JPS61219132A - リツジ形成法 - Google Patents
リツジ形成法Info
- Publication number
- JPS61219132A JPS61219132A JP6247685A JP6247685A JPS61219132A JP S61219132 A JPS61219132 A JP S61219132A JP 6247685 A JP6247685 A JP 6247685A JP 6247685 A JP6247685 A JP 6247685A JP S61219132 A JPS61219132 A JP S61219132A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ridge
- substrate
- mesa
- photoresist
- stripe width
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2238—Buried stripe structure with a terraced structure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、気相成長法を用いてストライプ幅の狭いメサ
形リッジを形成する方法に関するものである。
形リッジを形成する方法に関するものである。
第３図は従来のリッジ形成の手順を説明するための断面
図であり、リッジ形成は写真製版と化学エツチングの技
術により行われる。第３図において、１は基板、２は基
板１上に塗布されたフォトレジスト、３は化学エツチン
グによりストライブ状のメサ形リッジが形成された基板
である。
図であり、リッジ形成は写真製版と化学エツチングの技
術により行われる。第３図において、１は基板、２は基
板１上に塗布されたフォトレジスト、３は化学エツチン
グによりストライブ状のメサ形リッジが形成された基板
である。
次にこのようなリッジ形成の手順について説明する。ま
ず第３図（ａｌに示すように、基板ｌ上にフォトレジス
ト２を塗布する。次に第３図（ｂ）に示すように、写真
製版を行い、ストライプ状にフォトレジスト２を現像す
る。次に第３図（Ｃ）に示すように、化学エツチングに
より、フォトレジスト２の付着してない部分をエツチン
グし、ストライプ状にメサ形のリッジを形成する。最後
にレジスト剥離液によりフォトレジスト２を除去するこ
とにより、ストライプ状にメサ形すフジが形成された基
板３が製作される。
ず第３図（ａｌに示すように、基板ｌ上にフォトレジス
ト２を塗布する。次に第３図（ｂ）に示すように、写真
製版を行い、ストライプ状にフォトレジスト２を現像す
る。次に第３図（Ｃ）に示すように、化学エツチングに
より、フォトレジスト２の付着してない部分をエツチン
グし、ストライプ状にメサ形のリッジを形成する。最後
にレジスト剥離液によりフォトレジスト２を除去するこ
とにより、ストライプ状にメサ形すフジが形成された基
板３が製作される。
従来のリッジ形成法は以上のように構成されているので
、ストライプ幅は写真製版時のマス多パターンにより決
定されてしまい、ストライプ幅を変更する場合には別の
マスクパターンが必要となり、また、従来の写真製版技
術では約１μｍ程度のストライプ幅のパターンしか形成
することができないという問題点があった。
、ストライプ幅は写真製版時のマス多パターンにより決
定されてしまい、ストライプ幅を変更する場合には別の
マスクパターンが必要となり、また、従来の写真製版技
術では約１μｍ程度のストライプ幅のパターンしか形成
することができないという問題点があった。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、ストライプ幅の狭いリッジを形
成できるとともに、ストライプ幅を再現性よく制御する
ことのできるリッジ形成法を提供することにある。
の目的とするところは、ストライプ幅の狭いリッジを形
成できるとともに、ストライプ幅を再現性よく制御する
ことのできるリッジ形成法を提供することにある。
本発明は、先端に丸みをつけた凸形メサストライプを基
板上に形成し、この基板上に気相成長法により結晶成長
するようにしたものである。
板上に形成し、この基板上に気相成長法により結晶成長
するようにしたものである。
本発明においては、成長層の膜厚を制御することにより
ストライプ幅を再現性よく制御することができる。
ストライプ幅を再現性よく制御することができる。
本発明に係わるリッジ形成法の一実施例を説明するため
の断面図を第１図に示す。第１図において、４は化学エ
ツチングにより先端に丸みをつけた凸形メサストライプ
としてのメサ形リッジが形成された基板、５は基板４上
に気相成長法により成長した成長層である。第１図にお
いて第３図と同一部分又は相当部分には同一符号が付し
である。
の断面図を第１図に示す。第１図において、４は化学エ
ツチングにより先端に丸みをつけた凸形メサストライプ
としてのメサ形リッジが形成された基板、５は基板４上
に気相成長法により成長した成長層である。第１図にお
いて第３図と同一部分又は相当部分には同一符号が付し
である。
次に本実施例における手順について説明する。
まず第１図（ａ）に示すように基板１上にフォトレジス
ト２を塗布し、第１図（ｂ）に示すように写真製版を行
ってストライブ状にフォトレジスト２を現像する。次に
第１図（Ｃ）に示すように化学エツチングによりフォト
レジスト２がなくなるまでエツチングし、先端が丸みを
おびたストライプ状のメサ形のリッジを形成する。次に
第１図（ｄ）に示すように基板４上に気相成長法により
成長層５を結晶成長させる。このとき気相成長特有の成
長メカニズムにより、成長層５は基板４の凹凸の形状を
維持するように成長し、さらに基板４の丸みをおびたリ
ッジ先端上の成長層表面は基板４と同じ面方位でかつ平
坦な面に形成される。このようにしてストライプ状のメ
サ形り７ジが形成される。したがって、この成長層５の
膜厚を制御することによりストライプ幅を再現性よ（制
御することができる。
ト２を塗布し、第１図（ｂ）に示すように写真製版を行
ってストライブ状にフォトレジスト２を現像する。次に
第１図（Ｃ）に示すように化学エツチングによりフォト
レジスト２がなくなるまでエツチングし、先端が丸みを
おびたストライプ状のメサ形のリッジを形成する。次に
第１図（ｄ）に示すように基板４上に気相成長法により
成長層５を結晶成長させる。このとき気相成長特有の成
長メカニズムにより、成長層５は基板４の凹凸の形状を
維持するように成長し、さらに基板４の丸みをおびたリ
ッジ先端上の成長層表面は基板４と同じ面方位でかつ平
坦な面に形成される。このようにしてストライプ状のメ
サ形り７ジが形成される。したがって、この成長層５の
膜厚を制御することによりストライプ幅を再現性よ（制
御することができる。
すなわち、成長層５の層厚を厚くすることによりストラ
イプ幅の広いメサ形リッジ、成長層５の層厚を薄くする
ことによりストライプ幅の狭いメサ形リッジを形成する
ことができる。
イプ幅の広いメサ形リッジ、成長層５の層厚を薄くする
ことによりストライプ幅の狭いメサ形リッジを形成する
ことができる。
本実施例の適用例として第２図にリッジガイド形の半導
体レーザを示す。第２図において、６は下クラッド層、
７は活性層、８は上クラッド層、９はコンタクト層、１
０は絶縁膜、１１．１２はｐ側またはｎ側電極である。
体レーザを示す。第２図において、６は下クラッド層、
７は活性層、８は上クラッド層、９はコンタクト層、１
０は絶縁膜、１１．１２はｐ側またはｎ側電極である。
第２図において第１図と同一部分又は相当部分には同一
符号が付しである。
符号が付しである。
以上説明したように本発明は、先端に丸みをつけた凸形
メサストライプを基板上に形成し、この基板上に気相成
長法により結晶成長することにより、成長層の膜厚を制
御することができ、また従来の写真製版技術では得られ
ない１μｍ以下の狭いストライプ幅をもつメサ形リッジ
を得ることができる効果がある。
メサストライプを基板上に形成し、この基板上に気相成
長法により結晶成長することにより、成長層の膜厚を制
御することができ、また従来の写真製版技術では得られ
ない１μｍ以下の狭いストライプ幅をもつメサ形リッジ
を得ることができる効果がある。
第１図は本発明に係わるリッジ形成法の一実施例を説明
するための断面図、第２図は本実施例の適用例として示
した半導体レーザの断面図、第３図は従来のリッジ形成
法を説明するための断面図である。 １．４・・・・基板、２・・・・フォトレジスト、５・
・・・成長層。
するための断面図、第２図は本実施例の適用例として示
した半導体レーザの断面図、第３図は従来のリッジ形成
法を説明するための断面図である。 １．４・・・・基板、２・・・・フォトレジスト、５・
・・・成長層。
Claims (1)
- 先端が平坦で幅の狭いメサ形リッジの形成法において、
先端に丸みをつけた凸形メサストライプを基板上に形成
し、この基板上に気相成長法により結晶成長することを
特徴とするリッジ形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6247685A JPS61219132A (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | リツジ形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6247685A JPS61219132A (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | リツジ形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61219132A true JPS61219132A (ja) | 1986-09-29 |
Family
ID=13201277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6247685A Pending JPS61219132A (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | リツジ形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61219132A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106711764A (zh) * | 2015-11-16 | 2017-05-24 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法 |
-
1985
- 1985-03-25 JP JP6247685A patent/JPS61219132A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106711764A (zh) * | 2015-11-16 | 2017-05-24 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法 |
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