JPH02101646A - 情報記録媒体 - Google Patents
情報記録媒体Info
- Publication number
- JPH02101646A JPH02101646A JP63252764A JP25276488A JPH02101646A JP H02101646 A JPH02101646 A JP H02101646A JP 63252764 A JP63252764 A JP 63252764A JP 25276488 A JP25276488 A JP 25276488A JP H02101646 A JPH02101646 A JP H02101646A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- recording medium
- film
- information recording
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光メモリー素子、光ディスク、文書画像ファイ
ル等として有用な書換え可能型情報記録媒体に関する。
ル等として有用な書換え可能型情報記録媒体に関する。
電磁波の照射により情報の記録、再生及び消去を行なう
書換え可能型情報記録媒体としては記録層に夫々、光磁
気効果を利用した希土類金属−遷移金属の非晶質膜〔内
山晋、表面化学、８．２頁（１９８７））や結晶−非晶
間の相変化を利用したカルコゲン合金系薄膜〔高尾正敏
、エレクトロセラミックス１１月号、１６頁（１９８７
））がよく知られている。しかし前者の記録媒体では単
一ビームによるオーバーライドが困難であり、またドラ
イブ側の光学系が極めて複雑であるためシステムとして
高コストとなるという問題がある。一方、後者の記録媒
体はこれらの問題を解決し得るものとして近年、注目さ
れているが、高速記録・高速消去を達成するための感度
は充分でなく、より低パワーでの記録・消去が望まれて
いる。また、記録・消去の繰返しによる合金の組成ずれ
や結晶粒径の変化による消し残りの問題がある上、記録
の寿命についても不明の点が多い。
書換え可能型情報記録媒体としては記録層に夫々、光磁
気効果を利用した希土類金属−遷移金属の非晶質膜〔内
山晋、表面化学、８．２頁（１９８７））や結晶−非晶
間の相変化を利用したカルコゲン合金系薄膜〔高尾正敏
、エレクトロセラミックス１１月号、１６頁（１９８７
））がよく知られている。しかし前者の記録媒体では単
一ビームによるオーバーライドが困難であり、またドラ
イブ側の光学系が極めて複雑であるためシステムとして
高コストとなるという問題がある。一方、後者の記録媒
体はこれらの問題を解決し得るものとして近年、注目さ
れているが、高速記録・高速消去を達成するための感度
は充分でなく、より低パワーでの記録・消去が望まれて
いる。また、記録・消去の繰返しによる合金の組成ずれ
や結晶粒径の変化による消し残りの問題がある上、記録
の寿命についても不明の点が多い。
本発明の目的は従来技術における以上の問題を全て解消
し、高い記録感度及び消去比を有し、従って高速記録・
高速消去が可能で、しかも記録・消去の繰返しによるＣ
／Ｎ劣化もなく、長寿命の記録が可能な上、複雑なシス
テムも必要としない書換え可能型情報記録媒体を提供す
ることである。
し、高い記録感度及び消去比を有し、従って高速記録・
高速消去が可能で、しかも記録・消去の繰返しによるＣ
／Ｎ劣化もなく、長寿命の記録が可能な上、複雑なシス
テムも必要としない書換え可能型情報記録媒体を提供す
ることである。
本発明の情報記録媒体は基本的には基板上に、電磁波の
照射により光学的に可逆的な変化をする物質を含有する
炭素系薄膜からなる記録層を設けたものである。
照射により光学的に可逆的な変化をする物質を含有する
炭素系薄膜からなる記録層を設けたものである。
本発明の情報記録媒体において炭素系薄膜を構成する炭
素系物質としては高密度に架橋した炭化水素の重合体、
ｉ−カーボン、グラファイト、ダイヤモンド及びそれら
の複合体が挙げられる。一方、電磁波の照射により光学
的に可逆的な変化をする物質（以下、光学的可逆性物質
という）としては有機物質、無機物質、金属及び半金属
のいずれでもよいが１通常はＴｅ、Ｓｅ等のカルコゲン
及びその合金が使用される。炭素系薄膜中の光学的可逆
性物質の量は通常５〜９５重量％、好ましくは２０〜８
０重量％の範囲である。またこの物質は膜中に微粒子状
で存在することが好ましい。この場合、微粒子の大きさ
は１１００ｎ以下、特に３０ｎｍ以下が好ましい。
素系物質としては高密度に架橋した炭化水素の重合体、
ｉ−カーボン、グラファイト、ダイヤモンド及びそれら
の複合体が挙げられる。一方、電磁波の照射により光学
的に可逆的な変化をする物質（以下、光学的可逆性物質
という）としては有機物質、無機物質、金属及び半金属
のいずれでもよいが１通常はＴｅ、Ｓｅ等のカルコゲン
及びその合金が使用される。炭素系薄膜中の光学的可逆
性物質の量は通常５〜９５重量％、好ましくは２０〜８
０重量％の範囲である。またこの物質は膜中に微粒子状
で存在することが好ましい。この場合、微粒子の大きさ
は１１００ｎ以下、特に３０ｎｍ以下が好ましい。
炭素系薄膜の形成は反応性スパッタ、反応性蒸着、プラ
ズマＣＶＤ、光ＣＶＤ、及びこれらの組み合わせによる
方法などにより行うことができる。膜厚は特に限定され
ないが、通常ｌＯ〜１０００止好ましくは２０〜５００
ｎｍの範囲である。更にこの膜形成法を光学的可逆性物
質としてカルコゲンを用いた場合について説明すると、
出発原料としてカルコゲンを含む有機金属化合物又は有
機金属錯体をキャリアガス及び必要あれば反応ガスの存
在下、真空反応器内にセットされた基板上にプラズマＣ
ＶＤ法、好ましくはグロー放電を利用したプラズマＣＶ
Ｄ法によって成膜する。成膜条件は反応時のガス圧０．
００１〜数ｔｏｒｒ、好ましくは０．００２〜２ ｔｏ
ｒｒ；グロー放電電力１〜３００Ｗ、好ましくは５〜ｉ
ｏｏｗ ；放電時間１〜１８０分、好ましくは２〜１２
０分；基板温度０〜３５０℃、好ましくは２０〜２００
℃である。
ズマＣＶＤ、光ＣＶＤ、及びこれらの組み合わせによる
方法などにより行うことができる。膜厚は特に限定され
ないが、通常ｌＯ〜１０００止好ましくは２０〜５００
ｎｍの範囲である。更にこの膜形成法を光学的可逆性物
質としてカルコゲンを用いた場合について説明すると、
出発原料としてカルコゲンを含む有機金属化合物又は有
機金属錯体をキャリアガス及び必要あれば反応ガスの存
在下、真空反応器内にセットされた基板上にプラズマＣ
ＶＤ法、好ましくはグロー放電を利用したプラズマＣＶ
Ｄ法によって成膜する。成膜条件は反応時のガス圧０．
００１〜数ｔｏｒｒ、好ましくは０．００２〜２ ｔｏ
ｒｒ；グロー放電電力１〜３００Ｗ、好ましくは５〜ｉ
ｏｏｗ ；放電時間１〜１８０分、好ましくは２〜１２
０分；基板温度０〜３５０℃、好ましくは２０〜２００
℃である。
出発材料としては例えばジイソプロポキシジアセチルア
セトンテルル、テトラエトキシテルル、テトラプロポキ
シテルル、ジメチルテルル、ジエチルテルル、ジイソプ
ロポキシジアセチルアセトンセレン、テトラエトキシセ
レン、テトラプロポキシセレン、ジメチルセレン、ジエ
チルセレン等が挙げられる。キャリアガスとしては例え
ば、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｎｚなどが、また反応ガスとし
てたとえば０２．Ｃｏ、Ｃｏ２．ＣＨ４゜Ｃ２Ｈ４など
が用いられる。グロー放電装置は直流グロー放電装置で
あっても或いは容量結合型または誘導結合型の交流グロ
ー放電装置であってもよい。
セトンテルル、テトラエトキシテルル、テトラプロポキ
シテルル、ジメチルテルル、ジエチルテルル、ジイソプ
ロポキシジアセチルアセトンセレン、テトラエトキシセ
レン、テトラプロポキシセレン、ジメチルセレン、ジエ
チルセレン等が挙げられる。キャリアガスとしては例え
ば、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｎｚなどが、また反応ガスとし
てたとえば０２．Ｃｏ、Ｃｏ２．ＣＨ４゜Ｃ２Ｈ４など
が用いられる。グロー放電装置は直流グロー放電装置で
あっても或いは容量結合型または誘導結合型の交流グロ
ー放電装置であってもよい。
炭素系薄膜を形成させる基板の材質には特に制約はなく
、各種プラスチック（例えば、ポリメチルメタクリレー
ト、ポリカーボネートなど）、ガラス、セラミック、金
属などであってもよい。又、基板の表面にはアドレス信
号などのプレフォーマット、案内溝のプレグルーブが形
成されていてもよい。基板の形状は使用用途に応じてテ
ープ、ディスク、ドラム、ベルトなどの任意のものでよ
い。
、各種プラスチック（例えば、ポリメチルメタクリレー
ト、ポリカーボネートなど）、ガラス、セラミック、金
属などであってもよい。又、基板の表面にはアドレス信
号などのプレフォーマット、案内溝のプレグルーブが形
成されていてもよい。基板の形状は使用用途に応じてテ
ープ、ディスク、ドラム、ベルトなどの任意のものでよ
い。
本発明の記録媒体には目的に応じて更に他の層（例えば
５１０２，５１３Ｎ４等の保護層；紫外線硬化性樹脂等
の接着層；ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネー
ト等の保護板；ＡＱ、Ｃｒ。
５１０２，５１３Ｎ４等の保護層；紫外線硬化性樹脂等
の接着層；ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネー
ト等の保護板；ＡＱ、Ｃｒ。
Ａｕ等の反射層）を配置することができる。例えば光デ
ィスクとして利用する場合の一例を第１図に示す。図中
１は基板、２は記録層、３は保護層、４は保護板である
。
ィスクとして利用する場合の一例を第１図に示す。図中
１は基板、２は記録層、３は保護層、４は保護板である
。
記録、再生及び消去に用いる電磁波としてはレーザー光
、電子線、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤外線、マイクロ
波等、種々のものが採用可能であるが、ドライブに取付
ける際、小型でコンパクトな半導体レーザーが最適であ
る。
、電子線、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤外線、マイクロ
波等、種々のものが採用可能であるが、ドライブに取付
ける際、小型でコンパクトな半導体レーザーが最適であ
る。
以下に本発明を実施例によって説明する。
実施例 １
スライドガラス基板上に出発原料としてジイソプロポキ
シジアセチルアセトンテルルを用いてプラズマＣＶＤ法
により８０ｎｍ厚の記録層を設けることにより情報記録
媒体を作製した。使用装置及び成膜条件は下記の通りで
ある。
シジアセチルアセトンテルルを用いてプラズマＣＶＤ法
により８０ｎｍ厚の記録層を設けることにより情報記録
媒体を作製した。使用装置及び成膜条件は下記の通りで
ある。
使用装置：第２図の通り（図中５はＲＦ電源、６は熱電
対、７は電極、８は出発原 料、９はヒーター、１０は真空計、１１は油拡散ポンプ
、１２は油回転ポンプ、１３はヒーター制御ユニット）
。
対、７は電極、８は出発原 料、９はヒーター、１０は真空計、１１は油拡散ポンプ
、１２は油回転ポンプ、１３はヒーター制御ユニット）
。
基板温度二１００℃
ジイソプロポキシジアセチル
アセトンテルルの分圧： ２．ＯＸ １０−’ｔｏｒｒ
Ａｒ流量：１０．Ｏ３ＣＣＭ 反応時の圧カニ ５．ＯＸ １０−”ｔｏｒｒ高周波電
カニ ７０Ｗ 、 １３．５６Ｍ Ｈ２成膜時間＝６０
分 こうして得られた記録膜は波長７００〜８５０ｎｍにお
いて反射率２５％吸収率６０％であった。ＦＴ Ｉ Ｒ
。
Ａｒ流量：１０．Ｏ３ＣＣＭ 反応時の圧カニ ５．ＯＸ １０−”ｔｏｒｒ高周波電
カニ ７０Ｗ 、 １３．５６Ｍ Ｈ２成膜時間＝６０
分 こうして得られた記録膜は波長７００〜８５０ｎｍにお
いて反射率２５％吸収率６０％であった。ＦＴ Ｉ Ｒ
。
ｘｐｓ、ラマンスペクトルの結果から、この膜は主に水
素が脱離して無機化したグラファイト状及びｉ−カーボ
ン状の炭素とＴｅとで構成されていることが判った。ま
たこの膜をＴＥＭによって観察すると直径２０ｎｍ程度
のＴｅ微粒子が認められた。
素が脱離して無機化したグラファイト状及びｉ−カーボ
ン状の炭素とＴｅとで構成されていることが判った。ま
たこの膜をＴＥＭによって観察すると直径２０ｎｍ程度
のＴｅ微粒子が認められた。
次にこの記録膜の記録・消去特性を評価するため、基板
／保護膜Ａ／記録膜／保護膜Ｂ／接着層／保護板構成の
光ディスクを作製した。基板としてはプレグルーブ付き
ポリカーボネートを用い、保護膜Ａ及びＢはＳｉ、Ｎ、
を用いてスパッタ法により１１００ｎ厚に成膜し、接着
層は紫外線硬化樹脂を用いて塗布法により形成し、また
保護板としては０ 、５ ｎｏ厚のポリカーボネート板
を用いた。なお記録膜は前記装置を用いて同一条件で成
膜した。
／保護膜Ａ／記録膜／保護膜Ｂ／接着層／保護板構成の
光ディスクを作製した。基板としてはプレグルーブ付き
ポリカーボネートを用い、保護膜Ａ及びＢはＳｉ、Ｎ、
を用いてスパッタ法により１１００ｎ厚に成膜し、接着
層は紫外線硬化樹脂を用いて塗布法により形成し、また
保護板としては０ 、５ ｎｏ厚のポリカーボネート板
を用いた。なお記録膜は前記装置を用いて同一条件で成
膜した。
こうして作製した光ディスクを１８０Ｏｒｐｍで回転さ
せながらパワー変調したレーザービームを６ ｉ／ｓｅ
ｅの線速で照射し、記録・消去を繰返したところ、５０
ｄＢのＣ／Ｎと３０ｄＢの消去比が得られ、充分な記録
消去特性が得られた。
せながらパワー変調したレーザービームを６ ｉ／ｓｅ
ｅの線速で照射し、記録・消去を繰返したところ、５０
ｄＢのＣ／Ｎと３０ｄＢの消去比が得られ、充分な記録
消去特性が得られた。
実施例２
出発原料としてジイソプロポキシジアセチルアセトンセ
レンを用い、且つその分圧を１．０×ｌ０−３ｔｏｒｒ
として記録膜を形成した他は実施例１と同じ方法で情報
記録媒体を作製したにのものは実施例１と同様に光ディ
スクとしてテストしたところ、実施例１と同様に良好な
結果が得られた。
レンを用い、且つその分圧を１．０×ｌ０−３ｔｏｒｒ
として記録膜を形成した他は実施例１と同じ方法で情報
記録媒体を作製したにのものは実施例１と同様に光ディ
スクとしてテストしたところ、実施例１と同様に良好な
結果が得られた。
本発明によれば記録層に含まれている炭素系物質が光学
的吸収性物質を３次元的に保護するため、記録膜単体で
も充分な機械的強度、耐熱性、耐候性、耐腐食性を有し
、このため記録の長寿命化が図れる。また光学的吸収性
物質を微粒子化することによって １）記録および消去
時の電磁波のエネルギーが微粒子に集中するため。
的吸収性物質を３次元的に保護するため、記録膜単体で
も充分な機械的強度、耐熱性、耐候性、耐腐食性を有し
、このため記録の長寿命化が図れる。また光学的吸収性
物質を微粒子化することによって １）記録および消去
時の電磁波のエネルギーが微粒子に集中するため。
感度が向上する上、２）記録の消去時の結晶粒径は、微
粒子の大きさよりは拡大しないため、消去比が増大する
。
粒子の大きさよりは拡大しないため、消去比が増大する
。
第１図は本発明の書換え可能型情報記録媒体を用いた一
例の光ディスクの断面図、第２図は実施例で用いたプラ
ズマＣＶＤ装置の模式図で第１図 第２図 特許出願人 株式会社 リ コ − 代理人 弁理士 佐１）９雄 外１名
例の光ディスクの断面図、第２図は実施例で用いたプラ
ズマＣＶＤ装置の模式図で第１図 第２図 特許出願人 株式会社 リ コ − 代理人 弁理士 佐１）９雄 外１名
Claims (1)
- １、基板上に、電磁波の照射により光学的に可逆的な変
化をする物質を含有する炭素系薄膜からなる記録層を設
けてなる情報記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63252764A JPH02101646A (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | 情報記録媒体 |
| JP63290177A JPH02137974A (ja) | 1988-10-06 | 1988-11-18 | 書換可能型情報記録媒体 |
| US07/417,541 US5024927A (en) | 1988-10-06 | 1989-10-04 | Information recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63252764A JPH02101646A (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | 情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02101646A true JPH02101646A (ja) | 1990-04-13 |
Family
ID=17241969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63252764A Pending JPH02101646A (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02101646A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990018744A (ko) * | 1997-08-28 | 1999-03-15 | 윤종용 | 다이아몬드 정보 저장 디스크 및 정보 기록 및 재생 방법 |
-
1988
- 1988-10-06 JP JP63252764A patent/JPH02101646A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990018744A (ko) * | 1997-08-28 | 1999-03-15 | 윤종용 | 다이아몬드 정보 저장 디스크 및 정보 기록 및 재생 방법 |
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