JPH02101787A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH02101787A JPH02101787A JP25528188A JP25528188A JPH02101787A JP H02101787 A JPH02101787 A JP H02101787A JP 25528188 A JP25528188 A JP 25528188A JP 25528188 A JP25528188 A JP 25528188A JP H02101787 A JPH02101787 A JP H02101787A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cap
- lens
- semiconductor laser
- lower cap
- laser device
- Prior art date
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- Pending
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分計〕
この発明は光ファイバーと結合して用いられる光通信用
の半導体レーザ装置に関するものである。
の半導体レーザ装置に関するものである。
第2図は従来の半導体レーザ装置?示す!!’r面図で
ちる。
ちる。
図において、il+は半導体レーザ(以下、LDという
。)チップ、(21はLDチップ…の発光点がステム(
6)の中心軸に合致するようにステムF81に組立てら
れたヒートシンク、(41ははんだ材tel ’i介し
てLDに光軸が合った状態で固着されているレンズホル
ダ、(8)はステム(6)に溶接された窓ガラス111
が設けられたキャップである。
。)チップ、(21はLDチップ…の発光点がステム(
6)の中心軸に合致するようにステムF81に組立てら
れたヒートシンク、(41ははんだ材tel ’i介し
てLDに光軸が合った状態で固着されているレンズホル
ダ、(8)はステム(6)に溶接された窓ガラス111
が設けられたキャップである。
次に動作について説明する。
LDに対向して受光装置を設置してお轡はんだ材15+
f 介してヒートシンク(2)上〈レンズホルダ41
を設置した状態で、LDを発光させ、レンズホルダ(4
)をX、Y方向に微動させ、受光装置で光軸合せをモニ
ターする。光軸の合ったところでレンズホルダ14)を
固定する。
f 介してヒートシンク(2)上〈レンズホルダ41
を設置した状態で、LDを発光させ、レンズホルダ(4
)をX、Y方向に微動させ、受光装置で光軸合せをモニ
ターする。光軸の合ったところでレンズホルダ14)を
固定する。
固定した状態でヒートアップしはんだ材+61によりレ
ンズホルダ(4)ヲヒートシンク(21に固着する。
ンズホルダ(4)ヲヒートシンク(21に固着する。
従来半導体レーザ装置は以上のように構成されているの
で、作業効率が悪く量産性に乏しいこと、レンズの2軸
方向への位置合せができず光ファイバーとの結合効率の
バラツキが大きいという問題点があった。
で、作業効率が悪く量産性に乏しいこと、レンズの2軸
方向への位置合せができず光ファイバーとの結合効率の
バラツキが大きいという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、量産性が高く、z軸方向の光軸合せが可能と
な抄、光ファイバーとの結合のバラツキがなくなシ良好
な結合効率が得られる半導体レーザ装置を得ることを目
的とする。
たもので、量産性が高く、z軸方向の光軸合せが可能と
な抄、光ファイバーとの結合のバラツキがなくなシ良好
な結合効率が得られる半導体レーザ装置を得ることを目
的とする。
CIIIINを解決するための手段〕
この発明に係る半導体レーザ装置は、キャップにレンズ
を装着し、上記キャップを2分割するとともにそれぞれ
をはめ込んで一体化したものである。
を装着し、上記キャップを2分割するとともにそれぞれ
をはめ込んで一体化したものである。
この発明になる半導体レーザ装置は、製造時において光
軸合せをモニターしながらX、Y。
軸合せをモニターしながらX、Y。
2の8方向で位置の微調整ができるため光ファイバーと
の結合効率のバラツキが小さく、量産性が良好である。
の結合効率のバラツキが小さく、量産性が良好である。
〔実施例〕
以下、この発明を図により説明する。第1図はこの発明
の一実施例による半導体レーザ装置を示す断面図であり
、次のように構成される。
の一実施例による半導体レーザ装置を示す断面図であり
、次のように構成される。
T、+Dチップ…がヒートシンク(21にボンディング
され、ヒートシンク(2)はLDチップIllの発光点
がステムil+の中心軸に合致するようにステム(6)
に組立てられている。
され、ヒートシンク(2)はLDチップIllの発光点
がステムil+の中心軸に合致するようにステム(6)
に組立てられている。
上部キャップ噛にはレンズ(31が設けられている。
ステム(6)に下部キャップ+5lliかぶせ、上部キ
ャップ11ヲ下部キャップ(i Ic Hめ込む。
ャップ11ヲ下部キャップ(i Ic Hめ込む。
このような状態でLDを発光させながら下部キャップi
13υkX、Y方向に微動させ、レンズに対向して設置
された受光装置で光軸合せをモニターする。X、Y方向
での光軸が舎つ乏所で下部キャップδυを固定し溶接す
る。
13υkX、Y方向に微動させ、レンズに対向して設置
された受光装置で光軸合せをモニターする。X、Y方向
での光軸が舎つ乏所で下部キャップδυを固定し溶接す
る。
次に、2方向の光軸合せ状態全モニターしながら上部キ
ャップ)1を上下に微動させ、2方向での光軸が合った
所で下部キャップとろう付けし固定する。
ャップ)1を上下に微動させ、2方向での光軸が合った
所で下部キャップとろう付けし固定する。
以上のように、この発明によればキャップにレンズ1f
r:装着し、かつ、上記中ヤツプを分割しているので、
X、Y、Zの8方向に光軸合せができ、上記光軸合せは
LD光をモニターしながら上部及び下部キャップを微動
させることができるため、量産性が高く光ファイバーと
の良好な結合効率が得られる。
r:装着し、かつ、上記中ヤツプを分割しているので、
X、Y、Zの8方向に光軸合せができ、上記光軸合せは
LD光をモニターしながら上部及び下部キャップを微動
させることができるため、量産性が高く光ファイバーと
の良好な結合効率が得られる。
第1図はこの発明の一実施例による半導体レーザ装置を
示す断面図、第8図は従来の半導体レーザ装置を示す断
面図である。図中、IIIHLDチップ、(2)はヒー
トシンク、(31はレンズ、14)はレンズホルダ、t
5)ははんだ材、(61はステム、tt+は窓ガラス、
噛は上部キャップ、fillは下部キャップ、(9)は
ろう材部である。 なお、図中、同一符号は1clIl−または相当部分を
示す。
示す断面図、第8図は従来の半導体レーザ装置を示す断
面図である。図中、IIIHLDチップ、(2)はヒー
トシンク、(31はレンズ、14)はレンズホルダ、t
5)ははんだ材、(61はステム、tt+は窓ガラス、
噛は上部キャップ、fillは下部キャップ、(9)は
ろう材部である。 なお、図中、同一符号は1clIl−または相当部分を
示す。
Claims (1)
- レーザダイオードチップがヒートシンクを介してステム
に組み立てられ、ステムにキャップが溶接されて構成さ
れる半導体レーザ装置において、該キャップを2分割し
下部キャップがステムと溶接され、上部キャップにはレ
ンズが装着され、上記下部キャップと上部キャップとを
嵌合させてなることを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25528188A JPH02101787A (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25528188A JPH02101787A (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02101787A true JPH02101787A (ja) | 1990-04-13 |
Family
ID=17276574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25528188A Pending JPH02101787A (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02101787A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0412674U (ja) * | 1990-05-23 | 1992-01-31 | ||
| JPH05218578A (ja) * | 1991-10-31 | 1993-08-27 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | レーザ・ダイオード・アセンブリ |
-
1988
- 1988-10-11 JP JP25528188A patent/JPH02101787A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0412674U (ja) * | 1990-05-23 | 1992-01-31 | ||
| JPH05218578A (ja) * | 1991-10-31 | 1993-08-27 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | レーザ・ダイオード・アセンブリ |
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