JPH0198973A - 電圧検出装置 - Google Patents
電圧検出装置Info
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- JPH0198973A JPH0198973A JP62257508A JP25750887A JPH0198973A JP H0198973 A JPH0198973 A JP H0198973A JP 62257508 A JP62257508 A JP 62257508A JP 25750887 A JP25750887 A JP 25750887A JP H0198973 A JPH0198973 A JP H0198973A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光変調器を用いてピコ秒オータの時量分解能
で電圧を検出する電圧検出装置に関する。
で電圧を検出する電圧検出装置に関する。
従来、光変調器を用いて電圧を検出する装置か知られて
いる。
いる。
第5図は米国特許箱4,446,425号に開示されて
いるこの種の従来の電圧検出装置の概略構成図である。
いるこの種の従来の電圧検出装置の概略構成図である。
第5図の電圧検出装置では、パルス光源50から120
フ工ムト秒程度の短光パルスを繰返し出力し、この短光
パルスをチョッパ51.可変遅延器52を介し被測定物
531例えば光電スイッチに入力させる一方、光変調器
40に入射させている。光変調器40は、偏光子55.
ポッケルスセル541位相補償器56.検光子57で構
成され、入射した短光パルスが被測定物53からの電圧
により変調される現象を利用し、電圧波形を光強度の形
で取出すようになっている。より詳しくは短光パルスに
同期して被測定物53がら出力される検出されるべき電
圧を光変調器40のポッケルスセル54に加える一方、
ポッケルスセル54にはパルス光源50からの短光パル
スのうち偏光子55によって抽出された所定の偏光成分
のものを入射させる。ポッケルスセル54には、電圧の
印加で屈折率が変化するLiNbO3゜LiTa、03
などの電気光学材料が用いられている。電気光学材料の
上記性質によって、ポッケルスセル54に入射した短光
パルスは、被測定物53からの電圧により偏光状態が変
化し変調されて出射光として出射し、位相補償器56を
介して検光子57に入射する。検光子57では、位相補
償器56からの出射光から直交する2つの偏光成分を抽
出し、それぞれ変調された光強度信号を光変調器40か
らの出力として光検出器58.59に入射させるように
なっている。光検出器58゜5つでは、各偏光成分の光
強度を検出し、差動増幅器60で光検出器58.59か
らの出力信号を差動増幅し、ロックインアンプ61.平
均器62を介し検出結果をデイスプレィ63に表示する
ようになっている。
フ工ムト秒程度の短光パルスを繰返し出力し、この短光
パルスをチョッパ51.可変遅延器52を介し被測定物
531例えば光電スイッチに入力させる一方、光変調器
40に入射させている。光変調器40は、偏光子55.
ポッケルスセル541位相補償器56.検光子57で構
成され、入射した短光パルスが被測定物53からの電圧
により変調される現象を利用し、電圧波形を光強度の形
で取出すようになっている。より詳しくは短光パルスに
同期して被測定物53がら出力される検出されるべき電
圧を光変調器40のポッケルスセル54に加える一方、
ポッケルスセル54にはパルス光源50からの短光パル
スのうち偏光子55によって抽出された所定の偏光成分
のものを入射させる。ポッケルスセル54には、電圧の
印加で屈折率が変化するLiNbO3゜LiTa、03
などの電気光学材料が用いられている。電気光学材料の
上記性質によって、ポッケルスセル54に入射した短光
パルスは、被測定物53からの電圧により偏光状態が変
化し変調されて出射光として出射し、位相補償器56を
介して検光子57に入射する。検光子57では、位相補
償器56からの出射光から直交する2つの偏光成分を抽
出し、それぞれ変調された光強度信号を光変調器40か
らの出力として光検出器58.59に入射させるように
なっている。光検出器58゜5つでは、各偏光成分の光
強度を検出し、差動増幅器60で光検出器58.59か
らの出力信号を差動増幅し、ロックインアンプ61.平
均器62を介し検出結果をデイスプレィ63に表示する
ようになっている。
なお、可変遅延器52は、被測定物53からの電圧発生
タイミングを徐々に遅延させて電圧波形のサンプリング
点を定めるためのものである。またロックインアンプ6
1は、チョッパ51に同期したタイミングで差動増幅器
60からの出力を取出しノイズ成分を取除き、平均器6
2はロックインアンプ61の出力を平均化するようにな
っている。
タイミングを徐々に遅延させて電圧波形のサンプリング
点を定めるためのものである。またロックインアンプ6
1は、チョッパ51に同期したタイミングで差動増幅器
60からの出力を取出しノイズ成分を取除き、平均器6
2はロックインアンプ61の出力を平均化するようにな
っている。
このような構成の電圧検出装置では、光検出器58.5
9に応答速度の遅い検出器を用いており、あるサンプリ
ング点においてサンプリングした検光子57からの出射
光の光強度信号は、光検出器58.59において10ナ
ノ秒程度に広がる。このために、被測定物53からの電
圧の繰返し周期は10ナノ秒以上に設定されなければな
らない。
9に応答速度の遅い検出器を用いており、あるサンプリ
ング点においてサンプリングした検光子57からの出射
光の光強度信号は、光検出器58.59において10ナ
ノ秒程度に広がる。このために、被測定物53からの電
圧の繰返し周期は10ナノ秒以上に設定されなければな
らない。
いよ第6図に示すように、被測定物53からの電圧波形
か例えば100ピコ秒の広がりをもつときに、これを1
ピコ秒の時間分解能で検出する場合には、可変遅延器5
2をサンプリング点S1に初期設定し、サンプリング点
S1における光強度をサンプリングし、これを10ナノ
秒程度の繰返一 4 − し周期で繰返し求め平均器62で平均をとる。次いて可
変遅延器52を操作してサンプリング点をサンプリング
点S1から1ピコ秒ずれた次のサンプリング点S2に移
動し、このサンプリング点S2における光強度を同様に
して求める。このようにして可変遅延器52を100回
操作して、100個のサンプリング点S1乃至51oo
をとり、各サンプリング点S 乃至51ooにおける光
強度を繰返し求め各々平均をとって電圧波形をサンプリ
ング検出する。各すンプリング点S1乃至51ooにお
ける光強度信号は10ナノ秒程度に広かっているが、サ
ンプリングタイミングが1ピコ秒づつすれているので、
電圧波形を1ピコ秒の分解能で検出することができる。
か例えば100ピコ秒の広がりをもつときに、これを1
ピコ秒の時間分解能で検出する場合には、可変遅延器5
2をサンプリング点S1に初期設定し、サンプリング点
S1における光強度をサンプリングし、これを10ナノ
秒程度の繰返一 4 − し周期で繰返し求め平均器62で平均をとる。次いて可
変遅延器52を操作してサンプリング点をサンプリング
点S1から1ピコ秒ずれた次のサンプリング点S2に移
動し、このサンプリング点S2における光強度を同様に
して求める。このようにして可変遅延器52を100回
操作して、100個のサンプリング点S1乃至51oo
をとり、各サンプリング点S 乃至51ooにおける光
強度を繰返し求め各々平均をとって電圧波形をサンプリ
ング検出する。各すンプリング点S1乃至51ooにお
ける光強度信号は10ナノ秒程度に広かっているが、サ
ンプリングタイミングが1ピコ秒づつすれているので、
電圧波形を1ピコ秒の分解能で検出することができる。
このように従来の電圧検出装置では、100ピコ秒の広
がりをもつ電圧波形を1ピコの分解能で検出するために
可変遅延器52を100回操作しなければならず短時間
で検出を完了させることができないという問題があった
。また1ピコ秒の遅延に可変遅延器52を例えば0.3
+nm移動させねばならないとすると、100回の操作
で可変遅延器52の移動量は30mmと非常に大きくな
り、可変遅延器52を小型かつ簡肋な構造のものにする
には限界があるという問題があった。
がりをもつ電圧波形を1ピコの分解能で検出するために
可変遅延器52を100回操作しなければならず短時間
で検出を完了させることができないという問題があった
。また1ピコ秒の遅延に可変遅延器52を例えば0.3
+nm移動させねばならないとすると、100回の操作
で可変遅延器52の移動量は30mmと非常に大きくな
り、可変遅延器52を小型かつ簡肋な構造のものにする
には限界があるという問題があった。
本発明は、電圧波形の検出を短時間で完了させることが
できて、操作性を著しく向上させることの可能な電圧検
出装置を提供することを目的としている。
できて、操作性を著しく向上させることの可能な電圧検
出装置を提供することを目的としている。
本発明は、光パルスを出力するパルス光源と、パルス光
源からの光パルスによりパルス列を発生し光変調手段に
入射させるパルス列発生手段と、検出されるべき電圧波
形により前記光変調手段において変調されたパルス列の
各光パルスの光強度を検出する光検出手段とを備えてい
ることを特徴とする電圧検出装置によって、上記従来技
術の問題点を改善するものである。
源からの光パルスによりパルス列を発生し光変調手段に
入射させるパルス列発生手段と、検出されるべき電圧波
形により前記光変調手段において変調されたパルス列の
各光パルスの光強度を検出する光検出手段とを備えてい
ることを特徴とする電圧検出装置によって、上記従来技
術の問題点を改善するものである。
本発明では、パルス光源からの光パルスに基づきパルス
列発生手段でパルス列を発生する。パルス列は光変調手
段に入射し、パルス列を構成する各光パルスに対応した
複数のサンプリング点で光変調手段に加わる電圧波形を
同時にサンプリングする。換言すれば光変調手段に加わ
る電圧波形によってパルス列の各光パルスを変調し、こ
の各光パルスの光強度が複数のサンプリング点での電圧
波形のサンプリング結果となる。このようにして変調さ
れたパルス列の各光パルスの光強度は、光検出手段に入
力し、そこで複数のサンプリング結果として一度に検出
される。なお電圧波形またはパルス列を例えば可変遅延
手段により時間的にすらすことにより、上記複数のサン
プリング点をずらし、これによってサンプリング点をよ
り細かく。
列発生手段でパルス列を発生する。パルス列は光変調手
段に入射し、パルス列を構成する各光パルスに対応した
複数のサンプリング点で光変調手段に加わる電圧波形を
同時にサンプリングする。換言すれば光変調手段に加わ
る電圧波形によってパルス列の各光パルスを変調し、こ
の各光パルスの光強度が複数のサンプリング点での電圧
波形のサンプリング結果となる。このようにして変調さ
れたパルス列の各光パルスの光強度は、光検出手段に入
力し、そこで複数のサンプリング結果として一度に検出
される。なお電圧波形またはパルス列を例えば可変遅延
手段により時間的にすらすことにより、上記複数のサン
プリング点をずらし、これによってサンプリング点をよ
り細かく。
より多くのサンプリング点での検出結果を得ることもで
きる。この場合、可変遅延手段による時間遅延量は、パ
ルス列の各光パルス間の時間間隔で良いので可変遅延手
段の移動量を少なくし、そのip造を小型化かつ簡単化
できる。
きる。この場合、可変遅延手段による時間遅延量は、パ
ルス列の各光パルス間の時間間隔で良いので可変遅延手
段の移動量を少なくし、そのip造を小型化かつ簡単化
できる。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第1図は本発明に係る電圧検出装置の一実施例の構成図
である。第1図において第5図と対応する箇所には同じ
符号を付す。
である。第1図において第5図と対応する箇所には同じ
符号を付す。
本実施例の電圧検出装置は、光パルスを出力するパルス
光源10と、パルス光源10からの光パルスから等間隔
のパルス列を発生するパルス列発生装置11と、パルス
列によりサンプリングされた複数のサンプリング点にお
ける光強度信号を出力する光変調器40と、複数のサン
プリング点での光強度信号を検出する光検出器12と、
光検出器12からの検出結果に対し所定の処理を施すコ
ンピュータ13とを有している。
光源10と、パルス光源10からの光パルスから等間隔
のパルス列を発生するパルス列発生装置11と、パルス
列によりサンプリングされた複数のサンプリング点にお
ける光強度信号を出力する光変調器40と、複数のサン
プリング点での光強度信号を検出する光検出器12と、
光検出器12からの検出結果に対し所定の処理を施すコ
ンピュータ13とを有している。
複数のサンプリング点は被測定物53からの電圧を可変
遅延器14により遅延することにより徐々にずらされる
。また光検出器12のトリガ信号は、トリガ用光検出器
15により作成される。なおパルス列発生装置14は、
例えば光学的エタロ= 9− 一 8 − ンで作られている。
遅延器14により遅延することにより徐々にずらされる
。また光検出器12のトリガ信号は、トリガ用光検出器
15により作成される。なおパルス列発生装置14は、
例えば光学的エタロ= 9− 一 8 − ンで作られている。
このような構成の電圧検出装置では、パルス光源10か
ら出力される1つの光パルスをハーフミラ−16で分岐
し、一方をハーフミラ−17に、他方をトリガ用光検出
器15に加える。ハーフミラ−17に入射した光パルス
は、ミラー18を介しパルス列発生装置11に加わる一
方、可変遅延器14を介して被測定物53に加わる。
ら出力される1つの光パルスをハーフミラ−16で分岐
し、一方をハーフミラ−17に、他方をトリガ用光検出
器15に加える。ハーフミラ−17に入射した光パルス
は、ミラー18を介しパルス列発生装置11に加わる一
方、可変遅延器14を介して被測定物53に加わる。
1つの光パルスが加わると、パルス列発生装置11から
は、第2図(a)に示すように例えば10個の光パルス
のパルス列が発生し光変調器40に加わる。また被測定
物53からは、第2図(b)に示すような検出されるべ
き電圧が発生する。なおパルス列の各光パルス間の間隔
は10ピコ秒、電圧波形の広がりは100ピコ秒である
とする。
は、第2図(a)に示すように例えば10個の光パルス
のパルス列が発生し光変調器40に加わる。また被測定
物53からは、第2図(b)に示すような検出されるべ
き電圧が発生する。なおパルス列の各光パルス間の間隔
は10ピコ秒、電圧波形の広がりは100ピコ秒である
とする。
光変調器40では、10個のパルス列により10個のサ
ンプリング点で電圧波形を光強度の形でサンプリング抽
出し、光検出器12に加える。
ンプリング点で電圧波形を光強度の形でサンプリング抽
出し、光検出器12に加える。
光検出器12では10個のサンプリング点で抽出された
光強度信号をトリガ用光検出器15からの= 10
− トリガ信号に同期させて第2図(C)に示すように順次
に検出し、コンピュータ13に送る。
光強度信号をトリガ用光検出器15からの= 10
− トリガ信号に同期させて第2図(C)に示すように順次
に検出し、コンピュータ13に送る。
なお、パルス列の各光パルスに対応した光強度信号を互
いに分離して検出するために、光検出器12の時間分解
能はパルス列の各パルス間の間隔以下でなければならな
い。パルス間の間隔を10ピコ秒にすると、光検出器1
2としては10ピコ秒以下の高時間分解能をもつ高速光
検出器例えばサンプリング型光オッシロスコープを用い
る必要がある。
いに分離して検出するために、光検出器12の時間分解
能はパルス列の各パルス間の間隔以下でなければならな
い。パルス間の間隔を10ピコ秒にすると、光検出器1
2としては10ピコ秒以下の高時間分解能をもつ高速光
検出器例えばサンプリング型光オッシロスコープを用い
る必要がある。
繰返し生起する被測定物53からの電圧(例えば、繰返
し周期=10ナノ秒)に対し、複数のサンプリング点で
繰返してサンプリング抽出した光強度信号は、コンピュ
ータ13内で各サンプリング点ごとに統計処理(例えば
加算処理、平均化処理)がなされ、第2図(d)に示す
ように10ピコ秒の時間間隔の10個のサンプリング点
における光強度データを同時に得ることができる。次に
可変遅延器14を調節し、ハーフミラ−17から被測定
物に加わる短光パルスのタイミングを僅かに、例えば1
ピコ秒ずらす。
し周期=10ナノ秒)に対し、複数のサンプリング点で
繰返してサンプリング抽出した光強度信号は、コンピュ
ータ13内で各サンプリング点ごとに統計処理(例えば
加算処理、平均化処理)がなされ、第2図(d)に示す
ように10ピコ秒の時間間隔の10個のサンプリング点
における光強度データを同時に得ることができる。次に
可変遅延器14を調節し、ハーフミラ−17から被測定
物に加わる短光パルスのタイミングを僅かに、例えば1
ピコ秒ずらす。
これにより被測定物53からの電圧波形は、第2図(e
)に示すように第2図(b)に示すものに比べ1ピコ秒
遅れたものとなり、第2図fa)のパルス列でサンプリ
ングされる10個のサンプリング点も1ピコ秒ずれるこ
とになる。この状態で上述したと同様にして光検出器1
2とコンピュータ13とにより次の10個のサンプリン
グ点における光強度データを同時に得ることができる。
)に示すように第2図(b)に示すものに比べ1ピコ秒
遅れたものとなり、第2図fa)のパルス列でサンプリ
ングされる10個のサンプリング点も1ピコ秒ずれるこ
とになる。この状態で上述したと同様にして光検出器1
2とコンピュータ13とにより次の10個のサンプリン
グ点における光強度データを同時に得ることができる。
このようにして可変遅延器14を10回操作して10個
のサンプリング点を1ピコ秒づつ10ピコ秒までずらす
ことにより、1つの電圧波形すなわち光強度波形に対し
て互いに異なる100個のサンプリング点におけるサン
プリング抽出を行なうことができる。
のサンプリング点を1ピコ秒づつ10ピコ秒までずらす
ことにより、1つの電圧波形すなわち光強度波形に対し
て互いに異なる100個のサンプリング点におけるサン
プリング抽出を行なうことができる。
第5図に示す従来の電圧検出装置と比較すると、本実施
例の装置では、同時に10個のサンプリング点での検出
を行なうので検出時間を1/10にすることができ、ま
た可変遅延器14の移動量は、1/10となり、1ピコ
秒の遅延に0,3鴎の移動を必要とすると、全体の移動
量は3 mmとなる。
例の装置では、同時に10個のサンプリング点での検出
を行なうので検出時間を1/10にすることができ、ま
た可変遅延器14の移動量は、1/10となり、1ピコ
秒の遅延に0,3鴎の移動を必要とすると、全体の移動
量は3 mmとなる。
なお第1図の装置では、光パルスのパルス幅と可変遅延
器14の1回の移動量とが装置全体の時間分解能を決め
るので(光検出器12の時間分解能はパルス列の間隔の
みを決定する。)、1ピコ秒の時間分解能を得るには、
パルス幅を1ピコ秒にする必要がある。
器14の1回の移動量とが装置全体の時間分解能を決め
るので(光検出器12の時間分解能はパルス列の間隔の
みを決定する。)、1ピコ秒の時間分解能を得るには、
パルス幅を1ピコ秒にする必要がある。
上述の実施例では、光検出器12として時間分解能10
ピコ秒程度のサンプリング型光オッシロスコープを用い
て、10ピコ秒の時間間隔の複数のサンプリング点につ
き同時にサンプリングする場合を例にとって説明したが
、光検出器12としてさらに時間分解能の高いストリー
クカメラ(時間分解能2ピコ秒)を用いる場合には、パ
ルス光源10としてはサブピコ秒のレーザを使用し、ま
たパルス列の間隔を例えば2.5ピコ秒にすることがで
きる。これによりストリークカメラでは、第3図(a)
に示すように2.5ピコ秒間隔の複数のサンプリング点
で抽出された光強度信号がストリーク(iFGとして得
られる。このストリーク像FGは、単なる輝点てしかな
いが、ストリークカメラ用に開発された高性能画像処理
解析装置(テンポラルアナライザ)によってストリーク
像を解析すると、第3図(b)に示したような出力波形
を得ることができて、この出力波形を第1図に示したと
同様にコンピュータ13に送り統計処理を施して電圧波
形を検出することができる。
ピコ秒程度のサンプリング型光オッシロスコープを用い
て、10ピコ秒の時間間隔の複数のサンプリング点につ
き同時にサンプリングする場合を例にとって説明したが
、光検出器12としてさらに時間分解能の高いストリー
クカメラ(時間分解能2ピコ秒)を用いる場合には、パ
ルス光源10としてはサブピコ秒のレーザを使用し、ま
たパルス列の間隔を例えば2.5ピコ秒にすることがで
きる。これによりストリークカメラでは、第3図(a)
に示すように2.5ピコ秒間隔の複数のサンプリング点
で抽出された光強度信号がストリーク(iFGとして得
られる。このストリーク像FGは、単なる輝点てしかな
いが、ストリークカメラ用に開発された高性能画像処理
解析装置(テンポラルアナライザ)によってストリーク
像を解析すると、第3図(b)に示したような出力波形
を得ることができて、この出力波形を第1図に示したと
同様にコンピュータ13に送り統計処理を施して電圧波
形を検出することができる。
このようにパルス列の各光パルス間の間隔を短かく設定
できる場合には、あるいはサンプリング点が粗くても良
いような場合には、可変遅延器14は必ずしも必要でな
く、電圧波形をずらすことなく、全てのサンプリング点
でのサンプリングを1回で同時に行なうことができるう また、検出されるべき電圧波形の広がりががなり大きく
、数ナノ秒のオーダのものである場合には、光検出器1
2としてゲート付光電子増信管を用いても良い。
できる場合には、あるいはサンプリング点が粗くても良
いような場合には、可変遅延器14は必ずしも必要でな
く、電圧波形をずらすことなく、全てのサンプリング点
でのサンプリングを1回で同時に行なうことができるう また、検出されるべき電圧波形の広がりががなり大きく
、数ナノ秒のオーダのものである場合には、光検出器1
2としてゲート付光電子増信管を用いても良い。
例えば、パルス光源からパルス幅が10ピコ秒の光パル
スが出力され、パルス列発生装置11から第4図[a)
に示すように1ナノ秒の時間間隔でパルス列が出力され
るようにして、第4図(b)に示すような10ナノ秒の
広がりをもつ電圧波形を測定すると、ゲート付光電子増
倍管の出力は第4図(C)に示すようになる。ゲート付
光電子増倍管のこの出力を通常のオッシロスコープある
いはデジタルオッシロスコープに入力して取込ませ、コ
ンピュータ13により処理する。装置全体の時間分解能
は前述のように、光パルスのパルス幅と、可変遅延器1
2の1回の移動量すなわち1回の遅延時間とで決まり、
光検出器12の時間分解能にはよらないので、可変遅延
器12を例えば3關づつ移動させ複数のサンプリング点
を10ピコ秒づつすらすと、10ピコ秒の時間分解能で
電圧波形を検出できる。パルス列の間隔は1ナノ秒であ
るので、電圧波形全体を検出するのに可変遅延器12を
100回移動させれば良く、全体の移動量は30cI1
1となる。第5図に示すようなパルス列を用いない従来
の電圧検出装置では、全体の移動量は300anとなる
ので、移動量を1/10に低減できて装置を小型化する
ことができる。さらに検出時間を1/10に短縮できる
。
スが出力され、パルス列発生装置11から第4図[a)
に示すように1ナノ秒の時間間隔でパルス列が出力され
るようにして、第4図(b)に示すような10ナノ秒の
広がりをもつ電圧波形を測定すると、ゲート付光電子増
倍管の出力は第4図(C)に示すようになる。ゲート付
光電子増倍管のこの出力を通常のオッシロスコープある
いはデジタルオッシロスコープに入力して取込ませ、コ
ンピュータ13により処理する。装置全体の時間分解能
は前述のように、光パルスのパルス幅と、可変遅延器1
2の1回の移動量すなわち1回の遅延時間とで決まり、
光検出器12の時間分解能にはよらないので、可変遅延
器12を例えば3關づつ移動させ複数のサンプリング点
を10ピコ秒づつすらすと、10ピコ秒の時間分解能で
電圧波形を検出できる。パルス列の間隔は1ナノ秒であ
るので、電圧波形全体を検出するのに可変遅延器12を
100回移動させれば良く、全体の移動量は30cI1
1となる。第5図に示すようなパルス列を用いない従来
の電圧検出装置では、全体の移動量は300anとなる
ので、移動量を1/10に低減できて装置を小型化する
ことができる。さらに検出時間を1/10に短縮できる
。
なお上述の実施例において複数のサンプリング点をずら
すのに、被測定物53からの電圧波形を可変遅延器14
により時間的にすらしていたが、例えばパルス列発生装
置11と光変調器40との間に可変遅延器を設け、パル
ス列を時間的にずらすようにしても良い。
すのに、被測定物53からの電圧波形を可変遅延器14
により時間的にすらしていたが、例えばパルス列発生装
置11と光変調器40との間に可変遅延器を設け、パル
ス列を時間的にずらすようにしても良い。
以上に説明したように、本発明によれば、光変調手段に
より変調されたパルス列の各光パルスの光強度を同時に
検出するようにしているので、電圧波形を複数のサンプ
リング点で同時にサンプリング抽出することができて、
検出時間を著しく短縮できるとともに操作性を著しく向
上させることができる。なお、より細かなサンプリング
を望む場合には、検出されるべき電圧波形またはパルス
列を可変遅延器により時間的に徐々にずらさなければな
らないが、この場合でも全体の時間遅延量は少なくて済
み、可変遅延器を小型でかつ簡単な構造のものにするこ
とができる。
より変調されたパルス列の各光パルスの光強度を同時に
検出するようにしているので、電圧波形を複数のサンプ
リング点で同時にサンプリング抽出することができて、
検出時間を著しく短縮できるとともに操作性を著しく向
上させることができる。なお、より細かなサンプリング
を望む場合には、検出されるべき電圧波形またはパルス
列を可変遅延器により時間的に徐々にずらさなければな
らないが、この場合でも全体の時間遅延量は少なくて済
み、可変遅延器を小型でかつ簡単な構造のものにするこ
とができる。
第1図は本発明に係る電圧検出装置の一実施例の構成図
、第2図(a)はパルス列を示す図、第2図(b)は検
出されるべき電圧波形を示す図、第2図[C)は光検出
器で検出された光強度信号を示す図、第2図(d)はコ
ンピュータ処理された光強度データを示す図、第2図(
e)は第2図(b)に示す電圧波形を1ピコ秒ずらした
状態を示す図、第3図(a)はストリーク像を示す図、
第3図(b)は第3図(a)のストリーク像をテンポラ
ルアナライザにより解析した結果を示す図、第4図(a
)は1ナノ秒の時間間隔のパルス列を示す図、第4図(
b)は10ナノ秒の広がりをもつ電圧波形を示す図、第
4図(C)はゲート付光電子増倍管の出力信号を示す図
、第5図は従来の電圧検出装置の構成図、第6図は電圧
波形をサンプリングする状態を示す図である。 10・・・パルス光源、11・・・パルス列発生装置、
12・・・光検出器、13・・・コンピュータ、14・
・・可変遅延器、15・・・トリ力用光検出器、40・
・・光変調器、53・・・被測定物特許出願人 浜
松ホトニクス株式会社代理人 弁理士 植 本
雅 泊手続補正書(自船 特許庁長官 小 川 邦 夫 殿 1 事件の表示 昭和62年特許願第257508号 電圧検出装置 代表者 書 馬 輝 夫 7 補正の内容 (1)明細書第16頁第7行目と第8行目との間に、「
また可変遅延器は、電動のものであっても良いしあるい
は光パルスをステップ的に遅延させるガラス板であって
も良い。光路中に例えば屈折率1.5のガラス板を入れ
る場合、ガラス板の厚さが0.6m+であるならば光パ
ルスを1ピコ秒遅延させることができる。ガラス板の厚
さを異なるものにしたり、ガラス板を複数枚重ねたりす
ることで任意の遅延を作り出すことができる。なおガラ
ス板には無反射コートが施されている必要がある。」を
挿入する。 (2)第5図を別紙のとおり補正する。
、第2図(a)はパルス列を示す図、第2図(b)は検
出されるべき電圧波形を示す図、第2図[C)は光検出
器で検出された光強度信号を示す図、第2図(d)はコ
ンピュータ処理された光強度データを示す図、第2図(
e)は第2図(b)に示す電圧波形を1ピコ秒ずらした
状態を示す図、第3図(a)はストリーク像を示す図、
第3図(b)は第3図(a)のストリーク像をテンポラ
ルアナライザにより解析した結果を示す図、第4図(a
)は1ナノ秒の時間間隔のパルス列を示す図、第4図(
b)は10ナノ秒の広がりをもつ電圧波形を示す図、第
4図(C)はゲート付光電子増倍管の出力信号を示す図
、第5図は従来の電圧検出装置の構成図、第6図は電圧
波形をサンプリングする状態を示す図である。 10・・・パルス光源、11・・・パルス列発生装置、
12・・・光検出器、13・・・コンピュータ、14・
・・可変遅延器、15・・・トリ力用光検出器、40・
・・光変調器、53・・・被測定物特許出願人 浜
松ホトニクス株式会社代理人 弁理士 植 本
雅 泊手続補正書(自船 特許庁長官 小 川 邦 夫 殿 1 事件の表示 昭和62年特許願第257508号 電圧検出装置 代表者 書 馬 輝 夫 7 補正の内容 (1)明細書第16頁第7行目と第8行目との間に、「
また可変遅延器は、電動のものであっても良いしあるい
は光パルスをステップ的に遅延させるガラス板であって
も良い。光路中に例えば屈折率1.5のガラス板を入れ
る場合、ガラス板の厚さが0.6m+であるならば光パ
ルスを1ピコ秒遅延させることができる。ガラス板の厚
さを異なるものにしたり、ガラス板を複数枚重ねたりす
ることで任意の遅延を作り出すことができる。なおガラ
ス板には無反射コートが施されている必要がある。」を
挿入する。 (2)第5図を別紙のとおり補正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)光パルスを出力するパルス光源と、パルス光源から
の光パルスによりパルス列を発生し光変調手段に入射さ
せるパルス列発生手段と、検出されるべき電圧波形によ
り前記光変調手段において変調されたパルス列の各光パ
ルスの光強度を検出する光検出手段とを備えていること
を特徴とする電圧検出装置。 2)前記パルス列の各光パルス間の時間間隔は、前記光
検出手段の時間分解能よりも大きいことを特徴とする特
許請求の範囲第1項に記載の電圧検出装置。 3)前記電圧波形または前記パルス列は、時間的にずら
されるようになっていることを特徴とする特許請求の範
囲第1項に記載の電圧検出装置。 4)前記電圧波形または前記パルス列の最大の時間遅延
量は、パルス列の各パルス間の時間間隔で定められるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の電圧検出
装置。 5)前記光検出手段は、高速光検出器であることを特徴
とする特許請求の範囲第1項に記載の電圧検出装置。 6)前記高速光検出器は、サンプリング型光オッシロス
コープであることを特徴とする特許請求の範囲第1項に
記載の電圧検出装置。 7)前記高速光検出器は、ストリークカメラであること
を特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の電圧検出装
置。 8)前記高速光検出器は、ゲート付光電子増倍管である
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の電圧検
出装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62257508A JP2564148B2 (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | 電圧検出装置 |
| GB8823949A GB2210974B (en) | 1987-10-13 | 1988-10-12 | A voltage detector |
| US07/256,793 US4962353A (en) | 1987-10-13 | 1988-10-12 | Voltage detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62257508A JP2564148B2 (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | 電圧検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0198973A true JPH0198973A (ja) | 1989-04-17 |
| JP2564148B2 JP2564148B2 (ja) | 1996-12-18 |
Family
ID=17307271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62257508A Expired - Fee Related JP2564148B2 (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | 電圧検出装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4962353A (ja) |
| JP (1) | JP2564148B2 (ja) |
| GB (1) | GB2210974B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11153626A (ja) * | 1997-11-19 | 1999-06-08 | Ando Electric Co Ltd | 電気光学サンプリングオシロスコープ |
| JP2002171658A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-14 | Mitsubishi Electric Corp | 回路遮断器 |
| JP2005127783A (ja) * | 2003-10-22 | 2005-05-19 | Yokogawa Electric Corp | 電気信号観測装置及び方法並びに電気信号標本化装置及び方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3924369A1 (de) * | 1989-07-22 | 1991-01-31 | Asea Brown Boveri | Verfahren zur messung eines elektrischen feldes oder einer elektrischen spannung und einrichtung zur durchfuehrung des verfahrens |
| US5208531A (en) * | 1990-08-13 | 1993-05-04 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for testing integrated circuits |
| US5134361A (en) * | 1991-02-19 | 1992-07-28 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Opitcal system for linearizing non-linear electro-optic |
| WO1997044929A1 (en) * | 1996-05-22 | 1997-11-27 | British Telecommunications Public Limited Company | Optical synchronisation arrangement |
| JP4571283B2 (ja) * | 2000-08-10 | 2010-10-27 | アンリツ株式会社 | 波形測定装置 |
| JP4659190B2 (ja) * | 2000-08-31 | 2011-03-30 | アンリツ株式会社 | 波形測定装置 |
| JP4647759B2 (ja) * | 2000-08-31 | 2011-03-09 | アンリツ株式会社 | 波形測定装置 |
| US20060279819A1 (en) * | 2005-05-26 | 2006-12-14 | Inphase Technologies, Inc. | Laser mode stabilization using an etalon |
| US9509217B2 (en) | 2015-04-20 | 2016-11-29 | Altera Corporation | Asymmetric power flow controller for a power converter and method of operating the same |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4446425A (en) * | 1982-02-12 | 1984-05-01 | The University Of Rochester | Measurement of electrical signals with picosecond resolution |
| US4603293A (en) * | 1984-03-27 | 1986-07-29 | University Of Rochester | Measurement of electrical signals with subpicosecond resolution |
| US4910458A (en) * | 1987-03-24 | 1990-03-20 | Princeton Applied Research Corp. | Electro-optic sampling system with dedicated electro-optic crystal and removable sample carrier |
-
1987
- 1987-10-13 JP JP62257508A patent/JP2564148B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-10-12 GB GB8823949A patent/GB2210974B/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-10-12 US US07/256,793 patent/US4962353A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11153626A (ja) * | 1997-11-19 | 1999-06-08 | Ando Electric Co Ltd | 電気光学サンプリングオシロスコープ |
| JP2002171658A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-14 | Mitsubishi Electric Corp | 回路遮断器 |
| JP2005127783A (ja) * | 2003-10-22 | 2005-05-19 | Yokogawa Electric Corp | 電気信号観測装置及び方法並びに電気信号標本化装置及び方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2210974B (en) | 1991-05-22 |
| US4962353A (en) | 1990-10-09 |
| JP2564148B2 (ja) | 1996-12-18 |
| GB2210974A (en) | 1989-06-21 |
| GB8823949D0 (en) | 1988-11-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |