JPH0534302B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0534302B2 JPH0534302B2 JP61201050A JP20105086A JPH0534302B2 JP H0534302 B2 JPH0534302 B2 JP H0534302B2 JP 61201050 A JP61201050 A JP 61201050A JP 20105086 A JP20105086 A JP 20105086A JP H0534302 B2 JPH0534302 B2 JP H0534302B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- main component
- dielectric constant
- pbtio
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
(産業上の利用分野)
本発明は、磁器組成物、特に誘電率が高く、室
温および高温における絶縁抵抗が高く、しかも機
械的強度の高い磁器組成物に関するものである。 (従来の技術) 従来、高誘電率磁器組成物として、チタン酸バ
リウム(BaTiO3)が、またチタン酸バリウム
(BaTiO3)とチタン酸カルシウム(CaTiO3)、
チタン酸鉛(PbTiO3)などの固溶体組成物が広
く実用化されているのは周知のとおりである。し
かしながらこれら公知の誘電体磁器組成物で得ら
れる誘電率は高々8000程度にすぎず、特性改善の
ために常温での誘電率を大きくすると誘電率の温
度変化が大きくなり、一方誘電率の温度変化を小
さくすれば誘電率の最大値が減少するなど実用上
種々の問題点があつた。 また、磁器組成物の電気的特性として、誘電損
失が小さく、絶縁抵抗が高いことが要求される。
さらに絶縁抵抗の値に関しては、高信頼性の部品
を要求する米国防総省の規格であるミリタリース
ペシフイケイシヨン(Military Specification)
のMIL−C−55681Bにおいて、室温における値
のみならず、125℃における値も定められている
ように、信頼性の高い磁器コンデンサを得るため
には、室温における値のみならず、最高使用温度
における絶縁抵抗も高い値をとることが必要であ
る。 また、積層形チツプコンデンサの場合は、チツ
プコンデンサを基板に実装したとき、基板とチツ
プコンデンサを構成している磁器との熱膨張係数
の違いにより、チツプコンデンサに機械的な歪が
加わり、チツプコンデンサにクラツクが発生した
り、破損したりすることがある。また、エポキシ
系樹脂等を外装したデイツプコンデンサの場合
も、外装樹脂の応力で、デイツプコンデンサにク
ラツクが発生する場合がある。 (発明が解決しようとする問題点) いずれの場合も、コンデンサを形成している磁
器の機械的強度が低いほど、クラツクが入りやす
く、容易に破損するため、信頼性が低くなる。し
たがつて、磁器の機械的強度をできるだけ増大さ
せることは実用上極めて重要なことである。従
来、これらの条件を備えた磁器誘電体は少なく、
その実現が望まれていた。 (問題点を解決するための手段) 本発明は、上述の要請に鑑み、誘電率が高く、
誘電損失が小さく室温および高温における絶縁抵
抗の値が高い優れた電気特性を有し、更に機械的
強度も大きい信頼性の高い磁器組成物を提供しよ
うとするものであり、その要旨は、マグネシウ
ム、ニオブ酸鉛[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]、チ
タン酸鉛[PbTiO3]およびニツケル・ニオブ酸
鉛[Pb(Ni1/3Nb2/3)O3]からなる3成分
系組成物を、[Pb(Mg1/3Nb1/3)O3]x,
[Pb(Ni1/3Nb2/3)O3]y[PbTiO3]zと表
わしたときに(ただしz+y+z=1.00)この3
成分組成図において以下の組成点 (x=0.10,y=0.70,z=0.20) (x=0.15,y=0.60,z=0.25) (x=0.15,y=0.70,z=0.15) (x=0.40,y=0.35,z=0.25) (x=0.60,y=0.20,z=0.20) (x=0.70,y=0.20,z=0.10) (x=0.50,y=0.40,z=0.10) を結ぶ線上、およびこの7点に囲まれる組成範囲
にある主成分組成物に、副成分としてマンガン・
タンタル酸鉛[Pb(Mn1/3Ta2/3)O3]を主
成分に対して、0.01〜8mol%添加含有せしめて
なることを特徴とするものである。 (作用) すなわち、本願発明者は既にPb(Mg1/
3Nb2/3)O3−Pb(Ni1/3Nb2/3)O3
(PbTiO3)からなる3成分系の高誘電率、低誘
電損失の磁器組成物を提案しているが、本発明は
この3成分系に新たに検討した範囲を加え、機械
的強度高温での比抵抗改善を目的としてマンガ
ン・タンタル酸鉛[Pb(Mn1/3Ta2/3)O3]
を添加含有せしめるもので、室温および高温にお
ける絶縁抵抗の値が高い、優れた電気的特性を有
し、更に機械的強度も大きい、信頼性の高い磁器
組成物を提供しようとするものである。 (実施例) 以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
主成分組成物の出発原料として純度99.9%以上の
酸化鉛(PbO)、酸化マグネシウム(MgO)、酸
化ニオブ(Nb2O5)、酸化ニツケル(NiO)、及び
酸化チタン(TiO2)を使用し、副成分の出発原
料として酸化鉛(PbO)、炭酸マンガン
(MnCO3)、及び酸化タンタル(Ta2O5)を使用
し、表に示した配合比となるように各々秤量す
る。次に秤量した各材料をボールミル中で湿式混
合した後750〜800℃で予焼を行ない、この粉末を
ボールミルで粉砕し、濾過、乾燥後、有機バイン
ダーを入れ整粒後プレスし、直径16mm、厚さ約2
mmの円板4枚と、直径16mm、厚さ約10mmの円柱を
作成した。次に本発明の組成範囲の試料は空気中
1000〜1080℃の温度で1時間焼結した。焼結した
円板4枚の上下面に600℃で銀電極を焼付け、デ
ジタルLCRメーターで周波数1KHz、電圧1Vr.m.
s.温度20℃で容量と誘電損失を測定し、誘電率を
算出した。 次に超絶縁抵抗計で50Vの電圧を1分間印加し
て、絶縁抵抗を温度20℃と125℃で測定し、比抵
抗を算出した。 機械的性質を抗折強度で評価するため、焼結し
た円柱から厚さ0.5mm、幅2mm、長さ約13mmの矩
形板を10枚切り出した。支点間距離を9mmとり、
二点法で破壊荷重Pm[Kg]を測定、τ=3/2 Pm/Wt2[Kg/cm2]なる式に従い、抗折強度τ [Kg/cm2]を求めた。ただし、lは支点間距離、
tは試料の厚み、Wは試料の幅である。電気的特
性は円板試料4点の平均値、抗折強度は矩形板試
料10点の平均値より求めた。このようにして得ら
れた磁器の主成分[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]
x [Pb(Ni1/3Nb2/3)O3]y[PbTiO3]
zの配合比x,y,zおよび副成分添加量と誘電
率、誘電損失、20℃および125℃における比抵抗、
および抗折強度の関係を次表に示す。
温および高温における絶縁抵抗が高く、しかも機
械的強度の高い磁器組成物に関するものである。 (従来の技術) 従来、高誘電率磁器組成物として、チタン酸バ
リウム(BaTiO3)が、またチタン酸バリウム
(BaTiO3)とチタン酸カルシウム(CaTiO3)、
チタン酸鉛(PbTiO3)などの固溶体組成物が広
く実用化されているのは周知のとおりである。し
かしながらこれら公知の誘電体磁器組成物で得ら
れる誘電率は高々8000程度にすぎず、特性改善の
ために常温での誘電率を大きくすると誘電率の温
度変化が大きくなり、一方誘電率の温度変化を小
さくすれば誘電率の最大値が減少するなど実用上
種々の問題点があつた。 また、磁器組成物の電気的特性として、誘電損
失が小さく、絶縁抵抗が高いことが要求される。
さらに絶縁抵抗の値に関しては、高信頼性の部品
を要求する米国防総省の規格であるミリタリース
ペシフイケイシヨン(Military Specification)
のMIL−C−55681Bにおいて、室温における値
のみならず、125℃における値も定められている
ように、信頼性の高い磁器コンデンサを得るため
には、室温における値のみならず、最高使用温度
における絶縁抵抗も高い値をとることが必要であ
る。 また、積層形チツプコンデンサの場合は、チツ
プコンデンサを基板に実装したとき、基板とチツ
プコンデンサを構成している磁器との熱膨張係数
の違いにより、チツプコンデンサに機械的な歪が
加わり、チツプコンデンサにクラツクが発生した
り、破損したりすることがある。また、エポキシ
系樹脂等を外装したデイツプコンデンサの場合
も、外装樹脂の応力で、デイツプコンデンサにク
ラツクが発生する場合がある。 (発明が解決しようとする問題点) いずれの場合も、コンデンサを形成している磁
器の機械的強度が低いほど、クラツクが入りやす
く、容易に破損するため、信頼性が低くなる。し
たがつて、磁器の機械的強度をできるだけ増大さ
せることは実用上極めて重要なことである。従
来、これらの条件を備えた磁器誘電体は少なく、
その実現が望まれていた。 (問題点を解決するための手段) 本発明は、上述の要請に鑑み、誘電率が高く、
誘電損失が小さく室温および高温における絶縁抵
抗の値が高い優れた電気特性を有し、更に機械的
強度も大きい信頼性の高い磁器組成物を提供しよ
うとするものであり、その要旨は、マグネシウ
ム、ニオブ酸鉛[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]、チ
タン酸鉛[PbTiO3]およびニツケル・ニオブ酸
鉛[Pb(Ni1/3Nb2/3)O3]からなる3成分
系組成物を、[Pb(Mg1/3Nb1/3)O3]x,
[Pb(Ni1/3Nb2/3)O3]y[PbTiO3]zと表
わしたときに(ただしz+y+z=1.00)この3
成分組成図において以下の組成点 (x=0.10,y=0.70,z=0.20) (x=0.15,y=0.60,z=0.25) (x=0.15,y=0.70,z=0.15) (x=0.40,y=0.35,z=0.25) (x=0.60,y=0.20,z=0.20) (x=0.70,y=0.20,z=0.10) (x=0.50,y=0.40,z=0.10) を結ぶ線上、およびこの7点に囲まれる組成範囲
にある主成分組成物に、副成分としてマンガン・
タンタル酸鉛[Pb(Mn1/3Ta2/3)O3]を主
成分に対して、0.01〜8mol%添加含有せしめて
なることを特徴とするものである。 (作用) すなわち、本願発明者は既にPb(Mg1/
3Nb2/3)O3−Pb(Ni1/3Nb2/3)O3
(PbTiO3)からなる3成分系の高誘電率、低誘
電損失の磁器組成物を提案しているが、本発明は
この3成分系に新たに検討した範囲を加え、機械
的強度高温での比抵抗改善を目的としてマンガ
ン・タンタル酸鉛[Pb(Mn1/3Ta2/3)O3]
を添加含有せしめるもので、室温および高温にお
ける絶縁抵抗の値が高い、優れた電気的特性を有
し、更に機械的強度も大きい、信頼性の高い磁器
組成物を提供しようとするものである。 (実施例) 以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
主成分組成物の出発原料として純度99.9%以上の
酸化鉛(PbO)、酸化マグネシウム(MgO)、酸
化ニオブ(Nb2O5)、酸化ニツケル(NiO)、及び
酸化チタン(TiO2)を使用し、副成分の出発原
料として酸化鉛(PbO)、炭酸マンガン
(MnCO3)、及び酸化タンタル(Ta2O5)を使用
し、表に示した配合比となるように各々秤量す
る。次に秤量した各材料をボールミル中で湿式混
合した後750〜800℃で予焼を行ない、この粉末を
ボールミルで粉砕し、濾過、乾燥後、有機バイン
ダーを入れ整粒後プレスし、直径16mm、厚さ約2
mmの円板4枚と、直径16mm、厚さ約10mmの円柱を
作成した。次に本発明の組成範囲の試料は空気中
1000〜1080℃の温度で1時間焼結した。焼結した
円板4枚の上下面に600℃で銀電極を焼付け、デ
ジタルLCRメーターで周波数1KHz、電圧1Vr.m.
s.温度20℃で容量と誘電損失を測定し、誘電率を
算出した。 次に超絶縁抵抗計で50Vの電圧を1分間印加し
て、絶縁抵抗を温度20℃と125℃で測定し、比抵
抗を算出した。 機械的性質を抗折強度で評価するため、焼結し
た円柱から厚さ0.5mm、幅2mm、長さ約13mmの矩
形板を10枚切り出した。支点間距離を9mmとり、
二点法で破壊荷重Pm[Kg]を測定、τ=3/2 Pm/Wt2[Kg/cm2]なる式に従い、抗折強度τ [Kg/cm2]を求めた。ただし、lは支点間距離、
tは試料の厚み、Wは試料の幅である。電気的特
性は円板試料4点の平均値、抗折強度は矩形板試
料10点の平均値より求めた。このようにして得ら
れた磁器の主成分[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]
x [Pb(Ni1/3Nb2/3)O3]y[PbTiO3]
zの配合比x,y,zおよび副成分添加量と誘電
率、誘電損失、20℃および125℃における比抵抗、
および抗折強度の関係を次表に示す。
【表】
【表】
試料番号に*印を付したものは本発明の範囲に含まれ
ない。
表からも明らかなように、Pb(Mg1/3Nb1/
3)O3−Pb(Ni1/3Nb2/3)O3−PbTiO3三成
分組成物に副成分であるPb(Mn1/3Ta2/3)
O3を主成分に対して0.01〜8mol%添加含有せし
めた本発明は高い誘電率を保持しながら、誘電損
失や比抵抗を良好かつ実用的なレベルにまで高め
ており、積層コンデンサ用磁器組成物として優れ
た材料を提供するものである。 なお、本発明の主成分組成範囲外では焼結温度
が高くなつたり、誘電率が低下し実用的でないた
め、前述のように限定される。また、副成分であ
る、Pb(Mn1/3Ta2/3)O3の添加量が0.01mol
%未満では抗折強度の改善効果が小さく、8mol
%を越えると逆に抗折強度が小さくなるため、実
用的ではない。 なお、第1図に本発明の主成分組成範囲を示
す、図に示した番号は、表に示した主成分配合比
の番号に対応する。 (発明の効果) 以上のように本発明により高い機械的強度が高
く、高誘電率、低誘電損失な磁器組成物が得られ
る。
ない。
表からも明らかなように、Pb(Mg1/3Nb1/
3)O3−Pb(Ni1/3Nb2/3)O3−PbTiO3三成
分組成物に副成分であるPb(Mn1/3Ta2/3)
O3を主成分に対して0.01〜8mol%添加含有せし
めた本発明は高い誘電率を保持しながら、誘電損
失や比抵抗を良好かつ実用的なレベルにまで高め
ており、積層コンデンサ用磁器組成物として優れ
た材料を提供するものである。 なお、本発明の主成分組成範囲外では焼結温度
が高くなつたり、誘電率が低下し実用的でないた
め、前述のように限定される。また、副成分であ
る、Pb(Mn1/3Ta2/3)O3の添加量が0.01mol
%未満では抗折強度の改善効果が小さく、8mol
%を越えると逆に抗折強度が小さくなるため、実
用的ではない。 なお、第1図に本発明の主成分組成範囲を示
す、図に示した番号は、表に示した主成分配合比
の番号に対応する。 (発明の効果) 以上のように本発明により高い機械的強度が高
く、高誘電率、低誘電損失な磁器組成物が得られ
る。
第1図は、本発明の主成分組成範囲と実施例に
示した組成点を示す図である。
示した組成点を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3−Pb(Ni1/
3Nb2/3)O3−PbTiO3の3成分系固溶体組成
物を[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]x[Pb(Ni1/
3Nb2/3)O3]y[PbTiO3]z(ただしx+y
+z=1.0)と表現したとき (x=0.10,y=0.70,z=0.20) (x=0.15,y=0.60,z=0.25) (x=0.15,y=0.70,z=0.15) (x=0.40,y=0.35,z=0.25) (x=0.60,y=0.20,z=0.20) (x=0.70,y=0.20,z=0.10) (x=0.50,y=0.40,z=0.10) を結ぶ線上およびこの7点に囲まれる組成範囲に
ある主成分組成物に副成分としてマンガン・タン
タル酸鉛[Pb(Mn1/3Ta2/3)O3]を主成分
に対して0.01〜8mol%添加含有せしめてなるこ
とを特徴とする磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61201050A JPS63185852A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61201050A JPS63185852A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63185852A JPS63185852A (ja) | 1988-08-01 |
| JPH0534302B2 true JPH0534302B2 (ja) | 1993-05-21 |
Family
ID=16434567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61201050A Granted JPS63185852A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63185852A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0354144A (ja) * | 1989-07-20 | 1991-03-08 | Nec Corp | 誘電体磁器組成物 |
| JPH08188467A (ja) * | 1995-01-10 | 1996-07-23 | Nec Corp | 磁器組成物の製造方法 |
-
1986
- 1986-08-26 JP JP61201050A patent/JPS63185852A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63185852A (ja) | 1988-08-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |