JPH02102740A - 排気ガス浄化用触媒 - Google Patents
排気ガス浄化用触媒Info
- Publication number
- JPH02102740A JPH02102740A JP63254454A JP25445488A JPH02102740A JP H02102740 A JPH02102740 A JP H02102740A JP 63254454 A JP63254454 A JP 63254454A JP 25445488 A JP25445488 A JP 25445488A JP H02102740 A JPH02102740 A JP H02102740A
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- JP
- Japan
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- catalyst
- support layer
- zeolite
- base material
- rare earth
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- Exhaust Gas Treatment By Means Of Catalyst (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野1
本発明は、内燃vAll+等の排気ガス浄化用の触媒に
関する。
関する。
[従来の技術〕
従来モノリス担体触媒などは、担体基材の表面に多孔質
状に形成された酸化物の担持層を有する。
状に形成された酸化物の担持層を有する。
この担持層は主として活性アルミナで形成され、担持さ
れている触媒金属の作用を保持しかつ耐久性を付与させ
るために神々の金属酸化物が配合されている。例えば特
公昭60−50491月公報には、活性アルミナ、水溶
性アルミニウム塩および少なくとも炭酸ランタンを含む
希土類化合物からなる水分散性組成物を調製し、これを
モノリス担体基材にコーティングして多孔性被膜を形成
した担持層に白金族元素の一種以上を担持してなる触媒
の開示がある。
れている触媒金属の作用を保持しかつ耐久性を付与させ
るために神々の金属酸化物が配合されている。例えば特
公昭60−50491月公報には、活性アルミナ、水溶
性アルミニウム塩および少なくとも炭酸ランタンを含む
希土類化合物からなる水分散性組成物を調製し、これを
モノリス担体基材にコーティングして多孔性被膜を形成
した担持層に白金族元素の一種以上を担持してなる触媒
の開示がある。
一般に白金族元素は、ヒリウム、ランタン等の希土類元
素の酸化物との相互作用によりその触媒活性を増すこと
が知られている。ところが白金族元素は、通常担持層を
形成する全ての酸化物粒子に付着している。一方、希土
W4酸化物は担持層に特定の割合で分散されて存在して
いるため、水溶液から含浸担持される白金族元素は希土
類酸化物表面上だけでなく、大きな表面積を持つアルミ
ナの表面上にも広く分布担持されている。このため希土
類酸化物と白金族元素とが担持層中で接する確率はそれ
程高(ない。したがって、希土類酸化物と白金族元素と
の間の相互作用はさほど大きくならず、希土類酸化物の
添加効果が充分に発揮されていないのが現状である。ま
た仮にその効果が発揮されている場合でもその触媒性能
が耐久性に欠け、長時間使用した場合には、触l1%を
活性の低下が著しい。
素の酸化物との相互作用によりその触媒活性を増すこと
が知られている。ところが白金族元素は、通常担持層を
形成する全ての酸化物粒子に付着している。一方、希土
W4酸化物は担持層に特定の割合で分散されて存在して
いるため、水溶液から含浸担持される白金族元素は希土
類酸化物表面上だけでなく、大きな表面積を持つアルミ
ナの表面上にも広く分布担持されている。このため希土
類酸化物と白金族元素とが担持層中で接する確率はそれ
程高(ない。したがって、希土類酸化物と白金族元素と
の間の相互作用はさほど大きくならず、希土類酸化物の
添加効果が充分に発揮されていないのが現状である。ま
た仮にその効果が発揮されている場合でもその触媒性能
が耐久性に欠け、長時間使用した場合には、触l1%を
活性の低下が著しい。
[発明が解決しようとする課題]
上記の希土類酸化物と白金族元素との間の相互作用を高
めて、触媒の活性を高めかつ触媒性能の耐久性を向上さ
せることを技術課題とする。
めて、触媒の活性を高めかつ触媒性能の耐久性を向上さ
せることを技術課題とする。
[課題を解決するための手段]
本発明の排気ガス浄化用触媒は、耐熱性担体基材と、該
耐熱性担体基材の表面に形成された酸化物よりなる担¥
fNと、該担持層に担持された貴金属触媒とからなる排
気ガス浄化用触媒において、前記酸化物は、ケイ素、希
土類元素を金属元素として含むゼオライト型ケイ酸塩を
主成分として形成され、前&!橢金金属触媒、イオン交
換担持により前記ゼオライト型ケイ酸塩に担持されてい
る白金族元素の少なくとも一種からなることを特徴とす
る。
耐熱性担体基材の表面に形成された酸化物よりなる担¥
fNと、該担持層に担持された貴金属触媒とからなる排
気ガス浄化用触媒において、前記酸化物は、ケイ素、希
土類元素を金属元素として含むゼオライト型ケイ酸塩を
主成分として形成され、前&!橢金金属触媒、イオン交
換担持により前記ゼオライト型ケイ酸塩に担持されてい
る白金族元素の少なくとも一種からなることを特徴とす
る。
耐熱性担体INは、その材質としてはコージェライト、
ムライト、スピネルなどのセラミックスあるいは耐熱性
鋼板を用いることができる。この耐熱性担体基材は排気
ガスの流れ方向・に延びる多数の細孔を有するハニカム
構造を有している。
ムライト、スピネルなどのセラミックスあるいは耐熱性
鋼板を用いることができる。この耐熱性担体基材は排気
ガスの流れ方向・に延びる多数の細孔を有するハニカム
構造を有している。
担持層は、前記耐熱性担体基材の表面に、担持層を形成
する酸化物粒子を含有するスラリーを付着させ、乾燥し
た後焼成して形成する。酸化物粒子は、ケイ素、希土類
元素を金属元素として含むゼオライト型ケイ!塩を主成
分とし必要に応じて活性アルミナを配合して構成される
。
する酸化物粒子を含有するスラリーを付着させ、乾燥し
た後焼成して形成する。酸化物粒子は、ケイ素、希土類
元素を金属元素として含むゼオライト型ケイ!塩を主成
分とし必要に応じて活性アルミナを配合して構成される
。
ケイ素、希土類元素金属元素として含むゼオライト型ケ
イ酸塩は、MmZnOx (Mはナトリウム、カリウム
、2はケイ素、希土類元素、0は酸素とからなる)で表
され、Mがイオン交換により容易に他のカチオンに′l
1IWkされる構造をもつ。
イ酸塩は、MmZnOx (Mはナトリウム、カリウム
、2はケイ素、希土類元素、0は酸素とからなる)で表
され、Mがイオン交換により容易に他のカチオンに′l
1IWkされる構造をもつ。
このゼオライト型ケイ酸塩は、通常のアルミナの代りに
希土類酸化物を用いて、その他酸化ナトリウム、シリカ
、水、(TMA)zO[((CH3)4N)zo]
(ここでTMAはテトラメチルアンモニウムイオンであ
る)を特定の割合で混合し、オートクレブ中で加熱する
ことにより容易に酸化物粒子として製造することができ
る。
希土類酸化物を用いて、その他酸化ナトリウム、シリカ
、水、(TMA)zO[((CH3)4N)zo]
(ここでTMAはテトラメチルアンモニウムイオンであ
る)を特定の割合で混合し、オートクレブ中で加熱する
ことにより容易に酸化物粒子として製造することができ
る。
通常ゼオライト型の構造を持つケイ酸塩では、イオン交
換により新たにカチオンを導入できることが知られてい
る。したがって、このケイ素と希土類元素とを含むゼオ
ライト型ケイ#l!塩の場合でもイオン交換が可能であ
る。すなわち、希土類元素をもつゼオライト型ケイ酸塩
に、備金属元素がカチオンとなってイオン交換によりケ
イm塩と結合して相持されることになり、貴金属元素と
希土類元素との相互作用が効率よく発揮され触媒活性も
高まると同時に触媒の耐久性も高めた排気ガス浄化用触
媒となる。また担持層をゼオライト型ケイ酸塩とアルミ
ナとの混合物で構成した場合でもイオン交換により貴金
属元素は優先的にゼオライト型ケイ酸塩とイオン結合を
形成すると考えられる。
換により新たにカチオンを導入できることが知られてい
る。したがって、このケイ素と希土類元素とを含むゼオ
ライト型ケイ#l!塩の場合でもイオン交換が可能であ
る。すなわち、希土類元素をもつゼオライト型ケイ酸塩
に、備金属元素がカチオンとなってイオン交換によりケ
イm塩と結合して相持されることになり、貴金属元素と
希土類元素との相互作用が効率よく発揮され触媒活性も
高まると同時に触媒の耐久性も高めた排気ガス浄化用触
媒となる。また担持層をゼオライト型ケイ酸塩とアルミ
ナとの混合物で構成した場合でもイオン交換により貴金
属元素は優先的にゼオライト型ケイ酸塩とイオン結合を
形成すると考えられる。
希土類酸化物としては、ランタン、セリウム、プラセオ
ジウム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユーロ
ピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、
ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、
イツトリウム、スカンジウム、ルテチウム等があげられ
る。なかでもセリウム、ランタン等が好ましい。
ジウム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユーロ
ピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、
ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、
イツトリウム、スカンジウム、ルテチウム等があげられ
る。なかでもセリウム、ランタン等が好ましい。
―金属触媒の白金族元素は、白金、パラジウム、ロジウ
ムの少なくとも一種が用いられる。この白金族元素は、
水に可溶な白金族化合物の水溶液を担持層に含浸させる
ことによりイオン交換されて担持層に担持される。
ムの少なくとも一種が用いられる。この白金族元素は、
水に可溶な白金族化合物の水溶液を担持層に含浸させる
ことによりイオン交換されて担持層に担持される。
[発明の作用および効果]
本発明の排気ガス浄化用触媒は、酸化物の担持層に、ケ
イ素、希土類元素を金属元素として含むゼオライト型ケ
ーイ酸塩を主成分として形成し、貴金属元素をイオン交
換担持することにより、ゼオライト型ケイ酸塩に白金族
元素がカチオンとしてイオン結合を形成して存在するこ
とになる。
イ素、希土類元素を金属元素として含むゼオライト型ケ
ーイ酸塩を主成分として形成し、貴金属元素をイオン交
換担持することにより、ゼオライト型ケイ酸塩に白金族
元素がカチオンとしてイオン結合を形成して存在するこ
とになる。
したがって、はとんどの白金族元素がイオン交換でゼオ
ライト型ケイ酸塩に担持されているため、そのほとんど
の白金族元素が希土類酸化物と共存して担持されている
。このため白金族元素とゼオライト型ケイ酸塩とは互い
に相互作用を発揮して触媒活性を^めることができる。
ライト型ケイ酸塩に担持されているため、そのほとんど
の白金族元素が希土類酸化物と共存して担持されている
。このため白金族元素とゼオライト型ケイ酸塩とは互い
に相互作用を発揮して触媒活性を^めることができる。
また耐久試験侵においても、貴金属元素と希土類元素と
の相互作用が維持でき浄化性能の劣化の少ない触媒とな
る。さらに貴金属元素のシンタリング(粒生長)も抑制
でき触媒のI5活性を保持できる。
の相互作用が維持でき浄化性能の劣化の少ない触媒とな
る。さらに貴金属元素のシンタリング(粒生長)も抑制
でき触媒のI5活性を保持できる。
[実施例]
以下実施例により本発明を説明する。
この排気ガス浄化用触媒は、耐熱性担体基材と、該耐熱
性担体基材の表面に形成した金属酸化物の担持層と、該
担持層に担持された負金属触媒とからなる。
性担体基材の表面に形成した金属酸化物の担持層と、該
担持層に担持された負金属触媒とからなる。
[実施例1]
ゼオライト型ケイ酸塩の合成
L a t O3、N a t O、S + Ot 1
Ht ON[((CI−1s)4N)xo]とを、それ
ぞれ1:1.5:25:100:2.5(7)重ffi
部比(7) vJ合で混合してから撹拌し、オートクレ
ーブ中で130℃にて48時間加熱してケイ素、ランタ
ンを金属元素として含むゼオライト型のケイ酸塩の粉末
を得た。
Ht ON[((CI−1s)4N)xo]とを、それ
ぞれ1:1.5:25:100:2.5(7)重ffi
部比(7) vJ合で混合してから撹拌し、オートクレ
ーブ中で130℃にて48時間加熱してケイ素、ランタ
ンを金属元素として含むゼオライト型のケイ酸塩の粉末
を得た。
触媒の作製
このケイ酸塩粉末(粒径5μm)1000aに対しアル
ミナゾル(アルミナ10申出%含有)7009、水50
0gを加えて混合撹拌してスラリー状とし、更に硝酸ア
ルミニウム水溶液を加えてpHを4としたスラリーをW
4興した。
ミナゾル(アルミナ10申出%含有)7009、水50
0gを加えて混合撹拌してスラリー状とし、更に硝酸ア
ルミニウム水溶液を加えてpHを4としたスラリーをW
4興した。
前記スラリーに、コージェライト製のハニカム担体基材
を浸漬してから引上げ、余分なスラリを吹き払い担体基
材を120℃で乾燥させ、担体基材1Rあたり1009
のゼオライト型ケイ酸塩を主成分とする担持層を形成し
た。この担体基材を500℃で1時間焼成し酸化物の担
持層とした。
を浸漬してから引上げ、余分なスラリを吹き払い担体基
材を120℃で乾燥させ、担体基材1Rあたり1009
のゼオライト型ケイ酸塩を主成分とする担持層を形成し
た。この担体基材を500℃で1時間焼成し酸化物の担
持層とした。
次いでこの担持層を塩化Oジウム塩酸水溶液に浸漬し担
体基材1λ当たりロジウム0.59をイオン交換で担持
した後、100℃にて乾燥して触媒Aを調製した。
体基材1λ当たりロジウム0.59をイオン交換で担持
した後、100℃にて乾燥して触媒Aを調製した。
[実施例2]
実施例1の方法で形成したケイ酸塩を主成分とする担持
層を形成した担体基材を用い、これを貴金属元素のジニ
トロジアンミン白金硝酸水溶液に浸漬して担体基材1λ
当たり白金1.OQを担持し乾燥模、さらに塩化ロジウ
ム塩酸水溶液に浸漬して担体基材1叉当たり0.20の
ロジウムをイオン交換10持した後、100℃にて乾燥
して触媒BをSIl製した。
層を形成した担体基材を用い、これを貴金属元素のジニ
トロジアンミン白金硝酸水溶液に浸漬して担体基材1λ
当たり白金1.OQを担持し乾燥模、さらに塩化ロジウ
ム塩酸水溶液に浸漬して担体基材1叉当たり0.20の
ロジウムをイオン交換10持した後、100℃にて乾燥
して触媒BをSIl製した。
[実施例3]
実施例1のケイ酸塩の合成においてl−agoaの代り
にCe 2 (CO3) 3を用いて同様な方法で形成
したゼオライト型ケイ酸塩を合成した。このゼオライト
型ケイ酸塩粒子を用い実施例1と同様な方法により担持
層を形成した。次いで貴金属元素の担持は実施例2の白
金、ロジウムの担持法により触!llCを調製した。
にCe 2 (CO3) 3を用いて同様な方法で形成
したゼオライト型ケイ酸塩を合成した。このゼオライト
型ケイ酸塩粒子を用い実施例1と同様な方法により担持
層を形成した。次いで貴金属元素の担持は実施例2の白
金、ロジウムの担持法により触!llCを調製した。
[実施例4]
実施例3のケイWJ塩の合成において、Ce1(CO3
)3の代りにNd2O3を用いて実施例1と同様な方法
で形成したゼオライト型ケイ酸塩を得た。このケイ@J
!!を用い実施例1と同様な方法で担持層を貴金属元素
は実施例2の方法により触!fiDを調製した。
)3の代りにNd2O3を用いて実施例1と同様な方法
で形成したゼオライト型ケイ酸塩を得た。このケイ@J
!!を用い実施例1と同様な方法で担持層を貴金属元素
は実施例2の方法により触!fiDを調製した。
[比較例11
γ−アルミナであるアルミナ粉末1.00…市部に対し
アルミナを10重覆%含むアルミナシルア0mff1部
、水450重市部を加えて混合撹拌してスラリーとし、
更に硝酸アルミニウム水溶液を加えて液のpHを4とし
てスラリーを[7した。
アルミナを10重覆%含むアルミナシルア0mff1部
、水450重市部を加えて混合撹拌してスラリーとし、
更に硝酸アルミニウム水溶液を加えて液のpHを4とし
てスラリーを[7した。
このスラリーに、ツージェライト製のハニカム担体!!
vJを浸漬してから引上げ、余分なスラリーを吹き払い
、担体基材を120℃で乾燥させ担体基材1J2当たり
959の担持層を形成した。
vJを浸漬してから引上げ、余分なスラリーを吹き払い
、担体基材を120℃で乾燥させ担体基材1J2当たり
959の担持層を形成した。
この担持層を硝酸ランタン水溶液に浸漬し担体基材1λ
当たり0.03モルのランタンを担持した。これを60
0℃で1時間焼成した後、塩化ロジウム塩酸溶液に浸漬
し、担体基材1R当たりO85gのロジウムを担1!I
シて100℃にて乾燥して触媒Eを調製した。
当たり0.03モルのランタンを担持した。これを60
0℃で1時間焼成した後、塩化ロジウム塩酸溶液に浸漬
し、担体基材1R当たりO85gのロジウムを担1!I
シて100℃にて乾燥して触媒Eを調製した。
[比較例2]
比較例1において、貴金属元素としてロジウムのみを担
持する代りに、まずジニトロジアンミン白金硝酸水溶液
に浸漬して担体基材1λ当たり白ftt1.O(Jを担
持し、次ぎに塩化ロジウム塩酸水溶液に浸漬して担体基
材1λ当たりロジウム0゜2gを担持して触媒[を調製
した。
持する代りに、まずジニトロジアンミン白金硝酸水溶液
に浸漬して担体基材1λ当たり白ftt1.O(Jを担
持し、次ぎに塩化ロジウム塩酸水溶液に浸漬して担体基
材1λ当たりロジウム0゜2gを担持して触媒[を調製
した。
[比較例3]
比較例1において、酸化物の担持層にランタンの代りに
セリウムを担持し、これに比較例2と同様にして貴金属
元素として白金、ロジウムを担持して触媒Gを調製した
。
セリウムを担持し、これに比較例2と同様にして貴金属
元素として白金、ロジウムを担持して触媒Gを調製した
。
[比較例4]
比較例3において、酸化物の担持層にセリウムの代りに
ネオジムを担持した他は同様な方法により触媒Hを調製
した。
ネオジムを担持した他は同様な方法により触媒Hを調製
した。
触媒性能の評価
前記の各触媒A〜Hを2Rのエンジンの排気系に装着し
、入ガスmr1700℃、5V−6800h −1で2
00時間の耐久試験をおこなった侵、同一条件(200
0ppm、−360mmHg)で触媒の浄化率の測定を
おこなった。結果を第1表に示す。
、入ガスmr1700℃、5V−6800h −1で2
00時間の耐久試験をおこなった侵、同一条件(200
0ppm、−360mmHg)で触媒の浄化率の測定を
おこなった。結果を第1表に示す。
第 1 表
ゼオライト型ケイ酸塩を担持層に用いた実施例1〜4は
、活性アルミナに希土類酸化物に担持した比較例1〜4
に比べて耐久試験後の浄化率が優れている。なお、実施
例1〜4と比較例1〜4との各ナンバーが対応する希土
類酸化物、情金属元素を使用している。
、活性アルミナに希土類酸化物に担持した比較例1〜4
に比べて耐久試験後の浄化率が優れている。なお、実施
例1〜4と比較例1〜4との各ナンバーが対応する希土
類酸化物、情金属元素を使用している。
実施例1は対応する比較1例1の浄化率に比べていずれ
もDCSCo、NOXの浄化率が約10%程度向上して
いる。同様に実施例2は比較例2に、実施例3は比較例
3に、実施例4は比較例4に比べてそれぞれ浄化率が向
上している。
もDCSCo、NOXの浄化率が約10%程度向上して
いる。同様に実施例2は比較例2に、実施例3は比較例
3に、実施例4は比較例4に比べてそれぞれ浄化率が向
上している。
特許出願人 トヨタ自動車株式会社
特許出願人 株式会社豊田中央研究所代理人
弁理士 大川 宏
弁理士 大川 宏
Claims (1)
- (1)耐熱性担体基材と、該耐熱性担体基材の表面に形
成された酸化物よりなる担持層と、該担持層に担持され
た貴金属触媒とからなる排気ガス浄化用触媒において、 前記酸化物は、ケイ素、希土類元素を金属元素として含
むゼオライト型ケイ酸塩を主成分として形成され、前記
貴金属触媒は、イオン交換担持により前記ゼオライト型
ケイ酸塩に担持されている白金族元素の少なくとも一種
からなることを特徴とする排気ガス浄化用触媒。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63254454A JPH0813333B2 (ja) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | 排気ガス浄化用触媒 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63254454A JPH0813333B2 (ja) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | 排気ガス浄化用触媒 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02102740A true JPH02102740A (ja) | 1990-04-16 |
| JPH0813333B2 JPH0813333B2 (ja) | 1996-02-14 |
Family
ID=17265240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63254454A Expired - Lifetime JPH0813333B2 (ja) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | 排気ガス浄化用触媒 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0813333B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8685591B2 (en) | 2008-04-09 | 2014-04-01 | Asahi Kasei E-Materials Corporation | Dispersion composition having fluorine-containing ion exchange resin with adjusted particle size abundance ratio |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9818657B2 (en) | 2013-06-21 | 2017-11-14 | Renesas Electronics Corporation | Dry etching method and method of manufacturing semiconductor device |
-
1988
- 1988-10-07 JP JP63254454A patent/JPH0813333B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0813333B2 (ja) | 1996-02-14 |
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