JPH05266426A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH05266426A JPH05266426A JP4175583A JP17558392A JPH05266426A JP H05266426 A JPH05266426 A JP H05266426A JP 4175583 A JP4175583 A JP 4175583A JP 17558392 A JP17558392 A JP 17558392A JP H05266426 A JPH05266426 A JP H05266426A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
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- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
- Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
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- Y10T29/49039—Fabricating head structure or component thereof including measuring or testing with dual gap materials
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気ヘッドの書込部分と読取部分との間のよ
り良い磁気分離が達成される薄膜磁気ヘッドを提供する
ことが本発明の目的である。 【構成】 基板2、誘導性素子23及び磁気抵抗素子7、
及び前記素子と磁気的に共働するための3個の実質的に
平行に延在する導磁性の磁束案内3,4,5を具えた薄
膜磁気ヘッドである。ヘッド面1に隣接する非磁性読取
ギャップ17が第1磁束案内3と第2磁束案内4との間に
延在し、ヘッド面に隣接する非磁性書込ギャップ27が第
2磁束案内と第3磁束案内5との間に延在する。基板か
ら見てギャップは一方が他方の後に置かれる。第1磁束
案内と第3磁束案内との間に延在する第2磁束案内は層
毎に構成され、2個の軟磁性層4A, 4Bと基板と実質的に
平行に延在し且つ軟磁性層間に置かれる非磁性材料の絶
縁層4Cとを具える。軟磁性層はヘッド面に近接して磁気
的に伝導する方法で相互接続される。
り良い磁気分離が達成される薄膜磁気ヘッドを提供する
ことが本発明の目的である。 【構成】 基板2、誘導性素子23及び磁気抵抗素子7、
及び前記素子と磁気的に共働するための3個の実質的に
平行に延在する導磁性の磁束案内3,4,5を具えた薄
膜磁気ヘッドである。ヘッド面1に隣接する非磁性読取
ギャップ17が第1磁束案内3と第2磁束案内4との間に
延在し、ヘッド面に隣接する非磁性書込ギャップ27が第
2磁束案内と第3磁束案内5との間に延在する。基板か
ら見てギャップは一方が他方の後に置かれる。第1磁束
案内と第3磁束案内との間に延在する第2磁束案内は層
毎に構成され、2個の軟磁性層4A, 4Bと基板と実質的に
平行に延在し且つ軟磁性層間に置かれる非磁性材料の絶
縁層4Cとを具える。軟磁性層はヘッド面に近接して磁気
的に伝導する方法で相互接続される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、基板と、それらの素子
が前記基板から異なる距離に置かれている第1変換素子
及び第2変換素子、及び前記素子と磁気的に共働するた
めの3個の実質的に平行に延在する導磁性の磁束案内
と、第1磁束案内と第2磁束案内との間に延在するヘッ
ド面に隣接する非磁性読取ギャップ及び第2磁束案内と
第3磁束案内との間に延在するヘッド面に隣接する非磁
性書込ギャップであって、基板から見て一方が他方の後
に置かれているギャップと、を具えている薄膜磁気ヘッ
ドに関するものである。
が前記基板から異なる距離に置かれている第1変換素子
及び第2変換素子、及び前記素子と磁気的に共働するた
めの3個の実質的に平行に延在する導磁性の磁束案内
と、第1磁束案内と第2磁束案内との間に延在するヘッ
ド面に隣接する非磁性読取ギャップ及び第2磁束案内と
第3磁束案内との間に延在するヘッド面に隣接する非磁
性書込ギャップであって、基板から見て一方が他方の後
に置かれているギャップと、を具えている薄膜磁気ヘッ
ドに関するものである。
【0002】
【従来の技術】この種類の磁気ヘッドは(ここに参考と
して組み込まれる)特開昭62-145527号公報から既知で
ある。この既知の磁気ヘッドは接触面を有する組み合わ
された書込/読取ヘッドであり、そのヘッドは薄膜技術
に従って製造され、且つ3個の磁束案内、即ち2個の外
側磁束案内と1個の中央磁束案内とを具えている。電気
導体の形での誘導性素子と非磁性層とが外側磁束案内の
一方と中央磁束案内との間に設けられ、その非磁性層が
書込ギャップを定義している。既知の磁気ヘッドはそれ
により、媒体、例えば、電気導体が制御される場合に磁
気媒体上に情報を書き込むために磁化されている接触面
に沿って動く磁気テープの領域と共に、書込部分を形成
する。磁気抵抗素子、バイアス巻線及び読取ギャップを
定義している非磁性層が中央磁束案内と他方の外側磁束
案内との間に設けられている。それによって形成されて
いる既知の磁気ヘッドの部分は、接触面に沿って動く媒
体上の磁気的領域を検出し、且つ従ってその媒体上の情
報を読み取るための読取部分である。
して組み込まれる)特開昭62-145527号公報から既知で
ある。この既知の磁気ヘッドは接触面を有する組み合わ
された書込/読取ヘッドであり、そのヘッドは薄膜技術
に従って製造され、且つ3個の磁束案内、即ち2個の外
側磁束案内と1個の中央磁束案内とを具えている。電気
導体の形での誘導性素子と非磁性層とが外側磁束案内の
一方と中央磁束案内との間に設けられ、その非磁性層が
書込ギャップを定義している。既知の磁気ヘッドはそれ
により、媒体、例えば、電気導体が制御される場合に磁
気媒体上に情報を書き込むために磁化されている接触面
に沿って動く磁気テープの領域と共に、書込部分を形成
する。磁気抵抗素子、バイアス巻線及び読取ギャップを
定義している非磁性層が中央磁束案内と他方の外側磁束
案内との間に設けられている。それによって形成されて
いる既知の磁気ヘッドの部分は、接触面に沿って動く媒
体上の磁気的領域を検出し、且つ従ってその媒体上の情
報を読み取るための読取部分である。
【0003】この既知の磁気ヘッドにおいては、中央磁
束案内がその磁気ヘッドの読取部分の磁気継鉄の一部と
同時に、書込部分の磁気継鉄の一部を形成する共有され
た磁束案内である。情報が読み取られている場合には、
書込ギャップが読取ギャップとして機能し得ることは本
質的に既知である。この現象が一つの同じ誘導性素子に
より情報が書き込まれ且つ読み取られる構造に用いられ
ている。しかし、前記特開昭62-145527 号公報から既知
の書込/読取磁気ヘッドにおいては、読取ギャップとし
て機能する書込ギャップは書込ギャップに対向している
通過する媒体の磁束の一部が共有される中央磁束案内を
介して磁気抵抗素子に向かって案内されると言う有害な
結果を有している。結果として、特別の磁気パルスが、
例えばディジタル情報を具えている媒体の場合において
は磁気抵抗素子内へ導入されて、そのパルスが読取ギャ
ップを介して磁気抵抗素子へ向かって案内される磁気パ
ルスを妨害し、それが測定されるべき信号を混乱させ、
信号対雑音比率に有害に影響する。
束案内がその磁気ヘッドの読取部分の磁気継鉄の一部と
同時に、書込部分の磁気継鉄の一部を形成する共有され
た磁束案内である。情報が読み取られている場合には、
書込ギャップが読取ギャップとして機能し得ることは本
質的に既知である。この現象が一つの同じ誘導性素子に
より情報が書き込まれ且つ読み取られる構造に用いられ
ている。しかし、前記特開昭62-145527 号公報から既知
の書込/読取磁気ヘッドにおいては、読取ギャップとし
て機能する書込ギャップは書込ギャップに対向している
通過する媒体の磁束の一部が共有される中央磁束案内を
介して磁気抵抗素子に向かって案内されると言う有害な
結果を有している。結果として、特別の磁気パルスが、
例えばディジタル情報を具えている媒体の場合において
は磁気抵抗素子内へ導入されて、そのパルスが読取ギャ
ップを介して磁気抵抗素子へ向かって案内される磁気パ
ルスを妨害し、それが測定されるべき信号を混乱させ、
信号対雑音比率に有害に影響する。
【0004】動作中に既知の磁気ヘッドにおいて生じる
上述の有害な現象は、以下のように解明される。記録媒
体、例えば磁気テープ上の小さい磁化された領域が書込
ギャップの丁度前方に存在する場合には、この領域がそ
の媒体の低透磁率によって、もっとも理想的な磁束源で
あると考えられ得る。書込ギャップからの距離と書込ギ
ャップの大きさとに依存するその磁束の一部が、その書
込ギャップに隣接する外側磁束案内を介して書込部分へ
入り、且つ中央磁束案内を介してその書込部分を離れる
が、その逆であってもよい。書込部分へ入る磁束の大部
分がその書込部分の磁気継鉄を介して接触面へ帰る。し
かしながら、読取ギャップに隣接する外側磁束案内が共
有の中央磁束案内と平行に且つ共有の中央磁束案内から
短い距離で延在するので、書込部分へ吸い上げられる磁
束の一定の部分が、最後に述べた外側磁束案内と交差す
る。磁束のこの部分が続いて敏感な磁気抵抗素子を横切
り且つそれから媒体上の磁化された領域へ主として中央
磁束案内を介して帰る。読取ギャップに隣接する外側磁
束案内から、直接前記磁気領域へ交差する磁束部分は、
この磁束案内と磁気領域との間の比較的大きい距離によ
って、及びその時発生する距離損失の指数的特性によっ
て、無視できるほど小さい。媒体の運動の方向に依存し
て、磁気抵抗素子を横切る磁束の部分は、その磁気ヘッ
ドによる前記磁化された領域の読取から起こる主パルス
の前又は後に特別パルスを生じる。
上述の有害な現象は、以下のように解明される。記録媒
体、例えば磁気テープ上の小さい磁化された領域が書込
ギャップの丁度前方に存在する場合には、この領域がそ
の媒体の低透磁率によって、もっとも理想的な磁束源で
あると考えられ得る。書込ギャップからの距離と書込ギ
ャップの大きさとに依存するその磁束の一部が、その書
込ギャップに隣接する外側磁束案内を介して書込部分へ
入り、且つ中央磁束案内を介してその書込部分を離れる
が、その逆であってもよい。書込部分へ入る磁束の大部
分がその書込部分の磁気継鉄を介して接触面へ帰る。し
かしながら、読取ギャップに隣接する外側磁束案内が共
有の中央磁束案内と平行に且つ共有の中央磁束案内から
短い距離で延在するので、書込部分へ吸い上げられる磁
束の一定の部分が、最後に述べた外側磁束案内と交差す
る。磁束のこの部分が続いて敏感な磁気抵抗素子を横切
り且つそれから媒体上の磁化された領域へ主として中央
磁束案内を介して帰る。読取ギャップに隣接する外側磁
束案内から、直接前記磁気領域へ交差する磁束部分は、
この磁束案内と磁気領域との間の比較的大きい距離によ
って、及びその時発生する距離損失の指数的特性によっ
て、無視できるほど小さい。媒体の運動の方向に依存し
て、磁気抵抗素子を横切る磁束の部分は、その磁気ヘッ
ドによる前記磁化された領域の読取から起こる主パルス
の前又は後に特別パルスを生じる。
【0005】既知の磁気ヘッドに関連する磁気ヘッド構
造に行われてきた測定及び計算は、中央磁束案内の厚さ
とその磁束案内の軟磁性材料の透磁率とに依存して、主
パルスの大きさの5%と10%との間の振幅範囲を有する
特別パルスを示す。
造に行われてきた測定及び計算は、中央磁束案内の厚さ
とその磁束案内の軟磁性材料の透磁率とに依存して、主
パルスの大きさの5%と10%との間の振幅範囲を有する
特別パルスを示す。
【0006】更にその上、情報が書き込まれている場合
には、誘導性素子により発生され且つ共有される磁束案
内を介して磁気抵抗素子に向かって案内される磁束の量
は、磁気抵抗素子が不安定にされるほど大きくなり得
て、それが磁気抵抗素子の感度を大幅に低減させ得る。
には、誘導性素子により発生され且つ共有される磁束案
内を介して磁気抵抗素子に向かって案内される磁束の量
は、磁気抵抗素子が不安定にされるほど大きくなり得
て、それが磁気抵抗素子の感度を大幅に低減させ得る。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】磁気ヘッドの書込部分
と読取部分との間のより良い磁気分離が達成される、冒
頭部分に記載した種類の磁気ヘッドを提供することが、
本発明の目的である。
と読取部分との間のより良い磁気分離が達成される、冒
頭部分に記載した種類の磁気ヘッドを提供することが、
本発明の目的である。
【0008】
【課題を解決するための手段】この目的のために、本発
明による磁気ヘッドは、層により構成され且つ第1磁束
案内と第3磁束案内との間に延在する第2磁束案内が、
2個の軟磁性層と基板に実質的に平行に延在し且つ前記
軟磁性層の間に置かれている非磁性材料の絶縁層とを具
えており、前記軟磁性層は導磁性の方法でヘッド面に隣
接して相互接続されていることを特徴とする。本発明に
よる磁気ヘッドにおける中央磁束案内のサンドイッチ状
の構造によって、第1磁束案内と軟磁性層の一方、特に
隣接する層とが、磁気抵抗素子のための、読取ギャップ
を設けられた第1磁気回路を構成し、且つ第3磁束案内
と第2磁束案内の他方の軟磁性層とが、誘導性素子のた
めの、書込ギャップを設けられた第2磁気回路を構成す
る。磁束の交差を抑制するために前記磁気回路の間に大
きい磁気交差抵抗を形成するように、二つの軟磁性層の
間に距離が作り出される。読取ギャップとして機能する
ことから第2磁束導体の二つの軟磁性層の間の絶縁層を
抑制するために、前記軟磁性層はヘッド面において相互
接続されている。
明による磁気ヘッドは、層により構成され且つ第1磁束
案内と第3磁束案内との間に延在する第2磁束案内が、
2個の軟磁性層と基板に実質的に平行に延在し且つ前記
軟磁性層の間に置かれている非磁性材料の絶縁層とを具
えており、前記軟磁性層は導磁性の方法でヘッド面に隣
接して相互接続されていることを特徴とする。本発明に
よる磁気ヘッドにおける中央磁束案内のサンドイッチ状
の構造によって、第1磁束案内と軟磁性層の一方、特に
隣接する層とが、磁気抵抗素子のための、読取ギャップ
を設けられた第1磁気回路を構成し、且つ第3磁束案内
と第2磁束案内の他方の軟磁性層とが、誘導性素子のた
めの、書込ギャップを設けられた第2磁気回路を構成す
る。磁束の交差を抑制するために前記磁気回路の間に大
きい磁気交差抵抗を形成するように、二つの軟磁性層の
間に距離が作り出される。読取ギャップとして機能する
ことから第2磁束導体の二つの軟磁性層の間の絶縁層を
抑制するために、前記軟磁性層はヘッド面において相互
接続されている。
【0009】本発明による磁気ヘッドは、ディジタル応
用と同時にアナログ応用に対しても適している。例え
ば、多トラックオーディオ、ビデオ及びデータ記録が可
能な応用である。
用と同時にアナログ応用に対しても適している。例え
ば、多トラックオーディオ、ビデオ及びデータ記録が可
能な応用である。
【0010】本発明による磁気ヘッドの一実施例は、前
記絶縁層がヘッド面からある距離に置かれ、第2磁束案
内がヘッド面に置かれ且つ軟磁性材料から独占的に形成
された端部を有し、前記絶縁層は前記端部に隣接してい
ることを特徴とする。この実施例では、中央磁束案内自
身の結果として妨害する磁気パルスが防止される。
記絶縁層がヘッド面からある距離に置かれ、第2磁束案
内がヘッド面に置かれ且つ軟磁性材料から独占的に形成
された端部を有し、前記絶縁層は前記端部に隣接してい
ることを特徴とする。この実施例では、中央磁束案内自
身の結果として妨害する磁気パルスが防止される。
【0011】本発明による磁気ヘッドにおいては、第2
磁束案内の二つの軟磁性層の間の絶縁層の厚さが、妨害
パルスが伝えられる範囲で重要な役割を演ずることが見
出された。非常に良好な結果は、軟磁性層の間の絶縁層
が少なくとも3h2/μr tと等しい厚さを有し、ここで
hはヘッド面から見た第2磁束案内の最も短い軟磁性層
の高さであり、μr =(μra・μrb)1/2 であって、こ
こでμraは前記軟磁性層のうちの第1層の材料の相対透
磁率、μrbは前記軟磁性層のうちの第2層の材料の相対
透磁率であり、且つt=(ta ・tb )1/2 であって、
ここでta は第1層の厚さで、tb は第2層の厚さであ
ることを特徴とする、本発明による磁気ヘッドの実施例
によって達成され得る。
磁束案内の二つの軟磁性層の間の絶縁層の厚さが、妨害
パルスが伝えられる範囲で重要な役割を演ずることが見
出された。非常に良好な結果は、軟磁性層の間の絶縁層
が少なくとも3h2/μr tと等しい厚さを有し、ここで
hはヘッド面から見た第2磁束案内の最も短い軟磁性層
の高さであり、μr =(μra・μrb)1/2 であって、こ
こでμraは前記軟磁性層のうちの第1層の材料の相対透
磁率、μrbは前記軟磁性層のうちの第2層の材料の相対
透磁率であり、且つt=(ta ・tb )1/2 であって、
ここでta は第1層の厚さで、tb は第2層の厚さであ
ることを特徴とする、本発明による磁気ヘッドの実施例
によって達成され得る。
【0012】実際の態様においては、この絶縁層は少な
くとも1μm の厚さを有し、且つ軟磁性層は少なくとも
実質的に、例えば3μm の同じ厚さを有する。
くとも1μm の厚さを有し、且つ軟磁性層は少なくとも
実質的に、例えば3μm の同じ厚さを有する。
【0013】本発明は特に薄膜磁気ヘッドに適してお
り、その薄膜磁気ヘッドでは第1変換素子が磁気抵抗素
子であり且つ第2変換素子が誘導性素子であり、且つそ
の薄膜磁気ヘッドでは第1磁束案内は磁気抵抗素子によ
り架橋された空間が間に存在する二つの空間的に分離さ
れた磁束案内部を有する中断された層である。そのよう
な磁気ヘッドにおいては、磁気抵抗素子へ伝達する妨害
パルスの一層の低減が、第1磁束案内の、誘導性素子か
ら離れた側に磁気抵抗素子を設けることにより達成する
ことができる。付加的な利点はその磁気ヘッドの読取部
分の効率改善である。
り、その薄膜磁気ヘッドでは第1変換素子が磁気抵抗素
子であり且つ第2変換素子が誘導性素子であり、且つそ
の薄膜磁気ヘッドでは第1磁束案内は磁気抵抗素子によ
り架橋された空間が間に存在する二つの空間的に分離さ
れた磁束案内部を有する中断された層である。そのよう
な磁気ヘッドにおいては、磁気抵抗素子へ伝達する妨害
パルスの一層の低減が、第1磁束案内の、誘導性素子か
ら離れた側に磁気抵抗素子を設けることにより達成する
ことができる。付加的な利点はその磁気ヘッドの読取部
分の効率改善である。
【0014】産業技術的に魅力のある実施例は、第1磁
束案内は非磁性基板に最も近接して置かれた磁束案内で
あり、磁気抵抗素子は前記磁束案内と基板との間に延在
していることを特徴とする。
束案内は非磁性基板に最も近接して置かれた磁束案内で
あり、磁気抵抗素子は前記磁束案内と基板との間に延在
していることを特徴とする。
【0015】一つの実施例は、少なくとも一方の変換素
子がヘッド面まで延びていることを特徴とする。結果と
して第2磁束案内の最短の軟磁性層の高さは比較的小さ
くてもよい。その利点は小さい特別パルスである。産業
技術的な利点は平らな構造とギャップ高さ変動に対する
非敏感性とである。
子がヘッド面まで延びていることを特徴とする。結果と
して第2磁束案内の最短の軟磁性層の高さは比較的小さ
くてもよい。その利点は小さい特別パルスである。産業
技術的な利点は平らな構造とギャップ高さ変動に対する
非敏感性とである。
【0016】
【実施例】本発明を、添付の図面を参照して、実例によ
って非常に詳細に説明しよう。
って非常に詳細に説明しよう。
【0017】図に示した本発明による薄膜磁気ヘッド
は、図示の矢印Aの方向に磁気ヘッドに対して動き得る
磁気テープのような磁気記録媒体と共働するために、ヘ
ッド面即ち接触面1を有している。この磁気ヘッドは、
上に第1磁束案内3、第2磁束案内4及び第3磁束案内
5が順次に形成された、例えばAl2O3/TiC のようなセラ
ミック材料の非磁性基板2を具えている。これらの磁束
案内は、NiFe, AlFeSi又は無定形合金のような軟磁性材
料から形成される。読取部分を形成するために、バーバ
ー極小片又は線条8を有する導電性の磁気抵抗素子7
が、基板2と第1磁束案内3との間に置かれる。そのよ
うな素子は、例えば米国特許第4,052,748 号明細書(参
考としてここに組み込まれる特公昭54-7564 号公報)に
記載されている。この素子7と部分的に重複する二つの
磁束案内部分3Aと3Bとにより制限されている非磁性空間
即ちギャップ9を形成するために、磁気抵抗素子7に対
向して磁束案内3が中断されている。
は、図示の矢印Aの方向に磁気ヘッドに対して動き得る
磁気テープのような磁気記録媒体と共働するために、ヘ
ッド面即ち接触面1を有している。この磁気ヘッドは、
上に第1磁束案内3、第2磁束案内4及び第3磁束案内
5が順次に形成された、例えばAl2O3/TiC のようなセラ
ミック材料の非磁性基板2を具えている。これらの磁束
案内は、NiFe, AlFeSi又は無定形合金のような軟磁性材
料から形成される。読取部分を形成するために、バーバ
ー極小片又は線条8を有する導電性の磁気抵抗素子7
が、基板2と第1磁束案内3との間に置かれる。そのよ
うな素子は、例えば米国特許第4,052,748 号明細書(参
考としてここに組み込まれる特公昭54-7564 号公報)に
記載されている。この素子7と部分的に重複する二つの
磁束案内部分3Aと3Bとにより制限されている非磁性空間
即ちギャップ9を形成するために、磁気抵抗素子7に対
向して磁束案内3が中断されている。
【0018】一般に、磁気抵抗素子7を予備磁化するた
めの磁界を発生するためのバイアス巻線11が、第1磁束
案内3と第2磁束案内4との間に設けられている。酸化
物、例えばSiO2又はAl2O3,合成樹脂又はフオトレジスト
のような、磁気的にも電気的にも絶縁性の材料の絶縁層
が、基板2の上及び磁気抵抗素子7を形成するために存
在する導電層、磁束案内3、バイアス巻線11及び磁束案
内4の間に設けられている。結合層は参照符号13により
表されている。
めの磁界を発生するためのバイアス巻線11が、第1磁束
案内3と第2磁束案内4との間に設けられている。酸化
物、例えばSiO2又はAl2O3,合成樹脂又はフオトレジスト
のような、磁気的にも電気的にも絶縁性の材料の絶縁層
が、基板2の上及び磁気抵抗素子7を形成するために存
在する導電層、磁束案内3、バイアス巻線11及び磁束案
内4の間に設けられている。結合層は参照符号13により
表されている。
【0019】第1磁束案内3と第2磁束案内4とがヘッ
ド面1において読取ギャップ17を定義し、そのギャップ
内に酸化物のような非磁性材料が、空間9内と同様に存
在する。そのギャップ長さはgp で表されている。中間
絶縁層内の通過穴を介して領域15内で磁気的に相互接続
されてもよい磁束案内3と4とが、磁気抵抗素子7に対
する磁気回路を構成する。
ド面1において読取ギャップ17を定義し、そのギャップ
内に酸化物のような非磁性材料が、空間9内と同様に存
在する。そのギャップ長さはgp で表されている。中間
絶縁層内の通過穴を介して領域15内で磁気的に相互接続
されてもよい磁束案内3と4とが、磁気抵抗素子7に対
する磁気回路を構成する。
【0020】上述の第2磁束案内4と第3磁束案内5及
び誘導性素子23、特にコイル即ち巻線を具えた書込部分
が、読取部分上に存在する。誘導性素子23は先に記載し
た磁束案内4及び5の間に置かれて、それらの磁束案内
がヘッド面1においてギャップ長さgr を有する非磁性
書込ギャップ27を制限し、且つ領域21において相互に接
触している。誘導性素子の周りと同様に書込ギャップ27
内に、例えば酸化物又はフオトレジストの絶縁層25, 26
が存在している。
び誘導性素子23、特にコイル即ち巻線を具えた書込部分
が、読取部分上に存在する。誘導性素子23は先に記載し
た磁束案内4及び5の間に置かれて、それらの磁束案内
がヘッド面1においてギャップ長さgr を有する非磁性
書込ギャップ27を制限し、且つ領域21において相互に接
触している。誘導性素子の周りと同様に書込ギャップ27
内に、例えば酸化物又はフオトレジストの絶縁層25, 26
が存在している。
【0021】この磁気ヘッドの読取部分と書込部分との
両方の部分を形成している第2磁束案内4は、層毎に形
成されている。磁束案内4は基板に対して実質的に平行
に延在する二つの軟磁性層4A及び4Bを具えており、それ
らの層の間に酸化物又は絶縁塗料のような非磁性材料の
絶縁層4Cが延在している。軟磁性即ち導磁性の層4A及び
4Bがヘッド面1に隣接して相互接続された端部4A1 及び
4B1 を有している。絶縁層4Cはヘッド面1から離れて間
を空けられており、相互接続された端部4A1 及び4B1 と
隣接している。
両方の部分を形成している第2磁束案内4は、層毎に形
成されている。磁束案内4は基板に対して実質的に平行
に延在する二つの軟磁性層4A及び4Bを具えており、それ
らの層の間に酸化物又は絶縁塗料のような非磁性材料の
絶縁層4Cが延在している。軟磁性即ち導磁性の層4A及び
4Bがヘッド面1に隣接して相互接続された端部4A1 及び
4B1 を有している。絶縁層4Cはヘッド面1から離れて間
を空けられており、相互接続された端部4A1 及び4B1 と
隣接している。
【0022】この磁気ヘッドの残りと同様に、中央の共
有される磁束案内4はスパッタリング、真空めっき、エ
ッチングのような処理を用いて、既知の薄膜技術によっ
て製造することができる。
有される磁束案内4はスパッタリング、真空めっき、エ
ッチングのような処理を用いて、既知の薄膜技術によっ
て製造することができる。
【0023】軟磁性層4A及び4Bは同じかほぼ同じ厚さt
a 及びtb を有する。絶縁層4Cは少なくとも3h2/μr
tと等しい実質的に一定厚さti を有し、ここでhはヘ
ッド面1から見た軟磁性層4Bの、例えば50μm の高さで
ある。μr は(μra・μrb)の平方根に等しく、ここで
μraは層4Aの材料の相対透磁率であって、μrbは層4Bの
材料の相対透磁率である。μr に対する実際の値は2000
である。tは(ta ・tb )の平方根に等しく、ここで
ta は層4Aの厚さであって、tb は層4Bの厚さである。
端部4A1 の高さh1 は好適には1又は数μm である。
a 及びtb を有する。絶縁層4Cは少なくとも3h2/μr
tと等しい実質的に一定厚さti を有し、ここでhはヘ
ッド面1から見た軟磁性層4Bの、例えば50μm の高さで
ある。μr は(μra・μrb)の平方根に等しく、ここで
μraは層4Aの材料の相対透磁率であって、μrbは層4Bの
材料の相対透磁率である。μr に対する実際の値は2000
である。tは(ta ・tb )の平方根に等しく、ここで
ta は層4Aの厚さであって、tb は層4Bの厚さである。
端部4A1 の高さh1 は好適には1又は数μm である。
【0024】図2に示した本発明による磁気ヘッドは、
大部分先に示した実施例に一致するので、簡単に説明し
よう。この磁気ヘッドは、ギャップ長さgp を有する非
磁性読取ギャップ117 と、ギャップ長さgr を有する非
磁性書込ギャップ127 とを有する、読取部分と書込部分
とを有している。読取部分は磁気抵抗素子(MR素子)10
7 ,第1磁束案内103 及び第2磁束案内104 を具えてい
る基板102 上に形成された構造を有している。書込部分
は第2磁束案内104 ,第3磁束案内105 及びヘッド面10
1 に隣接し且つ二つの磁束案内104 及び105 の間に延在
する誘導性素子123 を具えている構造を有している。
大部分先に示した実施例に一致するので、簡単に説明し
よう。この磁気ヘッドは、ギャップ長さgp を有する非
磁性読取ギャップ117 と、ギャップ長さgr を有する非
磁性書込ギャップ127 とを有する、読取部分と書込部分
とを有している。読取部分は磁気抵抗素子(MR素子)10
7 ,第1磁束案内103 及び第2磁束案内104 を具えてい
る基板102 上に形成された構造を有している。書込部分
は第2磁束案内104 ,第3磁束案内105 及びヘッド面10
1 に隣接し且つ二つの磁束案内104 及び105 の間に延在
する誘導性素子123 を具えている構造を有している。
【0025】共有される磁束案内104 が2個の軟磁性層
104A及び104Bとヘッド面101 まで延在している層104A及
び104Bの間に延在している絶縁層104Cとから、サンドイ
ッチ状の方法で構成されており、ヘッド面101 において
軟磁性層104A及び104Bとは相互に接触し、且つ特に互い
に接しており、一方絶縁層104Cはヘッド面からある距離
を置いてのみ置かれている。電気的と磁気的との両方又
はいずれか一方の絶縁材料の適当な絶縁層113, 125が、
電気的と磁気的との両方又はいずれか一方の伝導性層の
間に設けられている。
104A及び104Bとヘッド面101 まで延在している層104A及
び104Bの間に延在している絶縁層104Cとから、サンドイ
ッチ状の方法で構成されており、ヘッド面101 において
軟磁性層104A及び104Bとは相互に接触し、且つ特に互い
に接しており、一方絶縁層104Cはヘッド面からある距離
を置いてのみ置かれている。電気的と磁気的との両方又
はいずれか一方の絶縁材料の適当な絶縁層113, 125が、
電気的と磁気的との両方又はいずれか一方の伝導性層の
間に設けられている。
【0026】本発明は図示した実施例に制限されるもの
ではないことは注意されるべきである。例えば、本発明
は種々の読取機能と書込機能とに併置された組み合わせ
を有する薄膜ヘッドに使用するのに著しく適している。
MR素子の代わりに誘導性素子が読取部分に使用されてい
る態様は、層毎に構成された中央磁束案内から利益を受
ける。
ではないことは注意されるべきである。例えば、本発明
は種々の読取機能と書込機能とに併置された組み合わせ
を有する薄膜ヘッドに使用するのに著しく適している。
MR素子の代わりに誘導性素子が読取部分に使用されてい
る態様は、層毎に構成された中央磁束案内から利益を受
ける。
【図1】本発明による磁気ヘッドの第1実施例の断面図
である。
である。
【図2】本発明による磁気ヘッドの第2実施例の断面図
である。
である。
1 ヘッド面即ち接触面 2 非磁性基板 3 第1磁束案内 3A, 3B 磁束案内部 4 第2磁束案内 4A, 4B 軟磁性層 4C 絶縁層 4A1, 4B1 相互接続された端部 5 第3磁束案内 7 導電性の磁気抵抗素子 8 バーバー極小片又は線条 9 非磁性空間即ちギャップ 11 バイアス巻線 13 結合層 15 領域 17 読取ギャップ 21 領域 23 誘導性素子 25,26 絶縁層 27 非磁性書込ギャップ 101 ヘッド面 102 基板 103 第1磁束案内 104 第2磁束案内 104A, 104B 軟磁性層 104C 絶縁層 105 第3磁束案内 107 磁気抵抗素子(MR素子) 113 絶縁層 117 非磁性読取ギャップ 123 誘導性素子 125 絶縁層 127 非磁性書込ギャップ A 矢印 gp ,gr ギャップ長さ h 軟磁性層4Bの高さ h1 端部4A1 の高さ ta 第1層4Aの厚さ tb 第2層4Bの厚さ ti 絶縁層4Cの厚さ
Claims (8)
- 【請求項1】−基板と、 −それらの素子は前記基板から異なる距離に置かれてい
る、第1変換素子及び第2変換素子、及び −前記素子と磁気的に共働するための3個の実質的に平
行に延在する導磁性の磁束案内と、第1磁束案内と第2
磁束案内との間に延在するヘッド面に隣接する非磁性読
取ギャップ及び第2磁束案内と第3磁束案内との間に延
在するヘッド面に隣接する非磁性書込ギャップであっ
て、基板から見て一方が他方の後に置かれているギャッ
プと、を具えている薄膜磁気ヘッドにおいて、 層により構成され且つ第1磁束案内と第3磁束案内との
間に延在する第2磁束案内が、2個の軟磁性層と基板に
実質的に平行に延在し且つ前記軟磁性層の間に置かれて
いる非磁性材料の絶縁層とを具えており、前記軟磁性層
は導磁性の方法でヘッド面に隣接して相互接続されてい
ることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項2】前記絶縁層がヘッド面からある距離に置か
れ、第2磁束案内がヘッド面に置かれ且つ軟磁性材料か
ら独占的に形成された端部を有し、前記絶縁層は前記端
部に隣接していることを特徴とする請求項1記載の薄膜
磁気ヘッド。 - 【請求項3】軟磁性層の間の絶縁層が、少なくとも3h
2/μr tと等しい厚さを有し、ここでhはヘッド面から
見た第2磁束案内の最も短い軟磁性層の高さであり、μ
r =(μra・μrb)1/2 であって、ここでμraは前記軟
磁性層のうちの第1層の材料の相対透磁率、μrbは前記
軟磁性層のうちの第2層の材料の相対透磁率であり、且
つt=(ta ・tb )1/2 であって、ここでta は第1
層の厚さ、tb は第2層の厚さであることを特徴とする
請求項1又は2記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項4】前記絶縁層の厚さが少なくとも1μm であ
ることを特徴とする請求項3記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項5】前記軟磁性層が少なくとも実質的に同じ厚
さを有することを特徴とする請求項1,2,3又は4記
載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項6】第1変換素子が磁気抵抗素子であり且つ第
2変換素子が誘導性素子であり、且つ第1磁束案内は磁
気抵抗素子により架橋された空間が間に存在する二つの
空間的に分離された磁束案内部を有する中断された層で
ある、請求項1,2,3,4または5記載の薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、磁気抵抗素子は第1磁束案内の、誘導的
素子から遠い側に存在することを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッド。 - 【請求項7】第1磁束案内は非磁性基板に最も近接して
置かれた磁束案内であり、磁気抵抗素子は前記磁束案内
と基板との間に延在していることを特徴とする請求項6
記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項8】少なくとも一方の変換素子がヘッド面まで
延びていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1
項記載の薄膜磁気ヘッド。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP91201739 | 1991-07-05 | ||
| NL91201739:9 | 1991-07-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05266426A true JPH05266426A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=8207757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4175583A Pending JPH05266426A (ja) | 1991-07-05 | 1992-07-02 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5270895A (ja) |
| EP (1) | EP0521564B1 (ja) |
| JP (1) | JPH05266426A (ja) |
| KR (1) | KR100260804B1 (ja) |
| DE (1) | DE69221962T2 (ja) |
Families Citing this family (24)
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|---|---|---|---|---|
| JPH05114119A (ja) * | 1991-10-21 | 1993-05-07 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
| JPH05166137A (ja) * | 1991-12-16 | 1993-07-02 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッドおよび記録再生装置 |
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-
1992
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- 1992-06-29 DE DE69221962T patent/DE69221962T2/de not_active Expired - Fee Related
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