JPH02101609A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPH02101609A JPH02101609A JP25238688A JP25238688A JPH02101609A JP H02101609 A JPH02101609 A JP H02101609A JP 25238688 A JP25238688 A JP 25238688A JP 25238688 A JP25238688 A JP 25238688A JP H02101609 A JPH02101609 A JP H02101609A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分計
未発明は高周波信号を効率良く記録再生するのに好適な
磁気ヘッドの製造方法に関する。
磁気ヘッドの製造方法に関する。
（ロ）従来の技術
従来、ＶＴＲ等の高周波信号を記録再生する装置におい
ては、ビデオヘッド用磁性材料として高周波損失の少な
いフェライト材料が用いられている。しかし、近年にな
って高品位ＶＴＲやデジタルＶＴＲのように更に広帯域
の信号を取り扱うシステムの開発が盛んになってきてお
り、記録媒体もこのような天竜の情報を配録する為の高
密度化の流れの中で酸化鉄系から合金粉末媒体や金属蒸
着媒体等の高抗磁力媒体へ移行しつつある。これに対し
てフェライトヘッドではその最大磁束密度が高々５ｏｏ
ｏガウス程度であり、又短波長信号を効率良く再生する
為には狭ギャップにする必要があり、上述のような保磁
力Ｈａが１０ＱＱＯｅ以上の高抗磁力媒体ではギャップ
先端部のフェライトコアが飽和し、十分な記録が出来な
い。そこで最大磁束密度の高いセンダストやアモルファ
ス磁性合金等の金属磁性材料を用いた磁性ヘッドの開発
が行表われているが、バルク状の金属磁性材料を用いた
のでけうず電流による高周波信号が大きく上記システム
には適していない。
ては、ビデオヘッド用磁性材料として高周波損失の少な
いフェライト材料が用いられている。しかし、近年にな
って高品位ＶＴＲやデジタルＶＴＲのように更に広帯域
の信号を取り扱うシステムの開発が盛んになってきてお
り、記録媒体もこのような天竜の情報を配録する為の高
密度化の流れの中で酸化鉄系から合金粉末媒体や金属蒸
着媒体等の高抗磁力媒体へ移行しつつある。これに対し
てフェライトヘッドではその最大磁束密度が高々５ｏｏ
ｏガウス程度であり、又短波長信号を効率良く再生する
為には狭ギャップにする必要があり、上述のような保磁
力Ｈａが１０ＱＱＯｅ以上の高抗磁力媒体ではギャップ
先端部のフェライトコアが飽和し、十分な記録が出来な
い。そこで最大磁束密度の高いセンダストやアモルファ
ス磁性合金等の金属磁性材料を用いた磁性ヘッドの開発
が行表われているが、バルク状の金属磁性材料を用いた
のでけうず電流による高周波信号が大きく上記システム
には適していない。
従来、このような欠点を解消するため、例えば特開昭６
２−３３３０９号公報（０１１Ｂ５／１４７）等に開示
されているような高周波用積層型磁気ヘッドが提案され
ている。
２−３３３０９号公報（０１１Ｂ５／１４７）等に開示
されているような高周波用積層型磁気ヘッドが提案され
ている。
第８図は高周波用積層型磁気ヘッドの外観を示す斜視図
、第９図は上記磁気ヘッドのテープ摺接面を示す図であ
る。
、第９図は上記磁気ヘッドのテープ摺接面を示す図であ
る。
図中、（１）（１）は夫々結晶化ガラス、非磁性セラず
ツク等よりなる非磁性基板ｔｔ＋ １２１ ＋２）＋２
１間にセンダスト等の金属磁性薄膜（４）とＥ１１０２
等の電気的絶縁性を有する非磁性非金属材料よりなる非
磁性薄膜（５）との積層薄膜よりなる主コア半体ｔ６１
１６１が挾持されている第１、第２コア半体であり、第
２コア半体ｆｉ＋には巻線溝（ア）が形成されている。
ツク等よりなる非磁性基板ｔｔ＋ １２１ ＋２）＋２
１間にセンダスト等の金属磁性薄膜（４）とＥ１１０２
等の電気的絶縁性を有する非磁性非金属材料よりなる非
磁性薄膜（５）との積層薄膜よりなる主コア半体ｔ６１
１６１が挾持されている第１、第２コア半体であり、第
２コア半体ｆｉ＋には巻線溝（ア）が形成されている。
前記第１、第２：！ア半体ｆｌ＋［１’ｌはそのギャッ
プ形成面同士が衝き合わされた状態で低融点ガラス層（
鋤によりギャップ接合されており、該接合面には作動ギ
ャップ（３）が形成されている。尚（８）は巻線、（９
）は接合ガラス層である。
プ形成面同士が衝き合わされた状態で低融点ガラス層（
鋤によりギャップ接合されており、該接合面には作動ギ
ャップ（３）が形成されている。尚（８）は巻線、（９
）は接合ガラス層である。
しかし乍ら、上記従来の磁気ヘッドの場合、金属磁性薄
膜（４）と非磁性薄膜（６）との間には両薄膜の熱膨張
係数の差によね眉間歪が発生し、磁気特性の劣化や膜剥
れが生じる０例えば、金属磁性薄膜（４）としてセンダ
ストを用いた場合、その熱膨張係数は約１６０Ｘ１０／
Ｃであり、非磁性薄膜（５）として５１０２を用いた場
合、その熱膨張係数は約５ｘｌＯ／ｒ：である。また、
非磁性薄膜ｆｉｓｔとしては通常ＥｉｉＯ！ 、’ｒｉ
ｏｔ 、Ａｌ２Ｏ３等の酸化物が使用されるが、この場
合、金属磁性薄膜（４）は非磁性薄膜（５）との界面近
傍において酸化され、磁気特性が劣化する虞れがある。
膜（４）と非磁性薄膜（６）との間には両薄膜の熱膨張
係数の差によね眉間歪が発生し、磁気特性の劣化や膜剥
れが生じる０例えば、金属磁性薄膜（４）としてセンダ
ストを用いた場合、その熱膨張係数は約１６０Ｘ１０／
Ｃであり、非磁性薄膜（５）として５１０２を用いた場
合、その熱膨張係数は約５ｘｌＯ／ｒ：である。また、
非磁性薄膜ｆｉｓｔとしては通常ＥｉｉＯ！ 、’ｒｉ
ｏｔ 、Ａｌ２Ｏ３等の酸化物が使用されるが、この場
合、金属磁性薄膜（４）は非磁性薄膜（５）との界面近
傍において酸化され、磁気特性が劣化する虞れがある。
（ハ）発明が解決しようとする！！題
大木発明上記従来例の欠点に鑑み為されたものであり、
磁性薄膜と非磁性薄膜との熱膨張係数の差によって生じ
る両薄膜間の眉間歪を抑え、また、非磁性薄膜が酸化物
よ抄なる場合、金属磁性薄膜が前記非磁性薄膜との界面
近傍で酸化するのを防止した磁気ヘッドを提供すること
を目的とするものである。
磁性薄膜と非磁性薄膜との熱膨張係数の差によって生じ
る両薄膜間の眉間歪を抑え、また、非磁性薄膜が酸化物
よ抄なる場合、金属磁性薄膜が前記非磁性薄膜との界面
近傍で酸化するのを防止した磁気ヘッドを提供すること
を目的とするものである。
に）課題を解決するための手段
本発明の磁気ヘッドは、非磁性薄膜は電気的絶縁性を有
する非磁性非金属薄膜の両側に非磁性金属薄膜を有する
三層構造であり、核非磁性金属薄膜の熱膨張係数は金属
磁性薄膜の熱膨張係数と前記非磁性金属薄膜の熱膨張係
数との間にあることを特徴とする。
する非磁性非金属薄膜の両側に非磁性金属薄膜を有する
三層構造であり、核非磁性金属薄膜の熱膨張係数は金属
磁性薄膜の熱膨張係数と前記非磁性金属薄膜の熱膨張係
数との間にあることを特徴とする。
更に、未発明の磁気ヘッドは、前記非磁性非金属薄膜が
金属酸化物よりなることを特徴とする。
金属酸化物よりなることを特徴とする。
（ホ）作 用
上記構成に依れば、非磁性非金属薄膜と金属磁性薄膜と
の熱膨張係数の差によって生じる層間歪は前配両薄膜の
間に存在する非磁性金属薄膜によって緩和される。
の熱膨張係数の差によって生じる層間歪は前配両薄膜の
間に存在する非磁性金属薄膜によって緩和される。
また、前記非磁性非金属薄膜が金属酸化物で形成される
場合でも、金属磁性薄膜は前記非磁性非金属薄膜と直接
接触せず、前記金属磁性薄膜が非磁性薄膜との界面近傍
で酸化するのが防止され石。
場合でも、金属磁性薄膜は前記非磁性非金属薄膜と直接
接触せず、前記金属磁性薄膜が非磁性薄膜との界面近傍
で酸化するのが防止され石。
（へ）実施例
以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を詳細に説明
する。
する。
第」図は未実施例の磁気ヘッドの外観を示す斜視図、第
２図は上記磁気ヘッドのテープ摺接面を示す図であり、
第８図及び第９図と同一部分には同一符号を付し、その
説明は割愛する。
２図は上記磁気ヘッドのテープ摺接面を示す図であり、
第８図及び第９図と同一部分には同一符号を付し、その
説明は割愛する。
未実施例の非磁性薄膜（１１）は第２図に示すように”
等Ｏ約Ｑ、 Ｑ ３４４％ Ｋ（Ｄ非磁性金属薄膜（
１ｆｌ−）と８１０２等の約０．１−厚の非磁性非金属
薄膜ＩとＴ１等の約０．０３−厚の非磁性金属薄膜（１
２ｂ）とを順に積層した３層構造である。非磁性金属薄
膜（ｌｚａ）（ｌｚｂ）として使用されるＴ１の熱膨張
係数は約９０Ｘ１０ 、／’Ｃであり、金属磁性薄膜（
４）として使用されるセンダストの熱膨張係数（１ｅｏ
ｘ１０″′″７７℃）と非磁性非金属薄［（１１として
使用される８１０！の熱膨張係数（約５ｘｌＯ／℃）と
の間にある。
等Ｏ約Ｑ、 Ｑ ３４４％ Ｋ（Ｄ非磁性金属薄膜（
１ｆｌ−）と８１０２等の約０．１−厚の非磁性非金属
薄膜ＩとＴ１等の約０．０３−厚の非磁性金属薄膜（１
２ｂ）とを順に積層した３層構造である。非磁性金属薄
膜（ｌｚａ）（ｌｚｂ）として使用されるＴ１の熱膨張
係数は約９０Ｘ１０ 、／’Ｃであり、金属磁性薄膜（
４）として使用されるセンダストの熱膨張係数（１ｅｏ
ｘ１０″′″７７℃）と非磁性非金属薄［（１１として
使用される８１０！の熱膨張係数（約５ｘｌＯ／℃）と
の間にある。
次に、上記磁気ヘッドの製造方法について説明する。
先ず、第３図に示すように結晶化ガラス等よ秒なる非磁
性基板（２）の上面にセンダスト等よりなる金属磁性薄
膜（４）を約５都厚スパツタリング等により被着形成し
、該金属磁性薄膜（４）上にＴ１等よりなる非磁性金属
薄膜（１２−）と８１０２等よりなる非磁性非金属薄膜
０１とＴ１等よりなる非磁性金属薄膜（１ｚｂ）とを順
にスパッタリングにより被着して非磁性薄膜（Ｔ１）を
形成する。その後、前記非磁性薄膜（■）の上面に前述
の金属磁性薄膜（４）と非磁性薄膜（１１）との成膜工
程を２回繰り返し、更にその上に金属磁性薄膜（４）を
形成した後、該金属磁性薄膜（４）上にＴ１等よりなる
０、５都厚の保護膜（Ｉ均を被着して積層基板（１φを
形成する。
性基板（２）の上面にセンダスト等よりなる金属磁性薄
膜（４）を約５都厚スパツタリング等により被着形成し
、該金属磁性薄膜（４）上にＴ１等よりなる非磁性金属
薄膜（１２−）と８１０２等よりなる非磁性非金属薄膜
０１とＴ１等よりなる非磁性金属薄膜（１ｚｂ）とを順
にスパッタリングにより被着して非磁性薄膜（Ｔ１）を
形成する。その後、前記非磁性薄膜（■）の上面に前述
の金属磁性薄膜（４）と非磁性薄膜（１１）との成膜工
程を２回繰り返し、更にその上に金属磁性薄膜（４）を
形成した後、該金属磁性薄膜（４）上にＴ１等よりなる
０、５都厚の保護膜（Ｉ均を被着して積層基板（１φを
形成する。
次に、前記積層基板へ・を複数枚用意し、＠４図に示す
ように接合ガラス層（９）を介して積み重ね、該接合ガ
ラス層（９）ｔ−溶融固化することにより前記複数の積
層基板−を接合して積層ブロックリを形成する。
ように接合ガラス層（９）を介して積み重ね、該接合ガ
ラス層（９）ｔ−溶融固化することにより前記複数の積
層基板−を接合して積層ブロックリを形成する。
次に、前記積層ブロック（ＩＩｌを一点鎖線Ａ−Ａに沿
って切断して第５図に示すような積層＝アブロック（４
）を複数形成する。
って切断して第５図に示すような積層＝アブロック（４
）を複数形成する。
次に、前述の工程で形成された複数の積層コアブロック
０〜のうち半数の積層コアブロック０樽のギャップ衝き
合わせ面ａ鵠上に第６図に示すように巻線溝（７）を形
成する。
０〜のうち半数の積層コアブロック０樽のギャップ衝き
合わせ面ａ鵠上に第６図に示すように巻線溝（７）を形
成する。
次に、第５図に示す積層コアブロック＋１１と第６図に
示す積層コアブロック轡とを一対用意し、該一対の積層
コアブロック０８０８１のギャップ衝き合わせ面Ｈ上に
Ｂｊ１０５−８１０４−ＡＩ！Ｏ！！系等のギャップ形
成用の低融点ガラス層叫をスパッタリング等により形成
した後、該ガラス層（１０）を前記接合ガラス層（９）
に影響を与えない低温で溶融固化することにより前記一
対の積層コアブロックＯ１Ｑｌを接合して積層ヘッドブ
ロック鎖を形成する。
示す積層コアブロック轡とを一対用意し、該一対の積層
コアブロック０８０８１のギャップ衝き合わせ面Ｈ上に
Ｂｊ１０５−８１０４−ＡＩ！Ｏ！！系等のギャップ形
成用の低融点ガラス層叫をスパッタリング等により形成
した後、該ガラス層（１０）を前記接合ガラス層（９）
に影響を与えない低温で溶融固化することにより前記一
対の積層コアブロックＯ１Ｑｌを接合して積層ヘッドブ
ロック鎖を形成する。
次に、前記積層ヘッドブロックに）を−点鎖線Ｂ−Ｂに
沿って切断して積層ヘッドチップを形成し、施例の磁気
ヘッドを形成する。
沿って切断して積層ヘッドチップを形成し、施例の磁気
ヘッドを形成する。
尚、太実施例では、積層コアブロック０ＩＨＩ接合用の
低融点ガラス層ｆｌｌで作動ギャップ（３）を形成して
いるが、積層コアブロック０１０１にギャップ形成用の
８１０２を被着し、前記積層コアブロック切り同士を該
積層コアブロックＣ１１０１に設けた溶着溝に充填した
ガラスにより接合して本よい。
低融点ガラス層ｆｌｌで作動ギャップ（３）を形成して
いるが、積層コアブロック０１０１にギャップ形成用の
８１０２を被着し、前記積層コアブロック切り同士を該
積層コアブロックＣ１１０１に設けた溶着溝に充填した
ガラスにより接合して本よい。
上述のような実施例では、金属磁性薄膜（４）と非磁性
非金属薄膜αｊとの間に形成されている非磁性金属薄膜
（１２ａ）（ｌｒｂ）の熱膨張係数は前記金属磁性薄膜
１４）の熱膨張係数と前記非磁性非金属薄膜（１１の熱
膨張係数′との間にあ抄、熱膨張係数の差によって生じ
る薄膜間の層間歪は抑えられる。また、非磁性非金属薄
膜（ＩＩが５ｉｆｔ等の金属酸化物で形成されている場
合においては、前記非磁性金属薄膜（１２−０１２ｂ）
は金属磁性薄膜（４）が前記非磁性非金属薄膜−により
酸化して磁気特性が劣化するのを防止する。
非金属薄膜αｊとの間に形成されている非磁性金属薄膜
（１２ａ）（ｌｒｂ）の熱膨張係数は前記金属磁性薄膜
１４）の熱膨張係数と前記非磁性非金属薄膜（１１の熱
膨張係数′との間にあ抄、熱膨張係数の差によって生じ
る薄膜間の層間歪は抑えられる。また、非磁性非金属薄
膜（ＩＩが５ｉｆｔ等の金属酸化物で形成されている場
合においては、前記非磁性金属薄膜（１２−０１２ｂ）
は金属磁性薄膜（４）が前記非磁性非金属薄膜−により
酸化して磁気特性が劣化するのを防止する。
また、非磁性金属薄膜（ｌｚａ）（ｌｚｂ）としてはＴ
１以外にもａｔ）（ＩＩＯＸＩＯ／Ｃ）、ｃｒ （７Ｑ
Ｘ１０／℃）、ｐｂ（１１０ｘｌＯ／℃）、ｐｔ（１
０２ｘｌＯ／℃）、’ｒａ（６６Ｘ１０／℃）等がある
。また、非磁性非金属薄膜ＨとしてはＢ１０２以外にも
ＴｉＯ２（９０ｘｔＯ／ｌ）やＡｌｔｏｓ（８０Ｘ１０
／１８）等があり、これらＴｉＯ２やＡｌ２Ｏ３を用い
た場合においては、ｓｂ、ｐｂ、ｐｔ等が非磁性金属薄
膜として有効である。
１以外にもａｔ）（ＩＩＯＸＩＯ／Ｃ）、ｃｒ （７Ｑ
Ｘ１０／℃）、ｐｂ（１１０ｘｌＯ／℃）、ｐｔ（１
０２ｘｌＯ／℃）、’ｒａ（６６Ｘ１０／℃）等がある
。また、非磁性非金属薄膜ＨとしてはＢ１０２以外にも
ＴｉＯ２（９０ｘｔＯ／ｌ）やＡｌｔｏｓ（８０Ｘ１０
／１８）等があり、これらＴｉＯ２やＡｌ２Ｏ３を用い
た場合においては、ｓｂ、ｐｂ、ｐｔ等が非磁性金属薄
膜として有効である。
（ト）発明の効果
本発明に依れば、眉間歪による磁気特性の劣化や膜剥れ
を防止し、更に金属磁性薄膜の酸化による磁気特性の劣
化を防止した磁気ヘッドを提供し得る。
を防止し、更に金属磁性薄膜の酸化による磁気特性の劣
化を防止した磁気ヘッドを提供し得る。
＠１図乃至第７図は未発明に係り、第１図は磁気ヘッド
の外観を示す斜視図、第２図は磁気ヘッドのテープ摺接
面を示す図、ｖＪｓ図、第４図、第５図、第６図及び第
７図は夫々磁気ヘッドの製造方法を示す図である。第８
図及び第９図は従来例に係り、第８図は磁気ヘッドの外
観を示す斜視図、第９図は磁気ヘッドのテープ摺接面を
示す図である。 （１）・・・第１コア半体、［１’）・・・第２コア半
体、（２）・・・非磁性基板、（３）・・・作動ギャッ
プ、（４）・・・金属磁性薄膜、（６）・・・主コア半
体、（ｌり・・・非磁性薄膜、（１２１Ｌ）（１２ｂ）
・・・非磁性金属薄膜、 ０１・・・非磁性非金属薄膜。 出順人 三洋Ｘ慢株式会社
の外観を示す斜視図、第２図は磁気ヘッドのテープ摺接
面を示す図、ｖＪｓ図、第４図、第５図、第６図及び第
７図は夫々磁気ヘッドの製造方法を示す図である。第８
図及び第９図は従来例に係り、第８図は磁気ヘッドの外
観を示す斜視図、第９図は磁気ヘッドのテープ摺接面を
示す図である。 （１）・・・第１コア半体、［１’）・・・第２コア半
体、（２）・・・非磁性基板、（３）・・・作動ギャッ
プ、（４）・・・金属磁性薄膜、（６）・・・主コア半
体、（ｌり・・・非磁性薄膜、（１２１Ｌ）（１２ｂ）
・・・非磁性金属薄膜、 ０１・・・非磁性非金属薄膜。 出順人 三洋Ｘ慢株式会社
Claims (2)
- （１）非磁性基板間に金属磁性薄膜と非磁性薄膜との積
層薄膜よりなる主コア半体が被着形成されている一対の
コア半体を形成し、該一対のコア半体のギャップ衝き合
わせ面を作動ギャップとなる非磁性材料を介して接合し
てなる磁気ヘッドであつて、前記非磁性薄膜は電気的絶
縁性を有する非磁性非金属薄膜の両側に非磁性金属薄膜
を有する三層構造であり、該非磁性金属薄膜の熱膨張係
数け前記金属磁性薄膜の熱膨張係数と前記非磁性非金属
薄膜の熱膨張係数との間にあることを特徴とする磁気ヘ
ッド。 - （２）前記非磁性非金属薄膜が金属酸化物よりなること
を特徴とする請求項（１）記載の磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25238688A JPH02101609A (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25238688A JPH02101609A (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02101609A true JPH02101609A (ja) | 1990-04-13 |
Family
ID=17236600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25238688A Pending JPH02101609A (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02101609A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5986976A (en) * | 1992-08-28 | 1999-11-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording head for a recording apparatus including a laminated core having a plurality of magnetic thin films sandwiching insulating films therebetween |
| JP2006157334A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Funai Electric Co Ltd | テレビジョン放送受信装置 |
| US7873975B2 (en) | 2004-06-28 | 2011-01-18 | Funai Electric Co., Ltd. | Television broadcast receiver |
| US7945933B2 (en) | 2004-06-28 | 2011-05-17 | Funai Electric Co., Ltd. | Television broadcast receiver |
-
1988
- 1988-10-06 JP JP25238688A patent/JPH02101609A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5986976A (en) * | 1992-08-28 | 1999-11-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording head for a recording apparatus including a laminated core having a plurality of magnetic thin films sandwiching insulating films therebetween |
| US7873975B2 (en) | 2004-06-28 | 2011-01-18 | Funai Electric Co., Ltd. | Television broadcast receiver |
| US7945933B2 (en) | 2004-06-28 | 2011-05-17 | Funai Electric Co., Ltd. | Television broadcast receiver |
| JP2006157334A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Funai Electric Co Ltd | テレビジョン放送受信装置 |
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