JPH02104010A - 表面弾性波デバイスの製造方法 - Google Patents
表面弾性波デバイスの製造方法Info
- Publication number
- JPH02104010A JPH02104010A JP25477988A JP25477988A JPH02104010A JP H02104010 A JPH02104010 A JP H02104010A JP 25477988 A JP25477988 A JP 25477988A JP 25477988 A JP25477988 A JP 25477988A JP H02104010 A JPH02104010 A JP H02104010A
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- JP
- Japan
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- film
- substrate
- acoustic wave
- surface acoustic
- wave device
- Prior art date
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- Pending
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、表面弾性波デバイス（以下、ＳＡＷデバイ
スと称す）の製造方法に関するものである。
スと称す）の製造方法に関するものである。
（従来の技術〕
第２図（ａ） 〜（Ｃ）は第２図（ｄ）に示す従来のＳ
ＡＷデバイスに至るまでの製造工程を説明するためのＡ
−Ａ断面図である。図において、ｌは基板としての例え
ばＢｒ、ｔＧｅＯ□。基板（以下、ＢＧＯ基板と称す）
、２は真空蒸着装置等でＢＧＯ基板ｌ上に成膜された導
体膜としてのＡｌ膜、４はフォトレジストである。
ＡＷデバイスに至るまでの製造工程を説明するためのＡ
−Ａ断面図である。図において、ｌは基板としての例え
ばＢｒ、ｔＧｅＯ□。基板（以下、ＢＧＯ基板と称す）
、２は真空蒸着装置等でＢＧＯ基板ｌ上に成膜された導
体膜としてのＡｌ膜、４はフォトレジストである。
次に製造工程について説明する。ＢＧＯ基板１を洗浄・
乾燥後、真空蒸着法等により全面にＡＩ成膜を成膜する
。この状態を第２図（ａ）を示す。次いで、第２図Φ）
に示すように現在半導体ＩＣ製造分野で広く用いられて
いるフォトリソグラフィ技術を用いてフォトレジスト４
の所望のパターンを得る。
乾燥後、真空蒸着法等により全面にＡＩ成膜を成膜する
。この状態を第２図（ａ）を示す。次いで、第２図Φ）
に示すように現在半導体ＩＣ製造分野で広く用いられて
いるフォトリソグラフィ技術を用いてフォトレジスト４
の所望のパターンを得る。
次いで、フォトレジスト４をエツチングマスクとしてＡ
ｌ膜２を乾式または湿式エツチング法にてエツチングし
、不要部分のＡｌ １１１１２を除去する。
ｌ膜２を乾式または湿式エツチング法にてエツチングし
、不要部分のＡｌ １１１１２を除去する。
その後、フォトレジスト４を剥離除去した状態が第２図
（Ｃ）である。
（Ｃ）である。
従来のＳＡＷデバイスの製造方法は以上のように行われ
ているので高価な真空蒸着装置等を使用しなければなら
ず、また、導体膜としてＡＩ成膜を使用するため、実装
後の使用環境によっては、ＡＩ成膜が腐食され断線不良
を起こしたり、Ａ１金属の電極間金属移行により電極間
短絡不良を起こずなど、信頼性上問題があった。さらに
、ワイヤーボンディング性において、ＡＩ成膜であるた
めＡＩ ワイヤー、Ａｕワイヤー共、充分な接続強度が
得られず実装後の機械的衝撃や熱ストレスにより強度劣
化を起こすなどの問題点があった。尚、近位技術として
特公昭５Ｂ−５５６８６号、特公昭５９−４５２８５号
公報記載のものがある。
ているので高価な真空蒸着装置等を使用しなければなら
ず、また、導体膜としてＡＩ成膜を使用するため、実装
後の使用環境によっては、ＡＩ成膜が腐食され断線不良
を起こしたり、Ａ１金属の電極間金属移行により電極間
短絡不良を起こずなど、信頼性上問題があった。さらに
、ワイヤーボンディング性において、ＡＩ成膜であるた
めＡＩ ワイヤー、Ａｕワイヤー共、充分な接続強度が
得られず実装後の機械的衝撃や熱ストレスにより強度劣
化を起こすなどの問題点があった。尚、近位技術として
特公昭５Ｂ−５５６８６号、特公昭５９−４５２８５号
公報記載のものがある。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、高価な真空蒸着装置等を使用せずとも製造出
来ると共に、従来よりも信頼性の高いＳＡＷデバイスの
製造方法を得ることを目的とする。
たもので、高価な真空蒸着装置等を使用せずとも製造出
来ると共に、従来よりも信頼性の高いＳＡＷデバイスの
製造方法を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段］
この発明に係わるＳＡＷデバイスの製造方法は、導体膜
の形成を金属有機化合物（Ｍｅｔａｌｌｏ Ｏｒ（Ｈａ
ｎｉｃＣｏｍｐｏｕｎｄ−以下、Ｍ、Ｏ，Ａｕと称す）
の印刷・焼成により行うものである。
の形成を金属有機化合物（Ｍｅｔａｌｌｏ Ｏｒ（Ｈａ
ｎｉｃＣｏｍｐｏｕｎｄ−以下、Ｍ、Ｏ，Ａｕと称す）
の印刷・焼成により行うものである。
（作 用〕
この発明における導体膜の形成は、Ｍ、０．Ａｕの印刷
・焼成により行うため高価な真空蒸着装置を必要とせず
導体膜を形成できる。また、導体膜として特にＡｕ膜を
用いると、実装後の使用環境による導体パターンの腐食
断線不良や電極間金属移行による短絡不良は皆無に近く
なり、さらにＡｕ線のワイヤーボンディングにおいても
接合強度が向上し、ＳＡＷデバイスの信頼性が大幅に改
善できる。
・焼成により行うため高価な真空蒸着装置を必要とせず
導体膜を形成できる。また、導体膜として特にＡｕ膜を
用いると、実装後の使用環境による導体パターンの腐食
断線不良や電極間金属移行による短絡不良は皆無に近く
なり、さらにＡｕ線のワイヤーボンディングにおいても
接合強度が向上し、ＳＡＷデバイスの信頼性が大幅に改
善できる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図（ａ）〜（Ｃ）は、第１図ｄに示す本発明におけるＳ
ＡＷデバイスに至るまでの製造工程を説明するためのＡ
−Ａ断面図である。図において、■は基板としての例え
ばＢＧＯ基板、３はＢ Ｇ Ｏ基板１上に印刷・焼成さ
れたＭ、Ｏ，Ａｕ膜、４はフォトレジストである。
図（ａ）〜（Ｃ）は、第１図ｄに示す本発明におけるＳ
ＡＷデバイスに至るまでの製造工程を説明するためのＡ
−Ａ断面図である。図において、■は基板としての例え
ばＢＧＯ基板、３はＢ Ｇ Ｏ基板１上に印刷・焼成さ
れたＭ、Ｏ，Ａｕ膜、４はフォトレジストである。
次に製造工程について説明する。Ｂ（’、０基板１を洗
浄・乾燥後、Ｍ 、 Ｏ、Ａ ｕペーストをスクリーン
印刷機にて基板表面にベタ印刷する。その後、大気中で
例えばｌ ＯＯ’Ｃで１０分間乾燥し、焼成は、例えば
、昇温３０°Ｃ／分で７５０ ”Ｃまで昇温し、１０分
間７５０ ’Ｃを保持し、４０°Ｃ／分で降温するとＭ
、Ｏ，Ａｕ膜３が得られる。この状態を第１図（ａ）に
示す。次に第１図（＋））に示すように従来の製造方法
と同じくフォトリソグラフィ技術にてフすトレジスト４
の所望のパターンを得る。次いで、フォトレジスト４を
エツチングマスクとしてＭ 、 Ｏ、Ａ ｕ膜３をヨウ
素ヨウ化カリ系エツチング液もしくは、シアン系エツチ
ング液夜にて工・ンチングし、不要部分のＭ、０．Ａｕ
膜３を除去する。その後、フォトレジスト４を剥離除去
した状態が第１図（Ｃ）である。
浄・乾燥後、Ｍ 、 Ｏ、Ａ ｕペーストをスクリーン
印刷機にて基板表面にベタ印刷する。その後、大気中で
例えばｌ ＯＯ’Ｃで１０分間乾燥し、焼成は、例えば
、昇温３０°Ｃ／分で７５０ ”Ｃまで昇温し、１０分
間７５０ ’Ｃを保持し、４０°Ｃ／分で降温するとＭ
、Ｏ，Ａｕ膜３が得られる。この状態を第１図（ａ）に
示す。次に第１図（＋））に示すように従来の製造方法
と同じくフォトリソグラフィ技術にてフすトレジスト４
の所望のパターンを得る。次いで、フォトレジスト４を
エツチングマスクとしてＭ 、 Ｏ、Ａ ｕ膜３をヨウ
素ヨウ化カリ系エツチング液もしくは、シアン系エツチ
ング液夜にて工・ンチングし、不要部分のＭ、０．Ａｕ
膜３を除去する。その後、フォトレジスト４を剥離除去
した状態が第１図（Ｃ）である。
尚、上記実施例では、Ｍ、Ｏ，Ａｕ膜３のエツチングと
してヨウ素ヨウ化カリ等の湿式エンチングを記載したが
、イオンミーリング等の乾式エツチングでも同様の効果
が得られる。
してヨウ素ヨウ化カリ等の湿式エンチングを記載したが
、イオンミーリング等の乾式エツチングでも同様の効果
が得られる。
また、上記実施例では、基板としてＢ ｉ ＋ ｚ Ｇ
ｅ Ｏ□。
ｅ Ｏ□。
基板を例に挙げて説明したが、ＬｉＮｂ０．基板やＬ
ｉ Ｔ ａ Ｏ：１基板や水晶基板等の圧電基板であっ
てもよく、上記実施例と同様の効果を奏する。
ｉ Ｔ ａ Ｏ：１基板や水晶基板等の圧電基板であっ
てもよく、上記実施例と同様の効果を奏する。
また、上記実施例のＭ、Ｏ，Ａｕ中には、Ａｕとベース
樹脂以外にビヒクルとしてＢｉ （ビスマス）やＶ（
バナジュウム）等の元素が添加物として含まれており、
この添加物が焼成時に基板（母材）最表面に拡散してお
り、Ｍ、０．Ａｕ膜のエンチング後も表面に残留し表面
弾性波デバイスの特性を劣化させる要因となる場合があ
る。（ペーストメーカーによって添加物や添加量が異な
る。）このため、この拡散層をライトエツチングすると
、より良い結果が得られる。
樹脂以外にビヒクルとしてＢｉ （ビスマス）やＶ（
バナジュウム）等の元素が添加物として含まれており、
この添加物が焼成時に基板（母材）最表面に拡散してお
り、Ｍ、０．Ａｕ膜のエンチング後も表面に残留し表面
弾性波デバイスの特性を劣化させる要因となる場合があ
る。（ペーストメーカーによって添加物や添加量が異な
る。）このため、この拡散層をライトエツチングすると
、より良い結果が得られる。
また、上記の添加物や添加量をコントロールすることに
より表面弾性波デバイスの特性を意図的に変化させるこ
とができる。
より表面弾性波デバイスの特性を意図的に変化させるこ
とができる。
〔発明の効果］
以上のように、この発明によれば導体膜をＭ。
０ 、 Ａ ｕ膜で形成したので安価な装置で形成でき
、また大気中で連続して形成できるため量産性が高く、
安価なＳＡＷデバイスが提供できる。また、特に導体膜
としてＡｕ膜を使用すると、断線不良や短絡不良が皆無
に近（なり、ワイヤーボンディング接合強度が向上する
等、総合的な信頼性が向上する。
、また大気中で連続して形成できるため量産性が高く、
安価なＳＡＷデバイスが提供できる。また、特に導体膜
としてＡｕ膜を使用すると、断線不良や短絡不良が皆無
に近（なり、ワイヤーボンディング接合強度が向上する
等、総合的な信頼性が向上する。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は第１図（ｄ）に示すこの発明の
一実施例によるＳＡＷデバイスに至るまでの製造工程を
説明するためのＡ−Ａ断面図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は
第２図（ｄ）に示す従来のＳＡＷデバイスに至るまでの
製造工程を説明するためのＡ−Ａ断面図である。 ｌはＢＧＯ基板（基板）、３はＭ、Ｏ，Ａｕ膜（導体膜
）、４はフォトレジスト。 尚、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 特許出願人 三菱電機株式会社 第 図 （ｄ）
一実施例によるＳＡＷデバイスに至るまでの製造工程を
説明するためのＡ−Ａ断面図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は
第２図（ｄ）に示す従来のＳＡＷデバイスに至るまでの
製造工程を説明するためのＡ−Ａ断面図である。 ｌはＢＧＯ基板（基板）、３はＭ、Ｏ，Ａｕ膜（導体膜
）、４はフォトレジスト。 尚、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 特許出願人 三菱電機株式会社 第 図 （ｄ）
Claims (1)
- 基板の表面に導体膜を形成してなる表面弾性波デバイス
の製造方法において、前記導体膜の形成は金属有機化合
物の印刷・焼成により行うことを特徴とする表面弾性波
デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25477988A JPH02104010A (ja) | 1988-10-12 | 1988-10-12 | 表面弾性波デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25477988A JPH02104010A (ja) | 1988-10-12 | 1988-10-12 | 表面弾性波デバイスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02104010A true JPH02104010A (ja) | 1990-04-17 |
Family
ID=17269767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25477988A Pending JPH02104010A (ja) | 1988-10-12 | 1988-10-12 | 表面弾性波デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02104010A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8677582B2 (en) * | 2006-03-02 | 2014-03-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for fabricating acoustic wave device |
-
1988
- 1988-10-12 JP JP25477988A patent/JPH02104010A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8677582B2 (en) * | 2006-03-02 | 2014-03-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for fabricating acoustic wave device |
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