JPH02108003A - １次回折格子の形成方法 - Google Patents
１次回折格子の形成方法Info
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- JPH02108003A JPH02108003A JP63261872A JP26187288A JPH02108003A JP H02108003 A JPH02108003 A JP H02108003A JP 63261872 A JP63261872 A JP 63261872A JP 26187288 A JP26187288 A JP 26187288A JP H02108003 A JPH02108003 A JP H02108003A
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- resist
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/18—Diffraction gratings
- G02B5/1847—Manufacturing methods
- G02B5/1857—Manufacturing methods using exposure or etching means, e.g. holography, photolithography, exposure to electron or ion beams
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
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- Organic Chemistry (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、良質な１次回折格子を形成することが可能
な形成方法に関するものである。
な形成方法に関するものである。
第３図（ａ）〜（ｇ）は、例えば昭和６２年秋季応用物
理学会学術講演会の光エレクトロニクスのセツション（
予稿集第３分冊１８Ｐ−ＺＲ−１４）で発表された従来
の１次回折格子の形成方法を示す断面図であり、第４図
（ａ）、（ｂ）はその形成方法における２回目のレジス
トのパターンニングの状態を示す上面図および側面図で
ある。
理学会学術講演会の光エレクトロニクスのセツション（
予稿集第３分冊１８Ｐ−ＺＲ−１４）で発表された従来
の１次回折格子の形成方法を示す断面図であり、第４図
（ａ）、（ｂ）はその形成方法における２回目のレジス
トのパターンニングの状態を示す上面図および側面図で
ある。
これらの図において、１は基板、２ａはレジスト、２ｂ
は２回目のレジスト、３ａは２次回折格子の周期、３ｂ
は１次回折格子の周期、４は１回目のエツチング斜面、
５は２回目のレジストマスクパターン端である。
は２回目のレジスト、３ａは２次回折格子の周期、３ｂ
は１次回折格子の周期、４は１回目のエツチング斜面、
５は２回目のレジストマスクパターン端である。
次に形成方法について説明する。
まず、基板１上に、２次回折格子のマスクパターンをレ
ジスト２ａによって形成する（第３図（ａ））。
ジスト２ａによって形成する（第３図（ａ））。
次に、基板１をエツチングして２次回折格子を形成する
（第３図（ｂ））。次にレジスト２ａを除去しく第３図
（Ｃ））、２次回折格子を全て覆うように再び２回目の
レジスト２ｂを薄く塗布する（第３図（ｄ））。次にベ
ーキングして露光をしないで、現像を行い、２次回折格
子の山の部分を出す（第３図（ｅ））。次に、再び基板
１をエツチングすると表面が露出している山の部分から
エツチング斜面が進み、１次回折格子が形成される（第
３図（ｆ））。そして最後に２回目のレジスト２ｂを除
去する（第３図（ｇ））。
（第３図（ｂ））。次にレジスト２ａを除去しく第３図
（Ｃ））、２次回折格子を全て覆うように再び２回目の
レジスト２ｂを薄く塗布する（第３図（ｄ））。次にベ
ーキングして露光をしないで、現像を行い、２次回折格
子の山の部分を出す（第３図（ｅ））。次に、再び基板
１をエツチングすると表面が露出している山の部分から
エツチング斜面が進み、１次回折格子が形成される（第
３図（ｆ））。そして最後に２回目のレジスト２ｂを除
去する（第３図（ｇ））。
なお、２次回折格子の周期３ａは１次回折格子の周期３
ｂの２倍である。
ｂの２倍である。
上記のような従来の１次回折格子の形成方法では、第３
図（ｂ）において形成される１回目のエツチング斜面４
が、レジスト２ａの基板１への密着性のむらを反映して
凹凸になり易く、その上、再塗布される２回目のレジス
ト２ｂの厚みも、それを反映して、むらを生ずる。この
ため、山の部分を出した時に、第４図（ａ）に示すよう
に、２回目のレジストマスクパターン端５にうねりを生
じ、その２回目のレジストマスクパターン端５を利用し
て形成する１次回折格子も不規則となってしまう等の問
題点があった。
図（ｂ）において形成される１回目のエツチング斜面４
が、レジスト２ａの基板１への密着性のむらを反映して
凹凸になり易く、その上、再塗布される２回目のレジス
ト２ｂの厚みも、それを反映して、むらを生ずる。この
ため、山の部分を出した時に、第４図（ａ）に示すよう
に、２回目のレジストマスクパターン端５にうねりを生
じ、その２回目のレジストマスクパターン端５を利用し
て形成する１次回折格子も不規則となってしまう等の問
題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、良質な１次回折格子を容易に得ることが可
能な１次回折格子の形成方法を提供することを目的とす
る。
れたもので、良質な１次回折格子を容易に得ることが可
能な１次回折格子の形成方法を提供することを目的とす
る。
この発明に係る１次回折格子の形成方法は、２次回折格
子のパターンをレジストにより形成し、このレジストを
用いてエツチングにより２次回折格子を形成した後、マ
スクレジストを除去する前に第２のマスク材を堆積させ
、続いてレジストを除去することにより第２のマスク材
のパターンニングを行い、さらにこの第２のマスク材を
用いて、露出面をエツチングすることにより１次回折格
子を形成する方法である。
子のパターンをレジストにより形成し、このレジストを
用いてエツチングにより２次回折格子を形成した後、マ
スクレジストを除去する前に第２のマスク材を堆積させ
、続いてレジストを除去することにより第２のマスク材
のパターンニングを行い、さらにこの第２のマスク材を
用いて、露出面をエツチングすることにより１次回折格
子を形成する方法である。
この発明においては、第２のマスク材のパターンニング
は２次回折格子を形成した時のレジストを利用して形成
し、この第２のマスク材を用いて２次回折格子が形成さ
れる。
は２次回折格子を形成した時のレジストを利用して形成
し、この第２のマスク材を用いて２次回折格子が形成さ
れる。
第１図（ａ）〜（ｆ）は、この発明の１次回折格子の形
成方法の一実施例を示す断面図であり、第２図（ａ）、
（ｂ）はその形成方法における第２のマスク材のパター
ンニング状態を示す上面図および側面図である。これら
の図において、第３図（ａ）〜（ｇ）と同一符号は同一
のものを示し、２はレジスト、６は第２のマスク材、７
は前記第２のマスク材６のマスクパターン端を示す。
成方法の一実施例を示す断面図であり、第２図（ａ）、
（ｂ）はその形成方法における第２のマスク材のパター
ンニング状態を示す上面図および側面図である。これら
の図において、第３図（ａ）〜（ｇ）と同一符号は同一
のものを示し、２はレジスト、６は第２のマスク材、７
は前記第２のマスク材６のマスクパターン端を示す。
次に、この発明による形成方法について説明する。第１
図における２次回折格子の形成（第１図（ａ）、（ｂ）
）までは、従来例（第３図（ａ）、（ｂ））のものと同
様である。この発明では次に、レジスト２を除去するこ
となく、例えばＳｉＮｘ等の第２のマスク材６を表面に
堆積させる（第１図（Ｃ））。その後はじめてレジスト
２を除去（リフトオフ）する（第１図（ｄ））。次に、
パターンニングされた第２のマスク材６をマスクとして
、露出した山の部分より表面をエツチングして１次回折
格子を形成する（第１図（ｅ））。最後に第２のマスク
材６を除去する（第１図（ｆ））。
図における２次回折格子の形成（第１図（ａ）、（ｂ）
）までは、従来例（第３図（ａ）、（ｂ））のものと同
様である。この発明では次に、レジスト２を除去するこ
となく、例えばＳｉＮｘ等の第２のマスク材６を表面に
堆積させる（第１図（Ｃ））。その後はじめてレジスト
２を除去（リフトオフ）する（第１図（ｄ））。次に、
パターンニングされた第２のマスク材６をマスクとして
、露出した山の部分より表面をエツチングして１次回折
格子を形成する（第１図（ｅ））。最後に第２のマスク
材６を除去する（第１図（ｆ））。
この発明では、以上のようにして１次回折格子を形成す
るが、第１図（ｃ）のように２次回折格子のレジスト２
によるマスクを利用して、マスクの隙間より表面に第２
のマスク材６を堆積させた後、レジスト２ごと不要堆積
部分を除くので、凹凸のある１回目のエツチング斜面４
上へのパタニングであるにもかかわらず、従来例と違っ
て、第２図（ａ）のようにうねりのない直線性のよい第
２のマスク材６のマスクパターン端７が得られる。その
結果、その第２のマスク材６をマスクとしてエツチング
して形成した１次回折格子の周期３ｂは、面内のどこで
もほぼ一定とすることができる。
るが、第１図（ｃ）のように２次回折格子のレジスト２
によるマスクを利用して、マスクの隙間より表面に第２
のマスク材６を堆積させた後、レジスト２ごと不要堆積
部分を除くので、凹凸のある１回目のエツチング斜面４
上へのパタニングであるにもかかわらず、従来例と違っ
て、第２図（ａ）のようにうねりのない直線性のよい第
２のマスク材６のマスクパターン端７が得られる。その
結果、その第２のマスク材６をマスクとしてエツチング
して形成した１次回折格子の周期３ｂは、面内のどこで
もほぼ一定とすることができる。
なお、上記実施例では１次回折格子を形成する対象物と
して、単に基板という名称を用いているが、この基板に
は、１次回折格子を必要とする全ての物を含んでいるこ
とは言うまでもない。
して、単に基板という名称を用いているが、この基板に
は、１次回折格子を必要とする全ての物を含んでいるこ
とは言うまでもない。
以上のようにこの発明によれば、２次回折格子を形成し
た時、マスクとして用いたレジストを利用して第２のマ
スク材のパターンを形成しているので、良質な１次回折
格子を形成することができる。
た時、マスクとして用いたレジストを利用して第２のマ
スク材のパターンを形成しているので、良質な１次回折
格子を形成することができる。
第１図は、この発明の一実施例による１次回折格子の形
成方法を示す図、第２図は、第１図における第２のマス
ク材のバターニング状態を示す図、第３図は従来の１次
回折格子の形成方法を示す図、第４図は、第３図におけ
る２回目のパタニングの状態を示す図である。 図において、１は基板、２はレジスト、３ａは２次回折
格子の周期、３ｂは１次回折格子の周期、４は１回目の
エツチング斜面、６は第２のマスク材、７は第２のマス
ク材のマスクパターン端である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
成方法を示す図、第２図は、第１図における第２のマス
ク材のバターニング状態を示す図、第３図は従来の１次
回折格子の形成方法を示す図、第４図は、第３図におけ
る２回目のパタニングの状態を示す図である。 図において、１は基板、２はレジスト、３ａは２次回折
格子の周期、３ｂは１次回折格子の周期、４は１回目の
エツチング斜面、６は第２のマスク材、７は第２のマス
ク材のマスクパターン端である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 基板上に２次回折格子のパターンをレジストにより形成
し、このレジストをマスクとして前記基板のエッチング
を行なって２次回折格子を形成した後、前記レジストを
残したまま前記基板上に第２のマスク材を蒸着またはＣ
ＶＤにより堆積させ、続いて、前記レジストを除去して
前記第２のマスク材のパターンニングを行い、さらに前
記第２のマスク材をマスクにして前記基板の露出面を再
びエッチングすることにより１次回折格子を得ることを
特徴とする１次回折格子の形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63261872A JPH02108003A (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | １次回折格子の形成方法 |
| US07/421,773 US4988404A (en) | 1988-10-17 | 1989-10-16 | Method of producing a primary diffraction grating |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63261872A JPH02108003A (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | １次回折格子の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02108003A true JPH02108003A (ja) | 1990-04-19 |
Family
ID=17367933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63261872A Pending JPH02108003A (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | １次回折格子の形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4988404A (ja) |
| JP (1) | JPH02108003A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008281765A (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | 凹凸構造物品の製造方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2809809B2 (ja) * | 1990-04-19 | 1998-10-15 | 株式会社東芝 | 位相シフト型回折格子の製造方法 |
| JP2932650B2 (ja) * | 1990-09-17 | 1999-08-09 | 松下電器産業株式会社 | 微細構造物の製造方法 |
| EP0513755A3 (en) * | 1991-05-14 | 1994-05-18 | Canon Kk | A method for producing a diffraction grating |
| US5225035A (en) * | 1992-06-15 | 1993-07-06 | Micron Technology, Inc. | Method of fabricating a phase-shifting photolithographic mask reticle having identical light transmittance in all transparent regions |
| EP0620201A3 (en) * | 1993-04-12 | 1995-01-25 | Hughes Aircraft Co | Process for the preparation of microoptical elements. |
-
1988
- 1988-10-17 JP JP63261872A patent/JPH02108003A/ja active Pending
-
1989
- 1989-10-16 US US07/421,773 patent/US4988404A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008281765A (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | 凹凸構造物品の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4988404A (en) | 1991-01-29 |
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