JPH0452614B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0452614B2 JPH0452614B2 JP58191622A JP19162283A JPH0452614B2 JP H0452614 B2 JPH0452614 B2 JP H0452614B2 JP 58191622 A JP58191622 A JP 58191622A JP 19162283 A JP19162283 A JP 19162283A JP H0452614 B2 JPH0452614 B2 JP H0452614B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- water
- fine particles
- spinner
- drying
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P70/00—Cleaning of wafers, substrates or parts of devices
- H10P70/10—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0064—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0064—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes
- B08B7/0092—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes by cooling
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は水洗洗浄後に特に無塵な表面を得る乾
燥方法に関する。
燥方法に関する。
(b) 技術の背景
現在半導体部品や回路部品は小形で大容量なも
のが要求されており、薄膜技術と写真蝕刻技術
（ホトリソグラフイ）とを用いて微細パターンが
作られることが多い。
のが要求されており、薄膜技術と写真蝕刻技術
（ホトリソグラフイ）とを用いて微細パターンが
作られることが多い。
こゝで金属、抵抗体、絶縁物などの薄膜は真空
蒸着法、スパツタ蒸着法、イオンビーム蒸着法な
ど各種の薄膜形成法で作られるが、その場合の薄
膜の厚さは数百〜数千〓のオーダであり、一方空
中或は水中にはμオーダの微粒子が数多く浮遊し
ているが、これが薄膜形成基板の上に付着してい
ると良品の歩留り向上は望めない。本発明は水洗
洗浄後の清浄な表面を得る乾燥方法に関するもの
である。
蒸着法、スパツタ蒸着法、イオンビーム蒸着法な
ど各種の薄膜形成法で作られるが、その場合の薄
膜の厚さは数百〜数千〓のオーダであり、一方空
中或は水中にはμオーダの微粒子が数多く浮遊し
ているが、これが薄膜形成基板の上に付着してい
ると良品の歩留り向上は望めない。本発明は水洗
洗浄後の清浄な表面を得る乾燥方法に関するもの
である。
(c) 従来技術と問題点
半導体素子、磁気バブルメモリ素子、弾性表面
波フイルタなどはそれぞれ半導体結晶基板、磁性
結晶基板、誘電体結晶基板などの上に微細パター
ンを形成して作られているが、これに使用する基
板は厚さが約500μｍで研磨が施されたものを使
用しこれに薄膜形成技術とホトエツチング技術と
を用いて微細パターンが作られている。
波フイルタなどはそれぞれ半導体結晶基板、磁性
結晶基板、誘電体結晶基板などの上に微細パター
ンを形成して作られているが、これに使用する基
板は厚さが約500μｍで研磨が施されたものを使
用しこれに薄膜形成技術とホトエツチング技術と
を用いて微細パターンが作られている。
こゝで研磨処理後或は化学エツチング処理後な
どの処理後では水洗洗浄が行われ研磨粉やエツチ
ング液の完全除去が行われているが、薄膜形成の
ためには完全に無塵で清浄な水を用いて洗浄し微
粒子が乾燥面に付着していないことが必要で微粒
子の付着が歩留り低下の原因となることがある。
どの処理後では水洗洗浄が行われ研磨粉やエツチ
ング液の完全除去が行われているが、薄膜形成の
ためには完全に無塵で清浄な水を用いて洗浄し微
粒子が乾燥面に付着していないことが必要で微粒
子の付着が歩留り低下の原因となることがある。
以下ホトマスク用基板を例として説明する。ホ
トマスクは透明石英或はガラスからなる厚さ約
2.5mmの基板上にクロームCr金属を約1000〓の厚
さに形成し、これに写真蝕刻技術を用いてパター
ン形成を行つたもので上記の半導体結晶基板や誘
電体結晶基板上に被覆されたホトレジスト膜に投
影露光或は密着露光する際に使用する原板であ
る。それ故高いパターン精度が必要でまた傷や汚
染などが存在してはならない。
トマスクは透明石英或はガラスからなる厚さ約
2.5mmの基板上にクロームCr金属を約1000〓の厚
さに形成し、これに写真蝕刻技術を用いてパター
ン形成を行つたもので上記の半導体結晶基板や誘
電体結晶基板上に被覆されたホトレジスト膜に投
影露光或は密着露光する際に使用する原板であ
る。それ故高いパターン精度が必要でまた傷や汚
染などが存在してはならない。
また良品であつても使用中に傷つき易いので比
較的使用寿命は短く新品と交換される。
較的使用寿命は短く新品と交換される。
そこでホトマスク形成中或は使用中に不良とな
つたホトマスクは表面のCr層をエツチングして
除去した後研磨機を用いて両面を研磨（ラツピン
グ）して表面層を数μｍ除きホトマスクとして再
生使用するのが通例である。
つたホトマスクは表面のCr層をエツチングして
除去した後研磨機を用いて両面を研磨（ラツピン
グ）して表面層を数μｍ除きホトマスクとして再
生使用するのが通例である。
かゝる基板は超音波洗浄を徹底して行い、その
後乾燥して清浄な基板面を得るがこの場合洗浄水
中に含まれている微粒子の存在が問題となる。
後乾燥して清浄な基板面を得るがこの場合洗浄水
中に含まれている微粒子の存在が問題となる。
すなわち洗浄の最終工程はフイルタを通過後イ
オン交換樹脂を用いて精製した純水を用いて行わ
れているため陰イオン或は陽イオンのような無機
イオンは殆んど除かれているが、検査すると平均
孔径が0.2μｍのマイクロスリーブにかゝる微粒子
は１c.c.当り20〜100個も存在している。この内分
けはバクテリヤなどの微生物、微少な塵埃イオン
交換樹脂の微粒子などからなつている。そしてこ
れら微粒子が乾燥の際に基板面に付着していると
蒸着するCrの膜厚よりも微粒子の方が大きいた
め不良の原因となることが多い。
オン交換樹脂を用いて精製した純水を用いて行わ
れているため陰イオン或は陽イオンのような無機
イオンは殆んど除かれているが、検査すると平均
孔径が0.2μｍのマイクロスリーブにかゝる微粒子
は１c.c.当り20〜100個も存在している。この内分
けはバクテリヤなどの微生物、微少な塵埃イオン
交換樹脂の微粒子などからなつている。そしてこ
れら微粒子が乾燥の際に基板面に付着していると
蒸着するCrの膜厚よりも微粒子の方が大きいた
め不良の原因となることが多い。
また純水はこれが精製された状態では微粒子の
数は少いが殺菌剤がイオン交換の過程で除去され
ているため菌類などの微生物が繁殖し生長し易
く、そのため洗浄水として使用する純水中には粒
径が0.1μｍ以上の微粒子が可成りの数含まれてい
るのが通例である。
数は少いが殺菌剤がイオン交換の過程で除去され
ているため菌類などの微生物が繁殖し生長し易
く、そのため洗浄水として使用する純水中には粒
径が0.1μｍ以上の微粒子が可成りの数含まれてい
るのが通例である。
そしてこのような微粒子が基板上に存在すると
Cr金属の密着性を妨げて剥離が生じ易くマスク
不良の原因となる。
Cr金属の密着性を妨げて剥離が生じ易くマスク
不良の原因となる。
(d) 発明の目的
本発明は水洗洗浄後乾燥した状態で基板への微
粒子の付着が少い乾燥方法を提供することを目的
とする。
粒子の付着が少い乾燥方法を提供することを目的
とする。
(e) 発明の構成
水洗浄の終わつた被処理基板上の水を凍結させ
て後、乾燥ガス供給口とランプヒータを備えた処
理室の中に設けてある試料保持台に基板を固定
し、処理室内を乾燥ガス雰囲気とした状態でスピ
ンナを回転すると同時にランプヒータに通電して
基板を加熱し、基板上の氷の融解により生じた水
を遠心力により飛散させて基板の乾燥を行う無塵
乾燥方法により達成することができる。
て後、乾燥ガス供給口とランプヒータを備えた処
理室の中に設けてある試料保持台に基板を固定
し、処理室内を乾燥ガス雰囲気とした状態でスピ
ンナを回転すると同時にランプヒータに通電して
基板を加熱し、基板上の氷の融解により生じた水
を遠心力により飛散させて基板の乾燥を行う無塵
乾燥方法により達成することができる。
(f) 発明の実施例
基板表面の汚染物や異種物質の付着物などを溶
解、研磨などの方法で除去した後水洗洗浄を繰返
し行い最後は純水洗浄を行つて乾燥するのは通常
とられている乾燥方法である。
解、研磨などの方法で除去した後水洗洗浄を繰返
し行い最後は純水洗浄を行つて乾燥するのは通常
とられている乾燥方法である。
然し乍ら先に記したように可成りの数の微粒子
が純水中に含まれておりこの数は時間経過と共に
増加する傾向がある。
が純水中に含まれておりこの数は時間経過と共に
増加する傾向がある。
それ故そのまゝ乾燥したのでは微粒子の基板面
析出は避けられない。
析出は避けられない。
そこで本発明は水が凍結して結晶が発達する際
に異物が排除される原理を利用して基板面から微
粒子を引き離す。
に異物が排除される原理を利用して基板面から微
粒子を引き離す。
こゝで氷の結晶構造は４面体構造の中心に酸素
イオンO--がまた頂点部に水素イオンH+があり、
O--の電気陰性度のため水素結合を形成してお
り、H+は総べて共有されて３次元に連結すると
共にH+はO--相互を結んだ線上に位置する結晶
構造をとる。
イオンO--がまた頂点部に水素イオンH+があり、
O--の電気陰性度のため水素結合を形成してお
り、H+は総べて共有されて３次元に連結すると
共にH+はO--相互を結んだ線上に位置する結晶
構造をとる。
そこで水が冷却されて氷となる場合は急冷され
て微細な多結晶の集合体を作り微粒子を境界部に
取り込む場合を別として氷の成長と共に微粒子は
結晶格子外に排除されて結晶中には異種物質は存
在しない状態が得られる。
て微細な多結晶の集合体を作り微粒子を境界部に
取り込む場合を別として氷の成長と共に微粒子は
結晶格子外に排除されて結晶中には異種物質は存
在しない状態が得られる。
本発明に係る乾燥方法は基板を０℃以下に下げ
表面に付着している水を結晶化することにより微
粒子を基板面から離し、この状態を保つたまゝ乾
燥させるものである。
表面に付着している水を結晶化することにより微
粒子を基板面から離し、この状態を保つたまゝ乾
燥させるものである。
その方法として洗浄の終つた基板はこれを保持
する枠体に入れたまゝ０℃以下の雰囲気に移し表
面に付着している水を凍結せめ、次にこれをとり
出し第１図と第２図に示すように赤外線ランプ１
を上部に備えたスピンナ２に基板３をセツトす
る。こゝで第１図はスピンナ２を備えた本発明に
係る乾燥装置の構成図または第２図はスピンナ２
の平面図であり、基板３の表面の水は凍結してい
るがその付着量は僅かであり、そのため枠体から
の取り出しは容易でありまたスピンナ２への装着
も容易である。
する枠体に入れたまゝ０℃以下の雰囲気に移し表
面に付着している水を凍結せめ、次にこれをとり
出し第１図と第２図に示すように赤外線ランプ１
を上部に備えたスピンナ２に基板３をセツトす
る。こゝで第１図はスピンナ２を備えた本発明に
係る乾燥装置の構成図または第２図はスピンナ２
の平面図であり、基板３の表面の水は凍結してい
るがその付着量は僅かであり、そのため枠体から
の取り出しは容易でありまたスピンナ２への装着
も容易である。
こゝでスピンナ２は真空チヤツク機構を備えて
おり、モータ４により高速回転する回転軸５の軸
芯を貫いて試料保持台６の表面にまで達する減圧
吸引機構により基板３は保持されると共にこの場
合は爪部７により滑り出しを防ぐ構造がとられて
いる。
おり、モータ４により高速回転する回転軸５の軸
芯を貫いて試料保持台６の表面にまで達する減圧
吸引機構により基板３は保持されると共にこの場
合は爪部７により滑り出しを防ぐ構造がとられて
いる。
かゝるスピンナ２は例えば片側に開閉可能な扉
があり、これを通して基板３の装着が可能であ
り、また上部に基板加熱用の赤外線ランプ１また
側面に乾燥空気、乾燥窒素N2などの供給孔９を
設えたドラフト１０内に設けられている。そして
常に基板３が乾燥雰囲気にあるようにし、モータ
４の始動スイツチに同期して赤外線ランプが点燈
し基板３の表面の氷８が融解し遠心力により飛散
すると共に急速に乾燥する構成となつている。
があり、これを通して基板３の装着が可能であ
り、また上部に基板加熱用の赤外線ランプ１また
側面に乾燥空気、乾燥窒素N2などの供給孔９を
設えたドラフト１０内に設けられている。そして
常に基板３が乾燥雰囲気にあるようにし、モータ
４の始動スイツチに同期して赤外線ランプが点燈
し基板３の表面の氷８が融解し遠心力により飛散
すると共に急速に乾燥する構成となつている。
このように洗浄後基板３の上に微粒子を含まぬ
状態を作ると共に急速に乾燥することにより微粒
子の付着量が非常に少い表面状態を得ることがで
きる。このような基板乾燥法をとる場合、従来は
乾燥基板を顕微鏡観察する場合視野内に粒径が
1000〓以上の微粒子が数個必ず視野内に存在して
いたが本発明の方法を実施する場合は殆んどの場
合微粒子を認めることができない。
状態を作ると共に急速に乾燥することにより微粒
子の付着量が非常に少い表面状態を得ることがで
きる。このような基板乾燥法をとる場合、従来は
乾燥基板を顕微鏡観察する場合視野内に粒径が
1000〓以上の微粒子が数個必ず視野内に存在して
いたが本発明の方法を実施する場合は殆んどの場
合微粒子を認めることができない。
(g) 発明の効果
本発明はホトマスク形成のように粒径が1000〓
程度の微少粒子の存在も歩留りに影響する基板乾
燥において歩留りを改良するためになされたもの
であつて本発明の実施により微粒子の付着が減少
し歩留りの改善が可能となる。
程度の微少粒子の存在も歩留りに影響する基板乾
燥において歩留りを改良するためになされたもの
であつて本発明の実施により微粒子の付着が減少
し歩留りの改善が可能となる。
第１図は本発明を実施するのに使用する乾燥装
置の構成断面図、また第２図はスピンナ部の平面
図。 図において、１は赤外線ランプ、２はスピン
ナ、３は基板、７は爪部、８は氷、９は乾燥ガス
供給口、１０はドラフト。
置の構成断面図、また第２図はスピンナ部の平面
図。 図において、１は赤外線ランプ、２はスピン
ナ、３は基板、７は爪部、８は氷、９は乾燥ガス
供給口、１０はドラフト。
Claims (1)
- １ 水洗浄の終わつた被処理基板上の水を凍結さ
せて後、乾燥ガス供給口とランプヒータを備えた
処理室の中に設けてあるスピンナの試料保持台に
前記基板を固定し、前記処理室内を乾燥ガス雰囲
気とした状態で、前記スピンナを回転すると同時
にランプヒータに通電して基板加熱を行い、前記
基板上の氷の融解により生じた水を遠心力により
飛散させて基板の乾燥を行うことを特徴とする無
塵乾燥方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58191622A JPS6083333A (ja) | 1983-10-13 | 1983-10-13 | 無塵乾燥方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58191622A JPS6083333A (ja) | 1983-10-13 | 1983-10-13 | 無塵乾燥方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6083333A JPS6083333A (ja) | 1985-05-11 |
| JPH0452614B2 true JPH0452614B2 (ja) | 1992-08-24 |
Family
ID=16277698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58191622A Granted JPS6083333A (ja) | 1983-10-13 | 1983-10-13 | 無塵乾燥方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6083333A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2511873B2 (ja) * | 1986-04-18 | 1996-07-03 | 株式会社日立製作所 | ベ−パ乾燥装置 |
| JP2555034B2 (ja) * | 1986-09-17 | 1996-11-20 | 株式会社日立製作所 | 処理装置 |
| JPH084063B2 (ja) * | 1986-12-17 | 1996-01-17 | 富士通株式会社 | 半導体基板の保存方法 |
| JPS63155729A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | シリコンウエハの低温洗浄方法および低温洗浄装置 |
| KR910007593A (ko) * | 1989-10-17 | 1991-05-30 | 제임스 조셉 드롱 | 강제 유체대류에 의한 오염 입자 제거장치 및 방법 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57178328A (en) * | 1981-04-27 | 1982-11-02 | Hitachi Ltd | Wafer dryer |
| JPS5834923A (ja) * | 1981-08-27 | 1983-03-01 | Toshiba Corp | 半導体装置の乾燥方法 |
-
1983
- 1983-10-13 JP JP58191622A patent/JPS6083333A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6083333A (ja) | 1985-05-11 |
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