JPH0199213A - 膜形成装置 - Google Patents
膜形成装置Info
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- JPH0199213A JPH0199213A JP62256403A JP25640387A JPH0199213A JP H0199213 A JPH0199213 A JP H0199213A JP 62256403 A JP62256403 A JP 62256403A JP 25640387 A JP25640387 A JP 25640387A JP H0199213 A JPH0199213 A JP H0199213A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- electrode
- film
- high frequency
- film forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は、グロー放電により連続的に薄膜を形成する成
膜装置に関するものであり、とくに、高性能の半導体薄
膜を高成膜速度において均一に形成する成膜装置に関す
る。
膜装置に関するものであり、とくに、高性能の半導体薄
膜を高成膜速度において均一に形成する成膜装置に関す
る。
［従来技術］
シリコン化合物のグロー放電分解や光分解により得られ
る非晶質シリコン系の半導体薄膜は、光−電気エネルギ
ーの変換能力に優れ、光起電力素子として利用されてい
る。しかも、電卓等民生用機器ばかりでなく、電力用太
陽電池としての利用も検討されているが、このためには
、大面積の太陽電池を安価に製造する必要がある。この
点においても、非晶質シリコン系太陽電池は、基本的に
面積の拡大が比較的容易であり、大面積化の研究が行わ
れている。
る非晶質シリコン系の半導体薄膜は、光−電気エネルギ
ーの変換能力に優れ、光起電力素子として利用されてい
る。しかも、電卓等民生用機器ばかりでなく、電力用太
陽電池としての利用も検討されているが、このためには
、大面積の太陽電池を安価に製造する必要がある。この
点においても、非晶質シリコン系太陽電池は、基本的に
面積の拡大が比較的容易であり、大面積化の研究が行わ
れている。
しかしながら、従来の容量結合型の平行平板電極を用い
る成膜装置においては、高性能の半導体薄膜を高成膜速
度で均一に形成するとき、いくつかの問題があった。
る成膜装置においては、高性能の半導体薄膜を高成膜速
度で均一に形成するとき、いくつかの問題があった。
すなわち、まず第一にこの成膜方法は高周波が印加され
る電極（高周波印加電極）と接地されている電極（接地
電極）の間に膜が形成される基板が設置されるものであ
るが、この場合、高周波印加電極面内において、グロー
放電の均一性が確保されなければ、薄膜の均一性は得ら
れない０次に、大面積の基板に成膜する場合には、当然
のことながら、高周波印加電極の面積を基板よりも大き
くせねばならないが、大面積の電極においては、高周波
電流独特の表皮効果が生じて有効に高周波電流を導入す
ることができない。また、電気力線にもとすく端効果お
よび先の表皮効果の結果、高周波印加電極周辺部のグロ
ー放電が強くなり、成膜速度が不均一になるばかりでな
く、得られた薄膜の特性も不均一となるうえ、高速成膜
条件においては、高周波印加電極周辺部のグロー放電は
より一層強くなり、かかる問題点がさらに一層強澗され
る。
る電極（高周波印加電極）と接地されている電極（接地
電極）の間に膜が形成される基板が設置されるものであ
るが、この場合、高周波印加電極面内において、グロー
放電の均一性が確保されなければ、薄膜の均一性は得ら
れない０次に、大面積の基板に成膜する場合には、当然
のことながら、高周波印加電極の面積を基板よりも大き
くせねばならないが、大面積の電極においては、高周波
電流独特の表皮効果が生じて有効に高周波電流を導入す
ることができない。また、電気力線にもとすく端効果お
よび先の表皮効果の結果、高周波印加電極周辺部のグロ
ー放電が強くなり、成膜速度が不均一になるばかりでな
く、得られた薄膜の特性も不均一となるうえ、高速成膜
条件においては、高周波印加電極周辺部のグロー放電は
より一層強くなり、かかる問題点がさらに一層強澗され
る。
［発明の目的］
本発明の目的は、高周波印加ｔＦ１１と接地電極間にお
いて、高濃度プラズマを生じさせ、均一な半導体薄膜を
高成膜速度で基板上に形成することのできる半導体薄膜
の所謂インライン成膜装置を提供することである。
いて、高濃度プラズマを生じさせ、均一な半導体薄膜を
高成膜速度で基板上に形成することのできる半導体薄膜
の所謂インライン成膜装置を提供することである。
［基本的着想コ
本発明者らは、かかる観点から鋭意検討した結果、連続
形成に用いられる種々のプラズマＣＶＤ装置およびグロ
ー放電の詳細な検討の結果、高周波印加電極表面を凹凸
に形成することにより、電極全体に高濃度プラズマが均
一に拡がることを見いだして、本発明を完成するに至っ
た。すなわち大面積の平行平板電極においては上記のご
とく電極面上でプラズマが局在すると云う問題点がある
ところ、本発明者らは、特定の表面形状の電極を用いる
と、高密度のプラズマが雪掻全面に一様に生成すること
をみいだし、これをインライン方式の成膜装置による高
速成膜に利用したものである。
形成に用いられる種々のプラズマＣＶＤ装置およびグロ
ー放電の詳細な検討の結果、高周波印加電極表面を凹凸
に形成することにより、電極全体に高濃度プラズマが均
一に拡がることを見いだして、本発明を完成するに至っ
た。すなわち大面積の平行平板電極においては上記のご
とく電極面上でプラズマが局在すると云う問題点がある
ところ、本発明者らは、特定の表面形状の電極を用いる
と、高密度のプラズマが雪掻全面に一様に生成すること
をみいだし、これをインライン方式の成膜装置による高
速成膜に利用したものである。
［発明の開示〕
本発明は、高周波印加電極と接地電極の間に発生するグ
ロー放電中に、基板を設置・もしくは進行せしめて該基
板上に薄膜を形成するインライン成膜装置において、該
高周波印加電極表面が凹凸状に形成されていることを特
徴とする成膜装置、にかかるものである。
ロー放電中に、基板を設置・もしくは進行せしめて該基
板上に薄膜を形成するインライン成膜装置において、該
高周波印加電極表面が凹凸状に形成されていることを特
徴とする成膜装置、にかかるものである。
本発明の対象としているインライン成膜装置とは、真空
を破ることなく基板（実際には、基板保持具に保持固定
された基板）を成膜室に搬送し、基板は成膜室内に設置
され、もしくは室内を移動・進行しながら半導体薄膜が
形成される装置である。
を破ることなく基板（実際には、基板保持具に保持固定
された基板）を成膜室に搬送し、基板は成膜室内に設置
され、もしくは室内を移動・進行しながら半導体薄膜が
形成される装置である。
第１図に本発明の一実施例たる具体的な態様を模式的な
断面図で示した。
断面図で示した。
すなわち、高周波印加電極１と接地電極２の間に発生す
るグロー放電中に、基板４を設置せしめて該基板上に薄
膜を形成するインライン成膜装置において、液高周波印
加電極表面が凹凸状に形成されている成膜装置である。
るグロー放電中に、基板４を設置せしめて該基板上に薄
膜を形成するインライン成膜装置において、液高周波印
加電極表面が凹凸状に形成されている成膜装置である。
なお、第２図はその斜視図である。もちろん、基板４は
グロー放電中を移動・進行せしめられ、該基板上に薄膜
が連続的に形成されることも出来る。
グロー放電中を移動・進行せしめられ、該基板上に薄膜
が連続的に形成されることも出来る。
本発明において、凹凸の形状は特に限定されないが、製
作上からは、断面を矩形に作ることがプラズマの均一性
もそこなわれないので実用的であり好ましい。第１図に
示したものの外に、断面が矩形である高周波印加電極の
凹凸形状における具体的な示例のいくつかを第３図に示
す。
作上からは、断面を矩形に作ることがプラズマの均一性
もそこなわれないので実用的であり好ましい。第１図に
示したものの外に、断面が矩形である高周波印加電極の
凹凸形状における具体的な示例のいくつかを第３図に示
す。
第１図に示すような高周波印加電極の凹凸における山の
高さｈ５すなち凹部の深さは、電極間隔ｄの１７２以上
、好ましくはｄと同じかそれ以上である。けだし、高速
成膜条件においては成膜時の圧力を高めることが要求さ
れるので、山の高さｈが電極間隔ｄに比べて１／２未満
のように小さい場合には、電極表面を凹凸に形成した効
果が小さくなり、好ましいものではない。また、薄膜の
均一性は高周波印加電極と接地電極との間隔ｄや高周波
印加電極と基板との間隔等の装置形状によっても影響さ
れるが、高周波印加電極の凹凸における山の高さｈを電
極間隔ｄの１／２以上、好ましくはｄと同じかそれ以上
とすることにより、これらの装置形状による影響をほと
んど無くすことが可能である。
高さｈ５すなち凹部の深さは、電極間隔ｄの１７２以上
、好ましくはｄと同じかそれ以上である。けだし、高速
成膜条件においては成膜時の圧力を高めることが要求さ
れるので、山の高さｈが電極間隔ｄに比べて１／２未満
のように小さい場合には、電極表面を凹凸に形成した効
果が小さくなり、好ましいものではない。また、薄膜の
均一性は高周波印加電極と接地電極との間隔ｄや高周波
印加電極と基板との間隔等の装置形状によっても影響さ
れるが、高周波印加電極の凹凸における山の高さｈを電
極間隔ｄの１／２以上、好ましくはｄと同じかそれ以上
とすることにより、これらの装置形状による影響をほと
んど無くすことが可能である。
一方、第１図、第２図に示すような高周波印加電極の凹
凸における山の巾Ｗすなわち凸部の幅は、電極間隔ｄの
１７２以上、好ましくはｄと同じかそれ以上である。し
かしながら、あまり巾が広い場合には、電極の凹凸によ
る均一成膜の効果が小さ（なり好ましいものではない。
凸における山の巾Ｗすなわち凸部の幅は、電極間隔ｄの
１７２以上、好ましくはｄと同じかそれ以上である。し
かしながら、あまり巾が広い場合には、電極の凹凸によ
る均一成膜の効果が小さ（なり好ましいものではない。
薄膜の均一性は高周波印加電極と接地電極との間隔や高
周波印加電極と基板との間隔等の装置形状によっても影
響されるが、高周波印加電極の山の巾Ｗを５ｃｍ以下と
することにより、これらの装置形状による影響はほとん
ど無くすことが可能である。さらに、この場合も高周波
印加電極と接地電極および基板等との間隔はと（に限定
されるものではない。
周波印加電極と基板との間隔等の装置形状によっても影
響されるが、高周波印加電極の山の巾Ｗを５ｃｍ以下と
することにより、これらの装置形状による影響はほとん
ど無くすことが可能である。さらに、この場合も高周波
印加電極と接地電極および基板等との間隔はと（に限定
されるものではない。
さらに、第１図、第２図に示すような、高周波印加電極
の凹凸における谷の巾りは、５ＩＩＩＩ１１以上で、好
ましくはｄと同じかそれ以上である。この場合もしかあ
まり広いと電極表面を凹凸状に形成したことによる均一
成膜の効果は小さ（なり、５ｃｍ以下であることが好ま
しい。
の凹凸における谷の巾りは、５ＩＩＩＩ１１以上で、好
ましくはｄと同じかそれ以上である。この場合もしかあ
まり広いと電極表面を凹凸状に形成したことによる均一
成膜の効果は小さ（なり、５ｃｍ以下であることが好ま
しい。
本発明において、凹凸形状の高周波印加電極にアースシ
ールド５．５′を設備することは必須の条件ではないが
、高周波印加電極にアースシール−ドを設備することに
より、放電を有効に対向する接地電極側に方向づけるこ
とができる。このために、アースシールドを形成できる
間隔をとることが好ましい。具体的な示例としては、５
＋ａ＋ｍ以上の間隔が存在すれば十分である。第１図に
異体的な示例を示した。
ールド５．５′を設備することは必須の条件ではないが
、高周波印加電極にアースシール−ドを設備することに
より、放電を有効に対向する接地電極側に方向づけるこ
とができる。このために、アースシールドを形成できる
間隔をとることが好ましい。具体的な示例としては、５
＋ａ＋ｍ以上の間隔が存在すれば十分である。第１図に
異体的な示例を示した。
これら高周波印加電極や接地電極等の材質については、
とくに制限されるものではないが、形成される半導体薄
膜に与える不純物量、電気伝導性、熱的安定性等を考慮
するとステンレス鋼である５ＵＳ３１６や５ＵＳ３０４
やアルミニウムが好ましい材料として用いられる。
とくに制限されるものではないが、形成される半導体薄
膜に与える不純物量、電気伝導性、熱的安定性等を考慮
するとステンレス鋼である５ＵＳ３１６や５ＵＳ３０４
やアルミニウムが好ましい材料として用いられる。
本発明のインライン成膜装置とは、上記したごとく、真
空を破ることな（基板を成膜室に搬送することのできる
、基板導入室および基板取り出し室、または基板取り出
し室を兼ねる基板導入室、またはこれらの機能を果たす
基板導入手段や基板取り出し手段を少なくとも有する成
膜装置であり、基板は成膜室内に設置され、もしくは室
内を移動しながら半導体薄膜が形成される装置である。
空を破ることな（基板を成膜室に搬送することのできる
、基板導入室および基板取り出し室、または基板取り出
し室を兼ねる基板導入室、またはこれらの機能を果たす
基板導入手段や基板取り出し手段を少なくとも有する成
膜装置であり、基板は成膜室内に設置され、もしくは室
内を移動しながら半導体薄膜が形成される装置である。
成膜室は反応ガス導入手段および排気手段を備えた金属
製の反応容器であり、少なくとも基板を加熱するための
加熱手段、高密度のプラズマを発生するための中挟の高
周波印加電極および接地電極、基板保持具（基板キャリ
ヤー）を移動させるための搬送手段が設備されているも
のである。なお、基板保持具とは、半導体薄膜が形成さ
れる基板を、はめ込み、設置等により固定して搬送する
ための搬送具である。従って、基板の主面が露出してお
り、この面上に薄膜が形成されうるちのである限り、基
板の基板キャリアへの設置方法については、何ら限定さ
れるものはない。通常、基板保持具は、基板と路間−の
大きさか、これよりやや大きいのが普通である。基板保
持具上に保持された基板は、高周波印加電極と接地電極
の間に発生する高周波プラズマ中を、高周波印加電極お
よび対向する接地電極とに対して垂直方向に設置され、
もしくは該方向に進行し、半導体薄膜等が移動中の基板
上に形成されるのである。
製の反応容器であり、少なくとも基板を加熱するための
加熱手段、高密度のプラズマを発生するための中挟の高
周波印加電極および接地電極、基板保持具（基板キャリ
ヤー）を移動させるための搬送手段が設備されているも
のである。なお、基板保持具とは、半導体薄膜が形成さ
れる基板を、はめ込み、設置等により固定して搬送する
ための搬送具である。従って、基板の主面が露出してお
り、この面上に薄膜が形成されうるちのである限り、基
板の基板キャリアへの設置方法については、何ら限定さ
れるものはない。通常、基板保持具は、基板と路間−の
大きさか、これよりやや大きいのが普通である。基板保
持具上に保持された基板は、高周波印加電極と接地電極
の間に発生する高周波プラズマ中を、高周波印加電極お
よび対向する接地電極とに対して垂直方向に設置され、
もしくは該方向に進行し、半導体薄膜等が移動中の基板
上に形成されるのである。
反応容器の材質は限定されるものではないが、好ましい
材質としてはステンレススチール、ニッケルおよびその
合金、アルミニウムおよびその合金などである。加工性
や耐蝕性を考慮した取扱い上からはス−ｒ ７１／ ス
、！、 チール（ＳＵＳ３１６．５ＵＳ３０４ ）ある
いはアルミニウムおよびその合金が好ましいものである
。
材質としてはステンレススチール、ニッケルおよびその
合金、アルミニウムおよびその合金などである。加工性
や耐蝕性を考慮した取扱い上からはス−ｒ ７１／ ス
、！、 チール（ＳＵＳ３１６．５ＵＳ３０４ ）ある
いはアルミニウムおよびその合金が好ましいものである
。
本発明において、基板の材質は限定されるものではない
、ガラス基板、酸化スズや酸化スズ・インジウムの様な
透明導電膜付きガラス基板、セラミックス基板、アルミ
ニウム、クロム、ステンレス（ｓｕｓ３１６，５ＵＳ３
０４ ）などの金属薄板やアルミニウム、クロム、ステ
ンレス（ＳＩＩＳ３１６．５ｔｌＳ３０４ ）などの金
属を蒸着したセラミックス基板やポリエチレンテレフタ
レートなどの高分子基板、ステンレス基板、多結晶およ
び単結晶シリコンウェハーなどが基板として有効に用い
られる。
、ガラス基板、酸化スズや酸化スズ・インジウムの様な
透明導電膜付きガラス基板、セラミックス基板、アルミ
ニウム、クロム、ステンレス（ｓｕｓ３１６，５ＵＳ３
０４ ）などの金属薄板やアルミニウム、クロム、ステ
ンレス（ＳＩＩＳ３１６．５ｔｌＳ３０４ ）などの金
属を蒸着したセラミックス基板やポリエチレンテレフタ
レートなどの高分子基板、ステンレス基板、多結晶およ
び単結晶シリコンウェハーなどが基板として有効に用い
られる。
本発明で用いる反応性ガスは、主にシリコン化合物ガス
であり、一般式５１ｈＨｚｎ＊ｚ （ここでｎは自然
数）で示されるシラン、例えばモノシラン、ジシランで
ある。さらに、一般式ＳｉＨ＋ｃＦ＜−ｘ （χは、０
〜４の整数）で示されるフルオロシラン、一般弐〇〇、
ＦＩｚｎ＊ｔ （ｎは、自然数）で示される水素化ゲ
ルマンなどである。また、目的に応じて、フォスフイン
ＰＨｘ 、ジボランＢＪｈ、ヘリウムＨｅ１炭化水素ガ
ス ＣｙＨｚｙ＊ｚ 、ＣｙＨｚｙ −ＣｙＨｚｙ〜２
（ｙは、自然数）、モノメチルシランなどの有機けい素
ガスなどを単独ないし混合して用いることができる。
であり、一般式５１ｈＨｚｎ＊ｚ （ここでｎは自然
数）で示されるシラン、例えばモノシラン、ジシランで
ある。さらに、一般式ＳｉＨ＋ｃＦ＜−ｘ （χは、０
〜４の整数）で示されるフルオロシラン、一般弐〇〇、
ＦＩｚｎ＊ｔ （ｎは、自然数）で示される水素化ゲ
ルマンなどである。また、目的に応じて、フォスフイン
ＰＨｘ 、ジボランＢＪｈ、ヘリウムＨｅ１炭化水素ガ
ス ＣｙＨｚｙ＊ｚ 、ＣｙＨｚｙ −ＣｙＨｚｙ〜２
（ｙは、自然数）、モノメチルシランなどの有機けい素
ガスなどを単独ないし混合して用いることができる。
［実施例］
まず、基板挿入室に基板保持具を設置し、真空系で０．
０１ｔｏｒｒ以下に排気しつつ、加熱手段で基板を所定
の温度になるまで加熱する。所定の圧力並びに基板温度
に達した後、第１図に示される形状の凹凸状の高周波印
加電ｉ（ｈ ＝２０ｍｍ 、 ｗ＝２０ｍｍ。
０１ｔｏｒｒ以下に排気しつつ、加熱手段で基板を所定
の温度になるまで加熱する。所定の圧力並びに基板温度
に達した後、第１図に示される形状の凹凸状の高周波印
加電ｉ（ｈ ＝２０ｍｍ 、 ｗ＝２０ｍｍ。
し・２０１）を用い、ジシランの放電を発生させている
反応室内に基板保持具に保持せしめて搬送し、接地電極
に固定した後アモルファスシリコン薄膜を成膜した。
反応室内に基板保持具に保持せしめて搬送し、接地電極
に固定した後アモルファスシリコン薄膜を成膜した。
底腹条止；
ジシラン １０ ｃｃ／ｍｉｎ
高周波電力 ５〇一
基板温度 ２５０ ’Ｃ
反応圧力 Ｑ、ｌ ｔｏｒｒ
電極寸法 １００■ φ
基板寸法 ２０傘８０１１１Ｉ１１
底１級果；
平均成膜速度 ２５ Ａ／ｓｅｅ基板上の成膜速
度分布（第４図） ±５χ代表的な光転導度 ３．５
傘１０−’ Ｓ／ｃｍ代表的な暗転導度 ４．６傘１
０−” Ｓ／ｃｍ〔比較例〕 成膜条件を実施例と同条件にして電極のみを通常の平衡
平板型高周波印加電極を用いて成膜した結果、 成膜速度はＩＩＡ／ｓｅｃ 〜２７Ａ／ｓｅｅの間で変
化し、均一成膜が極めて困難であるを確認した。
度分布（第４図） ±５χ代表的な光転導度 ３．５
傘１０−’ Ｓ／ｃｍ代表的な暗転導度 ４．６傘１
０−” Ｓ／ｃｍ〔比較例〕 成膜条件を実施例と同条件にして電極のみを通常の平衡
平板型高周波印加電極を用いて成膜した結果、 成膜速度はＩＩＡ／ｓｅｃ 〜２７Ａ／ｓｅｅの間で変
化し、均一成膜が極めて困難であるを確認した。
［発明の効果］
以上のごとく、本発明においては、本発明で規定する特
定の表面に凹凸を形成した高周波印加電極を用いること
により、高成膜速度で大面積の基板上に均質に成膜する
ことができる。得られた薄膜の特性は優れたものであり
、本発明の産業上の利用可能性は、極めて大きいもので
ある。
定の表面に凹凸を形成した高周波印加電極を用いること
により、高成膜速度で大面積の基板上に均質に成膜する
ことができる。得られた薄膜の特性は優れたものであり
、本発明の産業上の利用可能性は、極めて大きいもので
ある。
第１図は、表面を凹凸状に形勢した高周波印加電極を有
する反応室の模式的な断面図であり、第２図はおなしく
その斜視図である。 第３図は、断面が矩形である高周波印可電極の凹凸形状
および配置の実施の態様の例を示す説明図である。第４
図は実施例において成膜速度分布を計測した基板上の位
置を示す説明図である。長方形の中心を通り長辺と平行
に５１１１Ｉｎ間隔で測定点を設けた。 図において、１−・−一一−−−−−−−高周波印加電
極、２−−−−−−−・・−・−接地電極、３．３″・
・−・−・−・−ヒーター、４−・・−・−・−・一基
板、５．５′・・−・−・・−・・アースシールド、ｈ
−・−−−−−一・・・−・−凹凸における山の高さ、
ｗ −−−−−−−−−・−・−凹凸における山の巾、
Ｌ −−−−−−−・−−−ｍ−−−・凹凸における谷
の巾
する反応室の模式的な断面図であり、第２図はおなしく
その斜視図である。 第３図は、断面が矩形である高周波印可電極の凹凸形状
および配置の実施の態様の例を示す説明図である。第４
図は実施例において成膜速度分布を計測した基板上の位
置を示す説明図である。長方形の中心を通り長辺と平行
に５１１１Ｉｎ間隔で測定点を設けた。 図において、１−・−一一−−−−−−−高周波印加電
極、２−−−−−−−・・−・−接地電極、３．３″・
・−・−・−・−ヒーター、４−・・−・−・−・一基
板、５．５′・・−・−・・−・・アースシールド、ｈ
−・−−−−−一・・・−・−凹凸における山の高さ、
ｗ −−−−−−−−−・−・−凹凸における山の巾、
Ｌ −−−−−−−・−−−ｍ−−−・凹凸における谷
の巾
Claims (1)
- （１）高周波印加電極と接地電極の間に発生するグロー
放電中に、基板を設置・もしくは進行せしめて該基板上
に薄膜を形成するインライン成膜装置において、該高周
波印加電極表面が凹凸状に形成されていることを特徴と
する成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62256403A JP2601488B2 (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | 膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62256403A JP2601488B2 (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | 膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0199213A true JPH0199213A (ja) | 1989-04-18 |
| JP2601488B2 JP2601488B2 (ja) | 1997-04-16 |
Family
ID=17292192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62256403A Expired - Fee Related JP2601488B2 (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | 膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2601488B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0395630U (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-30 | ||
| JP2001181848A (ja) * | 1999-12-20 | 2001-07-03 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5374372A (en) * | 1976-12-15 | 1978-07-01 | Hitachi Ltd | Plasma cvd device |
| JPS59125615A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-20 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6075460U (ja) * | 1983-10-28 | 1985-05-27 | 富士通株式会社 | プラズマ気相成長装置 |
| JPS60128613A (ja) * | 1983-12-15 | 1985-07-09 | Ricoh Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS61267315A (ja) * | 1985-05-22 | 1986-11-26 | Anelva Corp | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS62282434A (ja) * | 1986-03-04 | 1987-12-08 | ライボルト−ヘレ−ウス・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 高周波によつて励起されたプラズマ放電内でサブストレ−トをプラズマ処理するための装置 |
-
1987
- 1987-10-13 JP JP62256403A patent/JP2601488B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5374372A (en) * | 1976-12-15 | 1978-07-01 | Hitachi Ltd | Plasma cvd device |
| JPS59125615A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-20 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6075460U (ja) * | 1983-10-28 | 1985-05-27 | 富士通株式会社 | プラズマ気相成長装置 |
| JPS60128613A (ja) * | 1983-12-15 | 1985-07-09 | Ricoh Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS61267315A (ja) * | 1985-05-22 | 1986-11-26 | Anelva Corp | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS62282434A (ja) * | 1986-03-04 | 1987-12-08 | ライボルト−ヘレ−ウス・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 高周波によつて励起されたプラズマ放電内でサブストレ−トをプラズマ処理するための装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0395630U (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-30 | ||
| JP2001181848A (ja) * | 1999-12-20 | 2001-07-03 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2601488B2 (ja) | 1997-04-16 |
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