JPH0391110A - ダブルアジマス磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は２つのギャップが所定の間隔を有し、互いに逆
方向に傾斜したギャップをもつダブルアジマス磁気ヘッ
ドに関する。

（ロ）従来の技術 近年、ＶＴＲ（ビデオテープレコーダ）では、スロー、
スチル再生、ピクチャーサーチ等の特殊再生時における
画質の劣化を防止するために特開昭６０−７０５１１号
公報（Ｇ１１Ｂ５１５３）等に開示されているようなダ
ブルアジマス磁気ヘッドが用いられている。第１４図は
従来のダブルアジマス磁気ヘッドの要部斜視図、第１５
図は上記磁気ヘッドをテープ摺接面側から観た図である
。

図中、（１）（２）は夫々へラドベース（３）に装着さ
れるヘッドチップで、各々の第１、第２磁気ギャップ（
４）（５）は互いに十〇、−〇の逆のアジマス角を有し
ている。前記へラドチップ（１）（２）は夫々、センダ
ストよりなる主コア（１（７）と、該主コア（６）（７
）を挟持する補強コア（８）（９）（１０）（１１）と
から戊る。尚、（１２）（１３）は巻線溝、（１４）（
１５）（１６）（１７）は巻線である。

しかし乍ら、上記構造のダブルアジマス磁気ヘッドでは
、各ヘッドチップ（１）（２）が夫々独立してヘッドベ
ース（３）に取付けられているので、前記第１．第２磁
気ギャップ（４）（５）のギャップ間距離ｔを所定寸法
通りにすることが困難であり、また、前記各ヘッドチッ
プ（１）（２）のへラドベース（３）に対する突出量に
段差ｔが生じ、テープの安定走行が妨げられ、信頼性の
低下を招いた。また、ダブルアジマス磁気ヘッドは一方
のチャンネルで１７２フイールドの映像信号を記録再生
し、他方のチャンネルで残りの１７２フイールドの映像
信号を記録再生する高品位ＶＴＲに用いられる。

この高品位ＶＴＲは第１６図に示すように回転シリンダ
（１８）の１８０°対向した位置に第１．第２ダブルア
ジマス磁気ヘツド（１９）（２０）が取付けられている
。前記第１、第２ダブルアジマス磁気ヘツド（１９）（
２０）は夫々、ヘッドチップ間のギャップ間距離ｉが３
゜９７９ｍｍになるようにヘッドベース（２１）（２２
）に取付けられた第１、第２ヘツドチツプ（２３）（２
４）（２５）（２６）からなる。また、前記第１ダブル
アジマス磁気ヘツド（廿）のｌｔ、第２へラドチップ（
２３）（２４）間にはトラック段差１（１＝２３Ｍ）が
ある。また、前記第２ダブルアジマス磁気ヘツド（２０
）の第１、第２へラドチップ（２５）（２６）間にも同
様にトラック段差ｔがある。

この高品位ＶＴＲでは、回転シリンダ（１８）は３４０
０　ｒｐｍと通常の３倍で回転し、１回転当り４本のト
ラックを記録するため、１フレーム当り１２本の信号ト
ラックに映像音声信号を記録し解像度を向上させている
。そして、このトラック走査は第１３図に示すように第
１ダブルアジマス磁気ヘツド（且）の第１、第２へラド
チップ（２３）（２４）が同時に磁気テープ（３１）の
第１．第２トラツク（２７）（２８）を走査し、この走
査が終了すると第２ダブルアジマス磁気ヘツド（２０）
の第１．第２へラドチップ（２５）（２６）が同時に第
３、第４トラツク（２９）（３０）を走査する。

しかし乍ら、このような高品位ＶＴＲ用のダブルアジマ
ス磁気ヘッドにおいて、前述と同様にギヤツブ間圧１ｌ
Ｉｌｌやトラック段差ｔが狂ったり、ヘッドチップの突
出量に段差が生じた場合、特殊再生のみならず通常再生
における互換性等の基本性能を低下させてしまう。

また、上述の欠点を解消するものとして、例えば特開昭
６３−２８８４１０号公報（Ｇ１１Ｂ５／２６５）等に
は、第１、第２へラドチップを非磁性体を介して一体化
して、ギャップ間距離及びトラック段差を正確に規定し
たダブルアジマス磁気ヘッドが示されている。

しかし乍ら、このダブルアジマス磁気ヘッドにおいても
、第１．第２へラドチップを非磁性体に位置ズレ無しに
高精度に接合することが困難であり、また、上記接合に
用いる接着材の厚み等を正確に規定することも困難であ
り、上記ギャップ間距離及びトラック段差を完全に正確
に規定することは出来なかった。

（ハ）発明が解決しようとする課題 本発明は上記従来例の欠点に鑑み為されたものであり、
第１、第２へラドチップの磁気ギャップのギャップ間距
離及びトラック段差を高精度に規定することが出来るダ
ブルアジマス磁気ヘッドを提供することを目的とするも
のである。

（ニ）課題を解決するための手段 本発明のダブルアジマス磁気ヘッドは、第１非磁性基板
上に第１磁性薄膜が被着され、該第１磁性薄膜上に第２
非磁性基板が接合固定された第１磁性コアと、 第１非磁性基板上に第１磁性薄膜が被着され、該第１磁
性薄膜上に第２非磁性基板が接合固定された第２磁性コ
アと、 第１非磁性基板上に第１、第２磁気ギャップのトラック
段差に等しい高低差の段差が形成され、該段差部の両側
に形成された陥没面及び突出面上に夫々磁気的分離され
た第２磁性薄膜が被着され、該第２磁性薄膜上に第２非
磁性基板が接合固定された中間磁性コアとから成り、 前記第１磁性コアの第１磁性薄膜の側端面と前記中間磁
性コアの陥没面上の第２磁性薄膜の側端面とをギャップ
スペーサを介して衝き合わせて第１磁気ギャップを形成
し、 前記第２磁性コアの第１磁性薄膜の側端面と前記中間磁
性コアの突出面上の第２磁性薄膜の側端面とをギャップ
スペーサを介して衝き合わせて第２磁気ギャップを形成
したことを特徴とする。

（ホ）作　用 上記溝底に依れば、第１、第２磁気ギャップのギャップ
間距離は中間磁性コアの幅により正確に規定され、トラ
ック段差は前記中間磁性コアの段差部の高低差により正
確に規定され、しかも前記ギャップ間距離及びトラック
段差は共に、前記中間磁性コアの形状自身で決まるため
磁気ヘッド形成時における接着材の影響は受けない。

（へ）Ｘ施例 以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を詳細に説明
する。

第１図は本実施例のダブルアジマス磁気ヘッドの外観を
示す斜視図、第２図はダブルアジマス磁気ヘッドをテー
プ摺接面側から観た図である。

図中、（４１）は第１磁性コア、（４２）は第２磁性コ
ア、（４３）は中間磁性コアである。前記第１磁性コア
（４１）は、第１非磁性基板（４４ａ）上に第１積層磁
性薄膜（４５ａ　）が被着Ｊ！ｉｆ處されており、該第
１積層磁性薄膜（４５ａ）上には高融点ガラス（４６）
により第２非磁性基板（４４ｂ）が接合固定されている
。また、前記第２磁性コア（４２）も上記第１磁性コア
（４１）と同様に第１非磁性基板（４４ａ）上に第１積
層磁性薄膜（４７ａ）が被着形成されており、該第１積
層磁性薄膜（４７ａ）上には第２非磁性基板（４４ｂ）
が高融点ガラス（４６）により接合固定されている。前
記中間磁性コア（４３）は、第１非磁性基板（４４ａ）
の上面に中央部分の段差（４８）により陥没面（４９）
と突出面（５０）とが形成されており、該陥没面（４９
）上及び突出面（５０）上の前記段差（４８）から小許
離れた位置には第２積層磁性薄膜（４５ｂ）（４７ｂ）
が夫々被着形成されている。そして、前記第２積層磁性
薄膜（４５ｂ）（４７ｂ）上には、該積層磁性薄膜（４
５ｂ）（４７ｂ）上及び前記段差（４８）近傍に充填さ
れた高融点ガラス（４６）により第２非磁性基板（４４
ｂ）が接合固定されている。前記第２非磁性基板（４４
ｂ）は中央部分の段差（５１）により突出面（５２）と
陥没面（５３）とが形成されており、前記突出面（５２
）は上記第２積層磁性薄膜（４５ｂ）上に対向しており
、前記陥没面（５３）は上記第２積層磁性薄ＷＦ４（４
７ｂ）上に対向している。前記第１、第２積層磁性薄膜
（４５ａ）（４５ｂ）（４７ａ）（４７ｂ）はセンダス
ト等の強磁性金属薄膜とＳｉＯｘ等の絶縁薄膜との積層
構造である。また、前記第１、第２磁性コア（４１）（
４２）のアジマス角θ、−〇だけ傾斜したギャップ衝き
合わせ端面上には夫々、巻線溝（５６）（５６）が形成
されている。前記第１、第２磁性コア（４１）（４２）
のギャップ衝き合わせ端面は夫々、前記中間磁性コア（
４３）の両端に形成されたギャップ衝き合わせ端面にギ
ャップ接合されている。前記ギャップ接合においては、
第１磁性コア（４１）の第１積層磁性薄膜（４５ａ）の
側端面は中間磁性コア（４３）の第２積層磁性薄膜（４
５ｂ）の側端面に衝き合わされており、その衝き合わせ
部分には第１磁気ギャップ（５４）が形成されている。

また、第２磁性コア（４２）の第１積層磁性薄膜（４７
ａ）の側端面は中間磁性コア（４３）の第２積層磁性薄
膜（４７ｂ）の側端面に衝き合わされており、その衝き
合わせ部分には第２磁気ギャップ（５５）が形成されて
いる。前記第１磁性コア（４１）と中間磁性コア（４３
）とのギャップ接合は、前記第１磁気ギャップ（５４）
の両側に設けられた第１非磁性基板（４４ａ）（４４ａ
）間の間隙（５７ａ）、第２非磁性基板（４４ｂ）（４
４ｂ）間の間隙（５７ｂ）及び前記巻線溝（５６）の上
端に充填された低融点ガラス（５８）（５８）により行
われる。また、前記第２磁性コア（４２）と中間磁性コ
ア（４３）とのギャップ接合は、第２磁気ギャップ（５
５）の両側に設けられた第１非磁性基板（４４ａ）（４
４ａ）間の間隙（５９ａ）、第２非磁性基板（４４ｂ）
（４４ｂ）間の間隙（５９ｂ）及び前記巻線溝（５６）
の上端に充填された低融点ガラス（５８）（５８）によ
り行われる。前記巻線溝（５６）（５６）には巻線（６
０）（６０）が巻回されている。

前記第１磁気ギャップ（５４）と第２磁気ギャップ（５
５）とのギャップ間距離ｔは前記中間磁性コア（４３）
の輻により規定され、トラック段差は段差（４８）の高
低差Ｈに等しい。

次に、上記実施例のダブルアジマス磁気ヘッドの製造方
法について説明する。

先ず、第３図に示すように、結晶化ガラス等の非磁性基
板（４４）の上面の左半分及び下面の右半分を基板厚が
一定となるように機械加工、或いはエツチング等により
除去することにより非磁性基板（４４〉上面に陥没面（
４９）と突出面（５０）とを形成し、非磁性基板（４４
）下面に突出面（５２）と陥没面（５３）とを形成する
。前記段差（４８）（５１）の位置関係は基板上面の段
差（４８）が基板下面の段差（５１）に比べ右方に位置
する。また、前記段差（４８）（５１）の高低差Ｈは磁
気ヘッド完成体における第１、第２磁気ギャップの所望
のトラック段差（例えば２３μｍ）に等しい。尚、前記
段差（４８）（５１）は非磁性基板（４４）の上面及び
下面に非磁性材料をスパッタリング等により堆積して形
成することも可能である。

次に、第４図に示すように前記非磁性基板（４４）上面
の陥没面（４９〉上及び突出面（５０）上にセンダスト
等よりなる２〜７ｐｍ厚の強磁性金属薄膜とＳｉｎ。

等よりなる約０．１μｍ厚の非磁性絶縁薄膜とを交互に
スパッタリング等により被着して積層磁性薄膜（４５）
（４７）を形成する。前記積層磁性薄膜（４５）（４７
）は成膜時のマスキング或いは成膜後のエツチング等を
行うことにより前記段差（４８）（５１）の周りで分離
形成されている。

次に、第５図に示すように複数の第４図に示す非磁性基
板（４４）を基板上面の陥没面（４９）と基板下面の突
出面（５２）、及び基板上面の突出面（５０〉と基板下
面の陥没面（５３）とが前記積層磁性薄膜（４５）（４
７）を介して対向するように配置する。尚、最上部の非
磁性基板（４４〉の上面は平坦であり、積層磁性薄膜は
形成されていない。また、最下部の非磁性基板（４４）
の下面は平坦である。

次に、第５図に示すように配置した複数の非磁性基板（
４４）（４４）・・・を矢印イ方向に加圧して接合する
ことにより第６図に示すような積層ブロック（６１）を
形成する。尚、この接合方法としては、封着ガラス材を
各々の非磁性基板（４４）（４４）・・・間に挿入して
加熱溶融することにより一体化する方法や、予め、非磁
性基板（４４）（４４）の積層磁性薄膜（４５）（４，
７）上或いは非磁性基板（４４）の下面に１〜２ｐｍ厚
の接合ガラス層をスパッタリング等により被着して該接
合ガラス層を加圧加熱溶融して一体化する方法がある。

このようにして形成された積層ブロック（６１）では、
積層磁性薄膜（４５）（４７）は互いに所定のトラック
段差を有し、且つ段差（４８）（５１）の周りに充填さ
れた基板接合用の高融点ガラス（４６）により磁気的に
分離されている。

次に、前記積層ブロック（６ｉ）を破線Ａ−Ａ’に沿っ
て切断することにより３分割して、第１、第２磁性コア
ブロツク（６２）（６３）と中間磁性コアブロック（６
４）とを形成する。尚、この切断加工により積層磁性薄
膜（４５）（４７）は夫々、第１積層磁性薄膜（４５ａ
）（４７ａ）と第２積層磁性薄膜（４５ｂ）（４７ｂ）
とに分断される。

次に、第７図に示すように切り出された第】磁性コアブ
ロック（６２）の切断面（６５）に第８図に示すように
断面２等辺三角形状のＶ字状溝（６６）を非磁性基板（
４４）の延在方向に形成する。前記Ｖ字状溝（４４）は
第８図において左側から、奇数番目に位置する非磁性基
板（４４）上に形成される。また、前記Ｖ字状溝（６６
）により該溝（６６）が形成される非磁性基板（４４）
の両側の第１積層磁性薄膜（４５ａ）及び偶数番目の非
磁性基板（４４）の両側部が削り取られる。前記Ｖ字状
溝（６６）の先端Ｖ角度φにより磁気ヘッド完成体にお
ける第１磁気ギャップ（５４）のアジマス角が決定され
る。例えば、第１磁気ギャップ（５４）のアジマス角θ
を１５°にする場合、先端Ｖ角度φを１５０°に設定す
ればよい。

次に、第９図に示すように前記第１磁性コアブロック（
６２）の切断面（６５）上に巻線溝（５６）を前記７字
状溝（６６）と直交する方向に形成し、更に該巻線溝（
５６）により形成されたフロントギャップ形成面上にギ
ャップスペーサ（６７）を被着形成する。

以上、第１磁性コアブロツク（６２）の加工について述
べたが、同様に第２磁性コアブロツク（６３）について
も第７図〜第９図に示す加工を行う。

一方、第１０図に示すように切り出された中間磁性ブロ
ック（６４）の両切断面（６８）（６８）夫々に第１１
図に示すように前記７字状溝（６６）と同形状の７字状
溝（６９）（６９）を前記非磁性基板（４４）の延在方
向に形成する。前記７字状溝（６９）（６９）は第１１
図において左側から偶数番目に位置する非磁性基板（４
４）上に形成される。また、前記７字状溝（６９）によ
り該溝（６９）が形成される非磁性基板（伺）の両側の
第１、第２積層磁性薄膜（４５ｂ）（４７ｂ）及び奇数
番目の非磁性基板（４４）の両側部も削り取られる。こ
のようにして形成された中間コアブロック（６４）の積
層磁性薄膜（４５）（４７）形成部における幅２′によ
り磁気ヘッド完戒体の第１、第２磁気ギャップ（５４）
（５５）間のギャップ間距離ｌが規定される。

次に、第１２図に示すように前記中間磁性コアブロック
（６４）の両側に前記第１、第２磁性コアブロツク（６
２）（６３）を第１．第２積層磁性薄膜（４５ａ）（４
５ｂ）同士、第１．第２積層磁性薄膜（４７ａ）（４７
ｂ）同士及び溝が形成された非磁性基板と溝が形成され
ていない非磁性基板とが夫々対向するように配置し、前
記７字状溝（６６）（６９）内にガラス棒（７０）を挿
入する。

次に、第１２図に示すように配置した第１、第２磁性コ
アブロツク（６２）（６３）及び中間磁性コアブロック
（６４）とを矢印口方向に加圧した状態で前記ガラス棒
（７０）を加熱溶融することにより第１３図に示すよう
に前記７字状溝（６６）（６９）により形成された第１
磁性コアブロツク（６２）と中間磁性コアブロック（６
４）との間隙（５７ａ）（５７ｂ）及び第２磁性コアブ
ロツク（６３）と中間磁性コアブロック（６４）との間
隙（５９ａ）（５９ｂ）に接合用の低融点ガラス（５８
）を充填して前記中間磁性コアブロック（６４）の両開
に前記第１、第２磁性コアブロツク（６２）（６３）を
接合しコアブロック（７Ｕ）を形成する。

以後は、前記コアブロック（２）を破線Ｂ−Ｂ’に沿っ
て切断してヘッドチップを形成した後、該ヘッドチップ
に媒体摺接面のＲ材加工等の外形加工を行い、巻線溝（
５６）（５６）に巻線（６０）を施して第１図及び第２
図に示す本実施例のダブルアジマス磁気ヘッドが完成す
る。尚、−上記Ｂ−Ｂ’に沿う切断により非磁性基板（
４４）は第１非磁性基板（４４ａ）と第２非磁性基板（
４４ｂ）とに分断される。

上述のようなダブルアジマス磁気ヘッドでは、第１．第
２磁気ギャップ（５４）（５５）のギヤツブ開路Ｍεは
、中間磁性コア（４３）の第２１Ｊ１層磁性薄膜（４５
ｂ）（４７ｂ）の両端部間の距＠ｌ’により正確に規定
される。しかも、この距離は磁気ヘッドを形成するため
の接着材として働く高融点ガラス（４６）及び低融点ガ
ラス（５８）の厚み等による影響は全く受けない。また
、前記第１、第２磁気ギャップ（５４）（５５）のトラ
ック段差は非磁性基板（４４ａ　）の上面に形成した段
差（４８）の高低差Ｈにより正確に規定される。しかも
、前記段差（４８〉の高低差Ｈ１即ちトラック段差は、
磁気ヘッドを形成するための接着材として動く高融点ガ
ラス（４６）及び低融点ガラス（５８）の厚み等による
影響は全く受けない。

（ト）発明の効果 本発明に依れば第１、第２１気ギャップのギャップ間距
離及びトラック段差を、磁気ヘッドを形成するための接
着材の厚み等による影響を受けず高精度に規定すること
が出来るダブルアジマス磁気ヘッドを提供し得る。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第１３図は本発明に係り、第１図はダブルア
ジマス磁気ヘッドの外観を示す斜視図、第２図はダブル
アジマス磁気ヘッドをテープ摺接面側から観た図、第３
図、第４図、第５図、第６図、第７図、第８図、第９図
、第１０図、第１１図、第１２図及び第１３図は夫々ダ
ブルアジマス磁気ヘッドの製造方法を示す斜視図である
。第１４図はダブルアジマス磁気ヘッドの外観を示す斜
視図、第１５図は上記ダブルアジマス磁気ヘッドをテー
プ摺接面側から観た図、第１６図は回転シリングを示す
図、第１７図は走査トラックを示す図である。 （，１１）・・・第１磁性コア、（４２）・・・第２磁
性コア、（４３）・・・中間磁性コア、（４４ａ）・・
・第１非磁性基板、（４４ｂ）−・・第２非磁性基板、
　（４５ａ）（４７ａ）−第１積層磁性薄膜、（４５ｂ
）（４７ｂ）・・・第２積層磁性薄膜、（４８）・・・
段差、（４９）・・・陥没面、（５０）・・・突出面、
　（５４）・・・第１磁気ギャップ、（５５）・・・第
２磁気ギャップ。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）互いのアジマス角が異なり、両者間にトラック段
   差が存在する第１、第２磁気ギャップを有するダブルア
   ジマス磁気ヘッドにおいて、第１非磁性基板上に第１磁
   性薄膜が被着され、該第１磁性薄膜上に第２非磁性基板
   が接合固定された第１磁性コアと、 第１非磁性基板上に第１磁性薄膜が被着され、該第１磁
   性薄膜上に第２非磁性基板が接合固定された第２磁性コ
   アと、 第１非磁性基板上に前記第１、第２磁気ギャップのトラ
   ック段差に等しい高低差の段差が形成され、該段差の両
   側に形成された陥没面及び突出面上に夫々磁気的分離さ
   れた第２磁性薄膜が被着され、該第２磁性薄膜上に第２
   非磁性基板が接合固定された中間磁性コアとから成り、 前記第１磁性コアの第１磁性薄膜の側端面と前記中間磁
   性コアの陥没面上の第２磁性薄膜の側端面とをギャップ
   スペーサを介して衝き合わせて前記第１磁気ギャップを
   形成し、 前記第２磁性コアの第１磁性薄膜の側端面と前記中間磁
   性コアの突出面上の第２磁性薄膜の側端面とをギャップ
   スペーサを介して衝き合わせて前記第２磁気ギャップを
   形成したことを特徴とするダブルアジマス磁気ヘッド。