JPH02104657A - 電気伝導性の金属酸化物被覆 - Google Patents

電気伝導性の金属酸化物被覆

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JPH02104657A
JPH02104657A JP1221385A JP22138589A JPH02104657A JP H02104657 A JPH02104657 A JP H02104657A JP 1221385 A JP1221385 A JP 1221385A JP 22138589 A JP22138589 A JP 22138589A JP H02104657 A JPH02104657 A JP H02104657A
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layer
oxide layer
tin
indium
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JP1221385A
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English (en)
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David C Koskenmaki
デビッド　クラレンス　コスケンマキ
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3M Co
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Minnesota Mining and Manufacturing Co
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 この発明は基盤上に金属酸化物被覆を形成する方法、詳
しくは、透明で電気伝導性のある金属酸化物層合体に関
する。
インジウム酸化物及びインジウム−スズ酸化物のような
金属酸化物被膜は、透明で電気伝導性があることが知ら
れている。透明で電気伝導性の被膜は、例えば太陽熱エ
ネルギ変換、太陽光電池変換、太陽熱、スタチックコン
トロールフィルム、高力レーザ技術における耐レーザ被
覆、光電気化学セルにおける光陽極として、及びエレク
トロルミネセンスの応用における表面層として使われる
。＾、Ｌ、Ｏａｗｅｒ、　Ｓ、Ｇ、Ｊｏｓｈｉ、半゛導
体透明薄膜のレビュー；その特性と応用、　料科学　Ｊ
ｏｕｒｎａｌ　ｏｆＭａｔｅｒｉａｌ　５ｃｉｅｎｃｅ
）　、ｌ　９、（１９８４）ｔｌｐ、１−２３参照。
金属酸化物被膜の用途は周知であったが、金属酸化物被
膜の製造に関するプロセスはおそく高価であった。イン
ジウム酸化物とインジウム−スズ酸化物は２つの周知の
金ａ酸化物で、低い電気抵抗と高い光透過性をもつ薄膜
を形成することができる。インジウム酸化物とインジウ
ム−スズ酸化物の被膜は、例えばマグネトロンスパッタ
リング又は、注意深く制御された間の酸素及びアルゴン
を含む雰囲気において基盤上にインジウム又はインジウ
ム−スズ酸化物を蒸着することによってつくることがで
きる。しかしこのプロセスは極めておそ＜　ａｌｌ　’
ａ　Ｓ　Ｍ　Ｌ、いので極めて高価である。
従ってインジウム又はインジウム−スズ酸化物のような
金属酸化物の被覆が速く経済的につくることができるプ
ロセスに対する必要性がある。更に、電気伝導性で十分
な伍の可視光線が被覆を通過することができる金属酸化
物被覆の製造に対する必要性がある。この発明は基盤と
高分子保護被覆の間に支持される金属酸化物被覆の形成
に対する速くて経済的なプロセスを提供する。
この発明の要約 この発明は基盤と高分子被覆の間に支持される連続金属
酸化物被膜の形成に対する、筒車で、速くて、そして経
済的な方法を提供する。この方法は基盤上への金属の連
続層の析出、金属表面への金属酸化物層の形成、効果的
な量のフラックス剤の酸化物層への接触、前述の酸化物
層への高分子保ａｌｌの提供、及び金属層の溶融による
不連続ミクロ球体の形成のステップを含む。
このプロセスは好ましくは以下のステップを含む。即ち
、 真空容器中に好適な金属蒸気、好ましくはインジウム、
スズ、インジウム−スズ、カドミウム、カドラミラム−
スズ、又はアンチモン又はフッ素をもつ金属又は合金の
金属蒸気を形成し；そして露出面をもつ連続した金ｊＩ
層の形で高分子基盤上にその金属蒸気を蒸着し： 酸素の存在下でその金属を加熱することによって金属の
露出面に酸化物層を形成し： 金属の酸化物層を効果的な聞のフラックス剤で処理し： 金属酸化物層に＾分子保護液Ｎ層を浦し；そしてこの複
合体を十分加熱して金ＲＦｍを融がし、そのＷｊａｋａ
屈が、金属酸化物層に着床づる複数の不連続ミクロ球体
を形成する。
フラックス剤の６効果的な措”は金属酸化物層を浸透し
、金ｊｌｊｆｌ化物と金属そのものとの間の結合をゆる
め又は弱くし、金属層が融けたときその金属のミクロ球
体を形成するのに必要な量として定轟される。ここで使
われる用Ｎ″着 床　ｅｍｂｅｄｄｅｄ）“及びその変形は、酸化物層と
金属ミクロ球体が互に接触しているすべての形態を含む
ものとして定義される。ここで使われるように金属の露
出面への金属酸化物の形成は、この技術で知られている
ように、金属の表面を酸化してそこに金属酸化物層を形
成することを意味する。酸化物層は表面に析出するので
はなくそれに代えて金属層の１部が金属酸化物層になる
のである。
このプロセスは基盤と高分子層の間に支持された金属ミ
クロ球体と金属酸化物層をもつ複合体をつくる。不連続
の台底ミクロ球体は金属酸化物の連続層に着床する。こ
の層は基盤と保護高分子被覆の間に支持される。
この　明の詳細な説明 この発明は基盤と高分子層の間に支持された金属酸化物
被膜の製造が可能な速くて［法的な方法を提供する。金
属酸化物被膜は連続で、好ましくは電気伝導性で且つ透
明であり、そして着床した不連続の金属ミクロ球体をも
つ。
第７図にはこの発明の複合体の所面模型図が示されてい
る。基盤１は金属酸化物層２の連続！Ｉ！！覆を支持し
ている。金属酸化物層２はそこに着床する複数の不連続
金属ミクロ球体３をもっている。
高分子保護液１４が金属酸化物層２の先端表面５に被覆
されている。
成　　　分 多岐に亘る材料がこの発明の！！盤として使用できる。
多くの高分子及び非高分子材料が！！盤どして好適であ
ることが判明している。その基盤はその上に析出する液
体金武層をもつことが可能でなければならない。その基
盤は又透明であり、複合体の予定されている特定の最終
用途により指示されるその伯の特性をももつことが好ま
しい。
この発明に用いるために選ばれる高分子には下記のもの
が含まれる。
ポリスチレン、スチレン／アクリロニトリル共重合体、
高分子スチレン、アクリロニトリル及びブタジェンを含
む共重合体くしばしばＡＢＳポリマーと呼ばれる）、ス
チレン／ブタジェン共重合体、ゴムで改質したスチレン
ポリマー、スチレンホスゲン及びビスフェノールＡ及び
／又はフェノールフタレインからつくられたものを含む
ポリカーボネート、ポリエチレンテトラフタレートのよ
うなポリエステル、ポリ（メチルメタクリレート）のよ
うなアクリル樹脂、ポリホルムアルデヒドのようなボリ
アセチル樹脂、ポリアクリロニトリルのようなニトリル
樹脂及びアクリロニトリル／メチルメタクリレ−１・共
重合体のようなり一エチレニカルに不飽和のニトリルの
その他のポリマー、ポリイミド、ナイロンのようなポリ
アミド、ポリエチレン及びポリプロピレンのようなポリ
オレフィン、ポリ塩化ビニルのようなポリビニルハライ
ド、塩化ビニリデンホモポリマー及び共重合体、ポリウ
レタンのようなエンジニアリングプラスチック；ボリア
ａマー：ｉ！！化ポリフェニレン：ポリ四フッ化エチレ
ンのようなフッ化オレフィンのポリマー、シリコーンポ
リマー：及びヒルロースポリマー。
基盤の厚さはこの発明の実用化には特に重要でなく、複
合体が設計された最終用途によって指示される特性及び
性質によって決定されるであろう。
このような最終用途の特性又は性質には、透明性、可撓
性、引張強さ、耐蝕性等が含まれる。
金属層を含みそしてこの発明の複合体の金属酸化物層を
形成するのに使われる金属は、好ましくは酸化物の形に
おいて可視光線の透過性があり低い電気抵抗をもつもの
である。この金属は又好ましくはこの発明に用いるよう
選ばれた基盤又は保護高分子の劣化点より低い融点をも
つべきである。
好ましい金属はインジウム、インジウム−スズ、カドミ
ウム、カドミウム−スズ、それらの混合物、及びアンチ
モン又はフッ素でドープされた金属又は合金を含む。イ
ンジウム及び重量で５から２５パーセントのスズ成分を
もつインジウム−スズ合金は特にこの発明に用いて好ま
しい。
この発明のプロセスの性質のために、”金属“及び”金
属酸化物″という術語が使われるとぎは、それらは金属
又は金属合金を又それら特定の金属又は金属合金の酸化
によってつくられた酸化物を示すものと理解すべきであ
る。術語”金属″は実質的に純金属、合金、及び混合物
を示す。
この発明のフラックス剤は金属酸化物層に滲透し、金属
酸化物層と金属層との間の結合を十分にゆるめ又は弱く
し、金属層が融けたとき不連続の金属ミクロ球体を形成
しそれを連続金属酸化物層にそのまま残すところの組成
物である。好適なフラックス剤の例としては、酢酸、塩
化亜鉛、リン酸、希塩酸、及びこの発明に用いられる特
定の金属及び金ｉｉ＊化物に対するその他の既知のフラ
ックス剤を含む。
フラックス剤は金８１Ｆｒｉと金属酸化物層との間の結
合を十分にゆるめ、金ｊＩ層の溶融によるミクロ球体を
形成させるのに十分な濃度で用いるべきであるが、金属
酸化物層、基盤、又は高分子保護層を溶かしたり、腐食
したり、又はその信実化させたりしないよう十分弱くな
ければならない。フラックス剤は十分揮発性でフラック
ス作用が完了したら蒸発することが好ましい。もしフラ
ックス剤が系から蒸発すれば、あとで複合体の成分を劣
化させる危険はなくなるだろう。
この発明に使われる好適な保護高分子は、既に検討した
基盤に用いて好適な高分子の広い範囲から選ぶことがで
きる。若しフラックス剤が液体高分子保護剤に溶け、同
時に酸化物層に被覆されることが望ましければ、選ばれ
た特定のフラックス剤と保ｒｓ高分子は相溶性でなけれ
ばならない。フラックス剤は高分子保′ｒ！！層が硬化
している間に及びあとで、液体ポリマーに溶けるべきで
ある。
プロセスパラメータ この発明のプロセスは最初に基盤上への金属層の析出を
含む。好ましい析出法は真空蒸着である。
金属蒸気は真空容器中で生成し、この金属の連続層が高
分子基盤上に蒸着される。−殻内な蒸着プロセスにおい
ては連続層ｍ層を形成する最小厚さは少くとも５００オ
ングストロームである。１層以上の金属層の蒸着が可能
であり、又は異った金属の複数の層も蒸着可能である。
真空中での金属蒸気の好ましい生成法はいくつかの蒸発
法のひとつである。スパッタリングによって生成された
金属蒸気も又好適であるが、−殻内には蒸着がおそい。
蒸発の好ましい形式は電子ビームを用いた金属の加熱方
法による蒸発法である。−殻内には金属は小さい水冷の
金属坩堝におかれ、そして電子ビームがつくられ、坩堝
の中の金属に磁界法によって焦点を結ぶ。通常は約０．
１から１アンペアのｔ流が１０，０００ボルトに加速さ
れ金属が蒸発する。＾１ｒｃｏ　Ｔｅｍｅｓｃａｌから
市販される電子ビーム装置は好適な装置の１例である。
その他の金属又は金属等を蒸発する方法には抵抗加熱及
び誘導加熱が含まれる。
金属蒸気がつくられた後、それは真空容器を通ってそめ
上にある基盤の表面に蒸着するところまで上る。基盤は
所望の厚さをもつ金属層を蒸着するのに十分な速さで真
空容器中の金属蒸気を通過する動くウェアであることが
好ましい。より薄い層は金属の島を形成し、所望の連続
金属層を形成しない傾向があるので、少くとも約５００
オングストロームの厚さの層は一般的には高分子基盤の
□　上に形成されなければならない。
電子ビーム蒸発又は他の蒸発法は、広い範囲の蒸着速度
でそして広い範囲の厚さでＭ＠の上に蒸着するのに使う
ことができる。蒸着金属層の厚さは約５００から約１．
０００オングストロームが好ましい。
金属層が高分子基盤上に析出した後、金属層の露出面は
酸化される。金属層の露出面とは、基盤と接触していな
い金属の側面を意味する。金属の露出面の酸化は、被覆
された基盤を酸素の存在下で十分な厚さの酸化物をつく
るのに十分長時間単におくことによって完成することが
できる。しかし高分子基盤上に被覆された金ＲＮは酸化
物層の形成を促進するために酸素の存在下で加熱するこ
とが好ましい。その金属は金属層の早期の融解を起す温
度まで加熱してはならない。インジウム又はインジウム
−スズの場合にはこの温度は約９０℃から約１５０℃で
１時間又はそれ以上が好ましい。
酸化物層は、電気抵抗が十分低く且つ層の強さが最終複
合体中に連続した酸化物層が残るのに十分なだけの、十
分な厚さをもって形成される。インジウム又はインジウ
ム−スズの場合には約５０から１００オングストローム
の間の酸化物層が十分低い抵抗と十分な強さをもつこと
が判明し、光学的に透明で且つ形成が速い。
インジウム酸化物被膜とインジウム−スズ酸化物被膜は
（他の酸化物と同様に）Ｍ素に対する拡散防壁として作
用し、又一定の厚さにおいてそれ以上の酸化を防ぐよう
に同時に作用する。その醇化物の厚さはａ＠酸酸霧雰囲
気中アニールづることにより、又この被膜を酸素プラズ
マで、又はオゾンのような強い酸化剤を使って処理する
ことにより、過去のこの厚さを増やすことができる。
高分子基盤上に金属層が析出したあと、要求によって、
金属の酸化に影響するようにロールに形成することがで
きる。又金属／高分子ウェブの内側の層を気孔のある紙
で巻くことが、得られた酸化物層の酸化の速成を上げる
ことも発見された。
金属酸化物層が形成されたあと、次のステップは右動な
濃度と檄のフラックス剤を用いて金属酸化物と金属の間
の結合をゆるめることである。もしフラックス剤を使わ
ないか又は十分’Ｊ　１度又は吊を使わないと、ミクロ
球体の形成は妨害されるだろう。フラックス剤は酸化物
層に滲透し、酸化物と金属の間の結合を弱める。酸化物
と金属の間の結合は後のステップでミクロ球体が自由に
形成されるように十分弱められなければならない。
酸化物層がフラックス剤で処理されたあと、高分子保護
層が金属酸化物に施される。高分子保護被覆は酸化物層
を支え、金属層が融けてミクロ球体を形成するとき、そ
れが破壊したり不連続になったりしないように保持する
。高分子保護被覆は可視光線が通過することができるよ
うに透明であることが好ましい。
フラックス剤は液状の高分子保護被覆に溶解しその■合
物を金属酸化物層に塗布してもよい。もしこれを行う場
合は高分子とフラックス剤は相溶であることが好ましい
。
高分子保護層が浦されそして金属酸化物層を適当に保護
するのに十分な密度に乾燥され又は硬化された掛、金属
層は溶融され不連続のミクロ球体を形成する。不連続の
金属ミクロ球体は金属酸化物層に着床する。金属酸化物
層及び金属ミクロ球体は共に基盤と高分子保護層の間に
支持される。
もし金属酸化物層、基盤、及び高分子層が透明であれば
、複合体はミクロ球体が通過１ｙる光の極めて少ししか
ブロックしないので透明であろう。
金属ミクロ球体は金属層がミクロ球体をつくるのに十分
なだけ液状になったときに形成される。
ミクロ球体は一般的には金属層を加熱することによって
つくられる。金属層を加熱するひとつの方法は、金属酸
化物、基盤、又は高分子層の劣化を伴わないで、金属層
を融かずのに十分な温度をもった熱ロール上を速やかに
＾分子複合体を通過させることである。金属層が融けた
あと、金属は通常肉眼では見えない極めて小さい普通０
．５から３ミクロンの不連続ミクロ球体を形成する。例
えば、厚さ１０００オングストロームの金属層は一般的
に約２ミクロンの平均径をもつ金４ミクロ球体を形成す
る。これらの金属ミクロ球体は十分離れた間隔をもって
いるので、可視光線が金属酸化物及び金属ミクロ球体の
層を通過するときに極めて少ししかブロックされない。
通常の金属酸化物この発明は次の制約されない実施例に
よって更に詳述される。
支１叢ユ この発明の複合体は最初に３Ｍ社によってつくられた幅
２５ｃＩｌ厚さ０．０２５Ｍのポリエステル３０．５７
７１を真空ウェブコーターに供給することによってつく
られた。このコーターは直径４０ａＲのチルロールと取
りあげ及び送りロールをもっていた。このコーターはチ
ルロールの２５ＣＩＲ下方に電子ビーム源をもつ。蒸発
源とこれに対応する動力供給装置はＡｉｒＣＯＴｅ１ｅ
ＳＣａｌによってつくられた。
蒸発ポットは断熱と、より効率的な蒸発を提供するため
に、０．１６ａ＋の厚さのジルコニアフェルトで内張す
された。３００グラムのインジウムのサンプルがそのポ
ットに入れられた。真空容器は２×１０−５トルの圧力
まで吸引された。ウェアはチルロールに接触しながら１
６α／秒で送られインジウムはポットの中に当てられた
１ＱＫｅＶ０．１６アンペアの電子ビームによって蒸発
した。
これらの条件の下に厚さ１０００オングストロームのイ
ンジウム膜がポリエステル上に形成された。
インジウムの厚さはポリエステル基盤から反射するＸ−
線のインジウム層中での吸収を測定して決定された。
３．７５ａＸ２２．５ｃＩＲのサンプル１０個がウェア
から切りとられ１１０℃の炉におかれた。サンプルは１
つずつ１５分から１９時間までの異った経過時間後取り
出された。各サンプルの３．７５ｃ＊Ｘ３．７５１の面
積が、５０ｍの水に溶けた１０ｇのポリビニルピロリジ
ノン（ＰＶＰ）（Ｋ２Ｏ、分子間６０．０００）と、１
０Ｍ１の氷酢酸、及び１滴の界面活性剤（タージトール
Ｂｕｒｇｉｔｏｌ　）　Ｔ　Ｍ　Ｎ　）の混合物で被覆
された。被覆は′　　空気乾燥された。各サンプルのポ
リエステル側はそのあと約１秒間１７５℃のホットプレ
ート面に接触するように置かれると、インジウム金属膜
はンプルに対し次の電気抵抗値が得られた。
０　　　　　　　　　〉５０メグオーム０．２５　　　
　　　　３０メグオーム０．５　　　　　　　１．７メ
グオーム１．０　　　　　　１５．８キロオーム１．５
　　　　　　　　８キロオーム ２．０　　　　　　　　６キロオーム ２．５　　　　　　　　４キロオーム ３．０　　　　　　　　４キロオーム １６　　　　　　　　　　３キロＡ−ム１９　　　　　
　　　　　３キロオーム大Ｊ１九ｌ この発明の複合体は、ポットに２５０Ｊのインジウムと
１０ｇのスズが入れられ、ウェアの速さが５α／秒にセ
ットされた１ス外は、実施例１に記載の方法でつくられ
た。その他の条件は実施例１と同一であった。インジウ
ムの蒸気圧がスズのそれより極めて高い（１２５０℃で
約１００倍）ので、蒸発した被膜合金はポットが空にな
るまで１Ｏ％以上のスズは含まなかった。この実験の終
了までに被覆された良さ３．ａｍのポリエステルの１片
は、その中央点で１０００オングストロームの厚さで、
約９０１７１％のインジウムと１０重Ｍ％のスズの組成
をもっていることが判った。ポリエステルは固くロール
に巻かれ約８０℃の炉中に５２時間おかれた。そのサン
プルは中央点において実施例１のＰＶＰ−酢酸混合物で
被覆され乾燥された。サンプルが１７５℃に加熱され過
剰のイをもつことが判った。
衷１０１旦 この発明の複合体は、ポットに１５５ｇのスズと５２９
のインジウムが入れられたこと以外は実施例１に記載の
方法に従ってつくられた。電子ビームは１０にｅｖと０
．１２アンペアにセットされ、ウェブの速度は５υ／秒
とした。ＩＲられた合金膜は３ｍの間隔でＸ線回折及び
ｘ！！蛍光を用いて分析され次の組成を有することが判
った。
ウェアの位置　　　　　　紺　　　成 （下方へ）　　　　　　　（スズ重量％）、３５ ３、０５　　　　　　　　　９ ６．１　　　　　　　　　１９ ９．１５　　　　　　　　３２ １２．２　　　　　　　　　４５ １５．２５　　　　　　　　７１ １８．３　　　　　　　　　８６ ２１．３５　　　　　　　　９４ ２４．４　　　　　　　　　９８ ウエアの下方に１．５メートルの位置のサンプル（約７
重問％のスズを含む）が１１０’Ｃで１時周加熱された
。このサンプルの約６．５α２かに対する直径３ｊＩＩ
Ｉの円形サンプルがウェアの端に近い領域から打抜かれ
た。この領域は蒸発室のシールドによって部分的にマス
クされていたのでインジウムースズの薄い被覆をもって
いた。その後でポリエステルＭｆＡは７０℃のオルトク
ロロフェノール中でポリエステルを溶かすことによって
除かれた。その膜は４００メツシユの銅網で支えられ、
アセトンで洗浄された。その膜はＪＥＯＬ２００　　Ｃ
Ｘ伝送電子顕微鏡で試論された。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の複合体の断面模型図で、基盤と高分
子層の間に支持された金属ミクロ球体と金硯醒化物層を
示す。図面は必ずしも縮尺寸法に合ってない。

Claims (26)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）次のステップを含む基盤上の金属酸化物被膜の形
    成方法。 ａ）基盤上への連続金属層の析出であつて前述の金属層
    が露出表面をもつもの； ｂ）前述の露出表面への金属酸化物層の形成； ｃ）前述の酸化物層と有効量のフラックス剤との接触； ｄ）前述の酸化物層への高分子保護層の形成；及び ｅ）前述の金属層の溶融による不連続金属ミクロ球体の
    形成。
  2. （２）請求項（１）に記載の方法であつて、前述の金属
    層が真空容器中における蒸気の生成により、そして真空
    蒸着法により前述の基盤上に析出されることを特徴とす
    る方法。
  3. （３）請求項（１）に記載の方法であつて、前述の金属
    層が、インジウム、インジウム−スズ、スズ、カドミウ
    ム、カドミウム−スズ、それらの混合物を構成するグル
    ープから選ばれた金属、及びアンチモン又はフッ素でド
    ープされたそのような金属、合金及び混合物を含むこと
    を特徴とする方法。
  4. （４）請求項（３）に記載の方法であつて、前述の金属
    層が実質的に純粋なインジウム及び重量で約５％から約
    ２５％のスズを含有するインジウム−スズ合金で構成す
    るグループから選ばれた金属を含むことを特徴とする方
    法。
  5. （５）請求項（２）に記載の方法であつて、前述の蒸気
    が前述の金属の蒸発によつて生成されることを特徴とす
    る方法。
  6. （６）請求項（５）に記載の方法であつて、前述の金属
    が電子ビーム蒸発法によつて蒸発されることを特徴とす
    る方法。
  7. （７）請求項（１）に記載の方法であつて、前述の酸化
    物層が酸素の存在下で前述の金属層を加熱することによ
    つて形成されることを特徴とする方法。
  8. （８）請求項（１）に記載の方法であつて、前述の酸化
    物層が約５０００Ω□以下の抵抗をもつことを特徴とす
    る方法。
  9. （９）請求項（８）に記載の方法であつて、前述の酸化
    物層が約５０から約１００オングストロームの厚さをも
    つことを特徴とする方法。
  10. （１０）請求項（１）に記載の方法であつて、前述のフ
    ラックス剤が弱酸であることを特徴とする方法。
  11. （１１）請求項（１０）に記載の方法であつて、前述の
    酸が十分に揮発性で、実質的に処理後１時間以内に前述
    の複合体から蒸発することを特徴とする方法。
  12. （１２）請求項（１）に記載の方法であつて、前述の金
    属層が、前述の基盤、金属層、金属酸化物層及び保護高
    分子を約１１５℃から約２００℃の間の温度で約０．１
    から約５秒の間加熱することによつて溶融されることを
    特徴とする方法。
  13. （１３）請求項（１）に記載の方法であつて、前述の金
    属酸化物被膜が透明で電気伝導性であることを特徴とす
    る方法。
  14. （１４）次のステップを含む金属／高分子複合体の形成
    方法。 （ａ）その中が実質的に真空である容器の準備： （ｂ）前述の容器の中において、インジウム、インジウ
    ム−スズ、スズ、カドミウム、カドミウム−スズ、それ
    らの混合物から選ばれた金属、及びアンチモン又はフッ
    素でドープされたそのような金属、合金及び混合物の蒸
    発による金属蒸気の生成： （ｃ）少くとも約５００オングストロームの厚さをもつ
    金属層を高分子基盤上へ形成するために前述の基盤上へ
    の前述の蒸気の蒸着であつて、前述の金属層が露出した
    表面を有するもの： （ｄ）前述の高分子基盤及び前述の金属層を酸素の存在
    下において約９０℃から約１５０℃の間の温度で、約５
    ０から約１００オングストロームの厚さの金属酸化物層
    を前述の露出面に形成するのに十分な時間の加熱： （ｅ）前述の金属酸化物層と有効量の弱酸との接触：及
    び （ｆ）前述の酸化物層を高分子保護層で被覆。
  15. （１５）請求項（１４）に記載の方法であつて、その間
    に金属層と酸化物層をもつ前述の基盤及び保護高分子が
    、前述の金属層を融かすのに十分な温度まで加熱されて
    不連続の金属ミクロ球体を形成することを特徴とする方
    法。
  16. （１６）請求項（１４）に記載のプロセスであつて、前
    述の金属が電子ビーム蒸発法によつて蒸発されることを
    特徴とするプロセス。
  17. （１７）請求項（１４）に記載のプロセスであつて、前
    述の有効量の酸が前述の保護高分子に溶け、その混合物
    が前述金属酸化物層に被覆されることを特徴とするプロ
    セス。
  18. （１８）以下を含む金属／高分子複合体： （ａ）基盤； （ｂ）前述の基盤に支持された金属酸化物層であつて、
    前述の酸化物層がその連続酸化物層中に着床した前述の
    金属の不連続ミクロ球体を含むもの；及び （ｃ）前述の金属酸化物層にオーバレイされた保護高分
    子。
  19. （１９）請求項（１８）に記載の複合体であつて、前述
    の金属がインジウム、インジウム−スズ、カドミウム、
    カドミウム−スズ、及びアンチモン又はフッ素でドープ
    されたそのような金属からなるグループから選ばれたこ
    とを特徴とするもの。
  20. （２０）請求項（１９）に記載の複合体であつて、前述
    の基盤が高分子を含むことを特徴とするもの。
  21. （２１）請求項（２０）に記載の複合体であつて、前述
    の金属が実質的に純粋なインジウム及び重量で約５％か
    ら約２５％のスズを含有するインジウム−スズ合金で構
    成するグループから選ばれたことを特徴とするもの。
  22. （２２）請求項（２０）に記載の複合体であつて、前述
    の連続酸化物層が約５０から約１００オングストローム
    の厚さであることを特徴とするもの。
  23. （２３）請求項（２０）に記載の複合体であつて、前述
    の不連続金属ミクロ球体が約０．５から約３．０ミクロ
    ンの平均直径をもつことを特徴とするもの。
  24. （２４）請求項（１９）に記載の複合体であつて、前述
    の複合体が透明で電気伝導性であることを特徴とするも
    の。
  25. （２５）請求項（１４）の方法によつてつくられた不透
    明金属高分子複合体。
  26. （２６）請求項（１５）の方法によつてつくられた実質
    的に透明な金属高分子複合体。
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