透明薄膜層を介在させる点
にある。
この透明薄膜層を構成する材料としてはLiF、MgF
a、MgO1KBrSSi 02、ガラス等を挙げるこ
とができる。これらの材料の屈折率は1.3〜1.7の
範囲にある。これらの透明薄膜材料の中でガラス、特に
、無アルカリガラスが好ましい。この無アルカリガラス
薄膜の屈折率は約1.53である。
また、上記透明薄膜層の厚みは、用いる物質によって異
なるが、好ましくは10〜1000人であり、更に好ま
しくは50〜500人である。これらの透明薄膜層は周
知の物理蒸着法、例えばスパッタリングや真空蒸着法で
容易に形成できる。
上記の無アルカリガラス薄膜は本出願人が特開昭61−
289.560号において、光磁気記録媒体の耐久性を
向上させるためにプラスチック基板と光磁気記録再生層
との間に設けることを提案したものと同じにすることが
できる。この無機ガラス薄膜層は、アルカリ金属すなわ
ちLi5NaSK、 Rh、 Csをアルカリ金属酸化
物に換算して1重量%以下、好ましくは0.8重量%以
下しか含まない無アルカリガラスで構成されているのが
好ましい。詳細については上記発明の明細書を参照され
たい。
発明の効果 従来、カー効果エンハンスメント薄膜層を用いることに
より、記録再生特性が良好になり、高いC/N値と高い
記録感度を有する高密度記録担体が得られることは公知
であったが、C/N以外の記録再生特性の内、ジッター
については、まだ実用化可能なレベルまで改良されたも
のは無く、さらに、改善が強く望まれていた。
本発明によって、こうした要請に十分応えることが可能
になった。
すなわち、透明薄膜層を記録層とカー効果エンハンスメ
ント薄膜層との間に設けることにより、他の特性に変化
を与えずに、上記ジッターに関する問題を解決できた。
以下、実施例を用いて本発明を更に詳細に説明するが、
これによ、って本発明が限定されるものではない。
実施例1 プラスチック基板として直径が130胴、厚さ1.2m
mのポリカーボネート製基板を用意した。この基板には
、0.6μm幅の案内溝が設けてあり、そのピッチは1
.6μmである。この基板上にスパッタリング装置(日
本真空技術■製RFマグネトロンスパッタリング装置)
を用いて無アルカリガラスであるコーニング7059を
中間保護層としてスパッタリングで膜厚500人の薄膜
に形成した。次いでカー効果エンハンスメント薄膜層と
してZnSをスパッタリングによって90OAの薄膜に
し、このカー効果エンハンスメント薄膜層上に、中間保
護膜に用いた上記コーニング7059の無アルカリガラ
スの膜厚を250人の厚さに形成し、この中間保護膜の
上にさらにTI]2sFessCOt  (原子%)の
光磁気記録記録・再生層を上記スパッタリング装置を用
いて膜厚1000 Aに形成した。さらに、その上に、
上記と同じ方法で、上記コーニング7059をスパッタ
リングして膜厚1000人の表面保護層を形成した。
得られた光磁気ディスクのジッターの評価は書込み周波
数2MHz、duty50%、記録線速度4.2m/s
分解能帯域幅30KHzで測定した。その結果、C/N
比および耐久性は従来のものとまた全く変わらずに、ジ
ッター値は5.1 n5ecとなった。
実施例2 実施例1において、上記コーニング7059の無アルカ
リガラスの中間保護層を成膜しなかった他は全て同様な
膜構成をもつ光磁気ディスクを作成した。評価方法を実
施例1と同様にして測定した結果、ジッターは5.5 
n secとなった。
実施例3 実施例2において、光磁気記録記録・再生層とカー効果
エンハンスメント薄膜層との間に設けたコーニング70
59薄膜の代わりにMg F 2薄膜を膜厚250人に
成膜した他は、全て実施例2と同様な膜構成をもつ光磁
気ディスクを作成した。実施例1と同様な方法で評価し
た結果、ジッターは5.4nsecとなった〇 比較例1 実施例1において、光磁気記録記録・再生層とカー効果
エンハンスメント薄膜層との間に設けた上記コーニング
7059薄膜を設けなかった他は全て実施例1と同様な
膜構成をもつ光磁気ディスクを作成した。実施例1と同
様な方法で評価した結果、ジッターは7.5 n se
cとなった。
比較例2 実施例2において、光磁気記録記録・再生層とカー効果
エンハンスメント薄膜層との間に設けた上記コーニング
7059薄膜を設けなかった他は、全て、実施例2と同
様な膜構成をもつ光磁気ディスクを作成した。実施例1
と同様な方法で評価した結果、ジッターは3. Q n
 secとなった。
比較例3 実施例3において、光磁気記録記録・再生層とカー効果
エンハンスメント薄膜層との間に設けた上記MgF2薄
膜を設けなかった他は、全て、実施例3と同様な膜構成
をもつ光磁気ディスクを作成した。実施例1と同様な方
法で評価した結果、ジッターは8.2nSeCとなった

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)透明基板と、この基板上に形成された光磁気記録
    材層と、この記録材層の少なくとも一方の表面上に形成
    されたカー効果エンハンスメント薄膜層とを有する光磁
    気記録・再生方式を用いた高密度情報記録担体において
    、上記光磁気記録材層と上記カー効果エンハンスメント
    薄膜層との間に透明薄膜層が設けられていることを特徴
    とする高密度情報記録担体。
  2. (2)上記透明薄膜層の屈折率が、可視光に対して、上
    記カー効果エンハンスメント薄膜層の屈折率より小さい
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の高密度
    情報記録担体。
JP25694087A 1987-10-12 1987-10-12 高密度情報記録担体 Pending JPH0198146A (ja)

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JP25694087A JPH0198146A (ja) 1987-10-12 1987-10-12 高密度情報記録担体

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JPH0198146A true JPH0198146A (ja) 1989-04-17

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