JPH0199032A - 電気光学素子の駆動方法 - Google Patents

電気光学素子の駆動方法

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JPH0199032A
JPH0199032A JP25691387A JP25691387A JPH0199032A JP H0199032 A JPH0199032 A JP H0199032A JP 25691387 A JP25691387 A JP 25691387A JP 25691387 A JP25691387 A JP 25691387A JP H0199032 A JPH0199032 A JP H0199032A
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JP
Japan
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erasion
erasing
time
voltage
pulse
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Application number
JP25691387A
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English (en)
Inventor
Atsushi Sugiyama
淳 杉山
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、表示素子、透過光量制御素子などとして用い
ることのできる電気光学素子の駆動方法に関する。
[従来の技術] 従来電気光学素子として種々の物が開発されている。こ
のなかでも、液晶を用いた液晶電気光学素子は比較的構
成が簡単で、小型、軽量、低消費電力などの特徴により
、表示素子、光シヤツターなどとして広く用いられるに
至っている。
液晶電気光学素子の製造上、大容量化/大面積化時には
単純マトリックスを用いたものが有利であるが、従来の
ものでは光学応答特性から大容量のものを作成するのが
困難である。たとえば、TNモードを用いたものでは1
/200デユーテイ、より高性能の!9TN/SBEモ
ードでも1/400デユ一テイ程度以上とすると、コン
トラストなどの表示品位が悪化して実用上使用に耐えな
いという問題があった。
そこで、液晶とその配向制御によって生じる印加電圧に
よる双安定性を利用する(J.Appl.Phys。
59、3087,86など)方法が考えられた。これは
、90度を超える高ツイスト状態で印加電圧と透過率が
ヒステリシス現象を起こす場合があることを利用してお
り、選択的に書き込んだ情報をヒステリシスループ内と
なるような保持電圧によって保持するものである。以下
本明細書では、この方式をHTN方式と略記することと
する。
前記文献によるHTN方式の消去は、略零ボルトの電圧
による自然緩和によっており、書き込み時間に対してか
なり長い期間を必要としていた。
以下、本明細書ではこの消去方式を零ボルト消去と呼ぶ
こととする。
これに対し、消去期間中にパルス電圧と略零ボルトの電
圧双方を印加することによって、消去時間の短縮に効果
があることが発明者によって発見され、既に特許の出願
が行なわれている。以下本明細書ではこの消去方法を高
パルス消去と略記することとする。
[発明が解決しようとする問題点) ところで、前記高パルス消去の出願特許では消去期間中
にパルス状の電圧と略零ボルトの電圧双方を印加すると
いう概念は述べられているが、その電圧印加の順序につ
いては全く考慮されていなかった。しかし発明者は電圧
印加の順序によっては、消去時間が短くならないばかり
か、零ボルト消去よりも消去時間が長くなってしまう場
合もあることを発見した。
そこで、本発明のめざすところは高パルス消去における
適当な電圧印加順序を規定することによって、消去時間
を短くすることにある。
すなわち本発明により高パルス消去において消去の時間
を短くすることで、実用性の高い電気光学素子の駆動方
法を提供することを目的としている。
[問題点を解決するための手段] 本発明では、消去、書き込み、およびバイアス電圧印加
による書き込み内容の保持からなる電気光学素子の駆動
方法の、消去をパルス電圧と略零ボルトの電圧双方を印
加することで行なうものにおいて、消去期間内における
パルス電圧印加以前に略零ボルトの電圧を印加しないこ
とを特徴とする。
本明細書では以下、消去期間内におけるパルス電圧印加
以前の略零ボルトの電圧印加状態をプレ消去と呼び、こ
の状態の時間をプレ消去時間tpと呼ぶこととする。
[作用] 発明者らは、90度を超える高ツイスト状態でヒステリ
シスのあるセルに、消去期間内にいろいろな電圧レベル
や電圧印加の順序でパルス状電圧を印加して高パルス消
去の効果について確認した。すると、プレ消去時間の長
さに係わらず、消去時間はほぼプレ消去時間だけ余分に
必要となることを確認することができた。また、場合に
よってはプレ消去によって、プレ消去時間よりも遅れが
大きくなるものもあった。すなわち、プレ消去には、高
パルス印加後の消去を高速化させる効果がないばかりか
、高パルス印加後の消去時間を長くする場合もあるとい
うことである。
これは、高パルス消去が中途半端に倒れた液晶の分子を
パルス電圧を印加することで一度少し動かして、倒れや
すくすることによっていることがら考えると理解できる
。すなわち、−度動かすのt へ ) であれば・それ以前の状態はあまり関係せず、高パルス
印加後の期間はほぼ同じになるであろうことから推定さ
れる。
よって、高パルス消去におけるプレ消去期間内の液晶分
子の状態は消去にはあまり関係なく、プレ消去を行なわ
ないことによって、少なくともプレ消去の時間の分だけ
消去期間を短くすることができる。また、場合によって
は消去時間をプレ消去の時間を加えた以上に長くするこ
とを防ぐことができる。
[実施例] 電気光学素子として、400X640ピクセルのHTN
方式のパネルを試作した。配向処理としては珪素酸化物
の斜め蒸着によって液晶のチルトの角度を29度とし、
液晶のツイストの角度を270度、セル厚は6μmとし
て構成した。このパネルにメルク社製の液晶組成物Z 
L I −11,32にカイラルドーパントを加えたも
のを封入して、偏光子を各基体における液晶の初期配向
方向から45度傾けて置いた場合には、第3図に示す電
気光学特性を持つ電気光学素子が得られる。
このパネルを、第2図aおよびbに示す従来のプレ消去
のある高パルス消去によって駆動を行なうと、室温での
消去時間teは下の第1表に示すような結果となった。
プレ消去時間tpは1,2.3,5,10,20.30
および50ミリ秒とした。また、第1図aおよびbに示
すプレ消去なしの駆動波形による駆動を行なったときの
結果も第1表に示しである。駆動条件は保持電圧VHが
1.5ボルト、選択電圧Vsが12ポルl−、駆動パル
ス幅Pwが1ミリ秒で、消去期間内に書き込みと同程度
の消去パルス電圧Veを13ボルト、消去パルス幅Pe
が1ミリ秒で印加した。
また、駆動条件を全く変えてみても、プレ消去なしのと
きの消去時間にプレ消去時間を加えた時間の±5%以内
に全て入ることを確認した。ただし、プレ消去時間が零
ボルト消去の消去時間とほとんど同じで、消去用高パル
スの電圧が非常に低いときは高パルス消去とならず、通
常の零ボルト消去と同等になった。
第1表。
以上実施例を述べたが、本発明は上記実施例にのみ限定
されるものでなく、消去期間中に零ボルト以外の電界を
印加するもの全てに適用でき、この実施例がその電圧、
パルス幅などの条件になんら制限を与えるものではない
ことは言うまでもない。
[発明の効果] 以上述べたように、本発明によれば、書き込まれた内容
をバイアス電圧を印加して保持する方法で駆動される双
安定性電気光学素子の駆動方法において、消去時間を短
くできるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)、(b)は、本発明での電気光学素子の駆
動方法の概念を示す図である。第2図(a)、(b) 
lよ、従来のプレ消去のあるHTN方式での駆動方法の
概念を示す図である。第3図は、実施例で試作した液晶
電気光学素子の電気光学特性を示す図である。 1.1,1.2,1.3,1.4・・・・・・セグメン
ト信号の例2.1,2.2,2..3,2.4・・・・
・・保持電圧V)l:j、1,3.2,3.3,3.4
・・・・・・コモン信号の例4.1,4.2,4.3,
4.4・・・・・・消去電圧Ve5.1,5.2,5.
3,5.4・・・・・・選択電圧Vs6.1,6.2,
6.3,6.4・・・・・・消去時間te7゜1,7.
2,7.3,7.4・・・・・・駆動パルス幅P賛8.
1,8.2,8.3,8.4・・・・・・書き込み期間
9.1,9.2,9.3,9.4・・・・・・保持期間
10.1,10.2,10.3,10.4・・1フレー
ムの長さ11.1,11.2・・・・・・・・・・・・
プレ消去時間tp12・・・・・・・・・・・・電圧上
昇時の電圧−透過率曲線13・・・・・・・・・・・・
電圧下降時の   //以  上 (α) (久) 舘 0 罠凋 (ト) 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 消去、書き込み、およびバイアス電圧印加による書き込
    み内容の保持からなる電気光学素子の駆動方法の、消去
    をパルス電圧と略零ボルトの電圧双方を印加することで
    行なうものにおいて、消去期間内におけるパルス電圧印
    加以前に略零ボルトの電圧を印加しないことを特徴とす
    る電気光学素子の駆動方法。
JP25691387A 1987-10-12 1987-10-12 電気光学素子の駆動方法 Pending JPH0199032A (ja)

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