JPH02106455U - - Google Patents

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JPH02106455U
JPH02106455U JP1989013262U JP1326289U JPH02106455U JP H02106455 U JPH02106455 U JP H02106455U JP 1989013262 U JP1989013262 U JP 1989013262U JP 1326289 U JP1326289 U JP 1326289U JP H02106455 U JPH02106455 U JP H02106455U
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vacuum
vacuum vessel
film forming
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  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案による被膜形成装置構成の一実
施例を示す、要部の断面を含む正面図、第２図は
第１図に示す被膜形成装置の平面図、第３図は第
１図に示す被膜形成装置の要部の拡大断面図、第
４図は第３図のＡ―Ａ位置において矢印の方向に
見た要部の上面図、第５図は気密端子構造の一実
施例を示す断面図、第６図は被膜を形成した試料
の電気抵抗の従来の測定方法を示す図である。 ２…気密端子、３…試料、５…電極、６…真空
容器。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 真空容器内で気体放電を発生させるために該真
    空容器内に平行に対向して配された、一方の電極
    を構成するターゲツトと他方の電極との間に、該
    対向方向と直角の方向に対向して配された２つの
    電極の間に分析用試料などを置きその表面に金属
    被膜を形成させる装置において、前記真空容器が
    その容器壁に該容器壁を貫通して前記２つの電極
    をそれぞれ該真空容器の外側へ引き出す気密端子
    を備えていることを特徴とする被膜形成装置。
JP1989013262U 1989-02-07 1989-02-07 Pending JPH02106455U (ja)

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