JPH0141718B2 - - Google Patents
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- JPH0141718B2 JPH0141718B2 JP61256390A JP25639086A JPH0141718B2 JP H0141718 B2 JPH0141718 B2 JP H0141718B2 JP 61256390 A JP61256390 A JP 61256390A JP 25639086 A JP25639086 A JP 25639086A JP H0141718 B2 JPH0141718 B2 JP H0141718B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/858—Producing a magnetic layer by electro-plating or electroless plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/562—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of iron or nickel or cobalt
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は固定磁気デイスク、フロツピーデイス
ク等の高密度磁気記録に適する垂直磁化記録媒体
作製用の電解メツキ浴に関するものである。
ク等の高密度磁気記録に適する垂直磁化記録媒体
作製用の電解メツキ浴に関するものである。
（従来の技術および発明が解決しようとする問題
点） 近年コンピユーターシステムの発展にともない
磁気デイスク装置の進歩も著しく、記録密度のよ
り一層の高度化に対する要求が高まつている。
点） 近年コンピユーターシステムの発展にともない
磁気デイスク装置の進歩も著しく、記録密度のよ
り一層の高度化に対する要求が高まつている。
このような中で垂直磁気記録媒体は、長手記録
媒体の限界を越える媒体として東北大学、岩崎教
授により提案されているように高密度、高速度の
記録に適するため将来が期待されているものであ
る。
媒体の限界を越える媒体として東北大学、岩崎教
授により提案されているように高密度、高速度の
記録に適するため将来が期待されているものであ
る。
垂直記録方式の磁化モードは基板面に垂直にな
つており、記録波長が短かくなつても、すなわち
高密度記録をしても反磁界はゼロに近づき、高密
度化のために必要であつた媒体の薄膜化を必要と
しない。また垂直記録では反磁界が磁化反転部分
でほとんど作用しないので記録媒体部分（磁区）
では鋭い磁化反転を示し、ビツト当りの残留磁気
モーメントが増加する。このため再生時のＳ／Ｎ
比が改善できる等原理的に高密度記録に適してい
る。このような磁化モードをもつ磁性薄膜は膜面
に対し垂直な磁化容易軸をもつことが必要である
が、このための条件はα−Coの軸を膜面に垂直
配向させることであり、その方法としては真空蒸
着、高周波スパツタリング、メツキ法が提案され
ている。これらの方法のうち、前者の２方法は真
空系内で、後者は開放系で行われる。
つており、記録波長が短かくなつても、すなわち
高密度記録をしても反磁界はゼロに近づき、高密
度化のために必要であつた媒体の薄膜化を必要と
しない。また垂直記録では反磁界が磁化反転部分
でほとんど作用しないので記録媒体部分（磁区）
では鋭い磁化反転を示し、ビツト当りの残留磁気
モーメントが増加する。このため再生時のＳ／Ｎ
比が改善できる等原理的に高密度記録に適してい
る。このような磁化モードをもつ磁性薄膜は膜面
に対し垂直な磁化容易軸をもつことが必要である
が、このための条件はα−Coの軸を膜面に垂直
配向させることであり、その方法としては真空蒸
着、高周波スパツタリング、メツキ法が提案され
ている。これらの方法のうち、前者の２方法は真
空系内で、後者は開放系で行われる。
磁気特性改善のために垂直配向した磁化膜に
Mi、Mn、Cr等の不純物を添加して飽和磁化を減
少させた膜は、異方性磁界が膜面に対して垂直に
加わつたとき、反磁界が磁化反転部分でほとんど
作用しないため、媒体内部の飽和磁化の強さが大
きくなり、飽和磁化の強さが反磁界より大である
という垂直磁気記録媒体としての必要条件を満た
している。
Mi、Mn、Cr等の不純物を添加して飽和磁化を減
少させた膜は、異方性磁界が膜面に対して垂直に
加わつたとき、反磁界が磁化反転部分でほとんど
作用しないため、媒体内部の飽和磁化の強さが大
きくなり、飽和磁化の強さが反磁界より大である
という垂直磁気記録媒体としての必要条件を満た
している。
しかし、真空系内で行われる真空蒸着、高周波
スパツタリング法は不純物としてCrを用いると
き理想的な記録媒体になるとされているが、処理
が複雑で時間がかかるためコスト高となる点が問
題である。これに対し解放系ではまた有効な添加
元素は見出されていない。
スパツタリング法は不純物としてCrを用いると
き理想的な記録媒体になるとされているが、処理
が複雑で時間がかかるためコスト高となる点が問
題である。これに対し解放系ではまた有効な添加
元素は見出されていない。
（問題点解決のための手段）
本発明者らはかかる問題点を解消すべく、検討
の結果、さきに解放系で迅速に磁性膜が作成でき
る電解メツキ浴を提案した（特開昭61−179891）。
これはCo、Mn、Niイオンを主成分とし、還元
剤、PH緩衝剤、PH調整剤を含む組成であつて、こ
の浴中で非磁性基板をメツキすることにより、一
定組成で高密度媒体として優れた性能をもつ磁性
薄膜が得られたが、さらに垂直配向および飽和磁
化の減少を目ざし、鋭意検討した結果、前記提案
よりも理想に近い特性をもつ磁性薄膜を低コスト
で得られる電解メツキ浴を見出し、本発明に至つ
た。
の結果、さきに解放系で迅速に磁性膜が作成でき
る電解メツキ浴を提案した（特開昭61−179891）。
これはCo、Mn、Niイオンを主成分とし、還元
剤、PH緩衝剤、PH調整剤を含む組成であつて、こ
の浴中で非磁性基板をメツキすることにより、一
定組成で高密度媒体として優れた性能をもつ磁性
薄膜が得られたが、さらに垂直配向および飽和磁
化の減少を目ざし、鋭意検討した結果、前記提案
よりも理想に近い特性をもつ磁性薄膜を低コスト
で得られる電解メツキ浴を見出し、本発明に至つ
た。
すなわち本発明は、垂直磁化記録媒体の作製に
好適な電解メツキ浴を提案するもので、その要旨
とするところはCo、Mn、NiおよびReの各イオ
ンを主成分とし、還元剤、PH緩衝剤およびPH調整
剤を含むことを特徴とする電解メツキ浴にある。
好適な電解メツキ浴を提案するもので、その要旨
とするところはCo、Mn、NiおよびReの各イオ
ンを主成分とし、還元剤、PH緩衝剤およびPH調整
剤を含むことを特徴とする電解メツキ浴にある。
本発明の電解メツキ浴は特開昭61−179891の改
良に係るもので、特にRe塩を浴の主成分として
添加することにより、このメツキ浴中で形成され
る基板上の薄膜には、従来得られなかつた磁気特
性が見られる。
良に係るもので、特にRe塩を浴の主成分として
添加することにより、このメツキ浴中で形成され
る基板上の薄膜には、従来得られなかつた磁気特
性が見られる。
Re塩としては過レニウム酸塩（テトラオキソ
レニウム酸塩）が好ましく、添加量としては
0.002〜0.015モル／が好ましい。この範囲を越
えると飽和磁化が小さくなりすぎ、これ以下では
効果を生じない。またCo／Mnの濃度比は4.0〜
10.5の範囲が好ましい。この範囲外ではCoの結晶
軸の配向度が大となり不都合である。
レニウム酸塩）が好ましく、添加量としては
0.002〜0.015モル／が好ましい。この範囲を越
えると飽和磁化が小さくなりすぎ、これ以下では
効果を生じない。またCo／Mnの濃度比は4.0〜
10.5の範囲が好ましい。この範囲外ではCoの結晶
軸の配向度が大となり不都合である。
なお、Co／Mnの濃度値を4.0〜10.5の範囲およ
び過レニウム酸アンモニウムを0.002〜0.015モ
ル／の範囲に変化させた場合には、濃度に応じ
還元剤濃度を調節する必要がある。
び過レニウム酸アンモニウムを0.002〜0.015モ
ル／の範囲に変化させた場合には、濃度に応じ
還元剤濃度を調節する必要がある。
還元剤としては次亜燐酸ナトリウムが用いら
れ、公知のPH緩衝剤、調節剤が適宜用いられる。
れ、公知のPH緩衝剤、調節剤が適宜用いられる。
以下本発明による電解メツキ浴を、実施例をあ
げて詳しく説明する。
げて詳しく説明する。
実施例
非磁性基板上に非磁性Ni−Ｐ層をメツキし、
その上に下記(イ)なる組成のメツキ浴を使い、下記
(ロ)なる条件にてメツキし、Co−Ni−Mn−Re−
Ｐ合金磁性薄膜を形成した。
その上に下記(イ)なる組成のメツキ浴を使い、下記
(ロ)なる条件にてメツキし、Co−Ni−Mn−Re−
Ｐ合金磁性薄膜を形成した。
(イ) メツキ浴主成分組成
塩化コバルト（CoCl2・6H2O） 0.42モル／
硫酸マンガン（MnSO4・４〜6H2O）
0.03 〃 塩化ニツケル（NiCl2・6H2O） 0.04 〃 次亜燐酸ナトリウム（NaH2PO2・H2O）
0.14 〃 塩化アンモニウム（NH4Cl） 1.87 〃 過レニウム酸アンモニウム（NH4ReO4）
0.007 〃 (ロ) メツキ条件 メツキ浴のPH 3.7（25℃） メツキ浴の温度 50℃ 電流密度 4A／ｄm2 メツキ時間を30秒から約５分まで変化させてメ
ツキ膜を成長させ、メツキ皮膜を調べたところ、
抗磁力はHc磁化容易軸で1050Oe、磁化困難軸で
450Oeであり、α−CoのＣ軸の配向度は△θ50＝
12゜から△θ50＝7.1゜と向上した。また飽和磁化は
過レニウム酸アンモニウムを0.002〜0.015モル／
変化させて見ると、飽和磁化50emn／ｇ〜
15emu／ｇまで減少した。
0.03 〃 塩化ニツケル（NiCl2・6H2O） 0.04 〃 次亜燐酸ナトリウム（NaH2PO2・H2O）
0.14 〃 塩化アンモニウム（NH4Cl） 1.87 〃 過レニウム酸アンモニウム（NH4ReO4）
0.007 〃 (ロ) メツキ条件 メツキ浴のPH 3.7（25℃） メツキ浴の温度 50℃ 電流密度 4A／ｄm2 メツキ時間を30秒から約５分まで変化させてメ
ツキ膜を成長させ、メツキ皮膜を調べたところ、
抗磁力はHc磁化容易軸で1050Oe、磁化困難軸で
450Oeであり、α−CoのＣ軸の配向度は△θ50＝
12゜から△θ50＝7.1゜と向上した。また飽和磁化は
過レニウム酸アンモニウムを0.002〜0.015モル／
変化させて見ると、飽和磁化50emn／ｇ〜
15emu／ｇまで減少した。
比較例
実施例同様に非磁性基板上に非磁性Ni−Ｐ層
をメツキし、その上に下記(イ)なる組成のメツキ浴
を使い、下記(ロ)なる条件にてメツキし、Reの入
らないCo−Ni−Mn−Ｐ合金磁性薄膜を形成し
た。
をメツキし、その上に下記(イ)なる組成のメツキ浴
を使い、下記(ロ)なる条件にてメツキし、Reの入
らないCo−Ni−Mn−Ｐ合金磁性薄膜を形成し
た。
(イ) メツキ浴主成分組成
塩化コバルト（CoCl2・6H2O） 0.42モル／
硫酸マンガン（MnSO4・４〜6H2O）
0.06 〃 塩化ニツケル（NiCl2・6H2O） 0.04 〃 次亜燐酸ナトリウム（NaH2PO2・H2O）
0.09 〃 塩化アンモニウム（NH4Cl） 1.87 〃 (ロ) メツキ条件 メツキ浴のPH 3.7（25℃） メツキ浴の温度 50℃ 電流密度 4A／ｄm2 メツキ時間を30秒から約５分まで変化させてメ
ツキ膜を成長させ、メツキ皮膜を調べたところ、
抗磁力Heは磁化容易軸で1100Oe、磁化困難軸で
400Oeであり、α−CoのＣ軸の配向度は△θ50＝
12゜でありまた飽和磁化は87emu／ｇであつた。
0.06 〃 塩化ニツケル（NiCl2・6H2O） 0.04 〃 次亜燐酸ナトリウム（NaH2PO2・H2O）
0.09 〃 塩化アンモニウム（NH4Cl） 1.87 〃 (ロ) メツキ条件 メツキ浴のPH 3.7（25℃） メツキ浴の温度 50℃ 電流密度 4A／ｄm2 メツキ時間を30秒から約５分まで変化させてメ
ツキ膜を成長させ、メツキ皮膜を調べたところ、
抗磁力Heは磁化容易軸で1100Oe、磁化困難軸で
400Oeであり、α−CoのＣ軸の配向度は△θ50＝
12゜でありまた飽和磁化は87emu／ｇであつた。
発明の効果
本発明による電解メツキ浴を使用すれば真空系
で行う処理に比べて、操作が簡単で、経済的に高
密度の記録体が得られるので産業上の価値が大で
ある。
で行う処理に比べて、操作が簡単で、経済的に高
密度の記録体が得られるので産業上の価値が大で
ある。
Claims (1)
- １ Co、Mn、NiおよびReの各イオンを主成分
とし還元剤、PH緩衝剤、PH調整剤を含むことを特
徴とする電解メツキ浴。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61256390A JPS63111195A (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 電解メツキ浴 |
| US07/113,111 US4778573A (en) | 1986-10-28 | 1987-10-27 | Electrolyte solution for electrolytic metal plating |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61256390A JPS63111195A (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 電解メツキ浴 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63111195A JPS63111195A (ja) | 1988-05-16 |
| JPH0141718B2 true JPH0141718B2 (ja) | 1989-09-07 |
Family
ID=17292009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61256390A Granted JPS63111195A (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 電解メツキ浴 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4778573A (ja) |
| JP (1) | JPS63111195A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6979392B2 (en) * | 2002-01-18 | 2005-12-27 | Japan Science And Technology Agency | Method for forming Re—Cr alloy film or Re-based film through electroplating process |
| EP1467002A4 (en) * | 2002-01-18 | 2007-02-28 | Japan Science & Tech Agency | METHOD FOR PRODUCING A COATING FILM FROM RE-ALLOYING AT HIGH RE-GALVITY BY GALVANIZING |
| JP2003213482A (ja) * | 2002-01-18 | 2003-07-30 | Japan Science & Technology Corp | Ｃｒ（ＶＩ）含有浴を用いた電解めっきによるＲｅ−Ｃｒ合金皮膜の形成方法 |
| RU2234560C1 (ru) * | 2002-12-09 | 2004-08-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Тюменский государственный нефтегазовый университет | Электролит для осаждения сплава медь-рений |
| SG118264A1 (en) * | 2004-06-29 | 2006-01-27 | Sony Corp | A magnetic material and a MEMS device using the magnetic material |
| CN111286768B (zh) * | 2020-03-05 | 2022-04-12 | 广东奔朗超硬精密工具有限公司 | 一种镍钴锰镧合金镀液及其制备方法和应用 |
| JP7835437B2 (ja) * | 2022-06-30 | 2026-03-25 | 株式会社ディ・ビー・シー・システム研究所 | 耐熱金属部材およびその製造方法ならびに高温装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4338215A (en) * | 1979-09-24 | 1982-07-06 | Kennecott Corporation | Conversion of radioactive wastes to stable form for disposal |
-
1986
- 1986-10-28 JP JP61256390A patent/JPS63111195A/ja active Granted
-
1987
- 1987-10-27 US US07/113,111 patent/US4778573A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4778573A (en) | 1988-10-18 |
| JPS63111195A (ja) | 1988-05-16 |
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