JPH02126439A

JPH02126439A - 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法

Info

Publication number: JPH02126439A
Application number: JP27923588A
Authority: JP
Inventors: Jiichi Miyamoto; 治一宮本; Toshio Niihara; 敏夫新原; Norio Ota; 憲雄太田
Original assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Maxell Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Maxell Ltd
Priority date: 1988-11-07
Filing date: 1988-11-07
Publication date: 1990-05-15
Anticipated expiration: 2013-01-26
Also published as: JP2702996B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は連続光を照射し、同時に印加する磁界の方向ま
たは大きさを変えて情報を記録する磁界変調方式による
光磁気記録媒体及びその製造方法に関する。

〔従来の技術〕

光磁気ディスクの高密度化、高速化のために、情報の直
接書き換え（オーバライド）の可能な磁界変調記録方式
が用いられているが、その記録媒体としては、従来の光
変調記録用の媒体がそのまま用いられている。従来の媒
体としては特開昭５７−１６９９９６や特開昭６０−６
３７４７に記載のものがあり、その構成は第５図や第６
図に示す様なものである。第５図において基板１の上に
誘電体膜２．磁性膜３．誘電体膜４が積層されている。

基板側から入射した光は磁性膜３と誘電体膜の界面での
反射によってカー回転を生ずるが。

光を誘電体膜２の中で多数回反射させ干渉させることに
よりこのカー効果を増大（エンハンス）させている。ま
た、第６図の構造においては、磁性膜３を薄くして裏側
に金属膜を設けることにより。

磁性膜３を透過する光を反射させ、磁性膜３を透過する
光のファラデー回転の効果を反射光のカー回転の効果に
加え合わせることにより、実効的なカー回転角θＫを増
大させている。この際入射光の反射率Ｒは減少すること
になるが、再生時のＣ／Ｎ（搬送波対雑音比）は、性能
指数ｆ１・θＫに比例するため、結果としてＣ／Ｎ比は
増大することになる。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来技術による記録媒体を用い光変調記録を行った
場合は、確かに良好な記録再生特性が得られる。しかし
、上記従来の媒体を磁界変調記録方式に適用した場合、
必らずしも良好な記録再生特性が得られるとは限らない
。特に、高密度に記録を行った場合にＣ／Ｎ比の著しい
低下が見られる。これは第４図（ａ）に見られる様な記
録磁区７が形成されているためで、尾８の部分が隣接し
た記録磁区７と重なるため、光スポットでの判別が困難
となり再生出力の低下を引き起す、またこの尾８の部分
では磁区の面積に対する磁壁の割合が大きくなるため、
エネルギーが高くなり磁区の形状が不安定になり易い。

このため、記録時ノイズの増加を招く。すなわち、磁界
変調記録方式において、Ｃ／Ｎを向上させ、記録密度・
転送速度を増加させるためには、記録磁区７の形状を整
形し、尾８を短かくする必要がある。

本発明の目的は、磁界変調方式による光磁気記録媒体に
おいて、上記従来技術における問題点を解消し、高密度
、高速度で低雑音の光磁気記録を実現するのに好適な光
磁気記録媒体ならびにその製造方法を提供することにあ
る。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的は記録媒体の熱拡散率を制御することによって
達成される。

また、上記目的は第４図に示す如き記録磁区７の尾８の
光ビームの移動方向の長さが前記記録磁区８の光ビーム
の移動と垂直な方向の幅の０．７倍より短くすることに
より達成される。

また、記録媒体の熱拡散率の制御あるいは、記録磁区７
の尾８の長さを短くするために、光磁気配ｔＱＮが第２
図又は第３図に示す様に少なくとも磁性膜３及び金属膜
からなる構成としたものである。

また、記録媒体の熱拡散率の制御あるいは、記録磁区７
の尾８の長さを短くするために、光磁気記録層を第３図
に示す様に少なくとも磁性膜３及び金属膜５及び誘電体
膜４からなり誘電体膜４を磁性膜３と金属膜５の間に配
置した構成としたものである６尚、本明細書で光磁気記
録層とは、第３図に即していえば基板１に搭載された磁
性膜３゜誘電体膜４および金属膜５を含んで、この様に
称することとする。

また、記録媒体の熱拡散率を制御するためあるいは、記
録磁区７の尾８の長さを短くするために、金属膜５の熱
拡散率をＫＭ、光ビームと記録媒体との相対速度をｖ、
光スポットの直径をＤとするとき、条件Ｋ　　Ｏ）　　ｖ　　Ｄを満たすように記録媒体を構成したものである。

また、記録媒体の熱拡散率の制御あるいは、記録磁区７
の尾８の長さを短くするために、誘電体膜４の熱拡散率
をＸＯ１金属膜５の熱拡散率をＫＭとするとき、条件くＫ　　ｏ　　１＞　　Ｋ　　Ｍを満たすように記録媒体を構成したものである。

また、記録媒体の熱拡散率の制御あるいは、記録磁区７
の尾８の長さを短くするために、磁性膜３の熱拡散率を
ＫＦＩ、膜厚を１凄し、金属膜の熱拡散率をＫＭ、膜厚
をｌＭとするときＫＲ伊　ｌＲ＜　ＫＭＮ　Ｑ阿なる関係が成り立つように記録媒体を構成したものであ
る。

また、記録媒体の熱拡散率の制御あるいは、記録磁区７
の尾８の長さを短くするために、ｖＩ誘電体膜の熱拡散
率をＫＤ、膜厚をＱＤ、記録媒体に対する光ビームの移
動の相対速度をｖ、光スポットの直径をＤとするとき、なる関係が成り立つように記録媒体を構成したもので昂
る。

また、記録媒体の熱拡散率の制御あるいは記録磁区７の
尾８の長さを短くするために、Ｋ　　Ｍ　　＞　　Ｋ　
　Ｒなる条件を満足するように記録媒体を構成したものであ
る。

また、記録媒体の熱拡散率の制御あるいは記録磁区７の
尾８の長さを短くするために、金属膜５が、Ａｌ、Ａｕ
、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｈのうち少なくとも１種類以上
の元素からなるようにしたものである。

また、記録媒体の熱拡散率の制御あるいは記録磁区７の
尾８の長さを短くするために、金属膜５にＮｉ、Ｔｉ、
Ｔａ、　Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｚｒのうち少なくとも１種
の元素をその組成比が３０％を越えない範囲で添加した
ものである。

また、記録媒体の熱拡散率の制御あるいは記録磁区７の
尾８の長さを短くするために、誘電体膜Ｚｎ０ｘ、Ｔｉ
Ｏｘのうちの１種あるいは１種あるいは２種以上の混合
物または化合物で構成したものである。

〔作用〕

磁界変調方式による光磁気記録において、磁性薄膜３に
連続（ＤＣ）光を照射し、この磁性薄膜３の温度を上昇
させるが、この際の磁性膜面上での温度分布は、第７図
に示す様になる。ところで第７図（ａ）は従来の光磁気
記録媒体の温度分布である。光磁気記録に用いられる磁
性膜は、保磁力ＨＣの書き込みの行なわれる温度領域に
おいて温度の上昇とともに減少する第８図の様な特性を
示す。このため、Ｈｃが外部磁界Ｈｅｘｔと磁性膜自身
の磁化により生じる漏えい磁界Ｈｏの和よりも小さくな
る温度Ｔｗが存在し、この温度Ｔｗ以上では、磁化の方
向が変調磁界の方向を向く。すなわちＨｃ＝　Ｉ　Ｈｅ
ｘｔ＋ＨＤｌとなる温度Ｔ豐が存在する。

第７図の斜線部は温度Ｔ　＞　Ｔ　ｗである領域を表わ
し、この部分では前に書き込まれた情報の何列にかかわ
らず゛、磁性膜３の磁化は変調磁界の方向を向く。次に
、この部分の温度が下降する際Ｈｃ　＝Ｈｅｘｔ＋Ｈｏ
ｌとなる温度Ｔｗの領域ではその瞬間に印加されていた
変調磁界Ｈｅｘｔの方向に磁化が向いたまま固定される
。そのため、磁界変調方式において記録される記録磁区
７はＴ　＝　Ｔ　ｗの等温線を反映して第４図（ａ）に
示す様な矢羽根形となる。矢羽根の尾の部分８の長さは
第７図（ａ）の等温線Ｔ＝Ｔｗのうち右半分の部分の形
状による。この部分の等温線の形状は、光スポットが通
過した後の磁性膜の温度の変化を表している。従って第
７図（ａ）の様に右に長く伸びた形の等温線は磁性膜３
の温度の降下速度が非常に緩やかであることを表す。そ
のため、記録媒体全体としての熱拡散率を制御すること
により、磁性膜の温度の降下速度を変えることができ、
しいては磁区形状を制御することができる。特に、記録
媒体の熱伝導率を上げ、熱の放散が起こりやすくするこ
とにより、膜の温度の降下速度を速くすることができ、
Ｔ＝Ｔｗの等温線の形状が真円に近づくため、記録磁区
７の尾８の長さを短かくすることができる。

記録媒体の熱拡散率を大きくする方法、原理について以
下に述べる。記録媒体の熱伝導率を大きくする方法の一
つとしては、熱拡散率の高い金属膜５を積層する方法が
ある。この熱拡散率の高い金属膜５の膜厚あるいは、そ
の金属膜５自身の熱拡散率を制御することにより、第４
図（ｂ）に示したように記録磁区７の尾８を短くするこ
とができる。また、第１図のように金属膜５と磁性膜３
の間に誘電体膜４を設けた構造とすると、誘電体膜４の
膜厚や熱拡散率を変えることにより、磁性膜３から金属
膜５への熱の流れを抑制することができるため、記録磁
区７の形状を制御することができる。誘電体膜４の膜厚
を薄くすれば、磁性膜３から金属膜５への熱の流れを多
くでき金属として熱拡散率が上がるため、記録磁区の尾
８を短かくすることができる。

金属膜５による熱拡散を支配的にするためには、また、
記録時の感度を低下させないためには磁性膜３の膜厚を
薄くして熱容量を下げることが必要であり、磁性膜３の
膜厚は薄くなければならない。

金属膜５による熱拡散が支配的になる条件は金属膜の熱
拡散率と膜厚の積が磁性膜の熱拡散率と膜厚の積よりも
大きいことである。

金属膜５によって媒体全体の熱拡散率を上昇させるため
には、金属膜５自身の熱拡散率が磁性膜３の熱拡散率よ
りも低い方がより良好である。

また、誘電体膜４によって磁性膜３から金属膜５へ流れ
る熱を制御するためには誘電体膜４の熱拡散率は磁性膜
３の熱拡散率よりも低い方がより良好である。

誘電体膜４を通して磁性膜３の熱が金属膜５に到達する
条件としては、光スポットが通過し終わる前に光スポッ
トで発生する熱が誘電体膜４を往復すればよいから、を満たせばよい。

上式で左辺は直径りの光スポットが通過するのに要する時間、右辺は膜厚ｎｏの誘電体
膜４中を熱が伝わるのに要する時間である。

ただしＫｏは誘電体膜４の熱拡散率、■は光ビームの記
録媒体に対する相対速度である。

金属膜５としてはレーザ光を磁性１１ｇ１３の温度上昇
に有効利用するため反射率が高い方が良い。磁性膜３を
透過した光が金属膜で反射され再び磁性膜３中で有効に
吸収される。これは再生時のカー回転角及び反射光量の
増大のためにも重要であり、特に良好な記録再生特性を
得るには金属膜５の光反射率は８０％以上であるのがよ
い。

金属膜５の熱拡散率は金属膜５を反射率の比較的高い金
属に熱拡散率の比較的低い金属を添加することによって
制御できる。

金属膜５としてはＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ。

Ｐｔ、Ｒｈ等の高反射率材料を用い、これに、熱拡散率
の低いＮｂ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｚｒのう
ちの少なくとも１種類以上の金属を添加して熱拡散率の
制御を行うのが良好で、これらの添加元素は金属膜５の
耐食性を向上させる働きを併せ持つ。

誘電体膜４は、ＡＱＮ？　ＳｉＮｘ、ＺｒＯｘ＋ＳｉＯ
ｘ、ＴａＯｘ、ＺｎＳのうちの１あるいは２種以上の混
合物とするのが熱拡散率、耐食性及び光学特性の面から
良好である。

〔実施例〕

以下に本発明の実施例を挙げ、さらに具体的に説明する
。

実施例１゜第９図に示す様にトラッキング用の案内溝を設けた透明
ガラス基板を、高周波マグネトロン・スパッタ装置内に
装填し、８　Ｘ　１０−７Ｔｏｒｒ以下に真空槽内を排
気した後、ＡｒガスとＮ２ガスの混合ガスを導入し、Ｉ
　Ｘ　１０−”Ｔｏｒｒのガス圧で、Ｓｉ、Ｎ、の焼結
体をターゲットとしてスパッタし、誘電体膜２としてＳ
ｉＮｘを８５０人積層する。

ＳｉＮｘの熱拡散率は２　Ｘ　１０−”Ｗ／ｃ＋ａ　ｄ
ｅｇ、屈折率は２．０であり、８５０人という膜厚は、
カー効果のエンハンス条件から決まる。次に、同様な真
空排気の後、Ａｒガスを導入し、ＴｂＦｅＣｏからなる
合金ターゲットを５　Ｘ　１０−３Ｔｏｒｒのガス圧で
スパッタし、ＴｂＴｅＣｏ磁性［３を２００人だけ形成
した。磁性膜の熱拡散率は０　、１３　ａｍ”／ｓ次い
で再び同様な真空排気の後、Ａｒガスを導入、Ｓｉ、Ｎ
４の焼結体ターゲットを用い、２Ｘ１０””Ｔ　ｏｒｒ
のガス圧でスパッタし、誘電体膜４としてＳ　ｉ　Ｎ　
ｘ膜を５００人の厚さだけ形成した。このＳｉＮｘ膜の
熱拡散率は０　、０１　ｃ＋ｎ”／ｓであり、屈折率は
２．２である。この後、同様な真空排気を行った後、Ａ
ｒガスを導入し、ＡＩ２ターゲットを３　Ｘ　１０−３
Ｔｏｒｒのガス圧でスパッタして金属膜５としてＡｆｌ
膜を５００人形成した。ＡＱ膜の熱拡散率は０　、９　
ａｍ”／ｓである。次いで、このように膜形成された基
板を真空槽から取り出し、保護コート６として紫外線硬
化樹脂（ＵＶ樹脂）を１０μｍ膜厚だけ回転塗布し、真
空中で１分間の紫外線露光を行い硬化させる。

こうして製造された光磁気記録媒体に波長８３０ｎｍの
ＤＣ光をＮＡｏ、６のレンズで照射しながら±２０００
ｅの変調磁界を印加し、磁界変調記録を行う。この時の
媒体の線速度は２０ｍ／Ｓである。こうして記録した磁
区を偏光顕微鏡を用いてｗＡ察し磁区幅と記録パワー及
び尾の長さの関係を求めた。このような測定を誘電体膜
４の膜厚を変えて行った結果を第１０図に示す。最適記
録パワーは磁区幅が１．１μｍとなる記録パワーを示す
。従来例と比べ、最適記録パワー、尾の長さとも短かく
なっているのがわかる。尾の長さは誘電体１ｌＩ４の膜
厚が５０ｎｍ以下のときほとんど最小になっている。最
適記録パワーは誘電体膜４の膜厚が５０ｎｍ〜７０ｎｍ
で最小となっており、誘電体膜４の膜厚は約５０ｎｍが
最適ということがわかる。このように誘電体膜４の膜厚
を制御することで尾の長さを制御することができる。

この構造の光磁気記録媒体（誘電体膜４の膜厚５０ｎｍ
）を用い、前記磁界変調記録を行なったところ、ドメイ
ン長０．７５μｍでＣ／Ｎ比５０ｄＢが得られた。

実施例２゜第１１図に示す様に実施例１から誘電体膜４を取り除い
た構造の光磁気記録媒体を作製した。

この光磁気記録媒体の金属膜５の膜厚を変えた時の尾の
長さと最適記録パワーの関係を第１２図に示す。金属膜
５の膜厚が５０ｎｍより厚くなると尾の長さは十分に短
かくなるが、最適記録パワーは大きく増大している。こ
れに対し実施例１では、金属膜５の膜厚に対する依存性
が比較的ゆるやかである。しかし実施例２では暦数が少
ないため製造プロセスが簡略化され、また、光学的にも
安定である。いずれにせよ金属膜Ｓの膜厚を変えること
により尾の長さを制御できることがわかる。

この実施例では金属膜５の最適膜厚は４０〜５０ｎｍで
ある・実施例３゜第１３図において、実施例１と同様にトラッキング用の
集中溝を設けた透明ガラス基板上に。

ＳｉＮｘをＩ　Ｘ　１０−”Ｔｏｒｒのガス圧のＡｒ、
Ｎ、混合ガスを用いてスパッタする。膜厚は実施例１と
同様に８５０人、熱拡散率は０．１３ｃ♂／ｓ、屈折率
は２．０である。次に同様な真空排気の後。

Ａｒガスを導入し、Ｔ　ｂ　Ｆ　ｅ　Ｃｏからなる合金
ターゲットを５　Ｘ　１０−３Ｔｏｒｒのガス圧で２０
ｎｍの膜厚の磁性ＪＩＩ３を形成した。次いで再び同様
な真空排気の後Ａｒガスを導入しＡＱＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ
Ｏ，Ｔｉｅ、、ＺｒＯ２の何れかのターゲットを用い５
０ｎｍの膜厚の誘電体膜４を積層した。次に同様な真空
排気の後Ａｒガスロを導入し、ＳｕＳ。

Ａｎ−Ｔｉ合金、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕの何れかのターゲッ
トを用い、５０ｎｍの膜厚の金属膜５を形成した。スパ
ッタ時のガス圧は３　Ｘ　１０−３Ｔｏｒｒである。次
に実施例１と同様に、保護コート６として紫外線硬化樹
脂（ＵＶ樹脂）を１０μｍの膜厚で回転塗布し、真空中
で１分間の紫外＃！露光を行い硬化させた。

このように作製された。光磁気記録媒体を用い実施例１
と同様に磁界変調記録を行った。この結果を第１４図に
示す。横軸は金属膜５の熱伝導率、縦軸は誘電体膜４の
熱伝導率で、○印及びΔ印は尾の長さが磁区幅の０．７
倍以下となることを示している。また０印及び０印は実
施例１で述べた最適記録パワーが１０ｍＷ以下であるこ
とを表している。この様に金属膜５及び誘電体膜４の熱
拡散率を制御することにより、記ｓｍ区の尾の部分の長
さを短かくすることができ、高密度記録に適した光磁気
記録媒体を得ることができる。

なお本発明の光磁気記録媒体の膜構成は上述の実施例に
限られるものではなく、以下のような構成も可能である
。すなわち。

（１）誘電体膜４としてＡＱＮ、ＳｉＮｘ、ＺｒＯｘ。

ＳｉＯｘ、ＴａＯｘ、ＺｎＳ、Ｚｎ０ｘ、ＴｉＯｘのう
ちの１つ、あるいはそれらの２種以上の混合物又は化合
物を用いる。

（２）金属膜５として、Ａｆｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｔ。

Ｒｈ、Ｐｄのうちの少なくとも１種類以上を主成分とし
て用いる。

（３）金属膜５に、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ＋Ｎｉ、Ｍ
ｎ、Ｚｒのうちの少なくとも１種類以上の元素を添加す
る。

（４）磁性膜３として、Ｘ−Ｙ非晶質合金を用いる。た
だしＸはＴｂ、Ｄｙ、Ｇｄ、Ｎｄ。

Ｐｒのうちの１または２種類以上の合金、ＹはＦｅ、Ｇ
ｏ及びそれらの金属である。

（５）磁性膜３に、Ｎ、ｂ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｖ。

ｐｔなどの耐食性向上のための元素を添加する。

（６）基板１としてガラス、ポリカーボネート。

ポリオレフィン、アクリル、紫外線硬化樹脂等を用いる
。

（７）第７図に示す様な構造の媒体を、ＵＶ樹脂同志が
接する様に貼り合わせる。

〔発明の効果〕

以上詳細に説明した様に、本発明によれば、光磁気記録
層を構成する各層の膜厚、熱拡散率を変えることにより
光磁気記録層全体としての熱容量及び熱拡散率を制御す
ることができ、結果として磁界変調方式で記録を行った
ときの記録磁区７の形状を制御することができる。すな
わち、ｍ界変調記録特有の記録磁区７の尾８を短がくす
ることができる。このため、高密度に記録を行った際も
良好な記録再生特性を与える光磁気記録媒体を得ること
ができる。

第１５図は本発明により得られる光磁気記録媒体を用い
磁界変調記録を行ったときの記録再生特性を示している
。記録印加磁界の強度は±２０００ｓ、記録ドメイン長
は０．７５μｍ、レーザ光の波長は８３０ｎｍ、集光レ
ンズのＮＡは０．６である。従来例と較べ、記録パワー
を増大させてもＣ／Ｎ比の低下がない。これは、記録磁
区７の尾８が短かくなり、隣接する記録磁区との重なり
が生じないためである。５０ｄＢ以上のＣ／Ｎ比が得ら
れる。

【図面の簡単な説明】

６図は従来例の構成図、第７図〜第８図は本発明の詳細
な説明図、第９図〜第１４図は本発明の実施例の構成図
及び特性を表す図。第１５図は本発明の効果を表す図で
ある。１・・・基板、２・・・誘電体膜、３・・・磁性膜、４
・・・誘電体膜、５・・・金属膜、６・・・保護コート
、７・・・記録磁区、８・・・尾、９・・・等混線、１・・・ビームの進行方向。不／砧礫２圏吊図沸４面？−・・話特慮区 ♂−・ＡＩ−、ビームの」し乍オ匍第 θ 困＄１面０リオ図ユ康ア（ｂ）不４０纂　ノρ団壊ツノ ■ ３門′ノ２　ｍ篤　ノ３　図謝／４圓４Ａ８１外伝↓卒デＣ哄□１句。〕１　ノｆｍ實乙銖ノぐツー　〔慣机

Claims

【特許請求の範囲】１、基板上に積層された光磁気記録層上に光ビームを集
光して略連続的に照射し、該光ビームは媒体に対して相
対的に移動し、同時に該光磁気記録層に変調磁界を印加
することにより記録磁区を形成し情報を記録する光磁気
記録媒体において、前記記録磁区の形状の制御を前記光
磁気記録層の熱拡散率を制御することによって行ったこ
とを特徴とする光磁気記録媒体。２、前記記録磁区の突起の前記光ビームの移動方向の長
さが前記記録磁区の前記光ビームの移動と垂直な方向の
幅の０．７倍より短かいことを特徴とする光磁気記録媒
体。３、前記光磁気記録層が少なくとも磁性膜と金属膜から
なることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項
記載の光磁気記録媒体。４、前記光磁気記録層が少なくとも前記磁性膜と前記金
属膜の間に誘電体膜を持つ構造であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項又は第２項記載の光磁気記録媒体
。５、前記金属膜の熱拡散率をＫ＿Ｍ、前記光ビームの移
動速度をｖ、前記光ビームの集光された光スポットの直
径をＤとするとき、Ｋ＿Ｍ＞ｖＤなる関係が成立していることを特徴とする特許請求の範
囲第３項又は第４項記載の光磁気記録媒体。６、前記誘電体膜の熱拡散率Ｋ＿Ｄが、前記金属膜の熱
拡散率Ｋ＿Ｍよりも小さいことを特徴とする特許請求の
範囲第４項記載の光磁気記録媒体。７、前記磁性膜の熱拡散率Ｋ＿Ｒと膜厚ｌ＿Ｒの積が、
前記金属膜の熱拡散率Ｋ＿Ｍと膜厚ｌ＿Ｍの積よりも小
さいことを特徴とする特許請求の範囲第３項又は第４項
に記載の光磁気記録媒体。８、前記誘電体膜の熱拡散率をＫ＿Ｄ、膜厚をｌ＿Ｄ、
前記光ビームの移動速度をｖ、前記光スポットの直径を
ＤとするときＫ＿Ｄ＞４（ｌ＿Ｄ＾２Ｖ／Ｄ）であることを特徴とする特許請求の範囲第４項に記載の
光磁気記録媒体。９、前記金属膜の熱拡散率が前記磁性膜の熱拡散率より
も大きいことを特徴とする特許請求の範囲第３項又は第
４項記載の光磁気記録媒体。１０、前記金属膜がＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｒ
ｈのうち少なくとも１種類以上の元素からなることを特
徴とする特許請求の範囲第３項又は第４項に記載の光磁
気記録媒体。１１、前記金属膜がＮｂ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍ
ｎ、Ｚｒのうち少なくとも１種類の元素を含み、それら
の原子組成比の合計が３０ａｔ％を越えないことを特徴
とする特許請求の範囲第３項又は第４項に記載の光磁気
記録媒体。１２、前記誘電体膜がＡｌＮ＿ｘ、ＳｉＮ＿ｘ、ＺｒＯ
＿ｘ、ＳｉＯ＿ｘ、ＴａＯ＿ｘ、ＺｎＳ＿ｘ、ＺｎＯ＿
ｘ、ＴｉＯ＿ｘのうちの１種あるいは２種以上の混合物
または化合物からなることを特徴とする特許請求の範囲
第４項に記載の光磁気記録媒体。１３、前記光磁気ディスクの再生信号強度が光パワーに
対して飽和したのち高いパワーに対しても一定の飽和値
を保つことを特徴とする光磁気ディスク媒体。