JPH02102526A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体装置の製造方法に関し、電極を形成す
る際のめつき方法を提供するものである。

〔従来の技術〕

第２図は従来のめつき装置のシステムを示す説明図で、
図において、（１）は陽極電極、（２）はめっきされる
ウェハで、陰極電極を形成する。（３）はめっき液であ
る。

次に作用について説明する。第２図において、安定化電
源を用いて電流を流し、白金等からなる陽極電極（１）
とめつきするウェハ（２）を陰極電極とし電流計で［流
値をコントロールしてめっきを行っていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来のめつき装置は以上のように構成されていたので、
各ウェハ毎の電流が制御されておらず、ウェハ毎にめっ
きの厚みめっきの形状に差があり、時々めっきの厚みが
厚くなり過ぎてウェハのトランジスタの電極がショート
することがあり、再生することが必要になる問題点があ
った。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、めっきの厚みがウェハ毎にコントロールでき
るとともにトランジスタの電極のショートが発生せず再
生が不要となり、また再生すると電気的時制の劣化を生
じることがあったが、それを無くすることを目的とする
。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係るめっき方法はめつき時のウエハの電流密
度が制御されており、その際の累積電荷量が計測される
ことよりめっきの厚みのばらつき及びめっきの厚みのコ
ントロールを可能としたものである。

〔作用〕

この発明におけるめっき方法はウェハ毎の電流密度をコ
ントロールすることにより、めっきの形状及びめっきの
厚みを所定の目標値の形状および厚みに制御するもので
ある。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、（１）は陽極電極、（２）はめっきをする
ウェハで、陰極電極を形成する。（３）はめっき液であ
る。

次に作用について説明する。安定化電源を用いて電流を
流し、白金等からなる陽極電極（１）とめっきをするウ
ェハ（２）を陰極電極とし、両者はめっき液（３）に入
っている。このとき、各ウェハ毎の電流は電流検出部に
て、一定時間の間隔で測定し、それと同時に電荷量累積
部でウェハ毎の電荷量を累積する。ウェハ毎の電荷量が
判定部にて判定され・所定の量を超えたらめっきを停止
する。その際、めっきをするウェハのパターン形状及び
、ウェハ全面に対するめつきをする面の比率等の情報は
システムコントロール部に入っており、それにめっき前
のパターンの幅を計測して入れることにより、上記基準
情報を修正し、現実のウェハ毎のめつき部分の面積比が
算出され、電流密度を現定するとそれによりウェハ毎に
流す電流値が決定され、それが電流コントロール部でそ
の値に電流が制御されるようにしたものである。

なお、上記実施例ではめつき方法に限定した場合を示し
たが、陽極酸化等電流を制御して行なう作業にも上記実
施例と同様の効果を奏する。また、上記実施例ではウェ
ハ表面のめつきＩこついて説明したがめつきするものは
ウェハに限らず、パターン化した部分にめっきをほどこ
すものについては、この発明が適用でき、同様の効果を
奏する。

〔発明の効果〕

以上のようにこの発明によれば、ウェハ毎の電流密度を
精度良くコントロールするようにしたので、１バツチ中
のウェハ毎のめっきのばらつきを減少するとともに、ウ
ェハでのめっき厚が厚くなり過ぎて再生を生じさせるこ
となく、設計値通りの特性を有するトランジスタを安定
的昏こ生産することができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例による半導体装置のめつき
方法のシステムを示す説明図、第２図は従来の半導体装
置のめっき方法のシステムを示す説明図である。 図において、（１）は陽極電極、（２）はウェハ（陰極
電極）、（３）はめつき液を示す。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 同時処理の複数ウェハのめっきにおいて、ウェハ毎の電
   流密度が一定になるように、パターン形状及びウェハ毎
   の流す電流の制御を行ないめっきの均一な成長を行ない
   、かつウェハ毎に流れた累積電荷量が予め定められた値
   を超えるとめっきを停止するようにしたことを特徴とす
   る半導体装置の製造方法。