JPH02107737A - アモルファス軟磁性膜 - Google Patents
アモルファス軟磁性膜Info
- Publication number
- JPH02107737A JPH02107737A JP26185988A JP26185988A JPH02107737A JP H02107737 A JPH02107737 A JP H02107737A JP 26185988 A JP26185988 A JP 26185988A JP 26185988 A JP26185988 A JP 26185988A JP H02107737 A JPH02107737 A JP H02107737A
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- Japan
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- amorphous soft
- magnetic film
- film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野）
本発明は、ハードディスク装置やＶＴＲ等の薄膜磁気ヘ
ッド等に使用されるアモルファス軟磁性膜に関する。
ッド等に使用されるアモルファス軟磁性膜に関する。
本発明は、コ１膜磁気へント等に使用されるアモルファ
ス軟磁性膜において、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｐ三元合金からなる
アモルファス軟磁性膜のＰの一部あるいは全部をＳｎに
置き換えることによって、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｐアモルファス
軟磁性膜よりも、更に高飽和磁束密度を有し、且つ熱的
安定性及び耐食性に優れたアモルファス軟磁性膜を提供
できるようにしたものである。
ス軟磁性膜において、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｐ三元合金からなる
アモルファス軟磁性膜のＰの一部あるいは全部をＳｎに
置き換えることによって、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｐアモルファス
軟磁性膜よりも、更に高飽和磁束密度を有し、且つ熱的
安定性及び耐食性に優れたアモルファス軟磁性膜を提供
できるようにしたものである。
薄膜磁気ヘッド用の磁性材料としては、パーマロイ、ア
モルファス材料等が知られている。しかし、中でも薄膜
磁気ヘッドの製造工程に有利な電気メツキ法で製造でき
る軟磁性膜は、現在のところパーマロイと、Ｃｏ、 Ｆ
ｅ、 Ｐからなるアモルファス材料（特公昭６３−１０
２３５号参照）だけである。
モルファス材料等が知られている。しかし、中でも薄膜
磁気ヘッドの製造工程に有利な電気メツキ法で製造でき
る軟磁性膜は、現在のところパーマロイと、Ｃｏ、 Ｆ
ｅ、 Ｐからなるアモルファス材料（特公昭６３−１０
２３５号参照）だけである。
特に、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｐ三元合金からなるアモルファス軟
磁性膜は、先に本出願人に係る特願昭６３−２２０２１
０号にて開示したように磁歪が小さくパーマロイ（ハー
ドディスク用の薄膜磁気ヘッド等に使用される）、セン
ダス１−（ＶＴＲ用磁気ヘッドに使用される）等をも凌
ぐ高飽和磁束密度及び高透磁率を有し、耐食性もパーマ
ロイと同等という優れた軟磁性材料である。
磁性膜は、先に本出願人に係る特願昭６３−２２０２１
０号にて開示したように磁歪が小さくパーマロイ（ハー
ドディスク用の薄膜磁気ヘッド等に使用される）、セン
ダス１−（ＶＴＲ用磁気ヘッドに使用される）等をも凌
ぐ高飽和磁束密度及び高透磁率を有し、耐食性もパーマ
ロイと同等という優れた軟磁性材料である。
しかしながら、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｐアモルファス軟磁性膜に
おいては、飽和磁束密度を高くするには膜中のＰの濃度
を低くしなければならないが、実用上充分なだけの熱的
安定性及び耐食性を考慮に入れると飽和磁束密度Ｂｓに
も限界があり、１３ｋＧ程度が限度であった。
おいては、飽和磁束密度を高くするには膜中のＰの濃度
を低くしなければならないが、実用上充分なだけの熱的
安定性及び耐食性を考慮に入れると飽和磁束密度Ｂｓに
も限界があり、１３ｋＧ程度が限度であった。
本発明は、上述の点に鑑み、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｐアモルファ
ス軟磁性膜よりも更に高飽和磁束密度を有し、熱的安定
性、耐食性に優れたアモルファス軟磁性膜を提供するも
のである。
ス軟磁性膜よりも更に高飽和磁束密度を有し、熱的安定
性、耐食性に優れたアモルファス軟磁性膜を提供するも
のである。
本発明者らは、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｐアモルファス軟磁性膜の
Ｐの一部あるいは全部をＳｎに置き換えることにより、
さらに飽和磁束密度を高め、しかも熱的安定性、耐食性
の点でもより優れたアモルファス軟磁性膜となることを
新たに見出し、本発明に至ったものである。
Ｐの一部あるいは全部をＳｎに置き換えることにより、
さらに飽和磁束密度を高め、しかも熱的安定性、耐食性
の点でもより優れたアモルファス軟磁性膜となることを
新たに見出し、本発明に至ったものである。
すなわち、本発明のアモルファス軟磁性膜は、Ｃ０ａＦ
ｅｂＳｎｃＰｄ（ただしａ、 ｂ、 Ｃ，（１は夫
々組成比を原子％として表している）なる組成式で示さ
れ、その組成範囲が ６４≦ ａ＋ｂ ≦８６ ０．５≦ ｂ ≦１２ ０．５≦ Ｃ≦３６ ０≦ ｄ ≦２４ ａ ＋ｂ ＋ ｃ ＋ ｄ ＝ １００なる関係を満足
することを特徴とするものである。
ｅｂＳｎｃＰｄ（ただしａ、 ｂ、 Ｃ，（１は夫
々組成比を原子％として表している）なる組成式で示さ
れ、その組成範囲が ６４≦ ａ＋ｂ ≦８６ ０．５≦ ｂ ≦１２ ０．５≦ Ｃ≦３６ ０≦ ｄ ≦２４ ａ ＋ｂ ＋ ｃ ＋ ｄ ＝ １００なる関係を満足
することを特徴とするものである。
本発明において特定される組成比はアモルファス軟磁性
膜の特性を最適化する観点から選ばれたものである。
膜の特性を最適化する観点から選ばれたものである。
まず、Ｃｏ及びＦｅの組成比の和ａ＋ｂが６４未満の場
合には飽和磁束密度が８ｋＧ以下となるので好ましくな
い。またａ＋ｂが８６よりも多くなるとアモルファスに
なるのが困Ｘｌｔとなる。
合には飽和磁束密度が８ｋＧ以下となるので好ましくな
い。またａ＋ｂが８６よりも多くなるとアモルファスに
なるのが困Ｘｌｔとなる。
Ｆｅの組成比すが０．５未満だと磁歪がｆ＋、の大きな
値をもう、１２より多くなると正の大きな値を持ち軟磁
気特性の劣化が激しくなる。
値をもう、１２より多くなると正の大きな値を持ち軟磁
気特性の劣化が激しくなる。
Ｓｎの組成比Ｃが３６より多くなると飽和磁束密度が８
ｋＧ以下となる。
ｋＧ以下となる。
Ｐの組成比ｄが２４より多くなると飽和磁束密度がｆｌ
ｌｋＧ以下となる。
ｌｋＧ以下となる。
尚、耐１￥耗性を向上させる目的で、上記Ｃｏ−Ｆｅ５
ｎ−Ｐアモルファス？Ｊ ｖｌｌ性膜及びＣｏ−Ｆｅ−
３ｎアモル軟磁性膜にＲｕ、 Ｃｒ、 Ｗから選ばれた
少なくとも１種をＩＯ原子％以下含有せしめるを可とす
る。
ｎ−Ｐアモルファス？Ｊ ｖｌｌ性膜及びＣｏ−Ｆｅ−
３ｎアモル軟磁性膜にＲｕ、 Ｃｒ、 Ｗから選ばれた
少なくとも１種をＩＯ原子％以下含有せしめるを可とす
る。
（作用）
本発明のアモルファス軟磁性膜によれば、Ｃｏ−ＦｅＰ
アモルファス軟磁性膜よりも更に高飽和磁束密度Ｂｓを
有し、飽和磁束密度ＢＳが１２ｋＧ〜１５ｋＧとなるよ
うな組成領域においても、実用に充分な熱的安定性及び
耐食性を有するものである。
アモルファス軟磁性膜よりも更に高飽和磁束密度Ｂｓを
有し、飽和磁束密度ＢＳが１２ｋＧ〜１５ｋＧとなるよ
うな組成領域においても、実用に充分な熱的安定性及び
耐食性を有するものである。
以下、本発明のアモルファス軟磁性膜の実施例を説明す
る。
る。
本発明に係るＣｏ−Ｆｅ−５ｎ−Ｐアモルファス軟磁性
膜及びＣｏ−Ｆｅ−５ｎアモルファス軟磁性膜の各実施
例１〜１５の磁気特性及び結晶化温度を第１表に示す。
膜及びＣｏ−Ｆｅ−５ｎアモルファス軟磁性膜の各実施
例１〜１５の磁気特性及び結晶化温度を第１表に示す。
なお、比較のために、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｐアモルファス軟磁
性膜による比較例１〜１５についての磁気特性及び結晶
化温度も併せて示す。
性膜による比較例１〜１５についての磁気特性及び結晶
化温度も併せて示す。
飽和磁束密度Ｂｓは試料振動磁束計（ＶＳＭ）で測定し
、保磁力１ｉｃはＢ−Ｈループトレーサで測定し、透磁
率μは８の字コイル型透磁率計で測定した。
、保磁力１ｉｃはＢ−Ｈループトレーサで測定し、透磁
率μは８の字コイル型透磁率計で測定した。
ル／１１歪定数は軟磁性膜に外力を加えた時の異方性磁
界の変化から求めた。
界の変化から求めた。
測定試料の膜厚は３μｍであり、組成分析はＥＰＭＡに
より行い、結晶化温度は示差熱分析（ＤＴＡ） （昇温
速度５°Ｃ／ｍ１ｎ）により行った。
より行い、結晶化温度は示差熱分析（ＤＴＡ） （昇温
速度５°Ｃ／ｍ１ｎ）により行った。
第１表から明らかなように、いずれの実施例（１〜１５
）についても各対応する比較例（１〜１５）であるＣｏ
−Ｆｅ−Ｐアモルファス軟磁性膜よりも高い飽和磁束密
度Ｂｓを有している。しかも、結晶化温度も実施例（１
〜１５）は各対応する比較例（１〜１５）よりも高く、
熱的安定性に優れている。
）についても各対応する比較例（１〜１５）であるＣｏ
−Ｆｅ−Ｐアモルファス軟磁性膜よりも高い飽和磁束密
度Ｂｓを有している。しかも、結晶化温度も実施例（１
〜１５）は各対応する比較例（１〜１５）よりも高く、
熱的安定性に優れている。
結晶化温度に関してみると、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｐアモルファ
ス軟磁性膜の場合、結晶化温度は３２０°Ｃ〜３５０°
Ｃであったが、Ｃｏ−Ｆｅ−ＰにＳｎを添加していくに
従って結晶化温度は徐々に上昇し、Ｃｏ、 Ｆｅ、 Ｓ
ｎ三元からなるアモルファス軟磁性膜の結晶化温度は４
３０°Ｃ〜４７０°Ｃになることが認められた。
ス軟磁性膜の場合、結晶化温度は３２０°Ｃ〜３５０°
Ｃであったが、Ｃｏ−Ｆｅ−ＰにＳｎを添加していくに
従って結晶化温度は徐々に上昇し、Ｃｏ、 Ｆｅ、 Ｓ
ｎ三元からなるアモルファス軟磁性膜の結晶化温度は４
３０°Ｃ〜４７０°Ｃになることが認められた。
一方、耐食性についても、１規定の食塩水中に１週間放
置するという方法で、パーマロイ（Ｎｉａ＋Ｆｅ＋ｑ）
＋Ｃｏ−Ｆｅ−Ｐアモルファス軟磁性膜（ＣＯａｏＦｆ
３ｓＰ＋ｔ）と、本実施例のＳｎを添加したＣｏ−Ｆｅ
−５ｎ−Ｐアモルファス軟磁性膜（Ｃｏ、、ｏＦｅ＋５
ｎｓＰ ｌ ｇ）を比較した。パーマロイ（Ｎｉａ＋Ｆ
ｅ＋、）では表面に灰色の錆及び赤錆が生じ、Ｃｏ５ｏ
Ｆｅ３Ｐ１＝アモルファス軟磁性膜では表面にわずかに
赤錆が生じた。これに対して本実施例のＣｏｄ。
置するという方法で、パーマロイ（Ｎｉａ＋Ｆｅ＋ｑ）
＋Ｃｏ−Ｆｅ−Ｐアモルファス軟磁性膜（ＣＯａｏＦｆ
３ｓＰ＋ｔ）と、本実施例のＳｎを添加したＣｏ−Ｆｅ
−５ｎ−Ｐアモルファス軟磁性膜（Ｃｏ、、ｏＦｅ＋５
ｎｓＰ ｌ ｇ）を比較した。パーマロイ（Ｎｉａ＋Ｆ
ｅ＋、）では表面に灰色の錆及び赤錆が生じ、Ｃｏ５ｏ
Ｆｅ３Ｐ１＝アモルファス軟磁性膜では表面にわずかに
赤錆が生じた。これに対して本実施例のＣｏｄ。
Ｆｅ５ＳｎｓＰ Ｉ ２アモルファス軟磁性膜は、表面
が自己不働態化したらしく、表面の色がやや青みがかっ
ただけで依然として綺麗な金属光沢を有しており、明ら
かに耐食性が改善されいるこのとが認められた。
が自己不働態化したらしく、表面の色がやや青みがかっ
ただけで依然として綺麗な金属光沢を有しており、明ら
かに耐食性が改善されいるこのとが認められた。
なお、熱的安定性はＣｏ−Ｆｅ−５ｎ−Ｐアモルファス
軟磁性膜よりＣｏ−Ｆｅ−５ｎアモルファス軟磁性膜の
方が良い。また耐食性はＧｏ−Ｆｅ−５ｎアモルファス
軟磁性膜よりＣｏ−Ｆｅ−５ｎ−Ｐアモルファス軟磁性
膜の方がよい。
軟磁性膜よりＣｏ−Ｆｅ−５ｎアモルファス軟磁性膜の
方が良い。また耐食性はＧｏ−Ｆｅ−５ｎアモルファス
軟磁性膜よりＣｏ−Ｆｅ−５ｎ−Ｐアモルファス軟磁性
膜の方がよい。
次に本発明のＣｏ−Ｆｅ−３ｎ−Ｐ、 Ｃｏ−Ｆｅ−３
ｎアモルファス軟磁性膜を電気メツキ法により製造する
場合の製法例を説明する。本発明のアモルファス軟磁性
膜を電気メツキ法で製造する場合、Ｓｎの析出量をコン
トロールできる条件に設定することが重要である。
ｎアモルファス軟磁性膜を電気メツキ法により製造する
場合の製法例を説明する。本発明のアモルファス軟磁性
膜を電気メツキ法で製造する場合、Ｓｎの析出量をコン
トロールできる条件に設定することが重要である。
先ず、Ｃｏ−Ｆｅ−５ｎ−Ｐアモルファス軟磁性膜の場
合は、約０．２〜２モル／ｌの２価のＣｏイオンと約０
．００５〜０．３モル／ｌの２価のＦｅイオンと０．０
０２〜０．２モル／ｌの２価のＳｎイオンと０．０２〜
０．５モル／１の次亜リン酸塩とを主成分とする浴組成
よりなり、ｐＨ１が２．６〜４．２であり、浴温が３０
°Ｃ〜６０°Ｃである酸性メツキ浴に電流密度５〜２０
Ａ／ｄｍ２の電流を通じることによりメツキを行う。こ
こで重要なのはｐｌｌの調節である。ｐＨが２．６より
小さい場合、Ｓｎが他の元素と比較すると著しく析出し
やす（なり、組成制御が困難となり軟磁性を示す様な上
記の組成に調節することが困難となる。またｐＨが４．
２より高い場合はＰの析出が困難となるため、Ｃｏ、
Ｆｅ、 Ｓｎ、 Ｐを同時に析出させるためにはｐｌｌ
−２，６〜４．２の範囲でなければならない。２価のＳ
ｎイオンは水溶液中で不安定であり、４価のＳｎイオン
になりやすく、さらに加水分解して沈澱を生じてしまう
。このメツキ浴の場合、還元剤である次亜リン酸塩を同
時に加えであるために２価のＳｎイオンは４価になるこ
ともなく安定である。
合は、約０．２〜２モル／ｌの２価のＣｏイオンと約０
．００５〜０．３モル／ｌの２価のＦｅイオンと０．０
０２〜０．２モル／ｌの２価のＳｎイオンと０．０２〜
０．５モル／１の次亜リン酸塩とを主成分とする浴組成
よりなり、ｐＨ１が２．６〜４．２であり、浴温が３０
°Ｃ〜６０°Ｃである酸性メツキ浴に電流密度５〜２０
Ａ／ｄｍ２の電流を通じることによりメツキを行う。こ
こで重要なのはｐｌｌの調節である。ｐＨが２．６より
小さい場合、Ｓｎが他の元素と比較すると著しく析出し
やす（なり、組成制御が困難となり軟磁性を示す様な上
記の組成に調節することが困難となる。またｐＨが４．
２より高い場合はＰの析出が困難となるため、Ｃｏ、
Ｆｅ、 Ｓｎ、 Ｐを同時に析出させるためにはｐｌｌ
−２，６〜４．２の範囲でなければならない。２価のＳ
ｎイオンは水溶液中で不安定であり、４価のＳｎイオン
になりやすく、さらに加水分解して沈澱を生じてしまう
。このメツキ浴の場合、還元剤である次亜リン酸塩を同
時に加えであるために２価のＳｎイオンは４価になるこ
ともなく安定である。
浴温か３０°Ｃより低くなるとメンキ膜のストレスが大
きくなり、６０°Ｃより高くなるとメツキ浴中の成分が
分解して沈澱してしまう。
きくなり、６０°Ｃより高くなるとメツキ浴中の成分が
分解して沈澱してしまう。
電流密度が５Ａ／ｄｍ２より小さくなるとメツキが困難
となり、２０Ａ／ｄｍ２より大きくなるとメツキ膜にく
もりが生じたり、Ｓｎが析出し過ぎたりして好ましくな
い。
となり、２０Ａ／ｄｍ２より大きくなるとメツキ膜にく
もりが生じたり、Ｓｎが析出し過ぎたりして好ましくな
い。
実施例１
スパッタリングにより予め所定膜厚にＣｕ膜を形成した
ガラス基板に下記の組成を有するメツキ浴中で電着を行
った。
ガラス基板に下記の組成を有するメツキ浴中で電着を行
った。
スルファミン酸コバルト ０．５モル／ｌスルファ
ミン酸鉄 ０，０４モル／ｆ！。
ミン酸鉄 ０，０４モル／ｆ！。
硫酸第１錫 ０．０１モル／！次亜リ
ン酸ナトリウム ０．１モル／ｌスルファミン酸
アンモニウム ３０ｇ／ＩＬ−アスコルビン酸
３０ｇ／乏上記メツキ浴のｐｉは３．０であった
。メツキ条件を浴温５０°Ｃ８電流密度１０Ａ／ｄｍ２
としてＣｏ−Ｆｅ−３ｎＰアモルファス軟磁性膜を作成
した。
ン酸ナトリウム ０．１モル／ｌスルファミン酸
アンモニウム ３０ｇ／ＩＬ−アスコルビン酸
３０ｇ／乏上記メツキ浴のｐｉは３．０であった
。メツキ条件を浴温５０°Ｃ８電流密度１０Ａ／ｄｍ２
としてＣｏ−Ｆｅ−３ｎＰアモルファス軟磁性膜を作成
した。
次に、Ｃｏ−Ｆｅ−５ｎアモルファス軟磁性膜の場合は
、約０．２〜２モル／！の２価のＣＯイオンと約０．０
０５〜０．３モル／１の２価のＦｅイオンと０．００２
〜０．２モル／！の２価のＳｎイオンよりなり、ｐｌｌ
が２．６〜５゜０であり、浴温が３０°Ｃ〜６０°Ｃで
ある酸性メツキ浴に電流密度５〜２０Ａ／ｄｍ２の電流
を通じるごとによってメツキを行う。
、約０．２〜２モル／！の２価のＣＯイオンと約０．０
０５〜０．３モル／１の２価のＦｅイオンと０．００２
〜０．２モル／！の２価のＳｎイオンよりなり、ｐｌｌ
が２．６〜５゜０であり、浴温が３０°Ｃ〜６０°Ｃで
ある酸性メツキ浴に電流密度５〜２０Ａ／ｄｍ２の電流
を通じるごとによってメツキを行う。
このメツキ浴の場合、２価のＳｎイオンが不安定である
ため、加水分解を防ぐ目的でクエン酸ナトリウムなどを
添加する必要がある。
ため、加水分解を防ぐ目的でクエン酸ナトリウムなどを
添加する必要がある。
ｒ）１１が２．６より小さくなると、Ｓｎが析出し過ぎ
て組成制御が困難となり、５．０より大きくなるとＦｅ
”が不安定となり好ましくない。
て組成制御が困難となり、５．０より大きくなるとＦｅ
”が不安定となり好ましくない。
浴温か３０“Ｃより低くなるとメツキ膜のス１〜レスが
大きくなり、６０°Ｃより高くなるとメツキ浴中の成分
が分解して沈澱してしまう。
大きくなり、６０°Ｃより高くなるとメツキ浴中の成分
が分解して沈澱してしまう。
電流密度が３Ａ／ｄｍ２より小さくなるとメツキが困難
となり、２５Ａ／ｄｍ”より大きくなるとＳｎが析出し
過ぎたりして好ましくない。
となり、２５Ａ／ｄｍ”より大きくなるとＳｎが析出し
過ぎたりして好ましくない。
実施例２
スパッタリングにより予め所定膜厚にＣｕ膜を形成した
ガラス基板に下記組成を有するメンキ浴中で電着を行っ
た。
ガラス基板に下記組成を有するメンキ浴中で電着を行っ
た。
スルファミン酸コバルト ０．５モル／ｌスルファ
ミン酸鉄 ０．０３モル／２硫酸第１錫
０．０２モル／！クエン酸ナトリウム
５０ｇ／／！スルファミン酸アンモニウム
３０ｇ／４Ｌ−アスコルビン酸 ３０ｇ
／Ｐ。
ミン酸鉄 ０．０３モル／２硫酸第１錫
０．０２モル／！クエン酸ナトリウム
５０ｇ／／！スルファミン酸アンモニウム
３０ｇ／４Ｌ−アスコルビン酸 ３０ｇ
／Ｐ。
上記メツキ浴のｐＨは３．０であった。メツキ条件を浴
温４０°Ｃ１電流密度１０Ａ／ｄｍ２としてＣｏ−Ｆｅ
−５ｎアモルファス軟磁性膜を作成した。
温４０°Ｃ１電流密度１０Ａ／ｄｍ２としてＣｏ−Ｆｅ
−５ｎアモルファス軟磁性膜を作成した。
向上例では本発明のＣｏ−Ｆｅ−３ｎ−Ｐアモルファス
軟磁性膜及びＣｏ−Ｆｅ−５ｎアモルファス軟磁性膜を
薄膜磁気ヘッドの製造に適した電気メツキ法で製造する
場合について説明したが、その他スパッタリング法、蒸
着法などによっても製造可能であることは勿論である。
軟磁性膜及びＣｏ−Ｆｅ−５ｎアモルファス軟磁性膜を
薄膜磁気ヘッドの製造に適した電気メツキ法で製造する
場合について説明したが、その他スパッタリング法、蒸
着法などによっても製造可能であることは勿論である。
又、上述のＣｏ−Ｆｅ−５ｎ−Ｐアモルファス軟磁性膜
及びＣｏ−Ｆｅ−５ｎアモルファス軟磁性膜に、Ｒｕ、
Ｃｒ、 Ｗの中から少なくとも１種を１０原子％以下
含有せしめればかかるアモルファス軟磁性膜の耐摩耗性
を向上させることができる。
及びＣｏ−Ｆｅ−５ｎアモルファス軟磁性膜に、Ｒｕ、
Ｃｒ、 Ｗの中から少なくとも１種を１０原子％以下
含有せしめればかかるアモルファス軟磁性膜の耐摩耗性
を向上させることができる。
本発明によるＣｏ−Ｆｊ−３ｎ−Ｐ四元合金及びＣｏ−
Ｆｅ−５ｎ三元合金からなるアモルファス軟磁性膜は、
従来のＣｏ−Ｆｅ−Ｐ三元合金からなるアモルファス軟
磁性膜よりも高飽和磁束密度を有し、しかも優れた熱安
定性及び耐食性を有する。
Ｆｅ−５ｎ三元合金からなるアモルファス軟磁性膜は、
従来のＣｏ−Ｆｅ−Ｐ三元合金からなるアモルファス軟
磁性膜よりも高飽和磁束密度を有し、しかも優れた熱安
定性及び耐食性を有する。
これらの材料は薄膜磁気ヘッドの製造に適した電気メツ
キ法で製造することがでることは勿論、スパッタリング
法、蒸着法などでも製造可能である。
キ法で製造することがでることは勿論、スパッタリング
法、蒸着法などでも製造可能である。
従って、このようなアモルファス軟磁性膜を用いて薄膜
磁気ヘッドを作成すれば、より高記録密度化が可能で、
しかも信顛性の高い磁気ヘッドを提供することができる
。
磁気ヘッドを作成すれば、より高記録密度化が可能で、
しかも信顛性の高い磁気ヘッドを提供することができる
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｃｏ＿ａＦｅ＿ｂＳｎ＿ｃＰ＿ｄ（ただしａ、ｂ、ｃ、
ｄはそれぞれ組成比を原子％として表している）なる組
成式で示され、その組成範囲が ６４≦ａ＋ｂ≦８６ ０．５≦ｂ≦１２ ０．５≦ｃ≦３６ ０≦ｄ≦２４ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ なる関係を満足することを特徴とするアモルファス軟磁
性膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26185988A JPH02107737A (ja) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | アモルファス軟磁性膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26185988A JPH02107737A (ja) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | アモルファス軟磁性膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02107737A true JPH02107737A (ja) | 1990-04-19 |
Family
ID=17367743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26185988A Pending JPH02107737A (ja) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | アモルファス軟磁性膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02107737A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6855240B2 (en) | 2000-08-09 | 2005-02-15 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | CoFe alloy film and process of making same |
-
1988
- 1988-10-18 JP JP26185988A patent/JPH02107737A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6855240B2 (en) | 2000-08-09 | 2005-02-15 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | CoFe alloy film and process of making same |
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