JPH0210831A - 半導体基板の洗浄装置 - Google Patents
半導体基板の洗浄装置Info
- Publication number
- JPH0210831A JPH0210831A JP16175088A JP16175088A JPH0210831A JP H0210831 A JPH0210831 A JP H0210831A JP 16175088 A JP16175088 A JP 16175088A JP 16175088 A JP16175088 A JP 16175088A JP H0210831 A JPH0210831 A JP H0210831A
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- JP
- Japan
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- semiconductor substrate
- water
- wash water
- frozen
- organic solvent
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体基板の洗浄装置に関し、特に乾燥時にシ
ミ（汚点）の発生しない洗浄装置に係り、半導体基板の
洗浄や半導体装置の製造工程中で利用されるものである
。
ミ（汚点）の発生しない洗浄装置に係り、半導体基板の
洗浄や半導体装置の製造工程中で利用されるものである
。
従来の技術
半導体基板の洗浄は、従来、高純度の水で洗浄した後に
、遠心脱水法や、有機溶剤雰囲気中で水と有機溶剤を置
換する方法等で乾燥を行なっている。
、遠心脱水法や、有機溶剤雰囲気中で水と有機溶剤を置
換する方法等で乾燥を行なっている。
第２図ａ、ｂは従来装置により半導体基板の洗浄を行な
った時の工程順図を示す。第２図ａでは半導体基板２１
を、半導体基板治具２２で保持しながら、洗浄槽２３に
満たした高純度の洗浄水２４で洗浄する。洗浄が終了す
ると乾燥装置２６に移載する。第２図すは移載した状態
を示しており、半導体基板１は半導体基板治具２２で保
持され、さらに回転台２６に保持される。回転台２６は
モーター２７によって高速回転し、半導体基板表面に付
着している水分を遠心力で振り切り乾燥せしめる。振り
切った水は排水口２８から排出される。
った時の工程順図を示す。第２図ａでは半導体基板２１
を、半導体基板治具２２で保持しながら、洗浄槽２３に
満たした高純度の洗浄水２４で洗浄する。洗浄が終了す
ると乾燥装置２６に移載する。第２図すは移載した状態
を示しており、半導体基板１は半導体基板治具２２で保
持され、さらに回転台２６に保持される。回転台２６は
モーター２７によって高速回転し、半導体基板表面に付
着している水分を遠心力で振り切り乾燥せしめる。振り
切った水は排水口２８から排出される。
発明が解決しようとする課題
従来技術による装置では、洗浄槽から乾燥装置に移載す
る暉、半導体基板が直接空気中に露出してしま、う。単
結晶シリコンや、多結晶シリコン膜など、表面が撥水性
を示す場合は、水は表面張力により水滴となるので、洗
浄水中や空気中のパーティクルが集中し、乾燥後に汚点
となって残り、不良の原因となる。本発明は、この汚点
の発生を防止するものである。
る暉、半導体基板が直接空気中に露出してしま、う。単
結晶シリコンや、多結晶シリコン膜など、表面が撥水性
を示す場合は、水は表面張力により水滴となるので、洗
浄水中や空気中のパーティクルが集中し、乾燥後に汚点
となって残り、不良の原因となる。本発明は、この汚点
の発生を防止するものである。
課題を解決するための手段
本発明では、半導体基板は高純度の水で洗浄した後に水
中から空気中へ露出することなく、洗浄水ごと凍結させ
る冷却装置を有する。乾燥では有機溶剤の蒸気雰囲気中
で凍結した洗浄水を融解させる加熱装置を有し水分と有
機溶剤を置換する。
中から空気中へ露出することなく、洗浄水ごと凍結させ
る冷却装置を有する。乾燥では有機溶剤の蒸気雰囲気中
で凍結した洗浄水を融解させる加熱装置を有し水分と有
機溶剤を置換する。
この後に半導体基板を微速度で有機溶剤雰囲気中から取
り出し、乾燥せしめる。
り出し、乾燥せしめる。
作 用
本発明では洗浄してから乾燥終了まで半導体基板が水中
、若しくは蒸気雰囲気中で処理されるので、空気中に露
出されることがない。このため、単結晶シリコンや、多
結晶シリコン膜など、基板表面が撥水性を示す場合でも
水滴の発生がなく、洗浄水中および空気中のパーティク
ルが集中しない。また、有機溶剤の蒸気雰囲気中から微
速度で取り出すことによって乾燥するので、基板表面で
凝縮した有機溶剤の流れが発生するため、空気中のパー
ティクルの集中がなく、汚点の発生を防止できる。
、若しくは蒸気雰囲気中で処理されるので、空気中に露
出されることがない。このため、単結晶シリコンや、多
結晶シリコン膜など、基板表面が撥水性を示す場合でも
水滴の発生がなく、洗浄水中および空気中のパーティク
ルが集中しない。また、有機溶剤の蒸気雰囲気中から微
速度で取り出すことによって乾燥するので、基板表面で
凝縮した有機溶剤の流れが発生するため、空気中のパー
ティクルの集中がなく、汚点の発生を防止できる。
実施例
第１図ａ、ｂに本発明の装置で洗浄を行なった場合の一
実施例の工程順図を示す。
実施例の工程順図を示す。
まず第１図ａで半導体基板１は、半導体基板治具２で保
持され、洗浄槽３に満たした高純度の水４により洗浄さ
れる。充分洗浄された時点で冷却装置６に冷媒人口６よ
り出ロアまで冷媒として液化フロンを導入し、洗浄水が
凍結するまで冷却する。
持され、洗浄槽３に満たした高純度の水４により洗浄さ
れる。充分洗浄された時点で冷却装置６に冷媒人口６よ
り出ロアまで冷媒として液化フロンを導入し、洗浄水が
凍結するまで冷却する。
凍結した洗浄水を半導体治具２ごとノ・ンガー８で引き
揚げる。
揚げる。
次に第１図すの乾燥槽１３中に半導体基板１および半導
体基板治具２を凍結した洗浄水と共にノ・ンガー８で移
動し導入する。乾燥槽１３中はイソプロピルアルコール
１４をヒーター１６で加熱して得た蒸気雰囲気にすでに
満たされている。凍結した洗浄水に赤外線ランプ１６に
より赤外線を照射し、融解すると、水分は下に落ちイソ
プロピルアルコール１４中に混入する。さらに、半導体
基板１は、イソプロピルアルコールの蒸気雰囲気により
水分と置換される。充分に水をイソプロピルアルコール
で置換してから半導体基板１を半導体基板治具２ごとノ
・ンガー８により毎分１ｏＩ：ＷＬの速度で引きあげる
と、冷却装置１７によりインプロピルアルコールの蒸気
雰囲気が液化面２ｏを境として上方で液化するため下方
に流れ落ち、半導体基板１を乾燥せしめる。
体基板治具２を凍結した洗浄水と共にノ・ンガー８で移
動し導入する。乾燥槽１３中はイソプロピルアルコール
１４をヒーター１６で加熱して得た蒸気雰囲気にすでに
満たされている。凍結した洗浄水に赤外線ランプ１６に
より赤外線を照射し、融解すると、水分は下に落ちイソ
プロピルアルコール１４中に混入する。さらに、半導体
基板１は、イソプロピルアルコールの蒸気雰囲気により
水分と置換される。充分に水をイソプロピルアルコール
で置換してから半導体基板１を半導体基板治具２ごとノ
・ンガー８により毎分１ｏＩ：ＷＬの速度で引きあげる
と、冷却装置１７によりインプロピルアルコールの蒸気
雰囲気が液化面２ｏを境として上方で液化するため下方
に流れ落ち、半導体基板１を乾燥せしめる。
発明の効果
洗浄水を凍結させることに°より、半導体基板が空気中
にさらされることがないため、特に撥水性を示す表面の
汚点が皆無となり、半導体装置等の分留りや信頼性が向
上する。また、遠心脱水型装置と異なり、高速運動する
部分がないため機械的に発生するダストを少く抑えるこ
とができる。
にさらされることがないため、特に撥水性を示す表面の
汚点が皆無となり、半導体装置等の分留りや信頼性が向
上する。また、遠心脱水型装置と異なり、高速運動する
部分がないため機械的に発生するダストを少く抑えるこ
とができる。
第１図は本発明の半導体基板の洗浄方法を示した工程順
図、第２図は従来装置により半導体基板の洗浄を行なっ
た場合の工程順図である。 １．２１・・・・・・半導体基板、２，２２・・・・・
・半導体基板治具、３，２３・・・・・・洗浄槽、４，
２４・・・・・・洗浄水、６・・・・・・冷却装置、６
・・・・・・冷媒入口、７・・・・・・冷媒出口、８・
・・・・・ノ・ンガー、１３・・・・・・乾燥槽、１４
・・・・・・イソプロピルアルコール、１６・・・・・
・ヒーター１６・・・・・・赤外線ランプ、１７・・・
・・・冷却装置、１８・・・・・・有機溶剤供給口、１
９・・・・・・有機溶剤排出口、２０・・・・・・液化
面、２６・・・・・・乾燥装置、２６・・・・・・回転
台、２７・・・・・・モーター、２８・・・・・・排水
口。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ノ
−−−４４イ；挙−コー【孜 こ −−４導イ木基１？乏シ台Ｊ耳 一ハンガー （ＩＩＺ） ２８− 排水口 バ （ｂ）
図、第２図は従来装置により半導体基板の洗浄を行なっ
た場合の工程順図である。 １．２１・・・・・・半導体基板、２，２２・・・・・
・半導体基板治具、３，２３・・・・・・洗浄槽、４，
２４・・・・・・洗浄水、６・・・・・・冷却装置、６
・・・・・・冷媒入口、７・・・・・・冷媒出口、８・
・・・・・ノ・ンガー、１３・・・・・・乾燥槽、１４
・・・・・・イソプロピルアルコール、１６・・・・・
・ヒーター１６・・・・・・赤外線ランプ、１７・・・
・・・冷却装置、１８・・・・・・有機溶剤供給口、１
９・・・・・・有機溶剤排出口、２０・・・・・・液化
面、２６・・・・・・乾燥装置、２６・・・・・・回転
台、２７・・・・・・モーター、２８・・・・・・排水
口。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ノ
−−−４４イ；挙−コー【孜 こ −−４導イ木基１？乏シ台Ｊ耳 一ハンガー （ＩＩＺ） ２８− 排水口 バ （ｂ）
Claims (1)
- 半導体基板を水で洗浄するための水槽と、半導体基板を
洗浄水中から空気中に露出することなく洗浄水を凍結す
るための冷却装置と、有機溶剤の蒸気雰囲気中で前記凍
結した洗浄水を融解し、前記有機溶剤と前記融解した洗
浄水を置換するための容器および加熱装置を有すること
を特徴とする半導体基板の洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16175088A JPH0210831A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 半導体基板の洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16175088A JPH0210831A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 半導体基板の洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0210831A true JPH0210831A (ja) | 1990-01-16 |
Family
ID=15741176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16175088A Pending JPH0210831A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 半導体基板の洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0210831A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58219167A (ja) * | 1982-06-15 | 1983-12-20 | Sumitomo Chem Co Ltd | 置換フェニルヒダントイン誘導体およびそれを有効成分とする除草剤 |
| JP2007165528A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2007258512A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
1988
- 1988-06-29 JP JP16175088A patent/JPH0210831A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58219167A (ja) * | 1982-06-15 | 1983-12-20 | Sumitomo Chem Co Ltd | 置換フェニルヒダントイン誘導体およびそれを有効成分とする除草剤 |
| JP2007165528A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US7867337B2 (en) | 2005-12-13 | 2011-01-11 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| JP2007258512A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
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