JPH02100969A - 糸道 - Google Patents
糸道Info
- Publication number
- JPH02100969A JPH02100969A JP25439388A JP25439388A JPH02100969A JP H02100969 A JPH02100969 A JP H02100969A JP 25439388 A JP25439388 A JP 25439388A JP 25439388 A JP25439388 A JP 25439388A JP H02100969 A JPH02100969 A JP H02100969A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thread
- thread guide
- guide
- reaction chamber
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 25
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 17
- 229910021385 hard carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 16
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 12
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract description 6
- 238000009987 spinning Methods 0.000 abstract description 4
- 238000009941 weaving Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 abstract description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 abstract 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 description 27
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 10
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 6
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 6
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 ethylene, propylene Chemical group 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229960004424 carbon dioxide Drugs 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 3
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N Cyclopentane Chemical compound C1CCCC1 RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910039444 MoC Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N benzaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CC=C1 HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910002090 carbon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N dioxomolybdenum Chemical compound O=[Mo]=O QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical compound CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N succinic acid Chemical compound OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PDKAXHLOFWCWIH-UHFFFAOYSA-N 1,1-dichlorobuta-1,3-diene Chemical compound ClC(Cl)=CC=C PDKAXHLOFWCWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 1lambda4,2lambda4-dimolybdacyclopropa-1,2,3-triene Chemical compound [Mo]=C=[Mo] QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLJQDHDVZJXNQL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-(oxomethylidene)benzenesulfonamide Chemical compound CC1=CC=C(S(=O)(=O)N=C=O)C=C1 VLJQDHDVZJXNQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical class [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N Cyclobutane Chemical compound C1CCC1 PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOBKSJJDNFUZPF-UHFFFAOYSA-N Methoxyethane Chemical compound CCOC XOBKSJJDNFUZPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020968 MoSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910012990 NiSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000779819 Syncarpia glomulifera Species 0.000 description 1
- 229910008814 WSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N acetaldehyde Chemical compound [14CH]([14CH3])=O IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 239000010727 cylinder oil Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- LRMHFDNWKCSEQU-UHFFFAOYSA-N ethoxyethane;phenol Chemical compound CCOCC.OC1=CC=CC=C1 LRMHFDNWKCSEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000000295 fuel oil Substances 0.000 description 1
- 239000003502 gasoline Substances 0.000 description 1
- 239000012208 gear oil Substances 0.000 description 1
- 239000010649 ginger oil Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N heptamethylene Natural products C1CCCCCC1 DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003350 kerosene Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- VNKYTQGIUYNRMY-UHFFFAOYSA-N methoxypropane Chemical compound CCCOC VNKYTQGIUYNRMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N para-ethylbenzaldehyde Natural products CCC1=CC=C(C=O)C=C1 QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008775 paternal effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000010665 pine oil Substances 0.000 description 1
- 239000001739 pinus spp. Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021340 platinum monosilicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- HWEYZGSCHQNNEH-UHFFFAOYSA-N silicon tantalum Chemical compound [Si].[Ta] HWEYZGSCHQNNEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000001384 succinic acid Substances 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052713 technetium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKLVYJBZJHMRIY-UHFFFAOYSA-N technetium atom Chemical compound [Tc] GKLVYJBZJHMRIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940036248 turpentine Drugs 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Guides For Winding Or Rewinding, Or Guides For Filamentary Materials (AREA)
- Spinning Methods And Devices For Manufacturing Artificial Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は糸道に関し、さらに詳しくは、たとえば製糸
、紡績、織布等の糸にかかる分野で好適に使用すること
のできる耐用年数が長く、また糸との動摩擦係数が低い
糸道に関する。
、紡績、織布等の糸にかかる分野で好適に使用すること
のできる耐用年数が長く、また糸との動摩擦係数が低い
糸道に関する。
[従来技術と発明が解決しようとするa題]製糸、紡績
、織布等の糸にかかる分野においては、糸の走行安定性
を保持するために、走行する糸を案内する糸道が使用さ
れている。
、織布等の糸にかかる分野においては、糸の走行安定性
を保持するために、走行する糸を案内する糸道が使用さ
れている。
ところで、従来使用されている糸道としては、超硬金属
等の金属や、アルミナ等のセラミックからなるもの等が
知られている。
等の金属や、アルミナ等のセラミックからなるもの等が
知られている。
しかしながら、これらの糸道は、高速走行する糸に激し
く摺擦され、また摺擦されることで発生する高熱ともあ
いまって著しく摩耗され、充分な耐用年数を確保するこ
とができなかった。
く摺擦され、また摺擦されることで発生する高熱ともあ
いまって著しく摩耗され、充分な耐用年数を確保するこ
とができなかった。
また、従来の糸道は、糸を案内する部分に平滑処理を施
してはいるものの、糸に対する動摩擦係数を充分に低減
したものとは言い難く、その結果、糸切れや糸のケバ立
ち等を起しやすいという不都合を有していた。
してはいるものの、糸に対する動摩擦係数を充分に低減
したものとは言い難く、その結果、糸切れや糸のケバ立
ち等を起しやすいという不都合を有していた。
一方、ダイヤモンド付き部材を、糸道基体に取り付けた
糸道(実開昭57−184853 )が報告されてはい
るが、前記ダイヤモンド付き部材が、前記摺擦、前記高
熱等により、前記糸道基体から離脱する恐れがあった。
糸道(実開昭57−184853 )が報告されてはい
るが、前記ダイヤモンド付き部材が、前記摺擦、前記高
熱等により、前記糸道基体から離脱する恐れがあった。
この発明は前記事情によりなされたものである。
すなわち、この発明の目的は、耐用年数が艮く、また走
行する糸を損傷することなく案内することのできる糸道
を提供することにある。
行する糸を損傷することなく案内することのできる糸道
を提供することにある。
[前記課題を解決するための手段]
前記課題を解決するためのこの発明の構成は。
糸道基体−Lに硬質炭素質膜を形成してなることを特徴
とする糸道である。
とする糸道である。
以下に本発明の詳細な説IjIする。
(1)糸道基体
糸道基体の材質としては、硬質炭素JA膜を形成するこ
とが回走であれば、特に制限はなく、たとえば鉄、ニッ
ケル、クロム、マンガン、バナジウム、タングステン、
タリウム、モリブデン、シリコンなどの金属や合金等、
タンタル珪素、炭化モリブデン、炭化タングステン、ア
ルミナ、スピネル、炭化珪素などのセラミックスを挙げ
ることができる。
とが回走であれば、特に制限はなく、たとえば鉄、ニッ
ケル、クロム、マンガン、バナジウム、タングステン、
タリウム、モリブデン、シリコンなどの金属や合金等、
タンタル珪素、炭化モリブデン、炭化タングステン、ア
ルミナ、スピネル、炭化珪素などのセラミックスを挙げ
ることができる。
また、これらの中でも好ましいのは、WC−Go系合金
、We−TiC−Coo系合金、’rJc−TiC−T
aC−Co 7’i合金等の超硬合金である。
、We−TiC−Coo系合金、’rJc−TiC−T
aC−Co 7’i合金等の超硬合金である。
糸道基体の形状としては、走行する糸を案内するための
案内部を設けることのできる形状を有していれば、特に
制限はない。
案内部を設けることのできる形状を有していれば、特に
制限はない。
前記案内部の形状としては、特に制限はなく、たとえば
第1図に示すように糸道基体に設けた溝が案内部1、第
2図、第3図に示すように前記糸道基体に設けた貫通孔
が案内部1、または第4図に示すようにロール面全体が
案内部1も形成するもの等が挙げられる。
第1図に示すように糸道基体に設けた溝が案内部1、第
2図、第3図に示すように前記糸道基体に設けた貫通孔
が案内部1、または第4図に示すようにロール面全体が
案内部1も形成するもの等が挙げられる。
なお、前記溝や貫通孔は、直線的に設ける必要はなく、
前記案内部がたとえば貫通孔である場合、第3図に示す
ように、貫通孔が湾曲するものであってもよい。
前記案内部がたとえば貫通孔である場合、第3図に示す
ように、貫通孔が湾曲するものであってもよい。
この発【」は、前記糸道基体上に以下に説明する硬質炭
素質膜を形成してなる。
素質膜を形成してなる。
(2)硬質炭素質膜
硬質炭素質膜は、ダイヤモンド状炭素および/またはダ
イヤモンドからなる膜である。
イヤモンドからなる膜である。
前記硬質炭素質膜は、前記糸道基体上に形成される。
前記硬質炭素質膜の厚さは、通常0.1 sm以上であ
り、好ましくは0.5〜30gmである。
り、好ましくは0.5〜30gmである。
なお、前記硬質炭素膜は、少なくとも前記案内部に設け
てあれば良く、所望により糸道基体の全表面に形成して
もよいし、前記案内部のみに形成してもよい。
てあれば良く、所望により糸道基体の全表面に形成して
もよいし、前記案内部のみに形成してもよい。
なお、この発明は、前記糸道基体上に、以下に説明する
中間層を介して前記硬質炭素質膜を形成することもでさ
る。
中間層を介して前記硬質炭素質膜を形成することもでさ
る。
(3)中間層
前記中間層は、前記糸道基体と前記硬質炭素質膜との密
着性を高める作用乃至機能を有する。
着性を高める作用乃至機能を有する。
前記中間層を形成する成分としては、前記作用乃至機虎
を有する限りは、特に制限はなく、たとえば周期律表の
rVa 、 Va 、 VTa 、■2、■族の金属(
以下、単に金属と言うことがある。)、前記金属の炭化
物、前記金属の酸化物、前記金属のホウ化物、前記金属
のケイ化物またはケイ素等を挙げることができる。
を有する限りは、特に制限はなく、たとえば周期律表の
rVa 、 Va 、 VTa 、■2、■族の金属(
以下、単に金属と言うことがある。)、前記金属の炭化
物、前記金属の酸化物、前記金属のホウ化物、前記金属
のケイ化物またはケイ素等を挙げることができる。
前記金属としては、たとえば、チタン、バナジウム、ク
ロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、ジルコニウ
ム、ニオブ、モリブデン、テクネチウム、ルテニウム、
ロジウム、パラジウム、ハフニウム、タリウム、タング
ステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、プラチナ
等を挙げることができる。
ロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、ジルコニウ
ム、ニオブ、モリブデン、テクネチウム、ルテニウム、
ロジウム、パラジウム、ハフニウム、タリウム、タング
ステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、プラチナ
等を挙げることができる。
なお、これらの中でも好ましいのは、タングステン、チ
タン、タリウムであり、さらに好ましいのは、タングス
テンである。
タン、タリウムであり、さらに好ましいのは、タングス
テンである。
前記金属の炭化物としては、前記金属の炭化物であれば
、特に制限するものではないが、好ましくは、用いる糸
道基体の金属成分と同じ金属の炭化物であり、たとえば
糸道基体として超硬合金を用イル(7)−cあhtf、
wc、 NiC、Tic 、Tic、MoC等を挙げ
ることができる。
、特に制限するものではないが、好ましくは、用いる糸
道基体の金属成分と同じ金属の炭化物であり、たとえば
糸道基体として超硬合金を用イル(7)−cあhtf、
wc、 NiC、Tic 、Tic、MoC等を挙げ
ることができる。
前記金属の酸化物としては、前記金属の炭化物であれば
、特に制限するものではないが、好ましくは、用いる糸
道基体の金属成分と同じ金属の酸化物であり、たとえば
糸道基体として超硬合金を用イルノテあれば、WO2,
W(h 、 NiO、Ti01T i02、TizOr
、 MoO2、MoO3等を挙げることができる− 前記金属のホウ化物としては、前記金属の炭化物であれ
ば、特に制限するものではないが、好ましくは、用いる
糸道基体の金属成分と同じ金属のホウ化物であり、たと
えば糸道基体として超硬合金を用イルノテあれば、WB
、W2B 、NiC、TiB、MoB 、 MO2B等
を挙げることができる。
、特に制限するものではないが、好ましくは、用いる糸
道基体の金属成分と同じ金属の酸化物であり、たとえば
糸道基体として超硬合金を用イルノテあれば、WO2,
W(h 、 NiO、Ti01T i02、TizOr
、 MoO2、MoO3等を挙げることができる− 前記金属のホウ化物としては、前記金属の炭化物であれ
ば、特に制限するものではないが、好ましくは、用いる
糸道基体の金属成分と同じ金属のホウ化物であり、たと
えば糸道基体として超硬合金を用イルノテあれば、WB
、W2B 、NiC、TiB、MoB 、 MO2B等
を挙げることができる。
前記金属のケイ化物としては、前記金属のケイ化物であ
れば、特に制限するものではないが、好ましくは、用い
る糸道基体の金属成分と同じ金属のケイ化物゛であり、
たとえば糸道基体として超硬合金を用いるのであれば、
WSi2、NiSi2 。
れば、特に制限するものではないが、好ましくは、用い
る糸道基体の金属成分と同じ金属のケイ化物゛であり、
たとえば糸道基体として超硬合金を用いるのであれば、
WSi2、NiSi2 。
Pd2Si 、PtSi、MoSi2等を挙げることが
できる。
できる。
前記ケイ素は、ケイ素に限ることなく、炭化ケイ素であ
ってもよい。
ってもよい。
前記中間層に糸道基体に含有する金属成分と同じ前記金
属、前記金属炭化物または前記金属のケイ化物を用いる
ことにより、また糸道基体がケイ素を含むものであれば
、前記中間層に前記ケイ素を用いることにより、糸道基
体と前記中間層との密着性を、より高めることができる
。
属、前記金属炭化物または前記金属のケイ化物を用いる
ことにより、また糸道基体がケイ素を含むものであれば
、前記中間層に前記ケイ素を用いることにより、糸道基
体と前記中間層との密着性を、より高めることができる
。
前記中間層の厚さは、通常、0.01〜5μmであり、
好ましくは0.05〜3kmである。
好ましくは0.05〜3kmである。
なお、前記層厚が0.01 g m未満であると、糸道
基体と硬質炭素質1漠との密着性の向」二がみられない
ことがあり、また5層mを超えても相応する効果が得ら
れない場合がある。
基体と硬質炭素質1漠との密着性の向」二がみられない
ことがあり、また5層mを超えても相応する効果が得ら
れない場合がある。
また、前記中間層の層数は、1層であってもよいし、2
層以上の多層構成になっていてもよい。
層以上の多層構成になっていてもよい。
なお、中間層が多層構成の場合においては、同じ成分の
中間層を毛ねるものであってもよいし、異なる成分の中
間層を重ねるものであってもよい。
中間層を毛ねるものであってもよいし、異なる成分の中
間層を重ねるものであってもよい。
前記中間層は、糸道基体の全表面に形成せしめてもよい
し、前記案内部のみに硬質炭素質膜を形成する場合には
、少なくとも硬質)父素質膜を形成する部分に形成する
ものであってもよい。
し、前記案内部のみに硬質炭素質膜を形成する場合には
、少なくとも硬質)父素質膜を形成する部分に形成する
ものであってもよい。
このような硬質′fX素質1漠または中間層を糸道基体
上に形成するには、以下に示す方法を採用することがで
きる。
上に形成するには、以下に示す方法を採用することがで
きる。
(4)硬質炭素質膜の形成方法
原料ガスを励起して得られるプラズマを糸道基体に接触
させることにより、硬質炭素膜を糸道基体の表面に形成
することができる。
させることにより、硬質炭素膜を糸道基体の表面に形成
することができる。
(I)原料ガス
前記糸道基体の表面に硬質炭素膜を形成するための原料
ガスとしては、炭素源ガスを使用することができる。
ガスとしては、炭素源ガスを使用することができる。
炭素源ガス
前記炭素源ガスとしては、各種炭化水素、含酸素化合物
、含窒素化合物等のガスを使用することができる。
、含窒素化合物等のガスを使用することができる。
炭化水素化合物としては、例えばメタン、エタン、プロ
パン、ブタン等のパラフィン系炭化水素:エチレン、プ
ロピレン、ブチレン等のオレフィン系炭化水素;アセチ
レン、アリレン等のアセチレン系炭化水素:ブタジェン
等のジオレフィン系炭化水素二ジクロプロパン、シクロ
ブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン等の脂環式炭
化水素二ジクロブタジェン、ベンゼン、トルエン、キシ
レン、ナフタレン等の芳香族炭化水素を挙げることがで
きる。
パン、ブタン等のパラフィン系炭化水素:エチレン、プ
ロピレン、ブチレン等のオレフィン系炭化水素;アセチ
レン、アリレン等のアセチレン系炭化水素:ブタジェン
等のジオレフィン系炭化水素二ジクロプロパン、シクロ
ブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン等の脂環式炭
化水素二ジクロブタジェン、ベンゼン、トルエン、キシ
レン、ナフタレン等の芳香族炭化水素を挙げることがで
きる。
含酸素化合物としては、例えばアセトン、ジエチルケト
ン、ペンツフェノン等のケトン類:メタノール、エタノ
ール、プロパツール、ブタノール等のアルコール類;メ
チルエーテル、エチルエーテル、メチルエチルエーテル
、メチルプロピルエーテル、フェノールエーテル、ジオ
キサン等のエーテル類:ホルムアルデヒド、アセトアル
デヒド、ベンズアルデヒド等のアルデヒド類:酢酸、プ
ロピオン酸、コハク酸等の有機酸類:酢酸メチル、酢酸
エチル等の酸エステル類;エチレングリコール、ジエチ
レングリコール等の二価アルコル類−一酸化炭素、二酸
化炭素等を挙げることができる。
ン、ペンツフェノン等のケトン類:メタノール、エタノ
ール、プロパツール、ブタノール等のアルコール類;メ
チルエーテル、エチルエーテル、メチルエチルエーテル
、メチルプロピルエーテル、フェノールエーテル、ジオ
キサン等のエーテル類:ホルムアルデヒド、アセトアル
デヒド、ベンズアルデヒド等のアルデヒド類:酢酸、プ
ロピオン酸、コハク酸等の有機酸類:酢酸メチル、酢酸
エチル等の酸エステル類;エチレングリコール、ジエチ
レングリコール等の二価アルコル類−一酸化炭素、二酸
化炭素等を挙げることができる。
含窒素化合物としては1例えばトリメチルアミン、トリ
エチルアミンなどのアミン類等を挙げることができる。
エチルアミンなどのアミン類等を挙げることができる。
また、炭素源として、中休ではないが、消防法に規定さ
れる第4類危険物;ガソリンなどの第1石油類、ケロシ
ン、テレピン油、しょう脳油、松根油などの第2石油類
1重油などの第3石油類、ギヤー油、シリンダー油など
の第4石油類などをも使用することができる。また前記
各種の炭素化合物を混合して使用することもできる。
れる第4類危険物;ガソリンなどの第1石油類、ケロシ
ン、テレピン油、しょう脳油、松根油などの第2石油類
1重油などの第3石油類、ギヤー油、シリンダー油など
の第4石油類などをも使用することができる。また前記
各種の炭素化合物を混合して使用することもできる。
これらの炭素源の中でも、常温で気体または蒸気圧の高
いメタン、エタン、プロパン等のパラフィン系t& 化
水素等、アセトン、ベンゾフェノンなどのケトン類、メ
タノール、エタノール等のアルコール類、−酸化炭素、
二酸化炭素ガス等の含酸素化合物等が好ましい。
いメタン、エタン、プロパン等のパラフィン系t& 化
水素等、アセトン、ベンゾフェノンなどのケトン類、メ
タノール、エタノール等のアルコール類、−酸化炭素、
二酸化炭素ガス等の含酸素化合物等が好ましい。
なお、原料ガスには、炭素源ガスのほかに水素ガス、水
蒸気、酸素ガス等を含有せしめてもよい。
蒸気、酸素ガス等を含有せしめてもよい。
これらのガスと炭素源ガスとを組合わせた原料ガスを使
用すると、ダイヤモンドの含有率の高い硬質炭i[を高
速に形成せしめることができる。
用すると、ダイヤモンドの含有率の高い硬質炭i[を高
速に形成せしめることができる。
前記原料ガス中の前記水素ガスの濃度は、前記&J源ガ
スに対してO11〜93.9モル%である。
スに対してO11〜93.9モル%である。
前記原料ガス中の前記水蒸気の濃度は、前記原料ガスに
対して0.05〜10モル%である。
対して0.05〜10モル%である。
前記原料ガス中の前記酸素ガスの濃度は、前記原料ガス
に対して0,01〜1モル%である。
に対して0,01〜1モル%である。
前記原料ガスには、不活性ガスを混入させても良い、不
活性ガスは炭素源ガスのキャリヤーガスとして用いるこ
とができる。
活性ガスは炭素源ガスのキャリヤーガスとして用いるこ
とができる。
この不活性ガスとしては、たとえば窒素ガス。
ヘリウムガス、アルゴンガス、ネオンガス、キセノンガ
スなどが挙げられる。
スなどが挙げられる。
(II)励起手段
炭素源ガスの励起手段としては、硬質炭素膜の合成に従
来より慣用されている各種の方法の中から任意の方法を
用いることができる。
来より慣用されている各種の方法の中から任意の方法を
用いることができる。
具体的には、たとえば直流プラズマCVD法、高周波プ
ラズマCVD法、マイクロ波プラズマCVD法、光CV
D法などの各種プラズマCVD法、熱フイラメント法、
イオンビーム蒸着法、スパッタリング法などが挙げられ
る。これらの中で好ましいものは前記各種のプラズマC
VD法である。
ラズマCVD法、マイクロ波プラズマCVD法、光CV
D法などの各種プラズマCVD法、熱フイラメント法、
イオンビーム蒸着法、スパッタリング法などが挙げられ
る。これらの中で好ましいものは前記各種のプラズマC
VD法である。
なお、前記炭J源ガスをプラズマ分解する場合のプラズ
マ出力は1通常、0.05Kw以上である。
マ出力は1通常、0.05Kw以上である。
プラズマ出力がO,05に1未満であると、プラズマが
充分に発生しないことがある。
充分に発生しないことがある。
励起条件
前記炭素源ガスを励起させるには通常、以下の条件下に
反応を進行させて、硬質炭素質膜を形成する。
反応を進行させて、硬質炭素質膜を形成する。
すなわち、糸道基体の表面の温度は、前記気相合成法に
おける炭素源ガスの励起手段、基板の冷却によって異な
るので、−概に決定することはできないが、たとえばプ
ラズマ分解法を用いる場合には1通常、ダイヤモンドの
含有率の高い硬質炭素膜を形成するには、600〜1,
200℃であり、好ましくは650〜1,100℃であ
り、ダイヤモンド状炭素の含有率の高い硬質炭素膜を形
成するには、通常、室温〜650℃であり、好ましくは
室温〜600℃である。
おける炭素源ガスの励起手段、基板の冷却によって異な
るので、−概に決定することはできないが、たとえばプ
ラズマ分解法を用いる場合には1通常、ダイヤモンドの
含有率の高い硬質炭素膜を形成するには、600〜1,
200℃であり、好ましくは650〜1,100℃であ
り、ダイヤモンド状炭素の含有率の高い硬質炭素膜を形
成するには、通常、室温〜650℃であり、好ましくは
室温〜600℃である。
反応圧力は、ダイヤモンドの含有率の高い硬質J&J膜
を形成する場合1通常、10−5〜+03 torr。
を形成する場合1通常、10−5〜+03 torr。
好ましくは1O−3〜!(1) torrであり、ダ
イヤモンド状炭素の含有率の高い硬質炭素膜を形成する
場合、通常、10−6〜780 tarr、好ましくは
1叶4〜10tarrである。
イヤモンド状炭素の含有率の高い硬質炭素膜を形成する
場合、通常、10−6〜780 tarr、好ましくは
1叶4〜10tarrである。
なお、反応圧力が1O−6torrよりも低い場合には
、硬質炭素膜が析出しなくなったりする場合がある。一
方、10’ torrより高くしてもそれに相当する
効果は得られない。
、硬質炭素膜が析出しなくなったりする場合がある。一
方、10’ torrより高くしてもそれに相当する
効果は得られない。
前記温度範囲または前記反応圧力範囲で、糸道基体の表
面の温度または反応圧力を適宜に選択することにより、
硬質炭素質膜に含有するダイヤモンドとダイヤモンド状
炭素との含有率を選択することもできる。
面の温度または反応圧力を適宜に選択することにより、
硬質炭素質膜に含有するダイヤモンドとダイヤモンド状
炭素との含有率を選択することもできる。
反応時間は、硬質炭素質膜の厚さが前記厚さとなるよう
に硬質炭質素膜の形成速度に応じて適宜に設定すること
ができる。
に硬質炭質素膜の形成速度に応じて適宜に設定すること
ができる。
なお、前記硬質炭素質膜は、糸道基体上に、前記中間層
を介して形成してもよいので、以下に前記中間層の形成
方法を説明する。
を介して形成してもよいので、以下に前記中間層の形成
方法を説明する。
(5)中間層の形成方法
前記中間層は、通常、前記金属、前記金属の炭化物、前
記金属のケイ化物、前記炭素源ガス、前記ケイ素等を励
起して得られたガスを糸道基体表面に接触させて形成す
ることができる。
記金属のケイ化物、前記炭素源ガス、前記ケイ素等を励
起して得られたガスを糸道基体表面に接触させて形成す
ることができる。
前記励起手段としては、前記硬質炭素質膜を形成する際
に採用した励起手段と同様の方法を採用することができ
る。
に採用した励起手段と同様の方法を採用することができ
る。
また、前記中間層は、蒸着法、イオンブレーティング法
1反応性スパッタリング法等により糸道基体表面に形成
することもできる。
1反応性スパッタリング法等により糸道基体表面に形成
することもできる。
前記中間層を形成するに際して、糸道基体の表面温度と
しては、前記手段、前記中間層の反応性および中間層の
融点によって条件範囲が異なるので、−概に決定するこ
とはできないが1通常、常温〜1,000℃であり、好
ましくは、常温〜900℃である。
しては、前記手段、前記中間層の反応性および中間層の
融点によって条件範囲が異なるので、−概に決定するこ
とはできないが1通常、常温〜1,000℃であり、好
ましくは、常温〜900℃である。
反応圧力としては、通常10−7〜10−’torrで
あり、好ましくは、10−6〜1O−2torrである
。
あり、好ましくは、10−6〜1O−2torrである
。
析出速度としては、前記反応条件の範囲内で適宜に設定
することにより一概に決定することはできないが1通常
は1〜IQOA/秒である。
することにより一概に決定することはできないが1通常
は1〜IQOA/秒である。
このような条件下で前記糸道基体」−に前記の厚さにな
るように前記中間層を形成する。
るように前記中間層を形成する。
このように形成された中間層−Lに前記硬質炭素質膜を
形成する方法としては、前記の外道基体上に直接、硬質
)^素質)摸を形成する方法と同様の方法を好適に採用
することができる。
形成する方法としては、前記の外道基体上に直接、硬質
)^素質)摸を形成する方法と同様の方法を好適に採用
することができる。
なお、前記硬質炭素質膜または前記中間層を前記糸道基
体上に形成するに先ケち、糸道基体に表面処理を行うの
が好ましい。
体上に形成するに先ケち、糸道基体に表面処理を行うの
が好ましい。
前記表面処理は、前記硬?を炭素質膜または前記中間層
と前記糸道基体との密着性を高める作用を41する。
と前記糸道基体との密着性を高める作用を41する。
前記表面処理としては、たとえば、ダイヤモンドスラリ
ーを用いて前記糸道基体の表面を研磨する方法、有機溶
剤で前記糸道基体の表面を洗浄する方法、任意の溶剤を
用いて超rY波洗浄する方法または前記方法を適宜に組
合せて採用する方法茅が挙げられる。
ーを用いて前記糸道基体の表面を研磨する方法、有機溶
剤で前記糸道基体の表面を洗浄する方法、任意の溶剤を
用いて超rY波洗浄する方法または前記方法を適宜に組
合せて採用する方法茅が挙げられる。
なお、これらの中でも、ダイヤモンドスラリーを用いて
前記糸道基体の表面を研磨する方法と超音波洗浄する方
法との組合せ、有機溶剤で前記糸道基体の表面を洗浄す
る方法と超音波洗浄する方法との組合せが好ましい。
前記糸道基体の表面を研磨する方法と超音波洗浄する方
法との組合せ、有機溶剤で前記糸道基体の表面を洗浄す
る方法と超音波洗浄する方法との組合せが好ましい。
また、前記糸道基体上に前記硬質炭素質膜を。
または前記糸道基体上に前記中間層を介して前記硬質炭
素質膜を形成したときに、得られた硬質炭素質膜の表面
に平滑処理を施すこともできる。
素質膜を形成したときに、得られた硬質炭素質膜の表面
に平滑処理を施すこともできる。
前記平滑処理の方法としては、公知の方法、たとえば硬
質炭素質膜を、水素雰囲気下に水素ラジカルを供給しつ
つ高温に保持した鉄板上で表面研磨を行うモ滑処理法等
を好適に採用することができる。
質炭素質膜を、水素雰囲気下に水素ラジカルを供給しつ
つ高温に保持した鉄板上で表面研磨を行うモ滑処理法等
を好適に採用することができる。
このようにして得られた糸道は、耐摩耗性に優れること
から耐用年数が長く、また糸との動摩擦係数が低いこと
から走行する糸を損傷することなく案内する。
から耐用年数が長く、また糸との動摩擦係数が低いこと
から走行する糸を損傷することなく案内する。
[実施例]
この発明の糸道について、更に具体的に説明するため以
下にその実施例を挙げる。
下にその実施例を挙げる。
(実施例1)
糸道人(体としては、第1図に示すように、超硬合金(
11IG−5%Go)製の三角板であって、−角の頂点
から板の中央部まで略U字型の切り込みを設けた案内部
1を有するものを用いた。なお、前記案内部lの前記中
央端部4は、湾曲面に仕上げ、他方の開放端部は、エツ
ジ5に段差を設け、糸を導入し易くしている。
11IG−5%Go)製の三角板であって、−角の頂点
から板の中央部まで略U字型の切り込みを設けた案内部
1を有するものを用いた。なお、前記案内部lの前記中
央端部4は、湾曲面に仕上げ、他方の開放端部は、エツ
ジ5に段差を設け、糸を導入し易くしている。
前記糸道基体は、従来糸道に使用されているものと同様
の材質であり、案内部lを、平均粒径0.5μmのダイ
ヤモンド砥粒を用いて鏡面仕上げされているものである
。
の材質であり、案内部lを、平均粒径0.5μmのダイ
ヤモンド砥粒を用いて鏡面仕上げされているものである
。
前記糸道基体を、ランゲルE液(目止精工[株]製)の
lO倍福釈液(液温50℃)、つぎに純水、そのつぎに
イソプロピルアルコールを順次に用いて、各々3回づつ
の洗浄を行った。
lO倍福釈液(液温50℃)、つぎに純水、そのつぎに
イソプロピルアルコールを順次に用いて、各々3回づつ
の洗浄を行った。
なお1回あたりの洗浄時間は60秒であり、各々3回の
洗すのうち、各々2回[1の洗浄は超音波処理を併用し
た。
洗すのうち、各々2回[1の洗浄は超音波処理を併用し
た。
このように洗浄を行った前記糸道基体を、反応室内に設
置した後、糸道基体温度300℃1反応室内の圧力10
−’torrの条件下に1周波数13.5811Hzの
高周波電源の出力を600Wに設定するとともに、反応
室内への原料ガスとしてメタンガスと水素ガスとの全量
を101005eに設定した。
置した後、糸道基体温度300℃1反応室内の圧力10
−’torrの条件下に1周波数13.5811Hzの
高周波電源の出力を600Wに設定するとともに、反応
室内への原料ガスとしてメタンガスと水素ガスとの全量
を101005eに設定した。
前記メタンガスの濃度は、20容量%であった。
このような条件下で得られた励起ガスを第1図に示す前
記糸道基体の案内部lに接触させることにより前記案内
部1およびその近傍表面に厚さ10ルmの硬質炭素膜3
を形成して、糸道を得た。
記糸道基体の案内部lに接触させることにより前記案内
部1およびその近傍表面に厚さ10ルmの硬質炭素膜3
を形成して、糸道を得た。
このようにして得られた糸道につき、耐摩耗性の評価と
J9m係数の測定を行った。
J9m係数の測定を行った。
結果を第1表に示す。
なお、耐摩耗性の評価と摩擦係数の測定はF記に示す方
法を採用した。
法を採用した。
耐摩耗性の評価
得られた糸道を第1図に示されるボルト穴2を用いてボ
ルト固定し、生糸を1000m/分の速度で糸道の案内
部を走行せしめ、前記生糸の走行長さあたりの劣化度を
観察することにより評価した。
ルト固定し、生糸を1000m/分の速度で糸道の案内
部を走行せしめ、前記生糸の走行長さあたりの劣化度を
観察することにより評価した。
なお、第1表の記号の意味は、次のとおりである。
生糸の劣化が見られない、・會・11−○生糸にケバ立
ちが見られる。・・φ−Δ生糸が切れる。・争・會・e
e・・・×動摩擦係数の測−1 摩擦係数自動測定機により、荷重を2(Igに設定し、
糸道の案内部1と生糸との動摩擦係数を測定した。
ちが見られる。・・φ−Δ生糸が切れる。・争・會・e
e・・・×動摩擦係数の測−1 摩擦係数自動測定機により、荷重を2(Igに設定し、
糸道の案内部1と生糸との動摩擦係数を測定した。
(実施例2)
実施例1と同様の糸道基体を用い、その糸道基体に実施
例1と同様に表面処理を施した。
例1と同様に表面処理を施した。
ついで、この糸道基体を反応室内に設置した後、糸道基
体温度300℃、反応室内の圧力1O−6jorrの条
件下に、電源の出力を300Wに設定した高周波スパッ
タリング法によりタングステンを励起し、得られたガス
を糸道基体の案内部1およびその近傍表面に接触させて
厚さ0.5 ga、のタングステンからなる中間層を形
成した。
体温度300℃、反応室内の圧力1O−6jorrの条
件下に、電源の出力を300Wに設定した高周波スパッ
タリング法によりタングステンを励起し、得られたガス
を糸道基体の案内部1およびその近傍表面に接触させて
厚さ0.5 ga、のタングステンからなる中間層を形
成した。
スパッタガスとしてはアルゴンガスを用いた。
中間層の析出速度は、10A/秒であった。
このようにして得られた中間層りに、実施例1と同様の
条件で硬質炭素質膜を形成し、糸道を作成した。
条件で硬質炭素質膜を形成し、糸道を作成した。
この糸道につき、実施例工と同様に評価した。
結果を第1表に示す。
(実施例3)
糸道基体の材質を超硬合金からアルミナに代えて、硬質
炭J質膜の厚さを5ル〕とした他は、実施例1と同様に
糸道を作成し、実施例1と同様に評価した。
炭J質膜の厚さを5ル〕とした他は、実施例1と同様に
糸道を作成し、実施例1と同様に評価した。
結果を第1表に示す。
(実施例4)
糸道基体の材質を超硬合金からアルミナに代えた他は、
実施例1と同様に糸道を作成し、実施例1と同様に評価
した。
実施例1と同様に糸道を作成し、実施例1と同様に評価
した。
結果を第1表に示す。
(比較例1)
実施例1で用いた糸道基体の案内部に硬質炭素質膜の形
成を行わずに、実施例1と同様に評価した。
成を行わずに、実施例1と同様に評価した。
結果を第1表に示す。
(比較例2)
実施例3で用いた糸道基体の案内部に硬質炭素質膜の形
成を行わずに、実施例1と同様に評価した。
成を行わずに、実施例1と同様に評価した。
結果を第1表に示す。
[発明の効果]
この発明の糸道は、第1表の結果に示すように
(1)耐摩耗性に優れるので耐用年数を延長することか
でき、 (2)糸との動摩擦係数が低いので、走行する糸の損傷
を防+hすることができる等の利点を有する糸道を提供
することができる。
でき、 (2)糸との動摩擦係数が低いので、走行する糸の損傷
を防+hすることができる等の利点を有する糸道を提供
することができる。
第1図はこの発明の実施例の糸道の斜視図であり、第2
図、第3図、第4図は糸道基体の斜視図であるい ■・・・案内部、2・・・ボルト穴、 3・・・硬質R素+fj、l漠、4・・・中央端部5・
・・エツジ
図、第3図、第4図は糸道基体の斜視図であるい ■・・・案内部、2・・・ボルト穴、 3・・・硬質R素+fj、l漠、4・・・中央端部5・
・・エツジ
Claims (1)
- (1)糸道基体上に硬質炭素質膜を形成してなることを
特徴とする糸道。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25439388A JPH02100969A (ja) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | 糸道 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25439388A JPH02100969A (ja) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | 糸道 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02100969A true JPH02100969A (ja) | 1990-04-12 |
Family
ID=17264355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25439388A Pending JPH02100969A (ja) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | 糸道 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02100969A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0550752A4 (ja) * | 1990-09-28 | 1994-01-26 | Citizen Watch Co. Ltd. | |
| EP0599286A1 (de) * | 1992-11-25 | 1994-06-01 | Spinnstofffabrik Zehlendorf Ag | Fadenführendes Bauteil mit verbesserter Oberfläche und Verfahren zu seiner Herstellung |
| EP0631961A1 (de) * | 1993-06-19 | 1995-01-04 | Hoechst Aktiengesellschaft | Fadenführendes Bauteil mit verbesserter Oberfläche |
| US5511587A (en) * | 1990-09-28 | 1996-04-30 | Citizen Watch Co., Ltd. | Wear-resistant reed for a high-speed loom |
| US6023025A (en) * | 1996-05-24 | 2000-02-08 | Nissin Electric Co., Ltd. | Electric wire and manufacturing method thereof |
| JP2020019651A (ja) * | 2018-08-03 | 2020-02-06 | 株式会社大阪クリップ | コードリール |
-
1988
- 1988-10-07 JP JP25439388A patent/JPH02100969A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0550752A4 (ja) * | 1990-09-28 | 1994-01-26 | Citizen Watch Co. Ltd. | |
| US5511587A (en) * | 1990-09-28 | 1996-04-30 | Citizen Watch Co., Ltd. | Wear-resistant reed for a high-speed loom |
| EP0599286A1 (de) * | 1992-11-25 | 1994-06-01 | Spinnstofffabrik Zehlendorf Ag | Fadenführendes Bauteil mit verbesserter Oberfläche und Verfahren zu seiner Herstellung |
| EP0631961A1 (de) * | 1993-06-19 | 1995-01-04 | Hoechst Aktiengesellschaft | Fadenführendes Bauteil mit verbesserter Oberfläche |
| US6023025A (en) * | 1996-05-24 | 2000-02-08 | Nissin Electric Co., Ltd. | Electric wire and manufacturing method thereof |
| JP2020019651A (ja) * | 2018-08-03 | 2020-02-06 | 株式会社大阪クリップ | コードリール |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5135807A (en) | Diamond-coated member and process for the preparation thereof | |
| JPH02100969A (ja) | 糸道 | |
| WO2007041381A1 (en) | Ultra smooth nanostructured diamond films and compositions and methods for producing same | |
| Loh et al. | Supersonic DC-arcjet synthesis of diamond | |
| Sheng et al. | Effect of unbonded hydrogen on amorphous carbon film deposited by PECVD with annealing treatment | |
| JP4284941B2 (ja) | 硬質炭素膜被覆部材及び成膜方法 | |
| JP2720384B2 (ja) | ダイヤモンド類薄膜による被覆方法 | |
| Jackson et al. | Manufacture of diamond-coated cutting tools for micromachining applications | |
| JPH0254768A (ja) | ダイヤモンド膜付部材とその製造方法 | |
| JPH101305A (ja) | 炭素膜および炭素膜製造方法 | |
| Luithardt et al. | Deposition of Fe-C: H coatings from a ferrocene precursor in a plasma-activated rf process | |
| JPH0762541A (ja) | 耐摩耗性部材 | |
| JPH02188494A (ja) | ダイヤモンド類薄膜の製造方法および製造装置 | |
| Ford | Boundaries of the diamond domain in the C-H-O diagram of carbon film deposition | |
| JP2760837B2 (ja) | ダイヤモンド被覆部材およびその製造方法 | |
| JPH02250967A (ja) | ダイヤモンド類被覆部材およびその製造方法 | |
| Ryu et al. | Selection of CVD Diamond Crystal Size on a CVD Pad Conditioner for Improved Lifetime | |
| JP2645147B2 (ja) | ダイヤモンド類被覆切削工具用部材およびダイヤモンド類被覆耐摩耗部材 | |
| Pimenov et al. | Tribological properties of smooth diamond films | |
| JPH02125874A (ja) | ダイヤモンド類薄膜の製造方法 | |
| JP2597498B2 (ja) | 気相法ダイヤモンドの合成法 | |
| Chang et al. | Effects of surface treatment on the diamond deposition and performance of ceramic cutting tools | |
| JPH01257198A (ja) | ダイヤモンド状炭素膜のコーディング方法 | |
| JPH06262525A (ja) | 研削砥石及びその製造方法 | |
| JPH02101167A (ja) | ダイヤモンド類被覆部材の製造方法 |