JPH02108249A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JPH02108249A JPH02108249A JP63259465A JP25946588A JPH02108249A JP H02108249 A JPH02108249 A JP H02108249A JP 63259465 A JP63259465 A JP 63259465A JP 25946588 A JP25946588 A JP 25946588A JP H02108249 A JPH02108249 A JP H02108249A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- recording medium
- optical recording
- light
- reflected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光記録媒体に光学的に情報の記録再生消去を行
う装置に係わり、特に光学系の光効率向上に好適な光記
録媒体に関する。
う装置に係わり、特に光学系の光効率向上に好適な光記
録媒体に関する。
光記録媒体に光学的に情報を記録再生消去する光記録方
式では、光記録媒体をディスク、カード。
式では、光記録媒体をディスク、カード。
テープ、ドラム状の基材に設けて回転もしくは走行させ
て記録再生消去を行う。しかし１例えばディスク状の基
材には歪みや偏芯があるため、回転によって光記録媒体
がディスク面に垂直な方向（フォーカス方向と呼ぶ）と
ディスクの動径方向（トラック方向と呼ぶ）に動く。そ
の結果、光スポットの焦点はフォーカス方向及びトラッ
ク方向にはずれてしまう。これはカード、テープ状の基
材においても同様である。そこで、フォーカス方向及び
トラック方向への光記録媒体の変位を検出し、アクチュ
エータによって集光レンズやミラーを駆動することによ
って焦点制御するのが通常である。上記制御用信号の検
出には、信号再生と同じく光記録媒体からの反射光を利
用する。
て記録再生消去を行う。しかし１例えばディスク状の基
材には歪みや偏芯があるため、回転によって光記録媒体
がディスク面に垂直な方向（フォーカス方向と呼ぶ）と
ディスクの動径方向（トラック方向と呼ぶ）に動く。そ
の結果、光スポットの焦点はフォーカス方向及びトラッ
ク方向にはずれてしまう。これはカード、テープ状の基
材においても同様である。そこで、フォーカス方向及び
トラック方向への光記録媒体の変位を検出し、アクチュ
エータによって集光レンズやミラーを駆動することによ
って焦点制御するのが通常である。上記制御用信号の検
出には、信号再生と同じく光記録媒体からの反射光を利
用する。
色収差レンズによって半導体レーザの出射光を光記録媒
体上に集光し、その反射光の一部を半導体レーザに戻す
と、光スポットの焦点は光記録媒体の変動に対して自動
的に追従する。
体上に集光し、その反射光の一部を半導体レーザに戻す
と、光スポットの焦点は光記録媒体の変動に対して自動
的に追従する。
この種の現象を利用した自動焦点方式としては、例えば
特開昭６１−５０２２６が挙げられる。これを第３図を
用いて説明する。
特開昭６１−５０２２６が挙げられる。これを第３図を
用いて説明する。
半導体レーザ１の出射光ばコリメートレンズ２で平行光
にされ、偏光ビームスプリッタ３と４分の１波長板４を
通り１色収差を有する集光レンズ５により光記録媒体上
に絞り込まれる。偏光ビームスプリンタ３と４分の１波
長板４を組合せると、光記録媒体から半導体レーザ１へ
戻る反射光量を調整することができる。光記録媒体は、
基板６に記録膜８．保護ＩＩＩ ９を順に積層した構造
をとる。
にされ、偏光ビームスプリッタ３と４分の１波長板４を
通り１色収差を有する集光レンズ５により光記録媒体上
に絞り込まれる。偏光ビームスプリンタ３と４分の１波
長板４を組合せると、光記録媒体から半導体レーザ１へ
戻る反射光量を調整することができる。光記録媒体は、
基板６に記録膜８．保護ＩＩＩ ９を順に積層した構造
をとる。
光記録媒体からの反射光は再度、集光レンズ５゜四分の
１波長板４．偏光ビームスプリッタ３を通って、光導体
レーザ１へ戻るものとトラッキングサーボ信号及び再生
信号の検出光学系１０に入るものに分離される。
１波長板４．偏光ビームスプリッタ３を通って、光導体
レーザ１へ戻るものとトラッキングサーボ信号及び再生
信号の検出光学系１０に入るものに分離される。
光記録媒体がフォーカス方向へ変位すると、光記録媒体
と半導体レーザ１の発生端面で形成する外部共振器の共
振器長が変化し、それに応じて半導体レーザ１の発振波
長が変化する。その結果。
と半導体レーザ１の発生端面で形成する外部共振器の共
振器長が変化し、それに応じて半導体レーザ１の発振波
長が変化する。その結果。
集光レンズ５の色収差によって光スポットが光記録媒体
の変位に追従する。
の変位に追従する。
戻り光量と焦点範囲の実測例を第４図に示す４但し、光
記録媒体の代わりに反射率７０％のＡ、 ｆｆ膜を用い
た。戻り光量には上限が存在し、これはレーザ光が通過
するレンズ、ビームスプリッタ等の光学系の光効率と光
記録媒体の反射率で決まる、この実測例では戻り光量の
最大値は４０％で、焦点範囲は８μｍ ｐ ”’ ｐに
達する。しかし、光記録媒体の反射率は一般に低く１例
えば相変化媒体であるＩｎ５ｅＴｉＣｏ膜の反射率は２
０〜３０％である。
記録媒体の代わりに反射率７０％のＡ、 ｆｆ膜を用い
た。戻り光量には上限が存在し、これはレーザ光が通過
するレンズ、ビームスプリッタ等の光学系の光効率と光
記録媒体の反射率で決まる、この実測例では戻り光量の
最大値は４０％で、焦点範囲は８μｍ ｐ ”’ ｐに
達する。しかし、光記録媒体の反射率は一般に低く１例
えば相変化媒体であるＩｎ５ｅＴｉＣｏ膜の反射率は２
０〜３０％である。
この媒体では戻り光量は最大で約１０％しか取れないた
め、焦点範囲が約１μｍ ｐ −ｐ低下する。
め、焦点範囲が約１μｍ ｐ −ｐ低下する。
〔発明が解決しようとするｉ１１！題〕上記従来技術は
光記録媒体の反射率が低いという点について配慮がされ
ておらず、サーボ信号と再生信号の検出に用いる反射光
量が少ない、更に半導体レーザの波長変化とレンズの色
収差による自動焦点の際には、半導体レーザへの戻り光
量が少なくなる結果として焦点範囲が狭くなるという問
題があった。
光記録媒体の反射率が低いという点について配慮がされ
ておらず、サーボ信号と再生信号の検出に用いる反射光
量が少ない、更に半導体レーザの波長変化とレンズの色
収差による自動焦点の際には、半導体レーザへの戻り光
量が少なくなる結果として焦点範囲が狭くなるという問
題があった。
本発明の目的は上記問題が解決することにある。
上記目的は、光記録媒体の記録膜の裏側に高反射率膜を
設けることにより達成される。記録光と再生光は同一波
長でもよい。基材は記録膜のどちら側に有ってもよい。
設けることにより達成される。記録光と再生光は同一波
長でもよい。基材は記録膜のどちら側に有ってもよい。
すなわち記録膜と高反射率膜のどちらを先に形成しても
よい。
よい。
光記録媒体の記録面の裏側に高反射率膜を設けることに
より、光記録媒体を透過した光の一部が前記高反射率膜
で反射され、光記録媒体の反射率が高くなる。又、記録
膜を透過した光は再度記録再生に使用されることになり
光の利用効率も向上する。
より、光記録媒体を透過した光の一部が前記高反射率膜
で反射され、光記録媒体の反射率が高くなる。又、記録
膜を透過した光は再度記録再生に使用されることになり
光の利用効率も向上する。
以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す光記録媒体及び光学式
記録再生消去装置の説明図である。
記録再生消去装置の説明図である。
半導体レーザ１の出射光はコリメートレンズ２で平行光
にされ、偏光ビームスプリッタ３と４分の１波長板４を
通り１色収差を有する集光レンズ５により光記録媒体上
に絞り込まれる。偏光ビームスプリッタ３と４分の１波
長板４を組合せると、光記録媒体から”ト導体レーザ１
へ戻る反射光量を調節することができる。
にされ、偏光ビームスプリッタ３と４分の１波長板４を
通り１色収差を有する集光レンズ５により光記録媒体上
に絞り込まれる。偏光ビームスプリッタ３と４分の１波
長板４を組合せると、光記録媒体から”ト導体レーザ１
へ戻る反射光量を調節することができる。
光記録媒体は、基材６に高反射率膜７．記録膜８、保護
膜９を順に積層した構造をとる。高反射率ＩＪｔＪ７は
Ａ ｕ 、保護膜はＳｉＯ２を使用する。光記録媒体か
らの反射光は偏差ビームスプリッタ３によって半導体レ
ーザ１へ戻るものとトラッキングサーボ信号及び再生信
号の検出光学系１０に入るものに分離される。
膜９を順に積層した構造をとる。高反射率ＩＪｔＪ７は
Ａ ｕ 、保護膜はＳｉＯ２を使用する。光記録媒体か
らの反射光は偏差ビームスプリッタ３によって半導体レ
ーザ１へ戻るものとトラッキングサーボ信号及び再生信
号の検出光学系１０に入るものに分離される。
光スポットの焦点制御は半導体レーザ１への戻り光と集
光レンズ５の色収差により行われる０反射光は保護膜９
と記録膜８の境界における反射光と前記境界における透
過光の内高反射率膜７と記録膜８の境界で反射されるも
のが主要なものである。光の干渉効果も考慮に入れると
、記録膜８の膜厚が最適なところで高反射率膜７を設け
た効果は最大になり、高反射率膜７を設けない場合と比
ベ反射光量は増加する。その結果、半導体レーザ１への
戻り光量も増加する。記録膜８の最適膜厚は光の波長、
記録膜８の屈折率により決まる。
光レンズ５の色収差により行われる０反射光は保護膜９
と記録膜８の境界における反射光と前記境界における透
過光の内高反射率膜７と記録膜８の境界で反射されるも
のが主要なものである。光の干渉効果も考慮に入れると
、記録膜８の膜厚が最適なところで高反射率膜７を設け
た効果は最大になり、高反射率膜７を設けない場合と比
ベ反射光量は増加する。その結果、半導体レーザ１への
戻り光量も増加する。記録膜８の最適膜厚は光の波長、
記録膜８の屈折率により決まる。
第２図は本発明の別の一実施例を示す光記録媒体及び光
学式記録再生消去装置の説明図である。
学式記録再生消去装置の説明図である。
半導体レーザ１の出射光はコリメートレンズ２で平行光
にされ、偏光ビームスプリッタ３と４分の１波長板４を
通り、色収差を有する集光レンズ５により光記録媒体上
に絞り込まれる。偏光ビームスプリッタ３と４分の１波
長板４を組合せると、光記録媒体から半導体レーザ１へ
戻る反射光量を調節することができる。
にされ、偏光ビームスプリッタ３と４分の１波長板４を
通り、色収差を有する集光レンズ５により光記録媒体上
に絞り込まれる。偏光ビームスプリッタ３と４分の１波
長板４を組合せると、光記録媒体から半導体レーザ１へ
戻る反射光量を調節することができる。
光記録媒体は、基材６に高反射率膜７．断熱膜１１、記
録膜８．保護膜９を順に積層した構造をとる。高反射率
膜７はＡｕに代えてＡＱ等の他の金属膜が、保護［９は
５ｉＯｚに代えてＳ ｉ −Ｎ等が使用できる。断熱膜
１１は高反射率膜７の熱伝導率が大きいことによる熱拡
散を抑え、記録膜の加熱を有効に行うために設ける。断
熱膜１１としては、５ｉｆｔやＺｒ０ｚ、５ｉ−Ｎ等が
使用できる。
録膜８．保護膜９を順に積層した構造をとる。高反射率
膜７はＡｕに代えてＡＱ等の他の金属膜が、保護［９は
５ｉＯｚに代えてＳ ｉ −Ｎ等が使用できる。断熱膜
１１は高反射率膜７の熱伝導率が大きいことによる熱拡
散を抑え、記録膜の加熱を有効に行うために設ける。断
熱膜１１としては、５ｉｆｔやＺｒ０ｚ、５ｉ−Ｎ等が
使用できる。
光記録媒体からの反射光は偏光ビームスプリッタ３によ
って半導体レーザ１へ戻るものとトラッキングサーボ信
号及び再生信号の検出光学系１゜に入るものに分離され
る。光スポットの焦点制御は半導体レーザ１への戻り光
と集光レンズ５の色収差により行われる０反射光は保護
膜９と記録膜８の境界における反射光と前記境界におけ
る透過光の内高反射率膜７と記録膜８の境界で反射され
るものが主要なものである。
って半導体レーザ１へ戻るものとトラッキングサーボ信
号及び再生信号の検出光学系１゜に入るものに分離され
る。光スポットの焦点制御は半導体レーザ１への戻り光
と集光レンズ５の色収差により行われる０反射光は保護
膜９と記録膜８の境界における反射光と前記境界におけ
る透過光の内高反射率膜７と記録膜８の境界で反射され
るものが主要なものである。
光の干渉効果も考慮に入れると、記録膜８のＪｇ厚が最
適なところで高反射率膜７を設けた効果は最大になり、
高反射率膜７を設けない場合と比べ反射光量は増加する
。その結果、半導体レーザ１への戻り光量も増加する。
適なところで高反射率膜７を設けた効果は最大になり、
高反射率膜７を設けない場合と比べ反射光量は増加する
。その結果、半導体レーザ１への戻り光量も増加する。
記録膜８の最適膜厚は光の波長、記録膜８の屈折率等に
より決まる。
より決まる。
なお、基材は記録膜のどちら側に有ってもよい。
すなわち、記録膜と高反射率膜のどちらを先に形成して
も本発明はその本質を損なうことなく適用できるもので
ある。又、基材６はテープ、カード。
も本発明はその本質を損なうことなく適用できるもので
ある。又、基材６はテープ、カード。
ディスク、ドラムのいずれでもよく、本発明はその構造
及び材質を限定するものではない。再に。
及び材質を限定するものではない。再に。
本発明の詳細な説明では光学系の色収差は集光レンズに
あるとしたがコリメートレンズ等の他の光学部品゛であ
っても本発明はその本質を損なうことなく適用できるも
のである。
あるとしたがコリメートレンズ等の他の光学部品゛であ
っても本発明はその本質を損なうことなく適用できるも
のである。
更に、本発明は反射光量の増大、もしくは戻り光量の増
大を図るものであり、高反射率膜を設けたことにより、
光記録媒体の反射率が向上すればよく、記録再生に必要
な光吸収が実現する範囲であれば反射率は限定するもの
ではない。ここで、光吸収率は１０〇−反射率−透過率
（％）で与えられる。
大を図るものであり、高反射率膜を設けたことにより、
光記録媒体の反射率が向上すればよく、記録再生に必要
な光吸収が実現する範囲であれば反射率は限定するもの
ではない。ここで、光吸収率は１０〇−反射率−透過率
（％）で与えられる。
以上説明したように、本発明によれば、記録膜の裏側に
高反射率膜を設けることにより光記録媒体全体からの反
射光量が増大し、サーボ信号及び再生信号の検出が容量
になり、更に半導体レーザへの戻り光量が増加するため
、記録膜単体の反射率が小さくても集光レンズの色収差
と半導体レーザの発振波長の変化による焦魚制御を有効
に起こす効果がある６
高反射率膜を設けることにより光記録媒体全体からの反
射光量が増大し、サーボ信号及び再生信号の検出が容量
になり、更に半導体レーザへの戻り光量が増加するため
、記録膜単体の反射率が小さくても集光レンズの色収差
と半導体レーザの発振波長の変化による焦魚制御を有効
に起こす効果がある６
第１図、第２図は本発明における光記録媒体及び光学式
記録再生消去装置の説明図、第３図は従来の光記録媒体
及び光学式記録再生消去の説明図、第４図は戻り光量と
焦点範囲との関係を示す相関図である。 １・・・半導体レーザ、２・・・コリメートレンズ、３
・・・偏光ビームスプリッタ、４・・・四分の１波長板
、５・・・色収差レンズ、６・・・基材、７・・・高反
射率膜、８・・・記録膜、９・・・保護膜、１０・・・
トラッキングサーボ信号及び再生信号検出光学系、１１
・・・断熱膜。
記録再生消去装置の説明図、第３図は従来の光記録媒体
及び光学式記録再生消去の説明図、第４図は戻り光量と
焦点範囲との関係を示す相関図である。 １・・・半導体レーザ、２・・・コリメートレンズ、３
・・・偏光ビームスプリッタ、４・・・四分の１波長板
、５・・・色収差レンズ、６・・・基材、７・・・高反
射率膜、８・・・記録膜、９・・・保護膜、１０・・・
トラッキングサーボ信号及び再生信号検出光学系、１１
・・・断熱膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光源からの出射光を光記録媒体上に集光して情報の
記録再生消去のいずれかを行う光記録媒体において、前
記光記録媒体の記録膜の光照射面の裏側に高反射率膜を
設けたことを特徴とする光記録媒体。 ２、前記記録膜と前記高反射率膜との間に、前記高反射
率膜より熱伝導率の低い膜を設けたことを特徴とする特
許請求の範囲第１項に記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63259465A JPH02108249A (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63259465A JPH02108249A (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02108249A true JPH02108249A (ja) | 1990-04-20 |
Family
ID=17334451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63259465A Pending JPH02108249A (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02108249A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10651484B2 (en) | 2012-10-19 | 2020-05-12 | Audi Ag | Extruded carbon fuel cell components |
-
1988
- 1988-10-17 JP JP63259465A patent/JPH02108249A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10651484B2 (en) | 2012-10-19 | 2020-05-12 | Audi Ag | Extruded carbon fuel cell components |
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