JPH02105305A - ダブルアジマス磁気ヘッド - Google Patents
ダブルアジマス磁気ヘッドInfo
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- JPH02105305A JPH02105305A JP25748988A JP25748988A JPH02105305A JP H02105305 A JPH02105305 A JP H02105305A JP 25748988 A JP25748988 A JP 25748988A JP 25748988 A JP25748988 A JP 25748988A JP H02105305 A JPH02105305 A JP H02105305A
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
- G11B5/3166—Testing or indicating in relation thereto, e.g. before the fabrication is completed
Landscapes
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は２つのギャップが所定の間隔を有し、互いに逆
方向に傾斜したギャップをもつダブルアジマス磁気ヘッ
ドに関する。
方向に傾斜したギャップをもつダブルアジマス磁気ヘッ
ドに関する。
（ロ）従来の技術
近年、ＶＴＲ（ビデオテープレコーダ）では、スロー、
スチル再生等の特殊再生時における画質の劣化を防止す
るために特開昭６０−７０５１１号公Ｎ （Ｇｌ Ｉ
Ｂ５１５３）等に開示されているようなダブルアジマス
磁気ヘッドが用いられている。第１Ｏ図は従来のダブル
アジマス磁気ヘッドの要部斜視図、第１１図は上記磁気
ヘッドをテープ摺接面側から観た図である。
スチル再生等の特殊再生時における画質の劣化を防止す
るために特開昭６０−７０５１１号公Ｎ （Ｇｌ Ｉ
Ｂ５１５３）等に開示されているようなダブルアジマス
磁気ヘッドが用いられている。第１Ｏ図は従来のダブル
アジマス磁気ヘッドの要部斜視図、第１１図は上記磁気
ヘッドをテープ摺接面側から観た図である。
図中、（１）（２）は夫々へラドベース（３）に装着さ
れるヘッドチップで、各々の作動ギャップ（４）（５）
は互いに＋α、−αの逆のアジマス角を有している。前
記へラドチップ（１）（２ユ）は夫々、センダストより
なる主コア（６）（７）と、該主コア（６）（７）を挟
持する補強コア（８）（９）（１０）（１１）とから成
る。尚、（１２）（１３）は巻線溝、（１４）（１５）
（１，６）（１７）は巻線である。
れるヘッドチップで、各々の作動ギャップ（４）（５）
は互いに＋α、−αの逆のアジマス角を有している。前
記へラドチップ（１）（２ユ）は夫々、センダストより
なる主コア（６）（７）と、該主コア（６）（７）を挟
持する補強コア（８）（９）（１０）（１１）とから成
る。尚、（１２）（１３）は巻線溝、（１４）（１５）
（１，６）（１７）は巻線である。
しかし乍ら、上記構造のダブルアジマス磁気ヘッドでは
、各ヘッドチップ仕ハ又）が夫々独立してヘッドベース
（３）に取付けられているので、前記へッドチップロ〕
信」間の距離ｅを所定寸法通りにすることが困難であり
、また、前記各ヘッドチノブロ〕信」のへ７ドベース（
３）に対する突出量に段差が生じ、テープの安定走行が
妨げられ、信頼性の低下を招いた。
、各ヘッドチップ仕ハ又）が夫々独立してヘッドベース
（３）に取付けられているので、前記へッドチップロ〕
信」間の距離ｅを所定寸法通りにすることが困難であり
、また、前記各ヘッドチノブロ〕信」のへ７ドベース（
３）に対する突出量に段差が生じ、テープの安定走行が
妨げられ、信頼性の低下を招いた。
また、ダブルアジマス磁気ヘッドは一方のへッドチンプ
で １７２フイール（１セグメント）の映像信号を記録
再生し、他方のヘッドチップで残りの１７２フイールド
の映像信号を記録再生する高品位Ｖ Ｔ Ｒに用いられ
る。
で １７２フイール（１セグメント）の映像信号を記録
再生し、他方のヘッドチップで残りの１７２フイールド
の映像信号を記録再生する高品位Ｖ Ｔ Ｒに用いられ
る。
この高品位ＶＴＲは第１２図に示すように回転シリンダ
（１８）の１８０°対向した位置に第１、第２ダブルア
ジマス磁気ヘツド（１９）（２０）が取付けられている
。前記第１、第２ダブルアジマス磁気ヘツド（１９）（
２０）は夫々、ヘッドチップ間のギャップ間距離２が３
，９７９μｍになるようにヘッドベース（２１）（２２
）に取付られな第１、第２へッドチノプ（２３）（２４
）（２５）（２６）からなる。また、前記第１ダブルア
ジマス磁気ヘツド（１９）の第１、第２へラドチップ（
２３）（２４）間には第１４図に示すようにトラック段
差ｔ （ｔ＝２３μｍ）がある。また、前記第２ダブ
ルアジマス磁気ヘツド（２０）の第１、第２へラドチッ
プ（２５）（２６）間にも同様にトラック段差ｔがある
。
（１８）の１８０°対向した位置に第１、第２ダブルア
ジマス磁気ヘツド（１９）（２０）が取付けられている
。前記第１、第２ダブルアジマス磁気ヘツド（１９）（
２０）は夫々、ヘッドチップ間のギャップ間距離２が３
，９７９μｍになるようにヘッドベース（２１）（２２
）に取付られな第１、第２へッドチノプ（２３）（２４
）（２５）（２６）からなる。また、前記第１ダブルア
ジマス磁気ヘツド（１９）の第１、第２へラドチップ（
２３）（２４）間には第１４図に示すようにトラック段
差ｔ （ｔ＝２３μｍ）がある。また、前記第２ダブ
ルアジマス磁気ヘツド（２０）の第１、第２へラドチッ
プ（２５）（２６）間にも同様にトラック段差ｔがある
。
この高品位ＶＴＲでは、回転シリンダ（１８）は５４０
０ ｒｐｍと通常の３倍で回転し、１回転当り４本のト
ラックを記録するため、１フレーム当り１２本の信号ト
ラックに映像音声信号を記録し解像度を向１−させてい
る。そして、このトラック走査は第１３図に示すように
第１ダブルアジマス磁気ヘツド（１９）の第１、第２へ
ラドチップ（２３）（２４）が同時に磁気テープ（３１
）の第１、第２トラツク（２７）（２８）を走査し、こ
の走査が終了すると第２ダブルアジマス磁気ヘツド（２
０）の第１、第２ヘツドチツプ（２５）（２６）が同時
に第３、第４トラツク（２９）（３０）を走査する。
０ ｒｐｍと通常の３倍で回転し、１回転当り４本のト
ラックを記録するため、１フレーム当り１２本の信号ト
ラックに映像音声信号を記録し解像度を向１−させてい
る。そして、このトラック走査は第１３図に示すように
第１ダブルアジマス磁気ヘツド（１９）の第１、第２へ
ラドチップ（２３）（２４）が同時に磁気テープ（３１
）の第１、第２トラツク（２７）（２８）を走査し、こ
の走査が終了すると第２ダブルアジマス磁気ヘツド（２
０）の第１、第２ヘツドチツプ（２５）（２６）が同時
に第３、第４トラツク（２９）（３０）を走査する。
しかし乍ら、このような高品位ＶＴＲ用のダブルアジマ
ス磁気ヘッドにおいて、前述と同様にヘッドチップ間の
距離２やトラック段差ｔが狂ったり、ヘッドチップの突
出量に段差が生じた場合、特殊再生のみならず通常再生
における互換性等の基本性能を低下させてしまう。
ス磁気ヘッドにおいて、前述と同様にヘッドチップ間の
距離２やトラック段差ｔが狂ったり、ヘッドチップの突
出量に段差が生じた場合、特殊再生のみならず通常再生
における互換性等の基本性能を低下させてしまう。
（ハ）発明が解決しようとする課題
本発明は上記従来例の欠点に鑑み為されたものであり、
記録媒体の走行性が悪化するのを防止すると共に第１の
作動ギャップと第２の作動ギャップとの位置関係を高精
度に設定することが出来るダブルアジマス磁気ヘッドを
提供することを目的とするものである。
記録媒体の走行性が悪化するのを防止すると共に第１の
作動ギャップと第２の作動ギャップとの位置関係を高精
度に設定することが出来るダブルアジマス磁気ヘッドを
提供することを目的とするものである。
（ニ）課題を解決するための手段
本発明のダブルアジマス磁気ヘッドは、非磁性基板上に
厚膜部と薄膜部とを備える非磁性薄膜を被着し、前記厚
膜部上に第１の作動ギャップを有する第１のヘッド素子
を被着し、前記薄膜部上にアジマス角が前記第１の作動
ギャップと異なる第２の作動ギャップを有する第２のヘ
ッド素子を被着したことを特徴とする。
厚膜部と薄膜部とを備える非磁性薄膜を被着し、前記厚
膜部上に第１の作動ギャップを有する第１のヘッド素子
を被着し、前記薄膜部上にアジマス角が前記第１の作動
ギャップと異なる第２の作動ギャップを有する第２のヘ
ッド素子を被着したことを特徴とする。
更に、本発明のダブルアジマス磁気ヘッドは、前記厚膜
部と前記薄膜部との膜厚差が前記第１の作動ギャップと
前記第２の作動ギャップとのトラック段差に等しいこと
を特徴とする。
部と前記薄膜部との膜厚差が前記第１の作動ギャップと
前記第２の作動ギャップとのトラック段差に等しいこと
を特徴とする。
（ホ）作用
上記構成に依れば、第１のヘッド素子と第２のヘッド素
子とが非磁性基板上に一体に形成されているので、前記
第１のヘッド素子と前記第２のヘッド素子の媒体側への
突出量には段差は生じない。また、第１の作動ギャップ
と第２の作動ギャップとの相対位置のズレを押さえるこ
とが出来、特に、前記第１の作動ギャップと前記第２の
作動ギヤングとのトラック段差を非磁性薄膜の厚膜部と
薄膜部との膜厚差により高精度に設定することが出来る
。
子とが非磁性基板上に一体に形成されているので、前記
第１のヘッド素子と前記第２のヘッド素子の媒体側への
突出量には段差は生じない。また、第１の作動ギャップ
と第２の作動ギャップとの相対位置のズレを押さえるこ
とが出来、特に、前記第１の作動ギャップと前記第２の
作動ギヤングとのトラック段差を非磁性薄膜の厚膜部と
薄膜部との膜厚差により高精度に設定することが出来る
。
（へ）実施例
以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を詳細に説明
する。
する。
第１図は本実施例のダブルアジマス磁気ヘッドの外観を
示す斜視図、第２図は上記磁気ヘッドをテープ摺接面側
から観た図である。
示す斜視図、第２図は上記磁気ヘッドをテープ摺接面側
から観た図である。
第１図中、（３１）は厚さ約Ｑ、３ｍｍの非磁性基板で
あり、該非磁性基板（３１）上にはＴｉ等よりなる非磁
性薄膜（３２）が被着形成されている。前記非磁性薄膜
（３２）は厚さ２５μｍの厚膜部（３２ａ）と厚さ２１
ｔｍの薄膜部（３２ｂ）とからなる。前記厚膜部（３２
ａ） −、）、にはセンダスト等の強磁性金属薄膜より
なる第１、第２磁性コア（３３）（３４）間に−αのア
ジマス角を有する第１の作動ギャップ（３５）を備える
第１のヘッド素子（４５）が形成されている。前記薄膜
部（３２ｂ） 、１−にはセンダスト等の強磁性金属薄
膜よりなる第３、第４磁性コア（３６）（３７）間に十
αのアジマス角を有する第２の作動ギャップ（３８）を
備える第２のヘッド素子（４６）が形成されている。（
３９）は非磁性基板（３１）、非磁性薄膜（３２）の厚
膜部（３２ａ）及び第１磁性コア（３３）に亘って形成
されているを線孔であり、該巻線孔（３９）の前記第１
磁性コア（３３）領域での上端が前記第１の作動ギャッ
プ（３５）のギヤ／プ深さを規定する。また、（４０）
は非磁性基板（３１）、非磁性薄膜（３２）の薄膜部（
３２ｂ）及び第３磁性コア（３６）に亘って形成されて
いる巻線孔であり、該巻線孔（４０）の前記第３磁性コ
ア（３６）領域での上端が前記第２の作動ギャップ（３
８）のギャップ深さを規定する。第２図に示すように前
記第１の作動ギャップ（３５）と前記第２の作動ギャッ
プ（３８）とのギャップ間距離はｌ、トラック段差はｔ
であり、このギヤツブ間段差ｔは前記非磁性薄膜（３２
）の厚膜部（３２ａ）と薄膜部（３２ｂ）との膜厚差に
等しい 次に、上記ダブルアジマス磁気ヘッドの製造方法につい
て説明する。
あり、該非磁性基板（３１）上にはＴｉ等よりなる非磁
性薄膜（３２）が被着形成されている。前記非磁性薄膜
（３２）は厚さ２５μｍの厚膜部（３２ａ）と厚さ２１
ｔｍの薄膜部（３２ｂ）とからなる。前記厚膜部（３２
ａ） −、）、にはセンダスト等の強磁性金属薄膜より
なる第１、第２磁性コア（３３）（３４）間に−αのア
ジマス角を有する第１の作動ギャップ（３５）を備える
第１のヘッド素子（４５）が形成されている。前記薄膜
部（３２ｂ） 、１−にはセンダスト等の強磁性金属薄
膜よりなる第３、第４磁性コア（３６）（３７）間に十
αのアジマス角を有する第２の作動ギャップ（３８）を
備える第２のヘッド素子（４６）が形成されている。（
３９）は非磁性基板（３１）、非磁性薄膜（３２）の厚
膜部（３２ａ）及び第１磁性コア（３３）に亘って形成
されているを線孔であり、該巻線孔（３９）の前記第１
磁性コア（３３）領域での上端が前記第１の作動ギャッ
プ（３５）のギヤ／プ深さを規定する。また、（４０）
は非磁性基板（３１）、非磁性薄膜（３２）の薄膜部（
３２ｂ）及び第３磁性コア（３６）に亘って形成されて
いる巻線孔であり、該巻線孔（４０）の前記第３磁性コ
ア（３６）領域での上端が前記第２の作動ギャップ（３
８）のギャップ深さを規定する。第２図に示すように前
記第１の作動ギャップ（３５）と前記第２の作動ギャッ
プ（３８）とのギャップ間距離はｌ、トラック段差はｔ
であり、このギヤツブ間段差ｔは前記非磁性薄膜（３２
）の厚膜部（３２ａ）と薄膜部（３２ｂ）との膜厚差に
等しい 次に、上記ダブルアジマス磁気ヘッドの製造方法につい
て説明する。
先ず、第３図に示すように巻線孔となる貫通孔（長辺的
３５０μｍ、短辺的１５０μｍ） （４４ａ）（４１ｂ
）を備える厚さ約０．３μｍの非磁性基板（３１）」二
にＴｉ等の非磁性薄膜（３２）を蒸着又はスパッタリン
グ等により被着形成する。前記非磁性薄膜（３２）の膜
厚は所望のトラック幅（本実施例では２０μｍ）より大
きい。
３５０μｍ、短辺的１５０μｍ） （４４ａ）（４１ｂ
）を備える厚さ約０．３μｍの非磁性基板（３１）」二
にＴｉ等の非磁性薄膜（３２）を蒸着又はスパッタリン
グ等により被着形成する。前記非磁性薄膜（３２）の膜
厚は所望のトラック幅（本実施例では２０μｍ）より大
きい。
次に、前記非磁性薄膜（３２）のうち、一方の貫通孔（
４１ｂ）が形成されている半分の領域にイオンミリング
等のエツチングを施して、第４図に示すように前記非磁
性薄膜（３２）を前記両頁通孔（４１ａ）（４１ｂ）の
中央部で厚膜部（３２ａ）と薄膜部（３２ｂ）とに分断
する。尚、前記厚膜部（３２ａ）と前記薄膜部（３２ｂ
）との膜厚の差が所望のトラック段差（実施例では２３
Ｉｔ ｍ ）になるようにエツチング量は調整されて
いる。
４１ｂ）が形成されている半分の領域にイオンミリング
等のエツチングを施して、第４図に示すように前記非磁
性薄膜（３２）を前記両頁通孔（４１ａ）（４１ｂ）の
中央部で厚膜部（３２ａ）と薄膜部（３２ｂ）とに分断
する。尚、前記厚膜部（３２ａ）と前記薄膜部（３２ｂ
）との膜厚の差が所望のトラック段差（実施例では２３
Ｉｔ ｍ ）になるようにエツチング量は調整されて
いる。
次に、第５図に示すように前記非磁性薄膜（３２）ト、
にトラック幅に相当する厚さの第１の磁性薄膜（４２）
をスパッタリング等により被着形成する。前記第１の磁
性薄膜（４２）はセンダスト、Ｃｏ系アモルファス合金
等よりなる２〜７μｍ厚の強磁性金属薄膜を８１０．
等よりなる約０．１ μｍ厚の非磁性薄膜で絶縁する
積層構造である。
にトラック幅に相当する厚さの第１の磁性薄膜（４２）
をスパッタリング等により被着形成する。前記第１の磁
性薄膜（４２）はセンダスト、Ｃｏ系アモルファス合金
等よりなる２〜７μｍ厚の強磁性金属薄膜を８１０．
等よりなる約０．１ μｍ厚の非磁性薄膜で絶縁する
積層構造である。
次に、第６図に示すように前記第１の磁性薄膜（４２）
のうち貫通孔（４１ａ）（４１ｂ）を含む両性側の部分
をイオンミリング等のエツチングにより除去して第２、
第４磁性コア（３４）（３７）を形成し、その後、該第
２、第４磁性コア（３４）（３７）の外側端面にダイヤ
モンドバイト等の切削加工を施すことによりギャップ形
成面（４３）（４４）を形成する。前記ギャップ形成面
（４３）（４４）は夫々前記非磁性基板（３１）の法線
方向に対して所定のアジマス角−α、＋α（実施例では
ａ＝１５°）だけ傾斜している。
のうち貫通孔（４１ａ）（４１ｂ）を含む両性側の部分
をイオンミリング等のエツチングにより除去して第２、
第４磁性コア（３４）（３７）を形成し、その後、該第
２、第４磁性コア（３４）（３７）の外側端面にダイヤ
モンドバイト等の切削加工を施すことによりギャップ形
成面（４３）（４４）を形成する。前記ギャップ形成面
（４３）（４４）は夫々前記非磁性基板（３１）の法線
方向に対して所定のアジマス角−α、＋α（実施例では
ａ＝１５°）だけ傾斜している。
次に、前記ギャップ形成面（４３）（４４）上にＳｉＯ
等のギャップスペーサを０．２〜０．３μｍ厚スパッタ
リング等により被着形成し、その後前記非磁性基板（３
１）上全域に第２の磁性薄膜をスパッタリング等により
被着した後、前記第２、第４磁性コア（３４）（３７）
上に被着した余分な第２の磁性薄膜をエツチング等によ
り除去して第７図に示すように第１、第３磁性コア（３
３）（３６）を形成する。前記第２の磁性薄膜は前記第
１の磁性薄膜（４２）と同様に強磁性金属薄膜と非磁性
薄膜との積層構造である。（３５）（３８）は前記ギャ
ップスペーサにより形成される第１、第２の作動ギャッ
プである。その後、前記第１、第２、第３、第４磁性コ
ア（３３）（３４）（３６）（３７）（７）うち、前記
貫通孔（４１ａ）（４１ｂ）の周りをイオンミリング等
のエツチングにより除去して巻線孔（３９）（４０）を
形成し、前記第１、第２の作動ギャップ（３５）（３８
）のギャップ深さを規定する。
等のギャップスペーサを０．２〜０．３μｍ厚スパッタ
リング等により被着形成し、その後前記非磁性基板（３
１）上全域に第２の磁性薄膜をスパッタリング等により
被着した後、前記第２、第４磁性コア（３４）（３７）
上に被着した余分な第２の磁性薄膜をエツチング等によ
り除去して第７図に示すように第１、第３磁性コア（３
３）（３６）を形成する。前記第２の磁性薄膜は前記第
１の磁性薄膜（４２）と同様に強磁性金属薄膜と非磁性
薄膜との積層構造である。（３５）（３８）は前記ギャ
ップスペーサにより形成される第１、第２の作動ギャッ
プである。その後、前記第１、第２、第３、第４磁性コ
ア（３３）（３４）（３６）（３７）（７）うち、前記
貫通孔（４１ａ）（４１ｂ）の周りをイオンミリング等
のエツチングにより除去して巻線孔（３９）（４０）を
形成し、前記第１、第２の作動ギャップ（３５）（３８
）のギャップ深さを規定する。
そして最後に、前記第１、第２、第３、第４磁性コア（
３３）（３４）（３６）（３７）上にアルミナ等の非磁
性材料よりなる厚さ４０〜５０μｍの保護膜（図示せず
）を高速スパッタリング等により被着し、その後テープ
摺接側の端面にＲ付加工を行い、巻線溝（３９）（４０
）に巻線を施して第１図に示す本実施例のダブルアジマ
ス磁気ヘッドが完成する。
３３）（３４）（３６）（３７）上にアルミナ等の非磁
性材料よりなる厚さ４０〜５０μｍの保護膜（図示せず
）を高速スパッタリング等により被着し、その後テープ
摺接側の端面にＲ付加工を行い、巻線溝（３９）（４０
）に巻線を施して第１図に示す本実施例のダブルアジマ
ス磁気ヘッドが完成する。
」二連のようなダブルアジマス磁気ヘッドでは、第１の
作動ギャップ（３５）を有する第１のヘッド素子（並）
と第２の作動ギャップ（３８）を有する第２のヘッド素
子（４６）とが同一の非磁性基板（３１）上に一体に形
成されているので、前記第１のヘッド素子（４５）のテ
ープ摺接部と前記第２のヘッド素子（４６）のテープ摺
接部との突出量は均一であり、テープの走行性は悪化し
ない。また、上記構造のダブルアジマス磁気ヘッドでは
、前記第１、第２の作動ギャップ（３５）（３８）間の
距離！は第６図のエツチング工程により規定され、前記
第１、第２の作動ギャップ（３５）（３８）間のトラッ
ク段差ｔは第４図のエツチング量により規定されるので
、前記第１、第２の作動ギャップ（３５）（３８）間の
距離！及びトラック段差ｔを高精度に設定出来る。この
ため、この磁気ヘッドを高品位ＶＴＲ装置に用いた場合
、通常再生における画質及び互換性の低下を防止出来る
。
作動ギャップ（３５）を有する第１のヘッド素子（並）
と第２の作動ギャップ（３８）を有する第２のヘッド素
子（４６）とが同一の非磁性基板（３１）上に一体に形
成されているので、前記第１のヘッド素子（４５）のテ
ープ摺接部と前記第２のヘッド素子（４６）のテープ摺
接部との突出量は均一であり、テープの走行性は悪化し
ない。また、上記構造のダブルアジマス磁気ヘッドでは
、前記第１、第２の作動ギャップ（３５）（３８）間の
距離！は第６図のエツチング工程により規定され、前記
第１、第２の作動ギャップ（３５）（３８）間のトラッ
ク段差ｔは第４図のエツチング量により規定されるので
、前記第１、第２の作動ギャップ（３５）（３８）間の
距離！及びトラック段差ｔを高精度に設定出来る。この
ため、この磁気ヘッドを高品位ＶＴＲ装置に用いた場合
、通常再生における画質及び互換性の低下を防止出来る
。
第８図は他の実施例のダブルアジマス磁気ヘッドの斜視
図であり、第１図と同一部分には同一符号を付しである
。第９図はテープ摺接面の要部を示す図である。
図であり、第１図と同一部分には同一符号を付しである
。第９図はテープ摺接面の要部を示す図である。
この実施例のダブルアジマス磁気ヘッドでは第２磁性コ
ア（３４）と第４磁性コア（３７）とは段差部（４７）
で分断されており、第１のヘッド素子（４５）と第２の
ヘッド素子（４６）との間のタロストークは防止される
。この磁気ヘッドは、上述の第７図に示す工程で、第１
、第３磁性コア（３３）（３６）を形成した後、１ｆｉ
ｉ記段差部（４７）に被着している磁性薄膜をイオンミ
リング等のエツチングにより除去して非磁性溝ＩＩＩ（
３２）を露出させ、その後保護膜を被着することにより
形成される。
ア（３４）と第４磁性コア（３７）とは段差部（４７）
で分断されており、第１のヘッド素子（４５）と第２の
ヘッド素子（４６）との間のタロストークは防止される
。この磁気ヘッドは、上述の第７図に示す工程で、第１
、第３磁性コア（３３）（３６）を形成した後、１ｆｉ
ｉ記段差部（４７）に被着している磁性薄膜をイオンミ
リング等のエツチングにより除去して非磁性溝ＩＩＩ（
３２）を露出させ、その後保護膜を被着することにより
形成される。
（ト）発明の効果
本発明に依れば、テープ走行を安定させると共に第１の
作動ギャップと第２の作動ギャップの位装 置ズレを防止したダブルアジマス磁気ヘッドを提供し得
る。
作動ギャップと第２の作動ギャップの位装 置ズレを防止したダブルアジマス磁気ヘッドを提供し得
る。
第１図乃至第９図は本発明に係り、第１図はダブルアジ
マス磁気ヘッドの外観を示す斜視図、第２図はダブルア
ジマス磁気ヘッドのテープ摺接面を示す図、第３図、第
４図、第５図、第６図及び第７図は夫々ダブルアジマス
磁気ヘッドの製造方法を示す図、第８図は他の実施例の
ダブルアジマス磁気ヘッドの外観を示す斜視図、第９図
は他の実施例のダブルアジマス磁気ヘッドのテープ摺接
面の要部を示す図である。第１０図は従来のダブルアジ
マス磁気ヘッドの要部斜視図、第１１図はＬ記グブルア
ジマス磁気ヘッドをテープ摺接面側から観た図、第１２
図は回転シリンダを示す図、第１３図は走査トラックを
示す図、第１４図はへラドチップの段差を示す図である
。
マス磁気ヘッドの外観を示す斜視図、第２図はダブルア
ジマス磁気ヘッドのテープ摺接面を示す図、第３図、第
４図、第５図、第６図及び第７図は夫々ダブルアジマス
磁気ヘッドの製造方法を示す図、第８図は他の実施例の
ダブルアジマス磁気ヘッドの外観を示す斜視図、第９図
は他の実施例のダブルアジマス磁気ヘッドのテープ摺接
面の要部を示す図である。第１０図は従来のダブルアジ
マス磁気ヘッドの要部斜視図、第１１図はＬ記グブルア
ジマス磁気ヘッドをテープ摺接面側から観た図、第１２
図は回転シリンダを示す図、第１３図は走査トラックを
示す図、第１４図はへラドチップの段差を示す図である
。
Claims (2)
- （１）非磁性基板上に厚膜部と薄膜部とを備える非磁性
薄膜を被着し、前記厚膜部上に第１の作動ギャップを有
する第１のヘッド素子を被着し、前記薄膜部上にアジマ
ス角が前記第１の作動ギャップと異なる第２の作動ギャ
ップを有する第２のヘッド素子を被着したことを特徴と
するダブルアジマス磁気ヘッド。 - （２）前記厚膜部と前記薄膜部との膜厚差が前記第１の
作動ギャップと前記第２の作動ギャップとのトラック段
差に等しいことを特徴とする請求項（１）記載のダブル
アジマス磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25748988A JPH02105305A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | ダブルアジマス磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25748988A JPH02105305A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | ダブルアジマス磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02105305A true JPH02105305A (ja) | 1990-04-17 |
Family
ID=17307000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25748988A Pending JPH02105305A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | ダブルアジマス磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02105305A (ja) |
-
1988
- 1988-10-13 JP JP25748988A patent/JPH02105305A/ja active Pending
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