JPH0210510A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH0210510A JPH0210510A JP15910788A JP15910788A JPH0210510A JP H0210510 A JPH0210510 A JP H0210510A JP 15910788 A JP15910788 A JP 15910788A JP 15910788 A JP15910788 A JP 15910788A JP H0210510 A JPH0210510 A JP H0210510A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic core
- magnetic
- coil
- gap
- core
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ビデオテープレコーダなどに用いて好適表薄
膜磁気ヘッドに係わシ、特に、そのコイルの構造に関す
る。
膜磁気ヘッドに係わシ、特に、そのコイルの構造に関す
る。
従来の薄膜磁気ヘッドとしては、たとえば特開昭６２−
９７１１９号公報に開示されるように、下部磁気コアと
上部磁気コアとの間に多層多巻コイルの一部が通るよう
にした構造のものが知られている。かかる構造の薄膜磁
気ヘッドは、全てフォトリゾグラフィック技術を用いて
作成することができるから、バルク温の磁気ヘッドに比
べ、磁気コアや磁路長を極小化できて小屋になるという
特徴がある。
９７１１９号公報に開示されるように、下部磁気コアと
上部磁気コアとの間に多層多巻コイルの一部が通るよう
にした構造のものが知られている。かかる構造の薄膜磁
気ヘッドは、全てフォトリゾグラフィック技術を用いて
作成することができるから、バルク温の磁気ヘッドに比
べ、磁気コアや磁路長を極小化できて小屋になるという
特徴がある。
ところで、上記従来の薄膜磁気ヘッドにおいては、下部
磁気コアと上部磁気コアとが、一方では近接して磁気ギ
ャップを形成し、他方では互いに接続しておシ、コイル
が通るこれら磁気コア間には絶縁層が設けられ、下部磁
気コアと上部磁気コアとで磁路が形成されているが、磁
気ギャップから流入する磁束はこの磁路のみを通るので
はなく、下部磁気コアと上部磁気コアとの間の絶縁層に
漏洩する磁束もある。このために、充分な再生特性が得
られないという問題がありた。以下、この点についてよ
）詳細に説明する。
磁気コアと上部磁気コアとが、一方では近接して磁気ギ
ャップを形成し、他方では互いに接続しておシ、コイル
が通るこれら磁気コア間には絶縁層が設けられ、下部磁
気コアと上部磁気コアとで磁路が形成されているが、磁
気ギャップから流入する磁束はこの磁路のみを通るので
はなく、下部磁気コアと上部磁気コアとの間の絶縁層に
漏洩する磁束もある。このために、充分な再生特性が得
られないという問題がありた。以下、この点についてよ
）詳細に説明する。
第６図において、上部磁気コア２２と下部磁気コア２３
との間にコイルの２つの導線２５．２６が配置されてい
るものとする。つまシ、ここでは、コイルの巻数を２と
している。上部磁気コア２２と下部磁気コア２３とは、
一方では近接して磁気ギャップ２１を構成し、他方では
直接接続されて接続部２４を構成している。導線２５は
磁気ギャップ２１側に、導線２６は接続部２４側に夫々
配置されている。
との間にコイルの２つの導線２５．２６が配置されてい
るものとする。つまシ、ここでは、コイルの巻数を２と
している。上部磁気コア２２と下部磁気コア２３とは、
一方では近接して磁気ギャップ２１を構成し、他方では
直接接続されて接続部２４を構成している。導線２５は
磁気ギャップ２１側に、導線２６は接続部２４側に夫々
配置されている。
かかる構造の薄膜磁気ヘッドで信号再生を行なうと、上
部磁気コア２２と下部磁気コア２３とによって形成され
る磁路に沿って信号磁束が流れるが、第６図では、記録
媒体（図示せず）から上部磁気コア２２に信号磁束が流
入し、下部磁気コア２３から記録媒体に信号磁束が流出
するものとしている。上部磁気コア２２から流入した信
号磁束は接続部２４を通して下部磁気コア２３に流れる
が、その一部は、接続部２４を通らずに、上部磁気コア
２２からこれと下部磁気コア２３との間に漏洩し、下部
磁気コア２５に流れ込む。
部磁気コア２２と下部磁気コア２３とによって形成され
る磁路に沿って信号磁束が流れるが、第６図では、記録
媒体（図示せず）から上部磁気コア２２に信号磁束が流
入し、下部磁気コア２３から記録媒体に信号磁束が流出
するものとしている。上部磁気コア２２から流入した信
号磁束は接続部２４を通して下部磁気コア２３に流れる
が、その一部は、接続部２４を通らずに、上部磁気コア
２２からこれと下部磁気コア２３との間に漏洩し、下部
磁気コア２５に流れ込む。
そこで、いま、上部磁気コア２２から流入した信号磁束
量をΔ。、接続部２４を通る信号磁束量をΔａｎｔ導線
２５．２６間の漏洩信号磁束量を８１１ を導線２６．
接続部２４間の漏洩信号磁束量をＯＬ２とすると、上部
磁気コア２２．下部磁気コア２３での磁気ギャップ２１
からの奥行距離Ｘに対する信号磁束量σは、導線２５の
距離まではｚｏであるが、導線２６の距離ではσ。−８
ｔ１ ＊接続部２４ではΔ。−”ｔｌ−Δｔ２ ＜＝ｅ
ｃカ）となυ、距離Ｘが増大するとともに減少する。こ
の距離Ｘと信号磁束量２との関係は次式 で表わされ、距離Ｘと信号磁束量ｚ０に対する相対信号
量との関係は第７図に示すようになる。
量をΔ。、接続部２４を通る信号磁束量をΔａｎｔ導線
２５．２６間の漏洩信号磁束量を８１１ を導線２６．
接続部２４間の漏洩信号磁束量をＯＬ２とすると、上部
磁気コア２２．下部磁気コア２３での磁気ギャップ２１
からの奥行距離Ｘに対する信号磁束量σは、導線２５の
距離まではｚｏであるが、導線２６の距離ではσ。−８
ｔ１ ＊接続部２４ではΔ。−”ｔｌ−Δｔ２ ＜＝ｅ
ｃカ）となυ、距離Ｘが増大するとともに減少する。こ
の距離Ｘと信号磁束量２との関係は次式 で表わされ、距離Ｘと信号磁束量ｚ０に対する相対信号
量との関係は第７図に示すようになる。
一方、導線２５．２６に誘起される信号電圧は夫々の鎖
交信号磁束量に比例する。第６図によシ、導線２５の鎖
交信号磁束量は、 ｓｔ１＋ ｓＬ２＋ ｓＣ，＝ ｓＣ であるが、導線２６の鎖交信号磁束量は、ｅｔ２＋ ｊ
’ｃ］ ＝ｇｃ−ｙｉＬ１となる。したがって、導線の
鎖交信号磁束量は、この導線の距離Ｘにおける磁気コア
中の信号磁束量に等しく、これは第７図に示すように距
離Ｘで異なるから、導線の磁気ギャップ２１からの距離
Ｘに応じて鎖交信号磁束量が異なることになシ、かつ距
離Ｘが大きい位置にある導線はど鎖交信号磁束量が少な
く、したがって誘起される信号電圧も小さくなる。この
ようにして、導線間に再生効率の差異が生じ、コイルに
充分な再生特性が得られないことになる。
交信号磁束量に比例する。第６図によシ、導線２５の鎖
交信号磁束量は、 ｓｔ１＋ ｓＬ２＋ ｓＣ，＝ ｓＣ であるが、導線２６の鎖交信号磁束量は、ｅｔ２＋ ｊ
’ｃ］ ＝ｇｃ−ｙｉＬ１となる。したがって、導線の
鎖交信号磁束量は、この導線の距離Ｘにおける磁気コア
中の信号磁束量に等しく、これは第７図に示すように距
離Ｘで異なるから、導線の磁気ギャップ２１からの距離
Ｘに応じて鎖交信号磁束量が異なることになシ、かつ距
離Ｘが大きい位置にある導線はど鎖交信号磁束量が少な
く、したがって誘起される信号電圧も小さくなる。この
ようにして、導線間に再生効率の差異が生じ、コイルに
充分な再生特性が得られないことになる。
本発明の目的は、かかる問題点を解消し、漏洩磁束によ
る再生特性の劣化を防止できるようにした薄膜磁気ヘッ
ドを提供することにある。
る再生特性の劣化を防止できるようにした薄膜磁気ヘッ
ドを提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明は、コイルの巻線密
度を磁気ギャップの近傍で最大となるようにする。
度を磁気ギャップの近傍で最大となるようにする。
先に第６図、第７図で説明したように、磁気ギャップに
近いほどコイルの導線の鎖交信号磁束量が多く、したが
って、誘起信号電圧が大きくなる。
近いほどコイルの導線の鎖交信号磁束量が多く、したが
って、誘起信号電圧が大きくなる。
このために、磁気ギャップの近傍でコイルの巻線密度を
最大にすると、再生効率が大きい導線が多くなシ、コイ
ルの再生特性が向上することになる。
最大にすると、再生効率が大きい導線が多くなシ、コイ
ルの再生特性が向上することになる。
以下、本発明の実施例を図面によって説明する。
第１図は本発明による薄膜磁気ヘッドの一実施例を示す
縦断面図であって、１は磁気ギャップ、２は上部磁気コ
ア、３は下部磁気コア、４はコイルの導線、５は絶縁層
、６は非磁性基板、７は接続部である。
縦断面図であって、１は磁気ギャップ、２は上部磁気コ
ア、３は下部磁気コア、４はコイルの導線、５は絶縁層
、６は非磁性基板、７は接続部である。
同図において、非磁性セラミックスからなる非磁性基板
６上にＣｏＮｂＺｒの下部磁気コア３が設けられ、この
下部磁気コア３上の一部に８１０２膜の絶縁層５が設け
られている。この絶縁層５は一方が充分薄く形成されて
おシ、この絶縁層５と下部磁気コア３とを覆うように、
ＣｏＮｂＺｒからなる上部磁気コア２が設けられている
。絶縁層５が充分薄くされた部分では、下部磁気コア３
と上部磁気コア２とが充分近接して磁気ギャップ１が形
成されておシ、絶縁層５に関して磁気ギャップ１とは反
対側では、上部磁気コア２と下部磁気コア３とが当接し
て接続部７が形成されている。
６上にＣｏＮｂＺｒの下部磁気コア３が設けられ、この
下部磁気コア３上の一部に８１０２膜の絶縁層５が設け
られている。この絶縁層５は一方が充分薄く形成されて
おシ、この絶縁層５と下部磁気コア３とを覆うように、
ＣｏＮｂＺｒからなる上部磁気コア２が設けられている
。絶縁層５が充分薄くされた部分では、下部磁気コア３
と上部磁気コア２とが充分近接して磁気ギャップ１が形
成されておシ、絶縁層５に関して磁気ギャップ１とは反
対側では、上部磁気コア２と下部磁気コア３とが当接し
て接続部７が形成されている。
上部磁気コア２と下部磁気コア３との間には、多巻数の
コイルの各導線４が絶縁層５に埋め込まれて設けられて
いる。そして、このコイルの巻線密度が、磁気ギャップ
１側はど大きくて磁気ギャップ１の近傍で最大となるよ
うに設定されている。
コイルの各導線４が絶縁層５に埋め込まれて設けられて
いる。そして、このコイルの巻線密度が、磁気ギャップ
１側はど大きくて磁気ギャップ１の近傍で最大となるよ
うに設定されている。
磁気ギャップ１に近い導体４はど鎖交信号磁束量が多く
、誘起電圧が大きいから、この実施例では、コイルにお
ける導線４の多くが大きな信号電圧を誘起することにな
シ、コイルの再生特性が著しく向上することになる。
、誘起電圧が大きいから、この実施例では、コイルにお
ける導線４の多くが大きな信号電圧を誘起することにな
シ、コイルの再生特性が著しく向上することになる。
なお、この実施例では、導線４を２層に配置しておシ、
夫々の層について磁気ギャップ１の近傍で巻線密度を最
大としている。３層以上としても同様である。また、巻
線密度が疎となる接続部７側では、導線４の断面積を大
にしてその電気抵抗値を低減しておυ、これによってヘ
ッドインピーダンスを改善できる。
夫々の層について磁気ギャップ１の近傍で巻線密度を最
大としている。３層以上としても同様である。また、巻
線密度が疎となる接続部７側では、導線４の断面積を大
にしてその電気抵抗値を低減しておυ、これによってヘ
ッドインピーダンスを改善できる。
次に、かかる薄膜磁気ヘッドの製造プロセスの一例を概
略的に説明する。
略的に説明する。
非磁性セラミックスからなる基板６上に膜厚２０μｍの
ＣｏＮｂＺｒ膜の下部磁気コア３を形成し、７エトエツ
チング法によシ、所定の形状に加工する０次に、下部磁
気コア３上に５ｔ０２Ｊ［を３μｍの厚さで形成し、そ
の上にＣｕ膜を３μｍの厚さで形成する。とのＣｕ膜は
フォトエツチングされて一層目の導線４を形成する。か
がるＳ ｉ ０２膜およびＣｕ膜の成膜、Ｃｕ膜のフォ
トエツチングを所定回数繰シ返し、最後にＳ ｉ Ｏ２
膜を形成することにより、５１０２膜の絶縁層５と各層
の導線４とが得られる。そして、最後にＣｏＮｂＺｒ膜
を２０＃ｏ＋の厚さで成膜し、パターニングすることに
よシ、第１図に示した構成の薄膜磁気ヘッドが得られる
。
ＣｏＮｂＺｒ膜の下部磁気コア３を形成し、７エトエツ
チング法によシ、所定の形状に加工する０次に、下部磁
気コア３上に５ｔ０２Ｊ［を３μｍの厚さで形成し、そ
の上にＣｕ膜を３μｍの厚さで形成する。とのＣｕ膜は
フォトエツチングされて一層目の導線４を形成する。か
がるＳ ｉ ０２膜およびＣｕ膜の成膜、Ｃｕ膜のフォ
トエツチングを所定回数繰シ返し、最後にＳ ｉ Ｏ２
膜を形成することにより、５１０２膜の絶縁層５と各層
の導線４とが得られる。そして、最後にＣｏＮｂＺｒ膜
を２０＃ｏ＋の厚さで成膜し、パターニングすることに
よシ、第１図に示した構成の薄膜磁気ヘッドが得られる
。
第２図はかかるプロセスによって得られた薄膜磁気ヘッ
ドにおける磁気ギャップ部近傍での巻線密度と再生効率
の関係を示したものであって、巻線密度を均一としたコ
イル構成を有する従来の薄膜磁気ヘッドの巻線密度で規
格している。
ドにおける磁気ギャップ部近傍での巻線密度と再生効率
の関係を示したものであって、巻線密度を均一としたコ
イル構成を有する従来の薄膜磁気ヘッドの巻線密度で規
格している。
同図から明らかなように、磁気ギャップ部近傍でのコイ
ルの巻線密度を従来の薄膜磁気ヘッドの２倍とすること
によ）、再生効率を約３ｄＢ高めることができる。
ルの巻線密度を従来の薄膜磁気ヘッドの２倍とすること
によ）、再生効率を約３ｄＢ高めることができる。
第３図、第４図および第５図は夫々本発明による薄膜磁
気ヘッドの他の実施例を示す縦断面図である。
気ヘッドの他の実施例を示す縦断面図である。
第３図の実施例は、各導線４の断面形状を等しくして磁
気ギャップ１側はど導線４間の間隔が小さくなるように
したものである。また、第４図の実施例は、導線４間の
間を一定とするとともＫ、導体４の幅を磁気ギャップ１
側はど狭くしたものである。いずれの実施例も、磁気ギ
ャップ１側はどコイルの巻線密度が高くなる。また、導
線４は１層として示しているが、多層としてもよい。
気ギャップ１側はど導線４間の間隔が小さくなるように
したものである。また、第４図の実施例は、導線４間の
間を一定とするとともＫ、導体４の幅を磁気ギャップ１
側はど狭くしたものである。いずれの実施例も、磁気ギ
ャップ１側はどコイルの巻線密度が高くなる。また、導
線４は１層として示しているが、多層としてもよい。
第５図の実施例は、導線４の幅を磁気ギャップ１側はど
狭くし、かつ磁気ギャップ１側で導線４を多層に設けた
ものである。
狭くし、かつ磁気ギャップ１側で導線４を多層に設けた
ものである。
以上の実施例も、第１図に示し九実施例と同様の効果が
得られる。
得られる。
なお、上記の説明において、材料、数値を示したが、こ
れらは−例にすぎず、本発明がこれによって限定される
ものではない。
れらは−例にすぎず、本発明がこれによって限定される
ものではない。
以上説明したように、本発明によれば、コイルの構造の
簡単な変更により、漏洩磁束による影響を低減でき、再
生特性を大幅に向上させることができる。
簡単な変更により、漏洩磁束による影響を低減でき、再
生特性を大幅に向上させることができる。
第１図は本発明による薄膜磁気ヘッドの実施例を示す縦
断面図、第２図は磁気ギャップ部近傍でのコイルの巻線
密度と再生効率の関係を示す図、第３図〜第５図は夫々
本発明による薄膜磁気ヘッドの他の実施例を示す縦断面
図、第６図は薄膜磁気ヘッドでの信号磁束の流れを示す
模式図、第７図は薄膜磁気ヘッドにおける磁気コアの各
位置での信号磁束量を示す図である。 １・・・・・・磁気ギャップ、２・・・・・・上部磁気
コア、３・・・・・・下部磁気コア、 ４・・・・・・コイルの導線、 ７・・・・・・接続部。 第 ４Ｉ￥］ 第 図 第 図 蔦 ギイ・ツブ＠戸コイル老透泉公乃し 第 図 １巨 偽Ｌ （イ王兎羊イ立）
断面図、第２図は磁気ギャップ部近傍でのコイルの巻線
密度と再生効率の関係を示す図、第３図〜第５図は夫々
本発明による薄膜磁気ヘッドの他の実施例を示す縦断面
図、第６図は薄膜磁気ヘッドでの信号磁束の流れを示す
模式図、第７図は薄膜磁気ヘッドにおける磁気コアの各
位置での信号磁束量を示す図である。 １・・・・・・磁気ギャップ、２・・・・・・上部磁気
コア、３・・・・・・下部磁気コア、 ４・・・・・・コイルの導線、 ７・・・・・・接続部。 第 ４Ｉ￥］ 第 図 第 図 蔦 ギイ・ツブ＠戸コイル老透泉公乃し 第 図 １巨 偽Ｌ （イ王兎羊イ立）
Claims (1)
- １、上部磁気コアと下部磁気コアとの間を一部が通るよ
うにコイルが多数巻回され、一方では該上部磁気コアと
該下部磁気コアとが近接して磁気ギャップを形成し、他
方では該上部磁気コアと該下部磁気コアとが接続されて
なる薄膜磁気ヘッドにおいて、該上部磁気コアと該下部
磁気コアとの間での該コアの巻線密度が該磁気ギャップ
近傍で最大となっていることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15910788A JPH0210510A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15910788A JPH0210510A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0210510A true JPH0210510A (ja) | 1990-01-16 |
Family
ID=15686399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15910788A Pending JPH0210510A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0210510A (ja) |
-
1988
- 1988-06-29 JP JP15910788A patent/JPH0210510A/ja active Pending
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