JPH0210524B2 - - Google Patents
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- JPH0210524B2 JPH0210524B2 JP57130886A JP13088682A JPH0210524B2 JP H0210524 B2 JPH0210524 B2 JP H0210524B2 JP 57130886 A JP57130886 A JP 57130886A JP 13088682 A JP13088682 A JP 13088682A JP H0210524 B2 JPH0210524 B2 JP H0210524B2
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Classifications
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
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Description
（産業上の利用分野）
この発明は温度補償用磁器コンデンサに関す
る。 （従来の技術およびその問題点） 温度補償用磁器コンデンサの材料には、誘電率
が200以上、誘電率温度係数が−1000×10-6／℃
まで、Ｑが1000以上の電気特性を示すものとし
て、SrTiO3−CaTiO3−Nb2O5系のものがすでに
特公昭56−17771号において開示されている。 かかる系は誘電率温度係数が−1000×10-6／℃
から−3000×10-6／℃の範囲において、誘電率が
200〜320、Ｑ値も1500〜500の範囲にある電気特
性を備えているものとしてすでに報告されてい
る。 そして、この系の主成分であるSrTiO3−
CaTiO3の組成比がSrTiO350〜80重量％、
CaTiO320〜50重量％の範囲において、誘電率が
低下する反面、誘電率温度係数が小さくなるとと
もに、Ｑ値が大きくなるという特性を示すことが
確認されている。 一般に、磁器コンデンサの電気的特性は、磁器
コンデンサ素体に銀電極を焼付けたものを試料と
し、この試料を測定した値が示される。上記した
系もその例に漏れず、銀電極を形成した上で測定
を行なつている。 ところが、最近では銀そのものの価格が高騰
し、これがコンデンサの価格を押し上げる要因に
なつてきたことから、銀よりさらに安価な金属で
あるニツケル、銅などの卑金属を電極とした磁器
コンデンサが出現している。この卑金属電極は通
常無電解メツキ法により形成される。 したがつて、上記したSrTiO3−CaTiO3−
Nb2O5系の磁器コンデンサ素体に無電解メツキ電
極を形成しうることは十分考えられる。ところ
が、無電解メツキ法によりこの系からなる磁器コ
ンデンサ素体にニツケルまたは銅の電極を形成し
たところ、銀電極を形成した試料と比較して大き
な違いが現れた。つまり、Ｑ値がいままで1500〜
5000の範囲にあつたものが、高々200程度に留ま
り、無電解メツキ電極を形成したものでは実用に
供し得ないものであることが判明した。このた
め、電極を形成する場合、磁器コンデンサ素体と
電極との組合わせを考慮しなければならず、もし
安価な無電解メツキ電極の形成が行なえないとす
れば、コストダウンが図れないことになる。 また、この発明の温度補償用磁器コンデンサに
用いられる材料に近い組成系のものとして、英国
特許第1178825号公報に示されている組成のもの
がある。ここに開示の組成はSrTiO3、CaTiO3、
Bi2O3・nTiO2（ｘ＝３〜９）からなるものであ
り、SrTiO3が55〜75重量％、CaTiO3が15〜30重
量％、Bi2O3・xTiO2が５〜20重量％からなるも
のである。 かかる組成のものによれば、特性として誘電率
が309〜553、誘電率の温度特性が−965〜−2040
×10-6／℃、Ｑの値が180〜2091を示している。
このような特性のものは通常銀電極を形成したも
のについて測定した値であるが、例えば、このう
ちSrTiO3が65重量％、CaTiO3が30重量％、
Bi2O3・3TiO2が５重量％からなるものについて、
ニツケルの無電解メツキ電極を形成したところ、
Ｑの値が銀電極のときの値である2091に対して
1400〜1700と大幅に低下しており、これもまた安
価なニツケルの無電解メツキ膜を電極として使用
することは実用的ではなく、したがつてコストダ
ウンが図れないものであつた。 このようなことから、良好な電気的特性を示す
磁器コンデンサ素体が得られたとしても、無電解
メツキ電極を形成しても電気的特性が低下しない
磁器コンデンサ素体であることが要求される。 この発明はかかる要求に答えることのできる温
度補償用磁器コンデンサを提供することを目的と
する。 （問題点を解決するための手段） この発明にかかる温度補償用磁器コンデンサの
うち、第１番目の発明の要旨とするところは、
SrTiO364〜70.5重量％、CaTiO328〜34重量％、
Bi2O3またはBi2O3・nTiO2（ただしｎ＝１〜５）
1.5〜4.5重量％の組成からなる磁器コンデンサ素
体の表面に、無電解メツキ電極が形成されている
ものである。 また、この発明にかかる温度補償用磁器コンデ
ンサのうち、第２番目の発明の要旨とするところ
は、SrTiO364〜70.5重量％、CaTiO328〜34重量
％、Bi2O3またはBi2O3・nTiO2（ただしｎ＝１〜
５）1.5〜4.5重量％、MgTiO310重量％以下の組
成からなる磁器コンデンサ素体の表面に、無電解
メツキ電極が形成されているものである。 ここで、上記した組成範囲に限定したのは次の
ような理由による。SrTiO3が64重量％未満で、
CaTiO3が34重量％を越えると、誘電率の温度係
数がマイナス側で大きくなりすぎる。また
SrTiO3が70.5重量％を越え、CaTiO3が28重量％
未満になると、これも誘電率の温度係数がマイナ
ス側で大きくなりすぎる。Bi2O3またはBi2O3・
nTiO2が1.5重量％未満では焼結しにくく、誘電
率、Ｑ値ともに低く、誘電率の温度係数もマイナ
ス側で大きくなり、4.5重量％を越えると良好な
誘電率の温度係数を示すが、Ｑが低下し、磁器コ
ンデンサ素体の表面に針状結晶が現われ、磁器表
面と無電解メツキ電極との接着強度が低下する。
ここでｎが６以上になると、針状結晶の発生を抑
制するが、誘電率の増加効果がなくなる。
MgTiO3が10重量％を越えると、誘電率の温度係
数が小さくなり、焼結も良好になるが、誘電率が
低くなる。 （効果） この発明にかかる温度補償用磁器コンデンサに
よれば、磁器コンデンサ素体の組成範囲を特定す
るとともに、その素体表面に無電解メツキ電極を
形成することにより、誘電率が235以上、Ｑが
2000以上、誘電率温度係数（TC）が−1000×
10-6／℃までのすぐれた特性のものが得られ、し
たがつて安価な無電解メツキ電極が形成できるた
め、コストダウンが図れるという利点を備えてい
る。 （実施例） 以下、この発明を実施例にもとづいて詳細に説
明する。 調合原料として、SrCO3、CaCO3、TiO2、
Bi2O3、MgCO3を使用した。そしてあらかじめ
SrTiO3、CaTiO3、MgTiO3を調製しておき、
Bi2O3、TiO2とともに第１表に示す組成比率の磁
器が得られるように配合し、配合原料をバインダ
ーとともに湿式粉砕し、脱水乾燥した。得られた
粉末を成形圧力500Kg／cm2の圧力で10mmφ×0.5mm
ｔの円板に成形した。成形物を自然雰囲気中1250
〜1400℃の温度で１時間焼成した。 このようにして得られた磁器を脱脂、エツチン
グ、感受性化、さらに活性化したのちニツケルメ
ツキ浴に浸漬し、表面に無電解ニツケルメツキ電
極を形成した。磁器円板の周側面には不要なメツ
キ電極が形成されているから、研磨した除去し
た。 得られた試料について、温度20℃で誘電率
（ε）、Ｑおよび誘電率温度係数（TC）の各電気
特性を測定した。その測定結果を第２表に示し
た。 第１表、第２表中、※印を付した試料はこの発
明範囲外のものであり、それ以外はこの発明範囲
内のものである。
る。 （従来の技術およびその問題点） 温度補償用磁器コンデンサの材料には、誘電率
が200以上、誘電率温度係数が−1000×10-6／℃
まで、Ｑが1000以上の電気特性を示すものとし
て、SrTiO3−CaTiO3−Nb2O5系のものがすでに
特公昭56−17771号において開示されている。 かかる系は誘電率温度係数が−1000×10-6／℃
から−3000×10-6／℃の範囲において、誘電率が
200〜320、Ｑ値も1500〜500の範囲にある電気特
性を備えているものとしてすでに報告されてい
る。 そして、この系の主成分であるSrTiO3−
CaTiO3の組成比がSrTiO350〜80重量％、
CaTiO320〜50重量％の範囲において、誘電率が
低下する反面、誘電率温度係数が小さくなるとと
もに、Ｑ値が大きくなるという特性を示すことが
確認されている。 一般に、磁器コンデンサの電気的特性は、磁器
コンデンサ素体に銀電極を焼付けたものを試料と
し、この試料を測定した値が示される。上記した
系もその例に漏れず、銀電極を形成した上で測定
を行なつている。 ところが、最近では銀そのものの価格が高騰
し、これがコンデンサの価格を押し上げる要因に
なつてきたことから、銀よりさらに安価な金属で
あるニツケル、銅などの卑金属を電極とした磁器
コンデンサが出現している。この卑金属電極は通
常無電解メツキ法により形成される。 したがつて、上記したSrTiO3−CaTiO3−
Nb2O5系の磁器コンデンサ素体に無電解メツキ電
極を形成しうることは十分考えられる。ところ
が、無電解メツキ法によりこの系からなる磁器コ
ンデンサ素体にニツケルまたは銅の電極を形成し
たところ、銀電極を形成した試料と比較して大き
な違いが現れた。つまり、Ｑ値がいままで1500〜
5000の範囲にあつたものが、高々200程度に留ま
り、無電解メツキ電極を形成したものでは実用に
供し得ないものであることが判明した。このた
め、電極を形成する場合、磁器コンデンサ素体と
電極との組合わせを考慮しなければならず、もし
安価な無電解メツキ電極の形成が行なえないとす
れば、コストダウンが図れないことになる。 また、この発明の温度補償用磁器コンデンサに
用いられる材料に近い組成系のものとして、英国
特許第1178825号公報に示されている組成のもの
がある。ここに開示の組成はSrTiO3、CaTiO3、
Bi2O3・nTiO2（ｘ＝３〜９）からなるものであ
り、SrTiO3が55〜75重量％、CaTiO3が15〜30重
量％、Bi2O3・xTiO2が５〜20重量％からなるも
のである。 かかる組成のものによれば、特性として誘電率
が309〜553、誘電率の温度特性が−965〜−2040
×10-6／℃、Ｑの値が180〜2091を示している。
このような特性のものは通常銀電極を形成したも
のについて測定した値であるが、例えば、このう
ちSrTiO3が65重量％、CaTiO3が30重量％、
Bi2O3・3TiO2が５重量％からなるものについて、
ニツケルの無電解メツキ電極を形成したところ、
Ｑの値が銀電極のときの値である2091に対して
1400〜1700と大幅に低下しており、これもまた安
価なニツケルの無電解メツキ膜を電極として使用
することは実用的ではなく、したがつてコストダ
ウンが図れないものであつた。 このようなことから、良好な電気的特性を示す
磁器コンデンサ素体が得られたとしても、無電解
メツキ電極を形成しても電気的特性が低下しない
磁器コンデンサ素体であることが要求される。 この発明はかかる要求に答えることのできる温
度補償用磁器コンデンサを提供することを目的と
する。 （問題点を解決するための手段） この発明にかかる温度補償用磁器コンデンサの
うち、第１番目の発明の要旨とするところは、
SrTiO364〜70.5重量％、CaTiO328〜34重量％、
Bi2O3またはBi2O3・nTiO2（ただしｎ＝１〜５）
1.5〜4.5重量％の組成からなる磁器コンデンサ素
体の表面に、無電解メツキ電極が形成されている
ものである。 また、この発明にかかる温度補償用磁器コンデ
ンサのうち、第２番目の発明の要旨とするところ
は、SrTiO364〜70.5重量％、CaTiO328〜34重量
％、Bi2O3またはBi2O3・nTiO2（ただしｎ＝１〜
５）1.5〜4.5重量％、MgTiO310重量％以下の組
成からなる磁器コンデンサ素体の表面に、無電解
メツキ電極が形成されているものである。 ここで、上記した組成範囲に限定したのは次の
ような理由による。SrTiO3が64重量％未満で、
CaTiO3が34重量％を越えると、誘電率の温度係
数がマイナス側で大きくなりすぎる。また
SrTiO3が70.5重量％を越え、CaTiO3が28重量％
未満になると、これも誘電率の温度係数がマイナ
ス側で大きくなりすぎる。Bi2O3またはBi2O3・
nTiO2が1.5重量％未満では焼結しにくく、誘電
率、Ｑ値ともに低く、誘電率の温度係数もマイナ
ス側で大きくなり、4.5重量％を越えると良好な
誘電率の温度係数を示すが、Ｑが低下し、磁器コ
ンデンサ素体の表面に針状結晶が現われ、磁器表
面と無電解メツキ電極との接着強度が低下する。
ここでｎが６以上になると、針状結晶の発生を抑
制するが、誘電率の増加効果がなくなる。
MgTiO3が10重量％を越えると、誘電率の温度係
数が小さくなり、焼結も良好になるが、誘電率が
低くなる。 （効果） この発明にかかる温度補償用磁器コンデンサに
よれば、磁器コンデンサ素体の組成範囲を特定す
るとともに、その素体表面に無電解メツキ電極を
形成することにより、誘電率が235以上、Ｑが
2000以上、誘電率温度係数（TC）が−1000×
10-6／℃までのすぐれた特性のものが得られ、し
たがつて安価な無電解メツキ電極が形成できるた
め、コストダウンが図れるという利点を備えてい
る。 （実施例） 以下、この発明を実施例にもとづいて詳細に説
明する。 調合原料として、SrCO3、CaCO3、TiO2、
Bi2O3、MgCO3を使用した。そしてあらかじめ
SrTiO3、CaTiO3、MgTiO3を調製しておき、
Bi2O3、TiO2とともに第１表に示す組成比率の磁
器が得られるように配合し、配合原料をバインダ
ーとともに湿式粉砕し、脱水乾燥した。得られた
粉末を成形圧力500Kg／cm2の圧力で10mmφ×0.5mm
ｔの円板に成形した。成形物を自然雰囲気中1250
〜1400℃の温度で１時間焼成した。 このようにして得られた磁器を脱脂、エツチン
グ、感受性化、さらに活性化したのちニツケルメ
ツキ浴に浸漬し、表面に無電解ニツケルメツキ電
極を形成した。磁器円板の周側面には不要なメツ
キ電極が形成されているから、研磨した除去し
た。 得られた試料について、温度20℃で誘電率
（ε）、Ｑおよび誘電率温度係数（TC）の各電気
特性を測定した。その測定結果を第２表に示し
た。 第１表、第２表中、※印を付した試料はこの発
明範囲外のものであり、それ以外はこの発明範囲
内のものである。
【表】
【表】
【表】
【表】
第１図、第２図および第３図は、SrTiO3−
CaTiO3−Bi2O3・nTiO2からなる組成について、
各組成点における誘電率（ε）、Ｑおよび誘電率
温度係数（TC）をそれぞれ示したものである。
図中の各測定値のうちカツコ内に示したものは焼
付け銀電極を形成した測定した結果である。 また、第４図は、SrTiO366.5重量％、
CaTiO331重量％、Bi2O3・3TiO22.5重量％の組
成にMgTiO3を添加含有させたとき、誘電率
（ε）と誘電率温度係数（TC）の変化を測定した
もので、図中実線は誘電率（ε）、破線は誘電率
温度係数（TC）にそれぞれ対応する。 さらに第５図は、SrTiO366.5重量％、
CaTiO331重量％、Bi2O3・nTiO22.5重量％から
なる組成において、Bi2O3・nTiO2のｎを変化さ
せたとき、誘電率（ε）に与える影響を調べたも
のである。また、磁器表面に現れる針状結晶の長
さ（μ）を同時に測定した。 第１表、第２表および第１図〜第３図から明ら
かなように、この発明にかかる温度補償用磁器コ
ンデンサによれば、誘電率（ε）が235以上、Ｑ
が2000以上、誘電率温度係数（TC）が−1000×
10-6／℃までのすぐれた特性のものが得られてい
る。また、この発明によれば、電極として無電解
メツキ電極を形成しても、電気特性に大きなバラ
ツキがなく、しかも安価な無電解メツキ電極が形
成できるため、コストダウンが図れるという利点
を備えている。 また、第５図から明らかなように、SrTiO3−
CaTiO3にBi2O3またはBi2O3・nTiO2を含有させ
ることによつて、むしろこの場合にはTiO2量を
増加することによつて、磁器表面の針状結晶の発
生を抑圧し、磁器表面に無電解メツキ電極を形成
したときの密着性をよくするという効果をもたら
す。 さらに、この発明において、磁器コンデンサ素
体に鉱化剤としてSiO2、Al2O3、MnO2、Fe2O3
などを添加含有することによつて、さらに焼結性
を高めることができる。 また、上記した実施例では、あらかじめ
SrTiO3、CaTiO3、MgTiO3を調整したが、
SrCO3、CaCO3、MgCO3の各原料を用い、
Bi2O3、TiO2とともに混合して仮焼してもよい。 なお、特公昭56−17771号には、SrTiO3−
CaTiO3に副成分としてBi2O3・3TiO2を含有させ
た組成の開示がなされており、誘電率（ε）が増
大する反面、Ｑ値とTCが悪化すると指摘してい
る。しかしながら、この発明のように鋭利究明す
ることによつて、特定の組成範囲からなる磁器コ
ンデンサ素体に無電解メツキ電極を形成すること
により、SrTiO3−CaTiO3−Nb2O3系と比較して
同レベルの電気特性が得られるのみならず、コス
トダウンが図れるという利点を有しているもので
あり、工業的生産上きわめて有効なものと云え
る。
CaTiO3−Bi2O3・nTiO2からなる組成について、
各組成点における誘電率（ε）、Ｑおよび誘電率
温度係数（TC）をそれぞれ示したものである。
図中の各測定値のうちカツコ内に示したものは焼
付け銀電極を形成した測定した結果である。 また、第４図は、SrTiO366.5重量％、
CaTiO331重量％、Bi2O3・3TiO22.5重量％の組
成にMgTiO3を添加含有させたとき、誘電率
（ε）と誘電率温度係数（TC）の変化を測定した
もので、図中実線は誘電率（ε）、破線は誘電率
温度係数（TC）にそれぞれ対応する。 さらに第５図は、SrTiO366.5重量％、
CaTiO331重量％、Bi2O3・nTiO22.5重量％から
なる組成において、Bi2O3・nTiO2のｎを変化さ
せたとき、誘電率（ε）に与える影響を調べたも
のである。また、磁器表面に現れる針状結晶の長
さ（μ）を同時に測定した。 第１表、第２表および第１図〜第３図から明ら
かなように、この発明にかかる温度補償用磁器コ
ンデンサによれば、誘電率（ε）が235以上、Ｑ
が2000以上、誘電率温度係数（TC）が−1000×
10-6／℃までのすぐれた特性のものが得られてい
る。また、この発明によれば、電極として無電解
メツキ電極を形成しても、電気特性に大きなバラ
ツキがなく、しかも安価な無電解メツキ電極が形
成できるため、コストダウンが図れるという利点
を備えている。 また、第５図から明らかなように、SrTiO3−
CaTiO3にBi2O3またはBi2O3・nTiO2を含有させ
ることによつて、むしろこの場合にはTiO2量を
増加することによつて、磁器表面の針状結晶の発
生を抑圧し、磁器表面に無電解メツキ電極を形成
したときの密着性をよくするという効果をもたら
す。 さらに、この発明において、磁器コンデンサ素
体に鉱化剤としてSiO2、Al2O3、MnO2、Fe2O3
などを添加含有することによつて、さらに焼結性
を高めることができる。 また、上記した実施例では、あらかじめ
SrTiO3、CaTiO3、MgTiO3を調整したが、
SrCO3、CaCO3、MgCO3の各原料を用い、
Bi2O3、TiO2とともに混合して仮焼してもよい。 なお、特公昭56−17771号には、SrTiO3−
CaTiO3に副成分としてBi2O3・3TiO2を含有させ
た組成の開示がなされており、誘電率（ε）が増
大する反面、Ｑ値とTCが悪化すると指摘してい
る。しかしながら、この発明のように鋭利究明す
ることによつて、特定の組成範囲からなる磁器コ
ンデンサ素体に無電解メツキ電極を形成すること
により、SrTiO3−CaTiO3−Nb2O3系と比較して
同レベルの電気特性が得られるのみならず、コス
トダウンが図れるという利点を有しているもので
あり、工業的生産上きわめて有効なものと云え
る。
第１図、第２図および第３図はSrTiO3−
CaTiO3−Bi2O3・3TiO2からなる組成について、
各組成点における誘電率（ε）、Ｑおよび誘電率
温度係数（TC）をそれぞれ示した三角図、第４
図はSrTiO3−CaTiO3−Bi2O3・3TiO2に
MgTiO3を添加含有させたときの誘電率（ε）、
誘電率温度係数（TC）を示す関係特性図、第５
図はBi2O3・nTiO2のｎを変化させたときの誘電
率（ε）と針状結晶長さ（μ）の大きさを示す関
係特性図である。
CaTiO3−Bi2O3・3TiO2からなる組成について、
各組成点における誘電率（ε）、Ｑおよび誘電率
温度係数（TC）をそれぞれ示した三角図、第４
図はSrTiO3−CaTiO3−Bi2O3・3TiO2に
MgTiO3を添加含有させたときの誘電率（ε）、
誘電率温度係数（TC）を示す関係特性図、第５
図はBi2O3・nTiO2のｎを変化させたときの誘電
率（ε）と針状結晶長さ（μ）の大きさを示す関
係特性図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ SrTiO364〜70.5重量％、CaTiO328〜34重量
％、Bi2O3またはBi2O3・nTiO2（ただしｎ＝１〜
５）1.5〜4.5重量％の組成からなる磁器コンデン
サ素体の表面に、無電解メツキ電極が形成されて
いる温度補償用磁器コンデンサ。 ２ SrTiO364〜70.5重量％、CaTiO328〜34重量
％、Bi2O3またはBi2O3・nTiO2（ただしｎ＝１〜
５）1.5〜4.5重量％、MgTiO310重量％以下の組
成からなる磁器コンデンサ素体の表面に、無電解
メツキ電極が形成されている温度補償用磁器コン
デンサ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57130886A JPS5920908A (ja) | 1982-07-26 | 1982-07-26 | 温度補償用誘電体磁器組成物 |
| DE19833326716 DE3326716A1 (de) | 1982-07-26 | 1983-07-25 | Dielektrische keramikmasse zur temperaturkompensation |
| US06/516,744 US4482934A (en) | 1982-07-26 | 1983-07-25 | Temperature compensating titanate ceramic capacitor with nickel or copper electroless metal electrodes |
| GB08320053A GB2124204B (en) | 1982-07-26 | 1983-07-26 | Dielectric composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57130886A JPS5920908A (ja) | 1982-07-26 | 1982-07-26 | 温度補償用誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
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|---|---|
| JPS5920908A JPS5920908A (ja) | 1984-02-02 |
| JPH0210524B2 true JPH0210524B2 (ja) | 1990-03-08 |
Family
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP57130886A Granted JPS5920908A (ja) | 1982-07-26 | 1982-07-26 | 温度補償用誘電体磁器組成物 |
Country Status (4)
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| JPS62295304A (ja) * | 1986-06-14 | 1987-12-22 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
| US4889837A (en) * | 1986-09-02 | 1989-12-26 | Tdk Corporation | Semiconductive ceramic composition |
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| JP4182479B2 (ja) * | 2002-12-03 | 2008-11-19 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物、及びセラミック電子部品 |
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Family Cites Families (9)
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| JPS54157300A (en) * | 1978-06-01 | 1979-12-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semi-conductor porcelain capacitorsigma element manufacturing method |
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-
1982
- 1982-07-26 JP JP57130886A patent/JPS5920908A/ja active Granted
-
1983
- 1983-07-25 DE DE19833326716 patent/DE3326716A1/de active Granted
- 1983-07-25 US US06/516,744 patent/US4482934A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-07-26 GB GB08320053A patent/GB2124204B/en not_active Expired
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