JPH02105352A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高速、高密度記録が可能で磁界変調方式に好
適な光磁気記録媒体に関するものである。

〔従来の技術〕

光磁気記録媒体は垂直磁気記録と磁気光学効果（カー効
果等）を利用するもので、従来の光記録媒体と同様にレ
ーザ光を用いて情報の記録、再生を行うため記録容量が
大きく、その上書き換えが可能である。さらにヘッドと
媒体が非接触で記録再生を行うことができ、塵埃の影響
を受けないため安定性にも優れている。このため光磁気
記録媒体は、現在盛んに研究されており、文書情報ファ
イル、ビデオ・静止画ファイル、コンピュータ用メモリ
等への利用あるいはフロッピーディスク、ハードディス
クの代替が期待され、近い将来の商品化段階を迎えるに
至っている。

このような光磁気記録媒体の記録層として、遷移金属（
Ｆｅ、Ｇｏ）と希土類金属（Ｔｂ、Ｄｙ、　Ｇｄ、Ｈａ
、Ｅｒ等）とを組合せた非晶質（アモルファス）磁性合
金膜が種々提案されている。遷移金属と希土類金属とを
それぞれ１種以上組み合せ、スパッタ法や蒸着法で基板
上に作製した磁性合金膜は、補償組成付近で非晶質の垂
直磁化膜（膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有する磁化
膜）となり、光磁気記録媒体に応用する事が可能となる
。

一方、光磁気記録媒体における情報の記録、消去を行う
方法としては、現在のところ光変調方式が主流となって
いる。この光変調方式によれば、記録、消去は、変調し
た情報信号を半導体レーザに入力し、そのレーザパルス
光を光磁気記録媒体の記録層に照射して加熱すると同時
に、その部分に記録又は消去方向に外部磁界を印加して
行われる。この方式では、既に情報が記録されている場
合には、それを消去した後、新しい情報を記録する。ま
た、消去の方法には一般に１セクター毎連続して消去す
る方法と、２本のレーザビームが近接して照射できるよ
うに２つのヘッドを近接配置し、先行するヘッドで消去
する方法とがある。前者の方法は消去から記録層の待時
間が必要となる。

また、後者の方法は消去用と記録用の電磁石又は磁石を
近接して配置する必要があるが、これら電磁石又は磁石
はそのサイズ、あるいは互いの磁界の影響等により近接
配置できる距離に制限があり、そのため消去されない領
域ができる。すなわち、第２図に模式的に示すようにＡ
の領域で消去されＢの領域で記録されるものとすると、
光磁気記録媒体が１回転して再びＡの領域に戻った時、
消去レーザ光は次のトラックを照射するか、又はオフと
なる（オフされないと情報記録された＾領域部分の情報
が消されてしまう）。従って、ＡＢ間は消去できない領
域となる。

以上のような理由により光変調方式に代わってオーバラ
イド（重ね書き）可能な磁界変調方式が注目されている
。この方式は、第３図に示すように浮上型磁気ヘッド２
１に変調した情報信号を入力して励磁し、同時にレーザ
光２２を連続的にあるいはチャンネルクロックと同期さ
せて照射するもので、現行の磁気ディスクと同様にオー
バライドが可能、すなわち消去が不用である。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、前記従来技術には以下に述べるような課
題があった。

情報処理の高速化、ハードディスク等の代替の見地から
すると、光磁気記録媒体への記録速度はハードディスク
と同等以上でかつ高密度で記録がなされ、そのうえオー
バライド可能な磁界変調方式に適合することが望まれる
。そのためには、ディスク回転数３６０Ｏｒｐｍ、線速
２２．６ｍ／秒、記録周波数１０ＭＨｚ以上、記録レー
ザパワー（媒体面）１０ｍＶ以下で記録でき、しかも記
録ビット（記録磁区）サイズ１声以下でかつ記録ビット
の形状がシャープであることが必要とされる。ところが
、従来の光磁気記録媒体では上記のような条件を満たし
たものはなく、より一層特性が向上した光磁気記録媒体
の実現が望まれていた。

本発明はこのような従来技術の課題に鑑み、上述の情報
処理の高速化、ハードディスク等の代替にも十分対処し
うるような高速、高密度記録可能でかつ磁界変調方式に
適合する光磁気記録媒体を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段及び作用〕上記目的を達成
するため、本発明によれば、基板上に誘電層を介して光
磁気記録層を設け、さらにその上に断熱層を設けてなる
光磁気記録媒体において、前記断熱層上に熱吸収層を設
け、室温での熱伝導率が前記断熱層、前記誘電層、前記
熱吸収層の順に大きく、さらに、前記誘電層の屈折率が
２．１以上であることを特徴とする光磁気記録媒体が提
供される。

光磁気記録媒体上に磁界変調方式で光磁気記録を行った
ときの記録ビットの形状は第４図のようになる。図中３
１は光磁気記録媒体、３２は記録レーザ光、３３は記録
ビット、３３′はビット尾、３４は１００℃の熱等温線
、３５は７０℃の熱等温線である。今、光磁気記録媒体
３１が図中の矢印Ｐのように右方向へ移動し、領域Ｃで
記録レーザ光３２が連続照射され、光磁気記録媒体３１
が磁界のオン時刻（ｔ□）からオフ時刻（ｔ２）までの
時間中に図中のｔｌからｔ２迄移動したとする。またこ
の光磁気記録媒体３１の記録開始温度を１５０℃とする
。この場合、１５０℃、１００℃、７０℃の熱等温線は
それぞれ３３，３４．３５のようになり、３３が記録ビ
ットとなる。Ｃ′の領域は記録磁界オフ時に媒体温度が
高いので記録されず、消去方向に磁化される。光磁気記
録媒体３１における熱等温線はその熱伝導率により定ま
り、記録ビットの形状は磁性膜の熱磁気特性及び磁気ヘ
ッドの周波数特性（磁界の立ち上り、下り）によって影
響される。

磁界変調方式による光磁気記録において高密度に記録を
行うためには記録ビット長が１／Ｊａ１以下で。

かつビット形状がシャープでビット後端の尾（第４図の
３３′）の長さが短かくなければならない。記録ビット
長が長い場合には高密度化の妨げとなるし、記録ビット
後端の尾が長くてその形状が乱れている場合にはノイズ
が大きく再生Ｃ／Ｎが劣化する。

以上の事に鑑み、本発明者は鋭意研究した結果、光磁気
記録媒体の層構成を基板、誘電層、光磁気記録層、断熱
層、熱吸収層の順に積層した構造とし、室温での熱伝導
率を断熱層、誘電層、熱吸収層の順に大きくなるように
規定するとともに誘電率の屈折率を２．１以上と規定す
ることにより、前述の目標値、目標特性を達しうろこと
を見い出した。

以下本発明を図面により更に詳述する。

第１図は本発明による光磁気記録媒体の層構成例を示す
断面図であり１図中１は基板を示し、該基板１上に誘電
層２、光磁気記録層３、断熱層（保護層）４、熱吸収層
（ヒートシンク層）５が順次積層された構成となってい
るやそして必要に応じて有機保護層又は接合層６が形成
される。

先ず、基板１の材料としてはポリカーボネート、メチル
メタクリレート、ポリオレフィン、エポキシ樹脂等のプ
ラスチック、あるいはガラス等が使用可能である。基板
１にはあらかじめガイドトラック、プリフォーマットを
形成してもよい。また、基板１のレーザ光入射面をＨ，
Ｏ１０□の侵入防止のために誘電層、疎水性、耐ガス性
層（例えばフッ素樹脂層）等で被覆してもよい。

誘電層２は基板外部から８２０．０２が侵入して記録層
３の磁気特性が劣化するのを防止するとともに、光の多
重反射により磁気光学効果（カー回転角θｋ）をエンハ
ンスメントする役割を行う。ここでこのような役割を果
たすために最適な誘電層２の特性について考察してみる
。第５図は、第６図のような媒体構成としたときの誘電
層膜厚と吸収率Ａ及び反射率Ｒとの関係を示すグラフで
ある。第６図中、６１はガラス基板、６２は５ｉＸＮ、
誘電層（屈折率ツー ２．３）、６３はＴｂＤｙＦｅＣｏ磁性層、６４は５ｉ
ＸＮ、保護層、６５はレーザ光である。磁性層６３の膜
厚は一定（７００人）となっている。第５図において誘
電層６２の膜厚６００〜７００人付近で吸収率Ａが最大
となり、この付近の膜厚で使用すれば記録感度が改良で
きることがわかる。また、第７図は誘電層膜厚とカー回
転角０　との関係を示すグラフである。この図から、吸
収率Ａが最大となる膜厚付近では多重反射（エンハンス
メント）効果によりカー回転角θ、も増大することがわ
かる。さらに第８図は誘電層に使用する誘電体の屈折率
と吸収率Ａ及び反射率Ｒとの関係を示すものである。こ
の図からは、屈折率ｎが２．５〜２．７で吸収率Ａが最
大となることがわかる。以上のことより、本発明の光磁
気記録媒体の誘電層２では、屈折率ｎが２．１以上の材
料を膜厚５００〜８００人で使用する。また、熱伝導に
よる熱損失とし１う観点から誘電層２の熱伝導率は０．
１ＣａＱ／Ｃｍ−８・℃以下であるのが好ましい。この
ような材料としてｔｔ、具体的にはＳ　ｌ　ｘ　Ｎ　Ｙ
、ＡｆｌＮ、　５ｉＯ１ＡＱＯＮ、　１ＱｓｉＮ、Ｚｎ
Ｓ、　Ａα５ｉＮＯ等が好ましく使用される。成膜方法
一 としではスパッタ法、蒸着法、イオンブレーティング法
等が使用される。

次に記録層３について説明すると、この記録層３には、
少なくとも１種以上の希土類金属（Ｔｂ、ＤｙｔＧｄ＋
Ｈａ　、　ｔｔｒ等）と少なくとも１種以上の遷移金属
よりなり、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を持つ非晶質
磁性合金膜が使用される。該磁性合金膜は希土類金属の
濃度が補償組成（室温における磁性合金膜中の希土類金
属の磁気モーメントを’ＲＥ、遷移金属の磁気モーメン
トを’ＴＭとしたとき、　ＩＭ　、、−ＭＴＭ１＝。

となる組成）の近傍でかつ希土類金属リッチ（優位）の
ものを使用する。補償組成に対して希土類金属リッチの
磁性合金膜は遷移金属リッチのものに比べて、一般に室
温における保磁力Ｈｃが大きく、保磁力Ｈｅの温度特性
曲線の勾配が大きく、しかも飽和磁化Ｍｓの値が小さい
傾向を示す。なお、磁性合金膜における希土類金属の濃
度ｚ（ａｔｏｎ＋％）は、補償組成での濃度をｚｏ　（
ａｔｏｍ％）としたとき、ｚｏ＜ｚ（ｚ。

＋４であるのが好ましい。２の値が大きくなりすぎると
室温での保磁力Ｈｃ及びカー回転角θ、が急激に低下し
、光磁気記録媒体の記録層に適さなくなる。

ここで−例として第９図及び第１０図にそれぞれ希土類
金属リッチの磁性合金膜（Ｔｂ１□、４Ｄｙ１□、５Ｆ
ｅＧＧ、１ｌＣｏｅ、３　）と遷移金属リッチの磁性合
金膜ＣＧｄｘ□−１Ｔｂｘｓ、−７Ｆｅｂ□−５ｃＯＢ
、４）の保磁力Ｈｅとカー回転角Ｏ３の温度依存性を示
す。第９図に示す希土類金属リッチのＴ　ｂ、Ｄ　ｙ　
Ｆ　ｅ　Ｃｏ磁性合金膜はキュリー温度Ｔｃが１６８℃
と低く、またキュリー温度Ｔｃ近傍において保磁力Ｈｃ
の温度特性曲線が大きい勾配で直線的に変化している。

このような磁性合金膜は記録ビットと非記録部の領域の
保磁力Ｈｅの差が大きくデジタル的に変化しているので
、磁界変調方式で形成された記録ピッ１〜の長さは短く
、ビットの尾は短く、しかもその形状はシャープとなる
。一方、第１０図に示す遷移金属リッチのＧｄＴｂＦｅ
Ｃｏ磁性合金膜はキュリー温度Ｔｃが２３６℃と高く、
保磁力Ｈｅの温度特性曲線はキュリー温度Ｔｃ付近で勾
配が小さく、しかも長く裾を引いている。このような磁
性合金膜は記録ビットと非記録部の領域の保磁力Ｈｅの
差が小さく、記録ビットの尾は長く、ビット形状は第１
１図のようにシャープでなく乱れる。また記録ビットの
サイズも不揃いとなり、磁性合金膜組成の小さい変動を
受けやすくなり、望ましくない。このように、キュリー
温度Ｔｃ付近での保磁力Ｈｅの勾配値は大きいほど良く
、しがも長く裾を引かず直線的に変化しているものが好
ましい。保磁力Ｈｅの温度特性の良否はキュリー温度Ｔ
ｃから５０℃低い温度（Ｔｃ−５０℃）における保磁力
をＨｅ５ｏとしたとき、このＨｅ、。を５０℃で割った
勾配値＋１ｃ、、１５０（Ｏｓ７℃）で評価できる。本
発明の磁性合金膜の勾配値Ｈｅ５ｏ　１５ｏは２０以上
であるのが好ましい。ちなみに第９図のＴｂＤｙＦｅＣ
ｏ磁性合金膜では、ｔｉｅｓ　ｏ　＞　２５０００ｅ、
勾配値Ｈｃｓｏ１５０＞５０（Ｏｅ／　’ｃ）であり、
第１０図のＧｄＴｂＦｅＣｏ磁性合金膜ではＨｃ、。４
２０００ｅ、勾配値Ｈｅ、。７５０句４（Ｏｅ／℃）で
ある。

また飽和磁化Ｍｓに関しても希土類金属リッチの磁性合
金膜は以下に述べるように遷移金属リッチのものに比べ
て良い特性を示す。第１２図は希土類金属リッチと遷移
金属リッチの各磁性合金膜の飽和磁化の温度依存性を示
すグラフ、第１３図は記録ビット周囲の磁化分布及び記
録ビットの内部の浮遊磁界分布を示すグラフである。ま
た第１４図は記録時のビット形成のモデル図である。第
１４図中、７１は光磁気記録媒体、７２は基板、７３は
磁性合金膜、７４は記録レーザ光である。第１２図に示
すように遷移金属リッチの磁性合金膜の飽和磁化Ｍｓは
温度が」２昇してもあまり減少せず、キュリー温度Ｔｃ
付近で急激に減少する傾向をみせる。一方、希土類金属
リッチの磁性合金膜の飽和磁化Ｍｓは温度の上昇に応じ
て直線的に減少する傾向をみせる。遷移金属リッチの磁
性合金膜における上記傾向は、第１３図に示されるよう
に希土類金属リッチの磁性合金に比べ、記録ビットの周
辺に飽和磁化Ｍｓが残留磁化計として大きく残存してい
ることによるものである。これは記録過程及び消去過程
に悪い影響をもたらす。すなわち、記録過程においては
、第１４図に示すように残留磁化訃による反磁界Ｈｄが
レーザ光照射記録部に外部磁界Ｈｅｘと同方向に作用し
、記録ビットが拡大するので、微小記録ビットの記録が
困難となる。一方、消去過程では、反磁界１（ｄが逆方
向に作用するので記録時より２８ｄ大きい外部磁界が必
要となる。記録時と消去時とで外部磁界の大きさを周波
数１０ＭＨｚの速さで変化させることは困難であるので
、遷移金属リッチの磁性合金膜は特に磁界変調方式には
適さない。希土類金属リッチの磁性合金膜では上記のよ
うな不都合はなく、微小記録ビットでの記録が容易であ
り、また磁界変調方式にも適合する。また、本発明の磁
性合金膜の飽和磁化Ｍｓの大きさは出来るだけ小さく、
１５０Ｇａｕｓｓ以下、より好ましくは］、００Ｇａｕ
ｓｓ以下であるのが望ましい。

一方、磁性合金膜の膜厚は記録感度すなわち記録レーザ
パワーと大きく関係する。第１５図に磁性合金膜の膜厚
ｔと記録開始最小レーザパワーＰｍ（ビット長１μｍ、
第２次高周波最小値）との関係をグラフで示す。また、
第１６図に磁性合金膜の膜厚ｔと吸収率Ａ及び反射率Ｒ
との関係をグラフで示す。第１５図から分かるように、
記録開始最小レーザパワーＰｍは膜厚３００人で最小と
なり、それより薄くなっても厚くなっても該パワーＰｍ
は増大する。これは、該パワーＰｍはｐｍｃｅΔＴ−ｘ
　Ａ　（１−Ｒ−Ｔ）　（ΔＴはキュリー湿度Ｔｃと室
温との温度差、ｔは膜厚、Ａは吸収率、Ｒは反射率、Ｔ
は透過率）なる関係式に従って変化し、かつ、第１６図
に示されるように膜厚が３００人より小さくなると吸収
率Ａが急激に低下するためである。以上の事より記録層
３の膜厚は３００〜６００人であるのが好ましい。

また、記録層３には耐食性の向上のためにＡＱ、Ｔｉ、
Ｃｒ、　Ｚｒ、　Ｎｉ、Ｉｎ、す、Ｃｕ等の少なくとも
１種以」二を含有させてもよく、さらに磁気光学特性の
向上のためにＳｍ、　Ｎｄ、　Ｐｒ、　Ｃｅ、　Ｐｔ、
　Ａｕ％Ｎｂ、Ｅｕ、　Ｙ。

Ｂ１等の少なくとも１種以上を含有させてもよい。

本発明の光磁気記録媒体の記録層３に適用出来る非晶質
磁性合金膜としては（Ｔｂｘａｏ−ＸＤｙＸ）Ｚ（Ｆｅ
ｌａｏ−、Ｃｏｙ）ｉｏｎ−Ｚ（０＜Ｘ＜ＩＯｏ、３＜
ｙ＜２０．望ましくは５０　＜　ｘ　＜　１００　、３
　＜　ｙ　＜　１０であり、２は補償組成をｚｏとする
ときｚｏ＜ｚ＜ｚｏ＋４である。〕、（ＧｄｌｌｌＯ−
ｘＤｙ）ＯｚＣＦｅｌ　ｎ＋＋−ｙｃＯｙ）ｔｏｏ−ｚ
（０＜ｘ＜　ｉｏｏ、Ｏ＜　ｙ　＜　１０であり、Ｚは
補償組成をｚｏとするどきｚｏ＜ｚ＜ｚｏ＋４である〕
等が挙げられるが、これに限定されるものではなく上記
の条件を満足するものであれば適用可能である。

断熱層４は記録時にレーザ照射により記録層３に発生し
た熱を拡散させないで該記録層３内に集める役割をする
とともに、大気中の水、酸素により記録層３が酸化、腐
食するのを防止する役割を行う。このため、断熱層４の
熱伝導率は誘電層２の熱伝導率より小さいことが望まし
く、熱伝導率が５Ｘ　１Ｏ−２ｃａｆｌ／ｃｍ−ｓ・℃
以下の誘電材料が好ましく用いられる。そして、そのよ
うな誘電材料としては、Ｓｉｘ　Ｎｙ　、　Ｓｊ、Ｏｚ
、５ｉＯ１Ｚｒ０２．５ｉＺｒＮ等が最適である。

更にＴｊ、、　Ｐｔ、　Ｃｒ、　Ｎｄ、　Ｍｎ等を添加
しても良い。そして断熱層４は誘電層形成と同様の成膜
法により４００〜１０００人の膜厚に形成される。

熱吸収層５は断熱層４での熱拡散を防止する作用を行う
。すなわち、記録時にレーザ照射により記録層３に発生
した熱は、熱伝導率の小さい断熱層４に伝導し、その断
熱層４の熱が熱吸収層５に伝導することにより、断熱層
４での熱拡散が防止される。

その結果、第１７図（ａ）に示すように記録ビット後端
の尾引きが短く、そのビット形状もシャープでレーザス
ポット径に忠実となる。一方、熱吸収層５の無い場合に
は断熱層４での熱拡散が起り、第１７図（ｂ）に示すよ
うに記録ビット後端の尾引きは長く、その形状はレーザ
スポット径より細くなる。

上記作用のため、熱吸収層５には熱伝導率が０．２ｃａ
Ｑ／ｃｍ−ｓ・℃と良い材料が使用される。このような
材料としては１１．　Ｐｔ、　Ａｕ、　Ｒｈ、　Ｃｕ、
　Ａｇ、　Ｃｒ等又はこれらの合金が最適である。成膜
法としてはスパッタ法、蒸着法等の方法が使用され、２
００〜６００人の膜厚に形成される。熱吸収層５の膜厚
が６００人より大きくなると熱吸収層５の横方向に熱拡
散が起こるため、強い記録レーザパワーが必要となり好
ましくなく、また２００人より薄いと上記のような作用
をなし得なくなる。

熱吸収層５の上には必要に応じて有機保護層あるいは接
合層５が設けられるが、有機保護層は熱吸収層５を保護
し、接合層は両面記録タイプの媒体における接合を行う
。これら有機保護層あるい＝１６ は接合層５は紫外線硬化樹脂（ＵＶレジン）、熱可塑性
樹脂、プラズマ重合樹脂等を用いてスピナー塗布法等の
方法で１μＬ１１〜１００声の膜厚に成膜される。

また、上記において２枚のディスクを貼合せた両面記録
タイプの光磁気ディスクとするときには、そのディスク
の端部を誘電材あるいはプラスチックで接合するのが好
ましい。

〔実施例〕

以下に本発明の実施例をあげるが、本発明はこれら実施
例に限定されるものではない。

実施例１ 外径１３０ｍｍ、内径１５ｍｍ、厚さ１　、２ｍｍのガ
ラス板を基板として用い、ＲＦマグネトロンスパッタ装
置において該基板上に誘電層としてＳｉｘＮｙ膜（屈折
率ｎ：２．３、熱伝導率０　、０４ｃａαｌＣｍ−８・
℃）をスパッタ法により３２人／分の成膜速度で７００
人の膜厚に形成した。

次に、同スパッタ装置において誘電層上に記録層として
Ｔｂｔｚ、４Ｄｙｚｚ−ｓＦｅｇ６．ｓｃｏ＋ｚ３磁性
膜をスパッタ法により４０人／分の成膜速度で４００人
の膜厚に形成した。この記録層の磁気特性はキュリー温
度Ｔｃ＝１６８℃、保磁力Ｈｃ＝３．７ｋＯｅ、飽和磁
化Ｍｓ＝１０８Ｇａｕｓｓであった。次に、その上に、
同じくスパッタ法により断熱層としてＳｉｘＮｙ膜（熱
伝導率０．０４ＣａＱ／Ｃｍ−８・℃）を４０人／分の
成膜速度で形成した。最後に熱吸収層上にスピンコード
にてＵｖレジン（大日精化■製のＵＤＡＬ−３９（に）
）を３０７ａｎの膜厚に被着させた後、紫外線照射によ
り硬化させて、有機保護層を形成し、光磁気記録媒体を
得た。

実施例２〜６ 各層の材料として各々表−１及び表−２に示すものを用
い、実施例１と同様にして各層が表−３に示す膜厚の光
磁気記録媒体を得た。記録層の磁気特性は表−２に示す
通りで、誘電層、断熱層、熱吸収層の屈折率あるいは熱
伝導率は表−３に示す通りであった。なお、エポキシレ
ジンは熱ローラで塗布して形成した。

表 表−２ ＝１９− 比較例 基板材料としてポリカーボネートを用いて、該基板上に
上記と同様にして表−１及び表−２に示す材料で表−３
に示す膜厚で誘電層、記録層、断熱層を形成し、熱吸収
層は設けないで、断熱層上に有機保護層を形成して、光
磁気記録媒体を得た。

以上のようにして作製した各光磁気記録媒体の記録再生
特性の評価を下記の条件で行った。

・磁気ヘッドの有機保護層上の浮上量２〜４（μ＋ａ）
・記録周波数　１５（ＭＨｚ） ・線速　２２（ｍ／ｓ） ・媒体の回転数　３６００（ｒｐｍ） ・記録レーザ波長　７８０（ｎｍ） ・記録レーザパワー（媒体面）４〜１０（ｍＷ）・レー
ザスポット径　約１（声） ・バイアス磁界　±２００−３００　（Ｏｓ）・再生レ
ーザ波長　７８０（ｒｕ＋＋）・再生レーザパワー　２
（ｍす） なお、記録の際レーザ光はチャンネルクロック３０ＭＨ
ｚに同期させてパルス発生させ、磁気ヘッドは１５ＭＨ
ｚの周波数で情報信号を変調した。上記の特性評価結果
を表−４に示す。

表−４ 同表に示されるように、本実施例の光磁気記録媒体は記
録レーザパワーが８ｍＷ以下、記録ビット長０゜８μｍ
、記録ビット形状はシャープで尾引きが小さく、さらに
再生Ｃ／Ｎが５０ｄＢ以上の高速、高密度可能でしかも
磁界変調方式に適合するものであった。

これに対し熱吸収層のない比較例の光磁気記録媒体は記
録レーザパワーは７ｍＶ以下であるが、記録ビット長は
１．１μｍ、その形状も乱れがあり尾引きは大で、さら
に再生Ｃ／Ｎが４０ｄＢと劣っていた。

〔発明の効果〕

以上詳細に説明したように、本発明によれば、断熱層上
に熱吸収層を設けたので、断熱層での熱拡散が防止され
、記録ビット長が短く、ビット形状がシャープで尾引き
の短いものとなり、高速、高密度記録が可能で、しかも
磁界変調方式に適合した光磁気記録媒体が提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る光磁気記録媒体の構成を示す断面
図、第２図は光変調方式の欠点を示す説明図、第３図は
磁界変調方式に用いる浮上型磁気ヘッドと光磁気記録媒
体との位置関係を示す図、第４図は磁界変調方式による
記録ビットの説明図、第５図は誘電層の膜厚と吸収率Ａ
及び反射率Ｒとの関係を示すグラフ、第６図は第５図の
データの測定に使用した光磁気記録媒体の構成を示す断
面図、第７図は誘電層の膜厚とカー回転角θ、及び反射
率Ｒとの関係を示すグラフ、第８図は誘電層の屈折率と
吸収率Ａ及び反射率Ｒとの関係を示すグラフ、第９図は
希土類金属リッチの一例の磁性合金膜におけるカー回転
角Ｏｋ及び保磁力Ｈｅの温度依存性を示すグラフ、第１
０図は遷移金属リッチの一例の磁性合金膜におけるカー
回転角θ、及び保磁力Ｈｃの温度依存性を示すグラフ、
第１１図は遷移金属リッチの磁性合金膜の記録ビット形
状を示す図、第１２図は希土類金属リッチと遷移金属リ
ッチの磁性合金膜の飽和磁化の温度依存性を示す図、第
１３図は希土類金属リッチと遷移金属リッチの磁性合金
膜における記録ビット周囲の磁化分布及びビット内部の
浮遊磁界分布を示すグラフ、第１４図は記録時のモデル
を示す図、第１５図は磁性合金膜の膜厚と記録開始最小
レーザパワーとの関係を示すグラフ、第１６図は磁性合
金膜の膜厚と吸収率Ａ及び反射率Ｒとの関係を示す図、
第１７図は熱吸収層を設けた光磁気記録媒体と熱吸収層
の無い光磁気記録媒体の記録ビット形状を比較して示す
図である。 １・・・基板 ２・・・誘電層 ３・・・光磁気記録層 ４・・・断熱層 ５・・・熱吸収層 ６・・・有機保護層又は接合層 特許出願人　株式会社　リ　　コ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に誘電層を介して光磁気記録層を設け、さ
   らにその上に断熱層を設けてなる光磁気記録媒体におい
   て、 前記断熱層上に熱吸収層を設け、 室温での熱伝導率が前記断熱層、前記誘電層、前記熱吸
   収層の順に大きく、さらに、 前記誘電層の屈折率が２．１以上であることを特徴とす
   る光磁気記録媒体。