JPH0210352A - ポジ型感光性混合物、ポジ型記録材料および該記録材料の製造方法 - Google Patents

ポジ型感光性混合物、ポジ型記録材料および該記録材料の製造方法

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JPH0210352A
JPH0210352A JP1075249A JP7524989A JPH0210352A JP H0210352 A JPH0210352 A JP H0210352A JP 1075249 A JP1075249 A JP 1075249A JP 7524989 A JP7524989 A JP 7524989A JP H0210352 A JPH0210352 A JP H0210352A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、感光性化合物として0−Φノンジアジドおよ
び水に不溶でアルカリ性水媒体に可溶のノボラックタイ
プのバインダー2!−Mするポジ型感光性混合物、これ
から製造される高い熱安定性t−’ffする記録材料お
よびその製造方法に関する。
〔従来の技術〕
半導体技術における継続せるミニチュア化のため、感光
性混合物は解像および処理法に関する双方の増大する要
求を満足しなければならない。
ポジ型混合物は、その良好な解像能力のため、ネガ型混
合物よりも1丁1丁重要性を獲得することができた。ま
た、アンダーカットを生じる湿式等方性エツチング操作
は、プラズマエツチングおよび反応性イオンエツチング
のような異方性エツチング操作によって次第に駆逐され
ることも観察される。これら新規な操作法に対し、感光
性混合物(フォトレジスト)の品質は、とくにプラズマ
エツチング抵抗および熱安定性の点でさらに改善しなけ
ればならない。
露光の際に酸を遊離する化合物を、アセタールおよびオ
ルトカルボキシレートのような酸開裂性化合物および比
較的多量のノボラック樹脂と共に含有するポジ型感光性
混合物は公知である。
このタイプの感光性混合物は、たとえばヨーロッパ特許
出願公開第0022571号;同第0006626号;
同第0006627号および同第0202196号明細
書;西ドイツ国特許出願公開第2610842号;同第 3544165号および同第3601264号明細書:
西ドイツ国特許出願公告第2506248号および同第
2718254号明細書および西ドイツ国特許出願P3
730783.5号およびP 3730785.1号明
細書に記載されている。
しかし、先行技術刊行物の多(は、感光性化合物として
0−キノンアジドおよびバインダーとしてフェノールま
たはクレゾールノボラックタイプの樹脂を含有する感光
性混合換金記載している。
特許文献には、アルカリ性水媒体に可溶である感光性混
合物の写真平版特性音バインダー金変性することによっ
て変更することのできる多数の例が記載されている。
ポジ型感光性混合物の感光性増加’k、m−クレゾール
/p−クレゾールまたはm−クレゾール/p−クレゾー
ル10−クレゾールをそれぞれ含有する特定の混合物を
選択することによって達成することはヨーロッパ特許出
願公開第0070624号明細書に記載されている。
% 定tD m−クレゾール/p−クレゾール混合物の
選択により、ポジ型感光性材料に対し、明確な縁tVす
るレリーフパターンにより高い解像力を達成することは
、西ドイツ国特許出願公開第3626582号明細書に
記載されている。
明確な縁線を、西ドイツ国特許出願公開第360337
2号明細書から公知のポジ型感光性混合物を使用し、m
−クレゾール/p−クレゾールを2,5−キシレノール
と組合せてなるノボラック樹脂を選択することによって
達成することも記載されている。
m−クレゾール/p−クレゾール混合物音キシレノール
と組合せてなりかつアルデヒドと縮合させたノボラック
樹脂も、特開昭60−164740号公報に記載されて
いる。この公報は、これに記載されたポジ型感光性混合
物に対する過現像に対する改良された抵抗性および高い
感光性を記載している。
しかし、上記に記載したポジ型感光性混合物から製造さ
れたレジストのどれも、良好な熱安定性を特徴としてい
ない。
西ドイツ国特許出願公開第2616992号明細書によ
れば、熱安定性はそのアルキル基がフェノール性ヒドロ
キシル基に対してm−位筐たはp−位に存在し、0うし
て二反応性(bireactive ) (求核反応体
ニ対シテ)テするモノアルキル化アルキルフェノール’
t−を再iる高分子量ノボラックによって改善される。
1だ、ポジ型感光性混合物中に含有されていて、500
0〜30000の間の分子量を有するm−クレゾール/
ホルムアルデヒド樹脂を含有するノボラック樹脂が艮好
な熱安定性および高い感光性を示すことも記載されてい
る(特開昭60−57339号公報)。しかし、このタ
イプの混合物は、たとえば金属イオン不含の現像剤を使
用する場合の過現像に対して不十分な抵抗性を有する。
バインダーとして純m−クレゾールノボラック樹脂を含
有し、これによりこれらノボラックは平均的分子量およ
び低い多分散性を有する感光性混合物が高い熱安定性を
有することも記載されている。しかし、これら混合物を
使用して製造した層は金属イオン不含の現像剤(met
alion −free developers )に
よって厳しく磨耗される。
m−クレゾールおよび他のアルキルフェノールから得ら
れ、特殊な分子量分布を有するノボラック樹脂はヨーロ
ッパ特許出願公開第0239423号明細書に記載され
ている。これらノボラック樹脂が高い熱安定性および良
好な感光性な・らびに艮好な解像力t−有することも記
載されている。
上記に記載した先行技術の状態は丁べての場合に、m−
クレゾールに加えてモノマー成分として二反応性または
ミ反応性フェノールを含有するノボラック樹脂に関する
。それというのも重縮金銀を形成するためには、アルデ
ヒドlたはケトン数分とは別に少なくとも二反応性モノ
マーが要求されるからである。
ヨーロッパ特許出願公開第0239423号明細書は、
はじめてノボラック樹脂形成のために、公知m−クレゾ
ールとは別個に、2.4−または2,6−シーメチルフ
ェノールのよりな−反応性フェノールの使用を記載して
いる。しかし、バインダーとしてこれらの樹脂を含有し
ているポジ型感光性混合物は、金属イオン不合現像剤を
使用する場合、強い暗浸食速度(darkerosio
n rate )を示す。暗浸食速度がグアぎると、記
録材料に対し露光区域と非露光区域との間で艮好な差別
t−達成することはもはや不可能である、つ1り現像に
よって達成されるコントラストが減小する。
〔発明が解決しようとする課題〕
従って、本発明の目的は、高い熱安定性および金属イオ
ン不含現像剤での現像の間低い暗浸食速度を示すポジ型
感光性混合物を提供することである。
この目的は、はじめに記載したタイプのポジ型混合物で
あって、水/アルカリ性媒体に可溶のバインダーとして
、m−クレφ−ルと2.3゜6−トリアルキルフェノー
ルの混合物からなるノボラック樹I1wf、含有するこ
とt−特徴とするポジ型混合物を用いて達成される。
全く驚(べきことに、2.3.6−トリアルキルフェノ
ールのよりな一反応性フエノールの添加によって、高い
熱安定性と金属イオン不含現像剤中での現像の間の低い
暗浸食速度の双方が達成されることが判明した。
この発見は、他の一反応性フエノール成分がこの性質プ
ロフィル′t−有しないだけに1′″r1丁驚異的であ
った(ヨーロッパ特許出願公開第0239423号明細
:IF)。
熱安定性は一般に、樹脂のガラス転移温度によって測定
される。本発明の感光性混合物に含1れてhるノボラッ
ク樹脂は、少な(とも110℃のガラス転移温度を耳す
る。少なくとも115℃のガラス転移温度はとくに望フ
しい。
望ましい構成においては、本発明による感光性混合物に
含1れているノボラック樹脂は、m−クレゾール80〜
92モル俤と2.3.6−トリアルキルフェノール5〜
25モル係からなる混合物から製造される。m−クレゾ
ール80〜92モル%と2.3.6−トリアルキルフェ
ノール8〜20モル係を含■する混合物がと(に望)し
い。2.3.6−トリアルキルフェノールの含量は、混
合物から十分に高い縮合度を有するノボラック樹脂全製
造するためである。
(C1〜C3)アルキル基金有する2、3.6−トリア
ルキルフェノールはと(に鑵)しく、アルキルがメチル
であるのがと(に望ましい。
本発明の感光性混合物に含1れているノボラック樹脂は
、記載されtこフェノール混合物とカルボニル成分とを
縮合することによって製造てれる。適当なカルボニル成
分の例は、ホルムアルデヒドおよびその誘導体、たとえ
ばバラホルムアルデヒドおよびトリオキサン、酸アルデ
ヒド、プロぎルアルデヒド、アクロレイン、ベンズアル
デヒド、4−ヒドロかジベンズアルデヒド、アセトン、
メチルエテルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチ
ルケトン、アセトフェノン、ペンジルメテルク゛トン、
等を包含し、これらはそれ自体または混合物として使用
することかできる。)た、上記に列挙したカルボニル化
合物のアセタールを使用することも可能である。
ホルムアルデヒドおよびパラホルムアルデヒドがと(に
望暑しい。
使用されるカルボニル成分対フェノール成分のモル比は
、< O,S O〜0.93 )対1(はじめに導入さ
れるりである。41しくは、0.9モル対1モル(カル
ボニル成分対フェノール成分)の比が導入される。
本発明による感光性混合物中に含lれているノボラック
樹脂が製造される混合物は、通常触媒として酸を含有す
る。適当な酸の例は無水マレイン酸、シュウ酸、ギ酸、
酢酸、トリプルオロ酢酸、メタンスルホン酸、トルエン
スルホン酸のような有機酸、および硫酸およびリン酸の
ような無機酸全包含する。シュウ酸が望ましい。
酸は、フェノール化合物1モルあたす10−4〜10−
1モルの間の変化量で添加され、フェノール化合物1モ
ルあたり10−3モル−5X 10−2モルの間の債が
と(に望ましい。
フェノール成分とカルボニル成分との間の縮合を溶剤の
存在で実施するのが有利である。
溶剤の沸点は120〜200℃1と(に140〜190
℃の範囲内にある。使用される溶剤は、ノボラック樹脂
に対して良好な溶媒作用全有しなければならない。適白
な溶剤の例は、グリコ−ルx −テA/ 、たトエハメ
テルグリコール、エチルグリコール、ブチルグリコール
、メトキシブタノール、ジメナルホルムアミド、ジエチ
レングリコールジメチルエーテル、ジエチルグリコール
アセテートおよびメチルプロピレングリコールアセテー
トである。望テしくは、とドロキシ不合溶剤が使用きれ
;これらはフェノール混合′@1重量部あた90.2〜
1.011部の肴で使用される。
単一の0−キノンジアジドの形でまたは若干の0−キノ
ンジアジドの混合物として使用することのできるO−キ
ノンジアジドが、本発明による感光性混合物中の感光性
化合物として使用される。これらは有利に、0−ナフト
キノンジアジドまたは0−ベンゾキノンジアジドの芳香
族および脂肪族アミドおよびエステル金包含する。ビス
−1,2−ナフトキノン−2−ジアジドスルホン酸アミ
ドは、1ことえはヨーロッハ’l?許出願公開?、02
31855号明細書にしかし、七ノーおよびポリヒドロ
キシベンゾフェノンのエステル、モノ−およびポリヒド
ロキシアシロフェノン、is子i、フロログルシン、モ
ノ−およびポリヒドロキシジフェニルメタンおよびビス
(ヒドロキシフェニル)吉草酸が望ましい。
そのうち、ポリヒドロキシベンゾフェノンおよびポリヒ
ドロキシアシロフェノンエステルが情ましい。と(に望
Iしいのは、トリヒドロキシ化合物、殊にトリヒドロキ
シベン・戸フェノンであり、最も望ましいのは0−ナフ
ト−および〇−ベンゾキノンジアジドスルホン酸のトリ
スエステルである。ジアジド−4−およびジアジド−5
−スルホン酸エステルを使用することができるが、混合
エステル、と(に4−および5−スルホン酸のトリスエ
ステルも適当である。このタイプの化合物は西ドイツ国
特許第 938239号;同第2131577号;同第2547
905号および同第2828017号明細書に記載てれ
ている。
本発明による感光性混合物は、ノボラック樹脂100重
量部あたり0−キノンジアジド5〜100重量部、と(
に10〜60重量部を含■する。ノボラック樹脂の童は
、感光性混合物の重量に対して1〜90重を冬、とくに
50〜90重量幅である。
さらに、本発明による感光性混合物に、必要に応じ染料
、顔料、湿潤剤および流れ改良剤を、可撓性、接着およ
び光沢のような特殊々要求全改善するために添加するこ
とも可能である。
望ヱしくは、本発明による放射線感光性混合物ヲ、エチ
レングリコール、グリコールモノメチルエーテル、グリ
コールジメチルエーテル、クリコールモノエチルエーテ
ル!タハプロビンングリコールモノアルキルエーテル、
と(にプロぎレンゲリコールメチルエーテルのようなグ
リコールエーテル;エテルアセテート、ヒドロキシエチ
ルアセテート、アルコキシエテルアセ7  ) 、r 
−ブチルアセテート、プロぎレンゲリコールモノアルキ
ルエーテルアセテート、ト(にプロぎレンゲリコールメ
チルエーテルアセテートIたはアミルアセテートのよう
な脂肪族エステル;ジオキサンのようなエーテル、メチ
ルエテルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペン
タノンおよびシクロヘキサノンのようなケトン;ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ヘキサメチル
リン酸アミド、N−メチルぎロリドン、ブチロラクトン
、テトラヒドロフランのような溶剤およびそれらの混合
物に溶か丁。と(に望ましいのはグリコールエーテル、
脂肪族エステルおよびケトンである。
感光性混合物の他の成分と一緒に形成される溶液は、通
常5〜60iIE量係、望了しくは50重tヂ1での固
形分を有する。
本発明によればさらに、殊に支持体とそれに適用された
感光性混合物からなる感光性記祿材料が請求される。
適当な支持体は、コンデンサー 半導体、多層プリント
回路〕たは集積回路が形成されるかlたはそれから製造
することのできる丁べての材料である。必要に凪じ、ド
ーぎングすることもできる、純シリコンおよび熱酸化さ
れ1こおよび/またはアルミニウムコーティングされた
シリコン材料からなる表面、ならびに半導体技術におけ
る慣用の他の丁べての支持体、たとえば窒化ケイ素、ヒ
化ガリウムおよびリン化インジウムがと(に適当である
。他の例は、ガラス、インジウム/スズ酸化物のような
液晶デイスプレーの製造から公知の支持体;さらにたと
えばアルミニウム、銅、亜鉛からなる金属のシートおよ
び箔;バイメタルまたはトライメタル箔、1だ金属蒸気
が比肩されている非導電性箔、および必要に応じアルミ
ニウムおよび紙で被覆された5102材料である。これ
らの支持体に、所望の性質、たとえば増加した親水注金
得るために、高温前処理t−施丁か、表面硬目立てする
か、エツチングするか、または薬品処理することができ
る。
望ましい構成においては、感光性混合物は、レジスト中
またはレジストと支持体との間の良好な接着のために定
着剤を含有しうる。ケイ素または二酸化ケイ素支持体の
場合には、適当な定着剤はアミノシランタイプのもの、
たとえば6−アミノプロピルトリエトキシシランまたは
へキサメチルジシラザンである。
写真製版記鎌層、たとえは凸版印刷、グラビア印刷、ス
クリン印刷、凹版印刷用およびレリーフ複与用印刷版の
製造に使用することの′Cきる支持体の例は、陽櫃酸化
されていてもよいアルミニウム板、砂目立ておよび/ま
たはシリケート化したアルミニウム板、亜鉛板、クロム
で処理されていてもよい鋼板、およびプラスチックシー
トまたは紙である。
本発明による記録材料は画像により露光される。化学線
源は、金属ハロゲン化物灯、カーボンアーク灯、キャノ
ン灯および水銀蒸気灯である。レーデ−電子線またはX
線のような高エネルギー放射線を用いて露光を行なうこ
とも可能である。
層厚は、意図する適用分野に依存して変わる。
これは0.1〜100/!jfi%とくに肌3〜10/
jfiの間である。
’E YCs本発明は感光性記録材料の製造方法にも関
する。感光性混合物は支持体に吹付塗、流シ塗、ローラ
ー塗、スぎンコーティングおよび浸漬被覆によって適用
することができる。次いで、溶剤を蒸発によって除去し
て支持体の表面に感光層をとどめる。溶剤の除去は、必
要な場合には、層t140°atでの温度に加熱するこ
とによって除去することもできる。しかし、はじめに混
合物を上述した方法で仮の支持体に適用し、該支持体か
ら加圧および高めた温度下に最終的支持体に転写するこ
とも可能である。
次いで層を画像により露光する。照射のためには、20
0〜500 nmの波長tvする放射線を発するUV灯
が使用される。感光層の現像の間、層を感光材料の照射
された部分を溶解lたは除去する現像液で処理すること
によって画像パターンを露出させる。
使用した現像剤は、たとえばアルカリ金属またはアルカ
リ土類金属、とくにアンモニウムイオンの珪酸塩、メタ
珪酸塩、水酸化物、リン酸水素塩およびリン酸二水素塩
、炭酸塩および炭酸水素塩のようなアルカリ性試薬の溶
液、およびアンモニア等である。金属イオン不含現像剤
は、米国特許第4729941号;ヨーロッパ特許出願
公開第0062733号;米国特許第4628023号
;米国特許第4141733号;ヨーロッパ特許出願公
開第0097282号およびヨーロッパ特許出願公開第
0023758号明細書に記載されている。現像液中の
これら物質の含量は、一般に現像液の重量に対して0.
1〜15重劃1重子1望了0.5〜5tt憾である。
必要な場合には、現像したレジスト構造は後硬化される
。これは一般にレジスト構造をホットプレート上で流れ
温度よシ下の温度に1で加熱し、次いでこれをキセノン
/水銀蒸気灯のUV1(200〜250nm)に曝露T
るCとによって行なわれる。この後硬化はレジスト構造
を架橋するので、構造は一般に200℃よりも高い温度
になる1で流れ抵抗をπする。また、後硬化は温度の増
加なしにUV光での照射によって実施することもできる
。これは殊に、高エネルギー放射線、たとえば電子線を
使用する場合にそうである。
記載されたノボラック樹脂が含有されている本発明によ
る混合物によって得られる利点は、下記の実施例によっ
てさらに祥述する。
比較例は 1)−反応性アルキルフェノール(2,4−および2,
6−シメチルフエノール)、(本発明により使用される
一反応性2.3.6−トリメチルフェノールと比較)お
よび 2)本発明により使用される2 、 3 、6− トI
Jメチルフェノールと同数の置換基を有する二反応性ア
ルキルフェノール(2,3,5−)リメfルフェノール
)を主体とする。
上記−反応性ノボラック樹脂を用いる比較試験は意外に
も、本発明により使用されるノボラック樹脂は要求され
る熱安定性(ガラス転移温度により測定)をπするだけ
でな(、暗浸食速度の著しい減小をもたら丁ことを示し
た。試験結果は表1に1とめられている。
二反応性の2.3.5−)リメチルフェノールト比較し
て、コモノマーとして一反応性の、トリ置換2.3.6
−)リメテルフェノールの使用は、本発明の感光性混合
物に要求されるノボラック樹脂のはるかに容易に制御可
能な製造工程により区別される。これは、それ自体、製
造されるノボラック樹脂の粘度(動粘度)とノボラック
製造に使用されるカルボニル化合物の量との間の関係に
現われる。混合物がコモノマーとして2,3.6−トリ
メチルフエノールを含有する場合、たとえカルボニル化
合物の添加量が広い範囲内で変動しても、比較的一定の
粘度値が得られるが、混合物が2 、3 、5− トI
Jメチルフェノールを含有する場合には、粘度とカルボ
ニル化合物の添加量との間には、著しい相互依存が存在
する。この結果は表2に1とめられている。
この−数的タイブのノボラック樹脂の工業的規模の合成
の間、遊離体濃度(aductconcentrati
ons )の変化、と(に反応容器自体内での局所的に
異なる濃度が極めて頻繁に生じ、従ってこの危険にも拘
らず一定の、同じ品質の生成物を生じる成分が明らかに
望ましい。
一定の生成物品質は、と(にノボラックW脂の適用分野
に関して要求される、つ1シフオドレジストに対するそ
れの使用は非常に特殊で明確な、高度にノボラック特性
に依存する石版印刷特性プロフィルFWしなげればなら
ない。
下記の例における重量部(p、b−w−)および容量部
(p−b−v、 )はyおよびcm3と同じ関係を有す
る。別記しない限り、パーセント値および量比は重量部
または重量比で表わされている。
〔実施例〕 例1 バインダーの製造 還流冷却器、滴下ロートおよび撹拌機を備える四首フラ
スコ中で、m−クレゾール295gおよび2,3.6−
ドリメテルフエノール41.39?ジエテレングリコー
ルジメテルエーテル1931に溶かし、次いでシュウ酸
二水和物10gk加え、混合物を100℃に加熱する。
67チのホルムアルデヒド水溶液222gt−滴加し、
反応混合物をさらに6時間ゆっくり還流させる。次いで
、水、溶剤および未反応成分を留出させ、蒸留をはじめ
は常圧で200℃1で、次に水流ポンプ真空中で220
℃に1で実施する。熱いノボラック樹脂を冷却容器中へ
注入し放冷する。
ノボラック樹脂の粘度上、メトキシプロパツール中ノボ
ラックの40係溶液の動粘度として測定する。これは6
30mPa−5(T−20℃)であり、落球粘度計を用
いて測定する。
ノボラック圀脂のガラス転移温度は119℃定し、間隔
の高さの半分で測定した温度から計算することができる
適用 コーテイング液は下記のものから製造する:a)上記の
ノボラック樹脂    1 ’l p、b、vr。
1.2−ナフトキノンジアジ ビー5−スルホニルクロリド 3モルとトリヒドロキシベン ゾフェノン1モルから得うれ た反応生成物 2p、b、v。
プロぎレンゲリコールモノメ チルエーテルアセテート  45 p、b、v、中、お
よび b)1.2−ナフトキノンジアジド −5−スルホニルクロリドのト リスエステルを、−4−スルホ ニルクロリドから得られる、相 応するエステルに代える点を除 き、a)に挙げた成分 得られる溶液’t−0,2ArPLのミリポアフィルタ
−を通して濾過し、定着塗膜(ヘキサメチルジシラデン
)を備、tたシリコンウェーハ上ヘスぎンコーティング
し、空気循環キャビネット中で90℃で30分乾燥した
後に1μmの厚さtWするレジスト層を得る。
暗浸食速度の決定のために、コーティングしたシリコン
ウェーハを、水酸化テトラメチルアンモニウムを含有す
る0、2 nの、金属イオン不含現像液中で60秒間現
像する。次いで、残留するレジスト層厚を、ルドルフ(
Rudolph ) 厚み計を用いて測定する。層厚の
ロスが感光性層の暗浸蝕速度(nm / min )に
一致する@この場合に測定された暗浸蝕速度は層a)に
対しては58 nm / minであり、FJ b)に
対しては47nm / minである。
熱安定性の決定のためには、記載した感光性混合物を、
定M層を備えるシリコンウェーハに適用し、90℃で3
0分間乾燥した後に1.7μmの層厚t−得る。次いで
、2μWL幅の線をπするパターンに対する層の露光を
投射装置を用いて冥施し、露光した層を市場で入手しう
るアルカリ性の現像剤水溶液を用いて現像する。このよ
うにして得られたレジストパターンの熱安定性t−=q
ぺるために、ウェーハを30分間150℃の温度に加熱
してエツジプロフィル(edgeprOfile )の
変化が検出しうるか否かを見る。
例1および例2により製造したレジストパターンも、比
較例1〜3によシ製造したレジストパターンも、そのエ
ツジプロフィルの変化を示さなかった。
例2 バインダーの製造 m−クレゾール432gおよび2,3.6−トリメテル
フエノール136gを、ジエチレンクリコールジメチル
エーテル600gおよびシュウ酸二水和物11.9と共
に100℃に加熱する。1時間内に、37俤のホルムア
ルデヒド水溶液(4,5モル)363、!i’′に滴加
し、反応混合物をさらに15時間軽微に還流させる。そ
の後の9作は、例1に記載したように実施する。
ノボラック樹脂は495 mPa−1g(404、メト
キシプロパツール中)の粘度および117℃のガラス転
移温度を有する。
適用 例1 b)に記載したように、例2のバインダー1−含
πするレジスト溶液を支持体上へスピンコーティングし
、乾燥し、例1の金属イオン不含現像剤での現像の結果
としての暗浸食還度を測定する。これは18nm / 
minである。
比較例1 バインダーの1゛ 例1に記載した反応条件下に、モル比9:1のm−クレ
ゾールと2.4−ジメチルフェノールからなるクレゾー
ル/キシレノール混合物トホルムアルデヒドから、61
5mPa・s (404、メトキシプロパツール中)お
よび118℃のガラス転移温度’kWするノボラック樹
@金製造する。
適用 例1に記載したように、比較例1のバインダーを含有す
るレジスト溶液を支持体上へスピンコーティングし、乾
燥し、例1の金属イオン不含現像剤を用いる現像に得ら
れる暗浸食速度を測定する。272 nm / min
 (a)および351nm / min (b)の暗浸
*速度が測定される。
比較例2 バインダーの製造 例1に記載した反応条件下に、モル比9:1のm−クレ
ゾールと2.6−ジメチルフェノールからなるクレゾー
ル/キシレノール混合物とホルムアルデヒドから縮合に
よって、690mPa・5(40’l、メトキシプロパ
ツール中)の粘度および116℃のガラス転移温度を有
するノボラック樹脂金製造する。
適用 例1に記載したように、比較例2のバインダーを含■す
るレジスト溶液を製造し、処理し、暗浸食速度を例1に
よシ測定する。289 nm/min (a)および3
65 nm / min (b)の暗浸食速度が測定さ
れる。
比較例3 バインダーの製造 例1に記載した反応条件下に、m−クレゾールとホルム
アルデヒドから、950 mPa−5(401メトキシ
プロパツール中)の粘度および123°0のガラス転移
温度t−有するノボラック樹脂を製造する。
適用 比較例3のバインダーをレジスト溶液に使用し、例1に
記載したように実施する。暗浸食速度は249 nm 
/ min (a)および155 nm/m1n(b)
である。
例3 例1のノボラックの製造と同様に、触媒としてシュウ酸
を使用し、m−クレゾール9モルと2.3.6−)リメ
テルフェノール1モルからなる混合物を、種々の量のホ
ルムアルデヒド(フェノール成分対ホルムアルデヒドの
モル比は下記表2に記載されている)との縮合によって
ノボラック樹@t−製造する。各ノボラックにつき測定
された粘度値(401メトキシプロパツール中)も表2
に1とめられている。
比較例4 例1に記載したように、m−クレゾール9モルと2.3
.5−1Jメチルフ工ノール1モルから々る混合物と種
々の量のホルムアルデヒド(フェノール成分対ホルムア
ルデヒドのモル比は下記表2に記載されている)との縮
合によりノボラック樹脂を製造する。ノボラック樹脂の
粘度値(401メトキシプロパツール中)も表2に1と
められている。
2.3.5−)リアルキンフェノールQm−クレゾール
と共に使用して製造したノボラックmNFtの粘度は、
ホルムアルデヒドの景を変える場合、2,3.6−トリ
アルキルフェノールを用いて製造したノボラック樹脂の
粘度よシもはるかに広い範囲内で変化すること全認める
ことができる。とくに、ホルムアルデヒドの添加量がフ
ェノール成分1モルあたり0.85〜0.95モルの間
、とくに0.89〜0.92モルの間で変化する場合に
、実質的に一定の粘度値が得られる。それで、ホルムア
ルデヒドの添加量の上限内で観察される変化範囲(Δ)
が200 mPa−5を越えない場合、 一定”とみな
丁ことができる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、感光性化合物としてo−キノンジアジドおよび水に
    不溶でアルカリ性水媒体に可溶のノボラック型バインダ
    ーを含有するポジ型感光性混合物において、バインダー
    がm−クレゾールと2,3,6−トリアルキルフェノー
    ルを含有する混合物から製造されていることを特徴とす
    るポジ型感光性混合物 2、ノボラックが製造される混合物がm−クレゾール7
    5〜95モル%と2,3,6−トリアルキルフェノール
    5〜25モル%を含有する請求項1記載の感光性混合物 3、ノボラック樹脂が少なくとも110℃のガラス転移
    温度を有する請求項1または2記載の感光性混合物 4、2,3,6−トリアルキルフェノールが2,3,6
    −トリメチルフェノールである請求項1から3までのい
    ずれか1項記載の感光性混合物 5、o−キノンジアジドとして、o−ナフトキノンジア
    ジドスルホン酸またはo−ベンゾキノンジアジドスルホ
    ン酸のエステルまたはアミドが使用される請求項1から
    4までのいずれか1項記載の感光性混合物 6、o−ナフトキノンジアジド−4−または−5−スル
    ホン酸とモノ−またはポリヒドロキシベンゾフェノンま
    たは−アシロフエノンとのエステルが使用される請求項
    1から5までのいずれか1項記載の感光性混合物 7、ノボラック樹脂100重量部あたりo−キノンジア
    ジド5〜100重量部が含有されている請求項1から6
    までのいずれか1項記載の感光性混合物 8、主として感光性層で被覆された支持体からなる、プ
    リント回路板、超小形電子部品およびオフセット印刷板
    に適当なポジ型記録材料において、上記感光性層が請求
    項1から7までのいずれか1項に記載された感光性混合
    物から製造されることを特徴とするポジ型記録材料 9、定着塗膜を備えていてもよい支持体に、請求項1か
    ら7までのいずれか1項に記載された感光性混合物を適
    用し、材料を乾燥し、引き続き化学線を用いて画像によ
    り露光し、最後に画像をアルカリ性現像剤水溶液で現像
    することによつて可視化することを特徴とするポジ型記
    録材料の製造方法
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HK (1) HK16395A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0354565A (ja) * 1989-07-24 1991-03-08 Japan Synthetic Rubber Co Ltd パターン形成方法
US5237037A (en) * 1989-09-08 1993-08-17 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Radiation-sensitive compositions containing fully substituted novolak polymers
KR100604289B1 (ko) * 1999-03-04 2006-07-25 제이에스알 가부시끼가이샤 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막 및 이를 사용한 범프형성 방법

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5753406A (en) * 1988-10-18 1998-05-19 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Radiation-sensitive resin composition
US5279922A (en) * 1989-08-07 1994-01-18 Konica Corporation Light-sensitive coating liquid
CA2023791A1 (en) * 1989-08-24 1991-02-25 Ayako Ida Radiation-sensitive positive resist composition
US5324620A (en) * 1989-09-08 1994-06-28 Ocg Microeletronic Materials, Inc. Radiation-sensitive compositions containing novolak polymers made from four phenolic derivatives and an aldehyde
US5322757A (en) * 1989-09-08 1994-06-21 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Positive photoresists comprising a novolak resin made from 2,3-dimethyl phenol,2,3,5-trimethylphenol and aldehyde with no meta-cresol present
US5208138A (en) * 1990-02-05 1993-05-04 Morton International, Inc. High contrast high thermal stability positive photoresists having novolak resins of lowered hydroxyl content
US5182184A (en) * 1990-02-05 1993-01-26 Morton International, Inc. Novolak resins of lowered hydroxyl content and high contrast high thermal stability positive photoresists prepared therefrom
KR910015883A (ko) * 1990-02-16 1991-09-30 우 쳉지우 감광성 필름 형성 공중합체 및 그로 구성되는 조성물 및 그로써 네가티브 또는 포지티브 사진 상을 제조하는 방법
US5346799A (en) * 1991-12-23 1994-09-13 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Novolak resins and their use in radiation-sensitive compositions wherein the novolak resins are made by condensing 2,6-dimethylphenol, 2,3-dimethylphenol, a para-substituted phenol and an aldehyde
US6280910B1 (en) 1992-11-23 2001-08-28 Pioneer Electronic Corporation Photoresist for optical disc and method of preparing optical disc utilizing photoresist
JP3324898B2 (ja) * 1995-02-24 2002-09-17 東京応化工業株式会社 ポジ型レジストパターンの製造方法
US5645970A (en) * 1995-10-25 1997-07-08 Industrial Technology Research Institute Weak base developable positive photoresist composition containing quinonediazide compound
KR20010101433A (ko) * 1999-01-11 2001-11-14 암라인, 립퍼 평면 광원

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62227144A (ja) * 1986-03-28 1987-10-06 Japan Synthetic Rubber Co Ltd ポジ型感放射線性樹脂組成物

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3779778A (en) * 1972-02-09 1973-12-18 Minnesota Mining & Mfg Photosolubilizable compositions and elements
CH621416A5 (ja) * 1975-03-27 1981-01-30 Hoechst Ag
DE2718254C3 (de) * 1977-04-25 1980-04-10 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Strahlungsempfindliche Kopiermasse
DE2829512A1 (de) * 1978-07-05 1980-01-17 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefbildern
DE2829511A1 (de) * 1978-07-05 1980-01-24 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefbildern
DE2928636A1 (de) * 1979-07-16 1981-02-12 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefbildern
EP0070624B1 (en) * 1981-06-22 1986-11-20 Philip A. Hunt Chemical Corporation Novolak resin and a positive photoresist composition containing the same
US4377631A (en) * 1981-06-22 1983-03-22 Philip A. Hunt Chemical Corporation Positive novolak photoresist compositions
US4587196A (en) * 1981-06-22 1986-05-06 Philip A. Hunt Chemical Corporation Positive photoresist with cresol-formaldehyde novolak resin and photosensitive naphthoquinone diazide
US4529682A (en) * 1981-06-22 1985-07-16 Philip A. Hunt Chemical Corporation Positive photoresist composition with cresol-formaldehyde novolak resins
JPS6057339A (ja) * 1983-09-08 1985-04-03 Sumitomo Chem Co Ltd ポジ型フォトレジスト組成物
JPS61185741A (ja) * 1985-02-13 1986-08-19 Mitsubishi Chem Ind Ltd ポジ型フオトレジスト組成物
US4737426A (en) * 1985-05-15 1988-04-12 Ciba-Geigy Corporation Cyclic acetals or ketals of beta-keto esters or amides
DE3603578A1 (de) * 1986-02-06 1987-08-13 Hoechst Ag Neue bis-1,2-naphthochinon-2-diazid-sulfonsaeure- amide, ihre verwendung in einem strahlungsempfindlichen gemisch und strahlungsempfindliches kopiermaterial
EP0239423B1 (en) * 1986-03-28 1996-03-20 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Positive type radiation-sensitive resin composition
JP2590342B2 (ja) * 1986-11-08 1997-03-12 住友化学工業株式会社 ポジ型フォトレジスト用ノボラック樹脂及びそれを含有するポジ型フォトレジスト組成物

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62227144A (ja) * 1986-03-28 1987-10-06 Japan Synthetic Rubber Co Ltd ポジ型感放射線性樹脂組成物

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0354565A (ja) * 1989-07-24 1991-03-08 Japan Synthetic Rubber Co Ltd パターン形成方法
US5237037A (en) * 1989-09-08 1993-08-17 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Radiation-sensitive compositions containing fully substituted novolak polymers
KR100604289B1 (ko) * 1999-03-04 2006-07-25 제이에스알 가부시끼가이샤 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막 및 이를 사용한 범프형성 방법

Also Published As

Publication number Publication date
HK16395A (en) 1995-02-10
DE58905992D1 (de) 1993-12-02
EP0335220A3 (en) 1990-05-16
EP0335220B1 (de) 1993-10-27
JP2834469B2 (ja) 1998-12-09
EP0335220A2 (de) 1989-10-04
KR0135421B1 (ko) 1998-04-22
US4971887A (en) 1990-11-20
KR890015069A (ko) 1989-10-28
DE3810631A1 (de) 1989-10-12

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