JPS59162172A - 高誘電率系磁器組成物 - Google Patents
高誘電率系磁器組成物Info
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- JPS59162172A JPS59162172A JP58035641A JP3564183A JPS59162172A JP S59162172 A JPS59162172 A JP S59162172A JP 58035641 A JP58035641 A JP 58035641A JP 3564183 A JP3564183 A JP 3564183A JP S59162172 A JPS59162172 A JP S59162172A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、多層セラミックコンデンサの誘電体などに用
いられる高誘電率磁器組成物に関する。
いられる高誘電率磁器組成物に関する。
従来技術と問題点
コ゛ンデンサの誘電体には誘電率が大きいこと、誘電率
の温度変化が小さいこと、絶縁抵抗が高いことなどが一
般に望まれ、またセラミックコンデンサでは電極材料の
耐熱性の問題から焼成温度の低いことが望まれる。しか
しながら誘電率の増大と温度特性平坦化とは相反するこ
とであり、誘電率温度変化を例えば−５５℃〜＋１２５
℃の温度範囲で±１“５％以内に抑えようとすると、得
られる誘電率は高々２００’Ｏ程度に低下し、誘電率を
６ｏ００程度にしようとすれば温度特性は例えば−１０
℃〜８５°Ｃの狭い範囲で＋２０〜−６０％程度の大き
い変化を許容せざるを得なかった。また従来の組成物で
は焼成温度が高く、これを低減すべくヒスマス（Ｂｉ）
の化合物を使用すると焼成温度は下るが、電極材料のパ
ラジウム（Ｐｄ）との反応性があり、多層セラミックコ
ンデンサ用誘電材料としては不適当であった。
の温度変化が小さいこと、絶縁抵抗が高いことなどが一
般に望まれ、またセラミックコンデンサでは電極材料の
耐熱性の問題から焼成温度の低いことが望まれる。しか
しながら誘電率の増大と温度特性平坦化とは相反するこ
とであり、誘電率温度変化を例えば−５５℃〜＋１２５
℃の温度範囲で±１“５％以内に抑えようとすると、得
られる誘電率は高々２００’Ｏ程度に低下し、誘電率を
６ｏ００程度にしようとすれば温度特性は例えば−１０
℃〜８５°Ｃの狭い範囲で＋２０〜−６０％程度の大き
い変化を許容せざるを得なかった。また従来の組成物で
は焼成温度が高く、これを低減すべくヒスマス（Ｂｉ）
の化合物を使用すると焼成温度は下るが、電極材料のパ
ラジウム（Ｐｄ）との反応性があり、多層セラミックコ
ンデンサ用誘電材料としては不適当であった。
発明の目的
それ数本発明の目的は、−５５℃〜＋１２５°Ｃという
広い温度範囲において誘電率の変化率が１３０％以下と
いう低い値を持ち、かつ大きな誘電率を持つ磁器誘電体
を得ようとするにある。また焼成温度もできるだけ低く
、 ｔａｎδ、絶縁抵抗、誘電率経時変化特性などが優
れた磁器誘電体を得ようとするものである。
広い温度範囲において誘電率の変化率が１３０％以下と
いう低い値を持ち、かつ大きな誘電率を持つ磁器誘電体
を得ようとするにある。また焼成温度もできるだけ低く
、 ｔａｎδ、絶縁抵抗、誘電率経時変化特性などが優
れた磁器誘電体を得ようとするものである。
発明の構成
本発明の高誘電率系磁器組成物は、０．０７〜２モル％
のＮｂ２Ｏ５，０，０２〜２モル％のＮ ｄ ２０３
。
のＮｂ２Ｏ５，０，０２〜２モル％のＮ ｄ ２０３
。
残部をＢａＴｉＯ３として全部で１００モル％とした組
成物に対して、Ａ７！２０３を２重量％以下添加してな
ることを特徴とし、また０、０７〜２モル％のＮ ｂ
２０５．０．０２〜２モル％のＮｄ２Ｏ３、残部をＢａ
ＴｉＯ３として全部で１００モル％とした組成物に対し
て、Ａ７！２０３を２重量％以下、Ｍ ｎ Ｏ２を０．
０１〜０．２重量％、Ｃｏｏを１重量％以下、ＭｇＯを
１重量％以下添加してなることを特徴とするが、次に実
施例を参照しながらこれを詳細に説明する。
成物に対して、Ａ７！２０３を２重量％以下添加してな
ることを特徴とし、また０、０７〜２モル％のＮ ｂ
２０５．０．０２〜２モル％のＮｄ２Ｏ３、残部をＢａ
ＴｉＯ３として全部で１００モル％とした組成物に対し
て、Ａ７！２０３を２重量％以下、Ｍ ｎ Ｏ２を０．
０１〜０．２重量％、Ｃｏｏを１重量％以下、ＭｇＯを
１重量％以下添加してなることを特徴とするが、次に実
施例を参照しながらこれを詳細に説明する。
発明の実施例
本発明はチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）を主材とし
、新たに選択した３種の添加剤、酸化ニオブ（Ｎｂ２０
５）、酸化ネオジム（Ｎｄ２ｏ３）、酸化アルミニウム
（Ａｌ２Ｏ２）を用いることにより、所期の目的を達成
し得た。またこれに更に酸化マンガン（Ｍｎ ０．２
） 、Ｍ化コバルト（ｃ。
、新たに選択した３種の添加剤、酸化ニオブ（Ｎｂ２０
５）、酸化ネオジム（Ｎｄ２ｏ３）、酸化アルミニウム
（Ａｌ２Ｏ２）を用いることにより、所期の目的を達成
し得た。またこれに更に酸化マンガン（Ｍｎ ０．２
） 、Ｍ化コバルト（ｃ。
ｏ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を添加することによ
り一層効果を大ならしめることができた。
り一層効果を大ならしめることができた。
ニオブ（Ｎｂ）は粒成長抑制材であり、チタン酸バリウ
ムに添加すると誘電率の温度特性が改善されることは知
られている。ニオブの酸化物自体又はＴ ｉ ０２等と
の化合物は低誘電率であり、従って多量に加えれば全体
の誘電率は低下するがら、なるべく少ないニオブで効果
を上げることが望まれる。そこで、Ｎｂ２ｏ５添加によ
る温度特性改善効果をより有効ならしめるとともに、Ｎ
ｂ２Ｏ５添加による誘電率の低下を押えるために、見出
されたのがネオジム（Ｎｄ）であり、これを加えると少
量のＮｂ ’７： ？？ｎ度特性を改善することができ
、ひいては高誘電率でかっ、温度に対する変化の少ない
チタン酸バリウム磁器組成物が得られる。ニオブ添加に
よってチタン酸バリウムの温度特性を改善することがで
きる理由は、明確ではないが次のように考えられている
。即ち添加されたニオブはチタン酸バリウムの粒界に入
り、チタン酸バリウムの粒成長を抑制することによりチ
タン酸バリウム粒子に内部応力を発生させ、これが温度
特性改善効果をもたらす。ネオジム添加により誘電率の
低下を押えられるのは、これも添加すれば同様にチタン
化合物などが粒界に形成され、そのネオジムの化合物の
誘電率が大きいからかと解される。
ムに添加すると誘電率の温度特性が改善されることは知
られている。ニオブの酸化物自体又はＴ ｉ ０２等と
の化合物は低誘電率であり、従って多量に加えれば全体
の誘電率は低下するがら、なるべく少ないニオブで効果
を上げることが望まれる。そこで、Ｎｂ２ｏ５添加によ
る温度特性改善効果をより有効ならしめるとともに、Ｎ
ｂ２Ｏ５添加による誘電率の低下を押えるために、見出
されたのがネオジム（Ｎｄ）であり、これを加えると少
量のＮｂ ’７： ？？ｎ度特性を改善することができ
、ひいては高誘電率でかっ、温度に対する変化の少ない
チタン酸バリウム磁器組成物が得られる。ニオブ添加に
よってチタン酸バリウムの温度特性を改善することがで
きる理由は、明確ではないが次のように考えられている
。即ち添加されたニオブはチタン酸バリウムの粒界に入
り、チタン酸バリウムの粒成長を抑制することによりチ
タン酸バリウム粒子に内部応力を発生させ、これが温度
特性改善効果をもたらす。ネオジム添加により誘電率の
低下を押えられるのは、これも添加すれば同様にチタン
化合物などが粒界に形成され、そのネオジムの化合物の
誘電率が大きいからかと解される。
Ａｌ２Ｏ２は常誘電体で低誘電率であるからＡｄ２０３
添加による誘電率増大効果はない。しかし後述のように
誘電率の温度変化を低減するのに有効である。
添加による誘電率増大効果はない。しかし後述のように
誘電率の温度変化を低減するのに有効である。
マンガンはチタン酸バリウムの絶縁抵抗の増大に有効で
ある。コンデンサの誘電体の絶縁抵抗は高いほど望まし
いが、セラミックコンデンサの代表的規格等では５００
ＭΩ・μＦ以上が要求されている。マンガンを適量加え
るとか−る要求を容易に満足させることができる。なお
マンガンを多量に加えるとドナーとして働き、半導体化
してしまって絶縁抵抗を急速に低下させてしま・う。マ
グネシウムは誘電率の増大に効果があるが、 ｔａｎδ
を悪化させるのでこの点で上限が抑えられる。
ある。コンデンサの誘電体の絶縁抵抗は高いほど望まし
いが、セラミックコンデンサの代表的規格等では５００
ＭΩ・μＦ以上が要求されている。マンガンを適量加え
るとか−る要求を容易に満足させることができる。なお
マンガンを多量に加えるとドナーとして働き、半導体化
してしまって絶縁抵抗を急速に低下させてしま・う。マ
グネシウムは誘電率の増大に効果があるが、 ｔａｎδ
を悪化させるのでこの点で上限が抑えられる。
コバルトは焼成温度の低減に有効である。多層セラミッ
クコンデンサは、例えば台枠に張ったアルミニウム箔に
前述の組成の誘電体ペーストを印刷し、乾燥した後パラ
ジウムなどの電極材料のペーストを印刷し、乾燥後再び
該誘電体ペーストを印刷し・・・・・・と上記操作を所
要回繰り返し、こうして得られた積層体をアルミニウム
箔より剥がし、切断して個々のコンデンサ素材にし、パ
ーンアウトしてペースト中の有機物を飛散させ、その後
焼成する。この焼成でコンデンサ素材は焼結され、機械
的強度と目的とする電気的特性を有するようになる。そ
して両端面から各々複数枚の電極の端縁が見えている。
クコンデンサは、例えば台枠に張ったアルミニウム箔に
前述の組成の誘電体ペーストを印刷し、乾燥した後パラ
ジウムなどの電極材料のペーストを印刷し、乾燥後再び
該誘電体ペーストを印刷し・・・・・・と上記操作を所
要回繰り返し、こうして得られた積層体をアルミニウム
箔より剥がし、切断して個々のコンデンサ素材にし、パ
ーンアウトしてペースト中の有機物を飛散させ、その後
焼成する。この焼成でコンデンサ素材は焼結され、機械
的強度と目的とする電気的特性を有するようになる。そ
して両端面から各々複数枚の電極の端縁が見えている。
この両端面にキャンプ状に端子電極材料を塗布し、焼付
けて端子電極を形成する。
けて端子電極を形成する。
上記焼成温度はＢ ａ Ｔ ｉ Ｏ３系磁器の場合一般
には１３００〜１４００℃であり、内部電極は白金、パ
ラジウムなどの高融点材料でないと耐えられない。コバ
ルト添加で多量の銀含有電極を利用できる温度まで焼成
温度を下げることができる。
には１３００〜１４００℃であり、内部電極は白金、パ
ラジウムなどの高融点材料でないと耐えられない。コバ
ルト添加で多量の銀含有電極を利用できる温度まで焼成
温度を下げることができる。
次に実施例を挙げる。０．０７〜２モル％のＮｂ２Ｏ５
，０，０５〜２モル％のＮ ｄ ２０３ 、残部をＢａ
Ｔ ｉ Ｏ３として全部を１００モル％とした組成物
に対して、Ａ ｊ２２０３を２重量％以下添加した（従
って前記組成物は９８重量％以上として全体を１００重
量％とじた）、及びこれに更に０．０２〜０．２重量％
のＭ ｎ Ｏ２，１重量％以下のＣｏｏ、１重量％以下
のＭｇＯを添加した（従って前記組成物は９５，８重量
％以上として全体を１００重量％とじた）、純度９９．
８％以上の原料粉末を用い、秤量後、該粉末に対して１
５重量％の有機バインダ（エチルセルローズ、ポリビニ
ルプチラル）及び溶剤（ＭＥＫ、テルピネオール）を添
加し、プラスチックコーティングボールを使用して１２
時時間式ボールミル混合を行なった。混合を終了したス
ラリーは、脱泡後粘度調整を行なって印刷用誘電体ペー
ストとした。
，０，０５〜２モル％のＮ ｄ ２０３ 、残部をＢａ
Ｔ ｉ Ｏ３として全部を１００モル％とした組成物
に対して、Ａ ｊ２２０３を２重量％以下添加した（従
って前記組成物は９８重量％以上として全体を１００重
量％とじた）、及びこれに更に０．０２〜０．２重量％
のＭ ｎ Ｏ２，１重量％以下のＣｏｏ、１重量％以下
のＭｇＯを添加した（従って前記組成物は９５，８重量
％以上として全体を１００重量％とじた）、純度９９．
８％以上の原料粉末を用い、秤量後、該粉末に対して１
５重量％の有機バインダ（エチルセルローズ、ポリビニ
ルプチラル）及び溶剤（ＭＥＫ、テルピネオール）を添
加し、プラスチックコーティングボールを使用して１２
時時間式ボールミル混合を行なった。混合を終了したス
ラリーは、脱泡後粘度調整を行なって印刷用誘電体ペー
ストとした。
このペーストを用いて誘電体膜の印刷、及び導体ペース
トを用いて電極膜の印刷などを行ない、焼成後、寸法２
Ｘ ４．５ 酊角の単層チップコンデンサを試作し、
すべての誘電特性を評価した。このコンデンサの焼成後
の誘電体厚は１５〜２０μｍ、内部電極はパラジウムで
ある。誘電特性の測定周波数はＩＫＨｚ、測定電圧はＩ
Ｖｒｍｓとし、端子電極を８５０℃で１０分焼付けたの
ち、２４時間室温に放置し、然るのち測定を行なった。
トを用いて電極膜の印刷などを行ない、焼成後、寸法２
Ｘ ４．５ 酊角の単層チップコンデンサを試作し、
すべての誘電特性を評価した。このコンデンサの焼成後
の誘電体厚は１５〜２０μｍ、内部電極はパラジウムで
ある。誘電特性の測定周波数はＩＫＨｚ、測定電圧はＩ
Ｖｒｍｓとし、端子電極を８５０℃で１０分焼付けたの
ち、２４時間室温に放置し、然るのち測定を行なった。
誘電率の経時変化（ａｇｉｎｇ ｒａｔｅ）は端子電極
焼付は後、常温に達した時点より１時間後の誘電率をε
１とし、１０時間後のそれをε１．とし、誘電率変化率
ηをη＝（ε＋ｏ−８１）／εＩ×１００（％／ｄｅｃ
ａｄｅ）として算出した。第１図〜第１０図に各添加剤
の添加効果を示す。
焼付は後、常温に達した時点より１時間後の誘電率をε
１とし、１０時間後のそれをε１．とし、誘電率変化率
ηをη＝（ε＋ｏ−８１）／εＩ×１００（％／ｄｅｃ
ａｄｅ）として算出した。第１図〜第１０図に各添加剤
の添加効果を示す。
第１図はＮｂ２Ｏ５の添加量（モル％）と誘電率ε （
２５℃における値）の関係を示し、Ｎｄ２Ｏ３ば０．１
５モル％に、ｆｉ、１１２０３は０．７５重量％に固定
しである。Ｎｂ２Ｏ５は０〜３モル％の範囲で変え、こ
のＮｂ２Ｏ５の量Ｘに応じてＢａＴｉＯ３を減少し、従
ってこの組成物は（（９９゜８５−ｘ）ＢａＴｉ０３＋
ｘＮｂ２０ｒ＋＋０．１５ｐＪ ｄ ２０３ ）モル％
十（０，７５’Ａ ｉｔ ２０３’ ）重量％で表わさ
れる。焼成温度は１３００°Ｃである。
２５℃における値）の関係を示し、Ｎｄ２Ｏ３ば０．１
５モル％に、ｆｉ、１１２０３は０．７５重量％に固定
しである。Ｎｂ２Ｏ５は０〜３モル％の範囲で変え、こ
のＮｂ２Ｏ５の量Ｘに応じてＢａＴｉＯ３を減少し、従
ってこの組成物は（（９９゜８５−ｘ）ＢａＴｉ０３＋
ｘＮｂ２０ｒ＋＋０．１５ｐＪ ｄ ２０３ ）モル％
十（０，７５’Ａ ｉｔ ２０３’ ）重量％で表わさ
れる。焼成温度は１３００°Ｃである。
このグラフから明らかなようにＮｂ２Ｃ）ａが０．４モ
ル％のとき誘電率εが最大になり、添加量がこれより増
減するにつれてεは減少する。誘電率εは２０００以上
であることが望ましいとして、好ましいＮｂ２Ｏ５添加
量範囲Ｗは０．０７〜２モル％である。
ル％のとき誘電率εが最大になり、添加量がこれより増
減するにつれてεは減少する。誘電率εは２０００以上
であることが望ましいとして、好ましいＮｂ２Ｏ５添加
量範囲Ｗは０．０７〜２モル％である。
第２図はＮ ｄ ２０３の添加量（モル％）と誘電率ε
（２５°Ｃにおける値）との関係を示す。Ｎｂ２Ｏ５
は１．２モル％に、またＡｌ２２０３は０．７５％に固
定しである。このグラフから明らかなようにＮ ｄ ２
０３の添加量が０．３モル％付近で誘電率εは最大とな
り、該添加量がこれより増減するとε。
（２５°Ｃにおける値）との関係を示す。Ｎｂ２Ｏ５
は１．２モル％に、またＡｌ２２０３は０．７５％に固
定しである。このグラフから明らかなようにＮ ｄ ２
０３の添加量が０．３モル％付近で誘電率εは最大とな
り、該添加量がこれより増減するとε。
は減少する。やはりεは２０００以上であるのが望まし
いとして、好ましいＮｄ ２０３添加量範囲Ｗは０．０
５〜２モル％である。
いとして、好ましいＮｄ ２０３添加量範囲Ｗは０．０
５〜２モル％である。
第３図はＡ （１２Ｃｐ３添加量と誘電率の関係を示す
。Ｎｂ２Ｏ５は１．２モル％にまたＮｄ２Ｏ３は０．１
５モル％に固定しである。このグラフから明らかなよう
にＡ ＩＩ ２ Ｑ ３は添加する程εが下り、この点
では利点はない。しかしＡｌ２２０３はεの温度特性改
善に効果がある。即ち、第４図はＡ７！２０３添加によ
る温度特性の変化を示し、横軸は温度°Ｃ，縦軸は２５
℃における誘電率εと任意温度における誘電率εｔとの
差Δε−εを一εの、εに対する比Δε／εを示す。こ
のグラフから明らかなようにＡｌ２Ｏ３を加えない場合
（０ｗｔ％）誘電率変化率は＋８％〜−２８％と大きく
変化する。これに対してＡ １２２０３を０．５ｉ％、
０．７５ｗｔ％、２ｗｔ％・・・・・・と加えて行くと
誘電率変化率は次第に減少し、フラットに近くなる。従
って誘電率変化率の点ではＡｌ２Ｏ３量は多い程よし１
゜しかし多ければ誘電率が低下するからε＝２０００以
上は必要としてＡｐ２ｏ３Ｗｋの好ましし）範囲Ｗは２
重量％以下である。下限はΔε／εをどの程度に抑える
かで定まり、＋５〜−１５％以内ナラ０．５ｉｖｔ％で
ある。
。Ｎｂ２Ｏ５は１．２モル％にまたＮｄ２Ｏ３は０．１
５モル％に固定しである。このグラフから明らかなよう
にＡ ＩＩ ２ Ｑ ３は添加する程εが下り、この点
では利点はない。しかしＡｌ２２０３はεの温度特性改
善に効果がある。即ち、第４図はＡ７！２０３添加によ
る温度特性の変化を示し、横軸は温度°Ｃ，縦軸は２５
℃における誘電率εと任意温度における誘電率εｔとの
差Δε−εを一εの、εに対する比Δε／εを示す。こ
のグラフから明らかなようにＡｌ２Ｏ３を加えない場合
（０ｗｔ％）誘電率変化率は＋８％〜−２８％と大きく
変化する。これに対してＡ １２２０３を０．５ｉ％、
０．７５ｗｔ％、２ｗｔ％・・・・・・と加えて行くと
誘電率変化率は次第に減少し、フラットに近くなる。従
って誘電率変化率の点ではＡｌ２Ｏ３量は多い程よし１
゜しかし多ければ誘電率が低下するからε＝２０００以
上は必要としてＡｐ２ｏ３Ｗｋの好ましし）範囲Ｗは２
重量％以下である。下限はΔε／εをどの程度に抑える
かで定まり、＋５〜−１５％以内ナラ０．５ｉｖｔ％で
ある。
第５図はＮｂ ２０５． Ｎｄ ２０３添加量と温度特
性の変化を示し、Ｎｄ２Ｏ３は０．１５モル％に固定し
、Ｎ ｂ ２０５を０．４〜２モル％の範囲で変えてい
る。このグラフから明らかなようにＮｂ２ｏ１１のΔε
／εに対する影響は複雑で、０．４モル％の場合と０．
８％モル％の場合でははＸ゛逆の影響があると言える。
性の変化を示し、Ｎｄ２Ｏ３は０．１５モル％に固定し
、Ｎ ｂ ２０５を０．４〜２モル％の範囲で変えてい
る。このグラフから明らかなようにＮｂ２ｏ１１のΔε
／εに対する影響は複雑で、０．４モル％の場合と０．
８％モル％の場合でははＸ゛逆の影響があると言える。
即ち２５℃〜１００ ’ｃ範囲でみると前者はΔε／ε
をプラスにするのに対し後者はこれを大きくマイナスに
する。０．８モル％以後は１．２モル％、２モル％と添
加量が増すにつれてΔε／εは、２５℃以上では減少し
、２５°Ｃ以下では増減まちまちである。第６図は第５
図と同様にＮｂ２Ｏ５，Ｎｄ２ｏ３添加量による温度特
性の変化を示すが、この場合はＮｂ２ｏ５を１．２モル
％に固定し、Ｎ ｄ ２０３を０．０５〜２モル％の範
囲で変えている。このグラフから明らがなようにＮ ｄ
２０３のΔε／ε特性に与える影響は単純で、Ｎｄ２
Ｏ３は少ない程該特性がよくなる。
をプラスにするのに対し後者はこれを大きくマイナスに
する。０．８モル％以後は１．２モル％、２モル％と添
加量が増すにつれてΔε／εは、２５℃以上では減少し
、２５°Ｃ以下では増減まちまちである。第６図は第５
図と同様にＮｂ２Ｏ５，Ｎｄ２ｏ３添加量による温度特
性の変化を示すが、この場合はＮｂ２ｏ５を１．２モル
％に固定し、Ｎ ｄ ２０３を０．０５〜２モル％の範
囲で変えている。このグラフから明らがなようにＮ ｄ
２０３のΔε／ε特性に与える影響は単純で、Ｎｄ２
Ｏ３は少ない程該特性がよくなる。
第７図はＭｎＯ２添加量と絶縁抵抗との関係を示す。試
料は９８．．６５ＢａＴｉ０３＋１．２Ｎｂ２０５＋０
．１５Ｎｃ１２０３を（１（１０−０，７５−ｘ）重量
％とし、これにＡＡ ２０３．ＭｎＯ２を（０゜７５Ａ
ｊ！２０３＋ｘ−Ｍｎ０２）重量％加えたものである。
料は９８．．６５ＢａＴｉ０３＋１．２Ｎｂ２０５＋０
．１５Ｎｃ１２０３を（１（１０−０，７５−ｘ）重量
％とし、これにＡＡ ２０３．ＭｎＯ２を（０゜７５Ａ
ｊ！２０３＋ｘ−Ｍｎ０２）重量％加えたものである。
本例ではＸはＯ−０，４重量％の範囲で変えている。こ
のグラフから明らかなようにＭｎＯ２ば添加量を増して
行くと絶縁抵抗が改善されるが０．１重量％辺りでピー
クとなり、それ以上になると急激に減少する。従って好
ましい添加量範囲Ｗは０．０１〜０，２重量％である。
のグラフから明らかなようにＭｎＯ２ば添加量を増して
行くと絶縁抵抗が改善されるが０．１重量％辺りでピー
クとなり、それ以上になると急激に減少する。従って好
ましい添加量範囲Ｗは０．０１〜０，２重量％である。
第８図はＭｎＯ２添加量と誘電率の経年変化（ａｇｉｎ
ｇ ｒａｔｅ）の関係を示す。このグラフがら明らかな
ようにＭｎＯ２は添加量を増して行くと経年変化が大き
くなり、特に０．２重量％あたりから著しく増大する。
ｇ ｒａｔｅ）の関係を示す。このグラフがら明らかな
ようにＭｎＯ２は添加量を増して行くと経年変化が大き
くなり、特に０．２重量％あたりから著しく増大する。
コンデンサで言えば容量が年と共に著しく減少してしま
う。この点からもＭ ｎ Ｏ２添加量の上限は０．２重
量％あたりである。
う。この点からもＭ ｎ Ｏ２添加量の上限は０．２重
量％あたりである。
第９図はＭｇＯ添加量と誘電率及びｔａｎδの関係を示
す。このグラフから明らかなようにＭｇＯ添加量を増し
て行くと誘電率が大きくなるが、同時に ｔａｎδも増
加する傾向にあり特に０．２重量％以上で該増加が著し
い。従って好ましい範囲Ｗは０．２重量％以下であり下
限は僅かながらも誘電率の改善が認められる量、例えば
０．０１重量％である。なおＭｇ○添加によるε改善効
果は上限の０゜２重量％添加しても７００、率にして２
割強に過ぎないが、これは誘電率およびその温度変化を
所望値にする組成物（ＢａＴｉＯ３＋Ｎｂ２Ｏ５十Ｎｄ
２０３）に単純に加えて、換言すれば該組成物は固定の
ものとしてこれにＭｇＯをＸ重量％、該組成物を残りの
（１００−Ｘ）重量％とって混合するというだけの処理
で、該組成物の誘電率を更に改善できるという点で、非
常に有効なものである。
す。このグラフから明らかなようにＭｇＯ添加量を増し
て行くと誘電率が大きくなるが、同時に ｔａｎδも増
加する傾向にあり特に０．２重量％以上で該増加が著し
い。従って好ましい範囲Ｗは０．２重量％以下であり下
限は僅かながらも誘電率の改善が認められる量、例えば
０．０１重量％である。なおＭｇ○添加によるε改善効
果は上限の０゜２重量％添加しても７００、率にして２
割強に過ぎないが、これは誘電率およびその温度変化を
所望値にする組成物（ＢａＴｉＯ３＋Ｎｂ２Ｏ５十Ｎｄ
２０３）に単純に加えて、換言すれば該組成物は固定の
ものとしてこれにＭｇＯをＸ重量％、該組成物を残りの
（１００−Ｘ）重量％とって混合するというだけの処理
で、該組成物の誘電率を更に改善できるという点で、非
常に有効なものである。
第１０図はＣｏｏ添加量と焼成温度および誘電率の関係
を示す。このグラフから明らかなようにＣｏｏを加える
と焼成温度が下る。但し誘電率も下るのでε−２０００
を下限としてＣｏｏ添加量は１重量％が上限である。こ
の好ましい添加量範囲Ｗの下限は、有意な焼成温度低下
がみられる添加量、例えば電極材料を白金、パラジウム
単体から銀含有量を５０％程度に変えることができる添
加量である。
を示す。このグラフから明らかなようにＣｏｏを加える
と焼成温度が下る。但し誘電率も下るのでε−２０００
を下限としてＣｏｏ添加量は１重量％が上限である。こ
の好ましい添加量範囲Ｗの下限は、有意な焼成温度低下
がみられる添加量、例えば電極材料を白金、パラジウム
単体から銀含有量を５０％程度に変えることができる添
加量である。
添加物の始めの形はＮｂ ２０５． Ｎｄ ２０３゜Ａ
ｉｔ ２０３ 、 Ｍ ｎ Ｏ２、Ｃｏ Ｏ、Ｍ ｇ
Ｏに限らず、この化合物として見た場合同一量添加量
になるものであれば同一の効果を発揮する。また主材の
ＢａＴｉ０＋はＢａＯとＴ ｉ ０２又はＢａＣＯ３と
Ｔ ｉ Ｏ２として混合しても全く同一の効果が得られ
る。またＢａＴｉＯ３のＢａとＴｉの比は必ずしも１：
１に限らず、通常の市販粉末の誤差は勿論、Ｂ ａ ／
Ｔ ｉは０．９４〜１．２まで許容される。
ｉｔ ２０３ 、 Ｍ ｎ Ｏ２、Ｃｏ Ｏ、Ｍ ｇ
Ｏに限らず、この化合物として見た場合同一量添加量
になるものであれば同一の効果を発揮する。また主材の
ＢａＴｉ０＋はＢａＯとＴ ｉ ０２又はＢａＣＯ３と
Ｔ ｉ Ｏ２として混合しても全く同一の効果が得られ
る。またＢａＴｉＯ３のＢａとＴｉの比は必ずしも１：
１に限らず、通常の市販粉末の誤差は勿論、Ｂ ａ ／
Ｔ ｉは０．９４〜１．２まで許容される。
発明の効果
以」−説明したように本発明によれば一５５〜＋１２５
℃という広い温度範囲において誘電率の変化率が少なく
（±３０％以下）かつ誘電率の大きな磁器誘電体を得
ることができる。また焼成温度を低減でき、 ｔａｎδ
、絶縁抵抗、経時変化特性などの優れた磁器誘電体を得
ることができる。
℃という広い温度範囲において誘電率の変化率が少なく
（±３０％以下）かつ誘電率の大きな磁器誘電体を得
ることができる。また焼成温度を低減でき、 ｔａｎδ
、絶縁抵抗、経時変化特性などの優れた磁器誘電体を得
ることができる。
第１図〜第１０図は本発明の磁器組成物の各種特性を示
すグラフである。 出願人 富士通株式会社
すグラフである。 出願人 富士通株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１０，０７〜２モル％のＮｂ２Ｏ５，０，０２〜２
モル％のＮｄ２Ｏ３、残部をＢ ａ Ｔ ｉ Ｏ３とし
て全部で１００モル％とした組成物に対して、ＡＮ２０
３を２重量％以下添加してなることを特徴とする、高誘
電率系磁器組成物。 ＋２１０．０７〜２モル％のＮｂ２Ｏ５，０，０２〜２
モル％のＮｄ２Ｏ３、残部をＢ ａ Ｔ ｉ Ｏ３とし
て全部で１００モル％とした組成物に対して、Ａｌ１２
ｏ３を２重量％以下、ＭｎＯ２を０．０１〜０．２重量
％、Ｃ’ｏＯを１重量％以下、ＭｇＯを１重量％以下添
加してなることを特徴とする、高誘電率系磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58035641A JPS59162172A (ja) | 1983-03-04 | 1983-03-04 | 高誘電率系磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58035641A JPS59162172A (ja) | 1983-03-04 | 1983-03-04 | 高誘電率系磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59162172A true JPS59162172A (ja) | 1984-09-13 |
Family
ID=12447496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58035641A Pending JPS59162172A (ja) | 1983-03-04 | 1983-03-04 | 高誘電率系磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59162172A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01227303A (ja) * | 1988-03-08 | 1989-09-11 | Toko Inc | マイクロ波用誘電体磁器組成物 |
| JPH01227304A (ja) * | 1988-03-08 | 1989-09-11 | Toko Inc | マイクロ波用誘電体磁器組成物とその製造方法 |
-
1983
- 1983-03-04 JP JP58035641A patent/JPS59162172A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01227303A (ja) * | 1988-03-08 | 1989-09-11 | Toko Inc | マイクロ波用誘電体磁器組成物 |
| JPH01227304A (ja) * | 1988-03-08 | 1989-09-11 | Toko Inc | マイクロ波用誘電体磁器組成物とその製造方法 |
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