JPH0210863B2 - - Google Patents
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- JPH0210863B2 JPH0210863B2 JP60132278A JP13227885A JPH0210863B2 JP H0210863 B2 JPH0210863 B2 JP H0210863B2 JP 60132278 A JP60132278 A JP 60132278A JP 13227885 A JP13227885 A JP 13227885A JP H0210863 B2 JPH0210863 B2 JP H0210863B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- metal
- ring
- divided pieces
- sputtering
- Prior art date
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は多元合金あるいは化合物の薄膜を形成
するためのスパツタリング用ターゲツトに関する
ものである。
するためのスパツタリング用ターゲツトに関する
ものである。
従来の技術
従来の合金薄膜を形成するターゲツトとして
は、例えば第４図のようなものがある。
は、例えば第４図のようなものがある。
すなわち、薄膜の主成分金属からなる円板上タ
ーゲツト１０の上に他の構成成分の金属をリング
状の薄板１４にして載置したものｂや、金属リン
グ１５をターゲツト表面に埋め込んだ複合ターゲ
ツトｃがある。
ーゲツト１０の上に他の構成成分の金属をリング
状の薄板１４にして載置したものｂや、金属リン
グ１５をターゲツト表面に埋め込んだ複合ターゲ
ツトｃがある。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、このような構成からなる複合タ
ーゲツトは、いずれも長時間連続スパツタをする
と、リング状金属の内側において、円板状ターゲ
ツトの表面に主成分金属の十分スパツタしきれな
いものが堆積物１６となつて蓄積される傾向にあ
る。この堆積物１６の成分は、スパツタガスが
Ar、Ne等の不活性の場合にはターゲツトの主成
分金属であるが、O2、N2等の場合にはそれらの
化合物となる。したがつて、この堆積物が蓄積す
るとターゲツトの表面の組成が変化したり、堆積
物が絶縁性を有する場合には次第にリングの内側
のみがスパツタされにくくなる。
ーゲツトは、いずれも長時間連続スパツタをする
と、リング状金属の内側において、円板状ターゲ
ツトの表面に主成分金属の十分スパツタしきれな
いものが堆積物１６となつて蓄積される傾向にあ
る。この堆積物１６の成分は、スパツタガスが
Ar、Ne等の不活性の場合にはターゲツトの主成
分金属であるが、O2、N2等の場合にはそれらの
化合物となる。したがつて、この堆積物が蓄積す
るとターゲツトの表面の組成が変化したり、堆積
物が絶縁性を有する場合には次第にリングの内側
のみがスパツタされにくくなる。
このような現象はいずれも、所望の合金薄膜の
組成を変動させる要因となり、特に製造工程にお
いて長時間連続スパツタをする上で安定な組成を
得ようとする場合に大きな幣害となる。
組成を変動させる要因となり、特に製造工程にお
いて長時間連続スパツタをする上で安定な組成を
得ようとする場合に大きな幣害となる。
この堆積物が蓄積される原因としては、次のよ
うな場合が考えられる。第５図は高周波マグネト
ロンスパツタ装置のターゲツトを示したもので、
入射したスパツタガスイオン１７は、円板状ター
ゲツトの表面粒子を一度スパツタするとエネルギ
ーを消失するが電界１８によつて再びエネルギー
を得ることにより、何度もスパツタを繰り返すこ
とができる。スパツタガスイオン１７の軌道は、
マグネトロンスパツタの場合、電界と磁界の向き
によつて決まるが、第５図では金属リングの外側
から内側に向かつた軌道をとろうとする。したが
つて、スパツタガスイオンが金属リングの外側か
ら内側に向かう途中、金属リングに入射した場合
は電流が金属リングに流れ、それより内側に入る
時には相対的に電位が下がつたのと同様の影響を
もたらす。そのため、金属リングの内側はスパツ
タされにくくなるとともに、一度スパツタされた
としても加速エネルギーが小さいため粒子が戻つ
てきて再付着すると考えられる。このとき反応性
スパツタリングの場合には、一度スパツタされた
粒子が化合物となつて付着するものもあるため、
その化合物が絶縁体の場合には、金属リングの内
側は一層スパツタされにくくなり、組成変動を大
きくすることになる。
うな場合が考えられる。第５図は高周波マグネト
ロンスパツタ装置のターゲツトを示したもので、
入射したスパツタガスイオン１７は、円板状ター
ゲツトの表面粒子を一度スパツタするとエネルギ
ーを消失するが電界１８によつて再びエネルギー
を得ることにより、何度もスパツタを繰り返すこ
とができる。スパツタガスイオン１７の軌道は、
マグネトロンスパツタの場合、電界と磁界の向き
によつて決まるが、第５図では金属リングの外側
から内側に向かつた軌道をとろうとする。したが
つて、スパツタガスイオンが金属リングの外側か
ら内側に向かう途中、金属リングに入射した場合
は電流が金属リングに流れ、それより内側に入る
時には相対的に電位が下がつたのと同様の影響を
もたらす。そのため、金属リングの内側はスパツ
タされにくくなるとともに、一度スパツタされた
としても加速エネルギーが小さいため粒子が戻つ
てきて再付着すると考えられる。このとき反応性
スパツタリングの場合には、一度スパツタされた
粒子が化合物となつて付着するものもあるため、
その化合物が絶縁体の場合には、金属リングの内
側は一層スパツタされにくくなり、組成変動を大
きくすることになる。
このような現象は、マグネツト１９の磁極が逆
の場合でも同様であり、その極性に応じてスパツ
タガスイオンの軌道が逆になるため、再付着する
場所が金属リングの内側と外側が逆になるという
違いがあるのみである。
の場合でも同様であり、その極性に応じてスパツ
タガスイオンの軌道が逆になるため、再付着する
場所が金属リングの内側と外側が逆になるという
違いがあるのみである。
また、ターゲツトの使用効率を上げるため、第
５図のように、偏心したマグネツト１９がターゲ
ツト中心に対して公転する場合でも上述と同様の
ことがいえる。
５図のように、偏心したマグネツト１９がターゲ
ツト中心に対して公転する場合でも上述と同様の
ことがいえる。
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、簡
易な構成で基板上の合金薄膜の膜組成を均一に形
成するとともに、連続スパツタに対しても安定し
た組成が得られるようにするものである。
易な構成で基板上の合金薄膜の膜組成を均一に形
成するとともに、連続スパツタに対しても安定し
た組成が得られるようにするものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決する本発明の技術的な手段
は、薄膜の主たる構成成分からなるターゲツト表
面に載置もしくは埋め込む他の金属リングを多分
割にし、その中心線がターゲツトの中心に対して
同軸となる位置に配置するものである。
は、薄膜の主たる構成成分からなるターゲツト表
面に載置もしくは埋め込む他の金属リングを多分
割にし、その中心線がターゲツトの中心に対して
同軸となる位置に配置するものである。
作 用
この技術的手段による作用は次のようになる。
すなわち、上記の構成においてターゲツト表面
にある金属リングは多分割されているため、スパ
ツタガスイオンが金属リングに入射した時に流れ
る電流は非常に少なくなる。したがつて、金属リ
ングの内側あるいは外側で一様に電位が降下する
こともなく、これによるスパツタ粒子の再付着も
非常に少なくなる。よつて、連続スパツタを行つ
ても組成の安定した合金薄膜を形成することが容
易にできる。
にある金属リングは多分割されているため、スパ
ツタガスイオンが金属リングに入射した時に流れ
る電流は非常に少なくなる。したがつて、金属リ
ングの内側あるいは外側で一様に電位が降下する
こともなく、これによるスパツタ粒子の再付着も
非常に少なくなる。よつて、連続スパツタを行つ
ても組成の安定した合金薄膜を形成することが容
易にできる。
実施例
以下、本発明の一実施例を添付図面にもとづい
て説明する。第１図において、銅またはステンレ
ス製のバツキングプレート１の上にTeの金属タ
ーゲツト本体２がInを主体とする合金材料からな
るボンデイング層３で接着されている。このよう
な金属ターゲツト４の上にはTeとは異なる金属、
例えばPd、In、Sn、Au、Ge等の単体金属がリン
グ状の薄板を16分割した分割片５として載置され
ている。これらの分割片５はすべてを並べ合わせ
るとほぼリング形状となり、ターゲツト中心に対
して同軸になるように配置されている。各分割片
間の間隙は互いに接触しないことが必要であり、
その値としては0.5mm以上であれば特に問題のな
いことが実験的に確かめられた。
て説明する。第１図において、銅またはステンレ
ス製のバツキングプレート１の上にTeの金属タ
ーゲツト本体２がInを主体とする合金材料からな
るボンデイング層３で接着されている。このよう
な金属ターゲツト４の上にはTeとは異なる金属、
例えばPd、In、Sn、Au、Ge等の単体金属がリン
グ状の薄板を16分割した分割片５として載置され
ている。これらの分割片５はすべてを並べ合わせ
るとほぼリング形状となり、ターゲツト中心に対
して同軸になるように配置されている。各分割片
間の間隙は互いに接触しないことが必要であり、
その値としては0.5mm以上であれば特に問題のな
いことが実験的に確かめられた。
上記のようなターゲツト構成であれば、スパツ
タガスイオンが金属の分割片に入射しても流れる
電流はその範囲内に限られ、隣りの分割片にまで
は及ばない。したがつて消失する電流も少なく、
リング形状の内側で電位が相対的に低下すること
もない。このようなターゲツトでは付着粒子もほ
とんどなく、薄膜の組成としても安定したものが
得られた。
タガスイオンが金属の分割片に入射しても流れる
電流はその範囲内に限られ、隣りの分割片にまで
は及ばない。したがつて消失する電流も少なく、
リング形状の内側で電位が相対的に低下すること
もない。このようなターゲツトでは付着粒子もほ
とんどなく、薄膜の組成としても安定したものが
得られた。
なお、以上のような理由から分割片の個数とし
ては多い方がより効果は大きいが、８分割以上で
あれば電位の低下による影響はほとんどなくなる
ことが確かめられた。
ては多い方がより効果は大きいが、８分割以上で
あれば電位の低下による影響はほとんどなくなる
ことが確かめられた。
また分割片の配置としては、全てを合わせたリ
ング形状の中心線が円板ターゲツトの中心に対し
て同軸な位置になることが必要である。これは、
リング形状の最適径がターゲツトと薄膜を形成す
る基板との相対位置関係から、理論的に求められ
こうすることによつて基板上の半径方向の組成が
２〜３％以内のばらつき範囲内におさまるように
できるからである。
ング形状の中心線が円板ターゲツトの中心に対し
て同軸な位置になることが必要である。これは、
リング形状の最適径がターゲツトと薄膜を形成す
る基板との相対位置関係から、理論的に求められ
こうすることによつて基板上の半径方向の組成が
２〜３％以内のばらつき範囲内におさまるように
できるからである。
特に、製造工程において、円板ターゲツト上に
多数枚の基板を配置し、１回のスパツタで量産性
を向上するためには、上記の同軸状の配置が必要
不可欠となる。例えば、ターゲツト面から基板面
までの高さを90mmとし、ターゲツト中心から基板
中心までの偏心距離を90mmとした場合のリング形
状の最適半径は約40mmである。したがつて、この
径を中心としたリングの幅を変えることにより、
所望の薄膜の組成比を微妙に調整することができ
る。薄膜の均一性についても、プラズマの放電領
域を同軸上に位置固定する場合のみならず、ター
ゲツト中心に対して放電領域を回転させる場合に
も最適半径を中心とした一定幅のリング状である
ため、ターゲツト本体と分割片の組成比が安定し
ており特性上特に問題のないものが得られる。
多数枚の基板を配置し、１回のスパツタで量産性
を向上するためには、上記の同軸状の配置が必要
不可欠となる。例えば、ターゲツト面から基板面
までの高さを90mmとし、ターゲツト中心から基板
中心までの偏心距離を90mmとした場合のリング形
状の最適半径は約40mmである。したがつて、この
径を中心としたリングの幅を変えることにより、
所望の薄膜の組成比を微妙に調整することができ
る。薄膜の均一性についても、プラズマの放電領
域を同軸上に位置固定する場合のみならず、ター
ゲツト中心に対して放電領域を回転させる場合に
も最適半径を中心とした一定幅のリング状である
ため、ターゲツト本体と分割片の組成比が安定し
ており特性上特に問題のないものが得られる。
以上のようなターゲツト本体の材質としては、
Teの他にAl、Ag、Au、Bi、Cu、Ge、In、Ni、
Si、Sn、Ti、Zn等の単体金属や、Al2O3、
Bi2O3、CdS、In2O3、ITO、PbO、SiC、Si3N4、
SiO2、SnO2、TiC、TiO2、ZnS、ZnSe等の合
金、化合物あるいは非金属の材料がある。
Teの他にAl、Ag、Au、Bi、Cu、Ge、In、Ni、
Si、Sn、Ti、Zn等の単体金属や、Al2O3、
Bi2O3、CdS、In2O3、ITO、PbO、SiC、Si3N4、
SiO2、SnO2、TiC、TiO2、ZnS、ZnSe等の合
金、化合物あるいは非金属の材料がある。
同様に、ターゲツト表面に載置する金属分割片
の材料としても、Pd、In、Sn、Au、Ge等の他
に、上記のような単体金属、化合物等の材料を用
いてもよい。これらの材料の選択は合金あるいは
化合物薄膜の主成分を構成する材質をターゲツト
本体に選び、それ以外の少量の成分となる材質を
分割片の材料として選ぶようにする。
の材料としても、Pd、In、Sn、Au、Ge等の他
に、上記のような単体金属、化合物等の材料を用
いてもよい。これらの材料の選択は合金あるいは
化合物薄膜の主成分を構成する材質をターゲツト
本体に選び、それ以外の少量の成分となる材質を
分割片の材料として選ぶようにする。
次に本発明の第２の実施例について図面ととも
に説明する。第２図は、第１の実施例と同様な
Teの金属ターゲツトがあり、その上にTeとは異
なる金属、例えば、Sn、Geの２種の単体金属か
らなる各分割片Ａ、Ｂ、８，９が互いに接触する
ことなく、その中心が同軸上に配置されている。
これらの分割片の大きさは薄膜の組成比によつて
決まるものであり、大小様々のものであつてもよ
いが、薄膜の組成を均一にするためには各分割片
を金属の種類に合せて交互に順序よく配列する必
要がある。
に説明する。第２図は、第１の実施例と同様な
Teの金属ターゲツトがあり、その上にTeとは異
なる金属、例えば、Sn、Geの２種の単体金属か
らなる各分割片Ａ、Ｂ、８，９が互いに接触する
ことなく、その中心が同軸上に配置されている。
これらの分割片の大きさは薄膜の組成比によつて
決まるものであり、大小様々のものであつてもよ
いが、薄膜の組成を均一にするためには各分割片
を金属の種類に合せて交互に順序よく配列する必
要がある。
次に本発明の第３の実施例を図面とともに説明
する。第３図は、Teの金属ターゲツトの上に３
種の単体金属Au、Sn、Geの分割片ａ、ｂ、ｃ、
１１，１２，１３をそれぞれ異なるリング状に載
置したもので、各分割片はいずれも円板状ターゲ
ツトの中心に対して同軸上に配置されている。
する。第３図は、Teの金属ターゲツトの上に３
種の単体金属Au、Sn、Geの分割片ａ、ｂ、ｃ、
１１，１２，１３をそれぞれ異なるリング状に載
置したもので、各分割片はいずれも円板状ターゲ
ツトの中心に対して同軸上に配置されている。
これらのリング状の分割片は、基板の半径方向
の組成が均一となる径を中心に、組成比に応じた
幅が選択される。なお各リング状分割片の内側寄
りか外側寄りかの位置としては、単体金属のスパ
ツタ率を考慮して決めるのが好ましい。例えば、
Auのようなスパツタ率の大きいものは、薄膜を
形成する基板から離れた位置、すなわちターゲツ
ト上の内側寄りの位置に載置した方が組成分布は
均一にし易い。
の組成が均一となる径を中心に、組成比に応じた
幅が選択される。なお各リング状分割片の内側寄
りか外側寄りかの位置としては、単体金属のスパ
ツタ率を考慮して決めるのが好ましい。例えば、
Auのようなスパツタ率の大きいものは、薄膜を
形成する基板から離れた位置、すなわちターゲツ
ト上の内側寄りの位置に載置した方が組成分布は
均一にし易い。
この実施例においても、各リング状の分割片は
互いに接触することもなく、細分化されているた
め、電位の低下による組成の変動を発生すること
はない。
互いに接触することもなく、細分化されているた
め、電位の低下による組成の変動を発生すること
はない。
以上の実施例においては、いずれも単体金属を
円板上ターゲツトの上に載置する場合について述
べたが、ターゲツト表面に単体金属を埋め込む場
合でも上述と同様の効果が得られることは言うま
でもない。
円板上ターゲツトの上に載置する場合について述
べたが、ターゲツト表面に単体金属を埋め込む場
合でも上述と同様の効果が得られることは言うま
でもない。
発明の効果
本発明は、ターゲツト本体の上に合金あるいは
化合物薄膜の構成成分の１つであり、一定幅を有
したリング形状の一部を形成する金属の分割片を
ターゲツト中心に対して同軸に配置するもので、
均一な薄膜を形成することができるとともに、長
時間の連続的スパツタに対しても安定な組成を得
ることが可能である。
化合物薄膜の構成成分の１つであり、一定幅を有
したリング形状の一部を形成する金属の分割片を
ターゲツト中心に対して同軸に配置するもので、
均一な薄膜を形成することができるとともに、長
時間の連続的スパツタに対しても安定な組成を得
ることが可能である。
また、本発明によれば、製造工程における長時
間使用に対しても長寿命なスパツタリング用ター
ゲツトを提供し、これによる高品質な薄膜を安定
に作製するためにも大きな効果を有するものであ
る。
間使用に対しても長寿命なスパツタリング用ター
ゲツトを提供し、これによる高品質な薄膜を安定
に作製するためにも大きな効果を有するものであ
る。
第１図は本発明の第１の実施例におけるターゲ
ツト平面図、第２図は本発明の第２の実施例にお
けるターゲツトの平面図、第３図は本発明の第３
の実施例におけるターゲツトの平面図、第４図
ａ，ｂ，ｃは従来例におけるターゲツトの平面図
および断正面図、第５図は従来例において堆積物
が蓄積される原理を示す斜視図である。 １……バツキングプレート、２……ターゲツト
本体、３……ボンデイング層、５……リング状分
割片、８，９……リング状分割片Ａ、Ｂ、１１〜
１３……リング状分割片ａ、ｂ、ｃ。
ツト平面図、第２図は本発明の第２の実施例にお
けるターゲツトの平面図、第３図は本発明の第３
の実施例におけるターゲツトの平面図、第４図
ａ，ｂ，ｃは従来例におけるターゲツトの平面図
および断正面図、第５図は従来例において堆積物
が蓄積される原理を示す斜視図である。 １……バツキングプレート、２……ターゲツト
本体、３……ボンデイング層、５……リング状分
割片、８，９……リング状分割片Ａ、Ｂ、１１〜
１３……リング状分割片ａ、ｂ、ｃ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 金属、合金、化合物のいずれかからなるター
ゲツト本体と、複数個の金属もしくは合金の分割
片を具備し、かつ複数個の分割片の各々が一定の
幅を有するリング形状の一部を形成するとともに
前記分割片を前記ターゲツト本体の中心に対して
同軸の位置になるよう載置もしくは埋め込んだス
パツタリング用ターゲツト。 ２ ２種以上の金属もしくは合金からなる複数個
の分割片の各々を金属の種類に合せて交互に順序
よく配列した特許請求の範囲第１項記載のスパツ
タリング用ターゲツト。 ３ ２種以上の金属もしくは合金からなる複数個
の分割片の各々が多重の異なるリング状に配置さ
れた特許請求の範囲第１項記載のスパツタリング
用ターゲツト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60132278A JPS61291968A (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60132278A JPS61291968A (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61291968A JPS61291968A (ja) | 1986-12-22 |
| JPH0210863B2 true JPH0210863B2 (ja) | 1990-03-09 |
Family
ID=15077541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60132278A Granted JPS61291968A (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61291968A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6464844B1 (en) * | 2000-09-21 | 2002-10-15 | Delphi Technologies, Inc. | Sputtering alloy films using a sintered metal composite target |
| US6402906B1 (en) | 2000-10-19 | 2002-06-11 | Delphi Technologies, Inc. | Sputtering alloy films using a crescent-shaped aperture |
| CN110106487B (zh) * | 2019-05-28 | 2020-07-14 | 上海交通大学 | 一种提高靶材使用率的磁控溅射圆形平面靶枪的磁靶 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59193272A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-11-01 | Daido Steel Co Ltd | スパツタリングにおけるタ−ゲツトおよびスパツタリング方法 |
-
1985
- 1985-06-18 JP JP60132278A patent/JPS61291968A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61291968A (ja) | 1986-12-22 |
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