JPS60194069A - スパツタタ−ゲツト及びスパツタリング方法 - Google Patents
スパツタタ−ゲツト及びスパツタリング方法Info
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- JPS60194069A JPS60194069A JP4911084A JP4911084A JPS60194069A JP S60194069 A JPS60194069 A JP S60194069A JP 4911084 A JP4911084 A JP 4911084A JP 4911084 A JP4911084 A JP 4911084A JP S60194069 A JPS60194069 A JP S60194069A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、試料表面に薄膜を形成するための技術に関す
るもので、特にアノードとカソード間に発生シたイオン
を、スパッタターゲットに衝突せしめ、その衝突のエネ
ルギーにより放出したスバツタターゲットの構成原子や
分子を飛散させて、試料表面に膜を形成するのに利用し
て有効な技術に関するものである。
るもので、特にアノードとカソード間に発生シたイオン
を、スパッタターゲットに衝突せしめ、その衝突のエネ
ルギーにより放出したスバツタターゲットの構成原子や
分子を飛散させて、試料表面に膜を形成するのに利用し
て有効な技術に関するものである。
従来、半導体装置を形成するのに用いられるウェーハ表
面に電極配線材料の膜を形成するために、アノード、カ
ソード間のプラズマ放電によシ励起され発生する例えば
アルゴンイオンを、スパッタターゲット表面に衝突させ
、ターゲットを構成する原子を飛散させて成膜するいわ
ゆるスパッタ法が用いられている（工業調査会１９８２
年版 電子材料別冊参照）。この方法を用いて、Ａｔ合
金やＭｏ（モリブデン）ｔ Ｗ（タングステン）等の高
融点金属の薄膜の形成を行なっていた。
面に電極配線材料の膜を形成するために、アノード、カ
ソード間のプラズマ放電によシ励起され発生する例えば
アルゴンイオンを、スパッタターゲット表面に衝突させ
、ターゲットを構成する原子を飛散させて成膜するいわ
ゆるスパッタ法が用いられている（工業調査会１９８２
年版 電子材料別冊参照）。この方法を用いて、Ａｔ合
金やＭｏ（モリブデン）ｔ Ｗ（タングステン）等の高
融点金属の薄膜の形成を行なっていた。
しかしながら、Ａ４合金は低融点であるため、高温プロ
セスでは使用できず、またＭｏ、Ｗ等は酸化しやすく、
さらに加工性が悪いため近年、高融点金属とシリコンの
合金（シリサイド）をゲート電極として用いようとする
傾向にある。そこで、前述したスパッタ法を用いてウェ
ーハ上面にシリサイド膜を形成するためには、次の２つ
の方法が考えられる。
セスでは使用できず、またＭｏ、Ｗ等は酸化しやすく、
さらに加工性が悪いため近年、高融点金属とシリコンの
合金（シリサイド）をゲート電極として用いようとする
傾向にある。そこで、前述したスパッタ法を用いてウェ
ーハ上面にシリサイド膜を形成するためには、次の２つ
の方法が考えられる。
（１）シリサイド膜を形成するのに必要な金属ごとく、
スパッタターゲットを構成して、そのおのおのをスパッ
タ電極に載置して同時にスパッタする方法。
スパッタターゲットを構成して、そのおのおのをスパッ
タ電極に載置して同時にスパッタする方法。
（２）複数の金属の粉末を一定の比率で混ぜ合わせ、触
媒にて焼結し、それをターゲットとしてスパッタする方
法。
媒にて焼結し、それをターゲットとしてスパッタする方
法。
しかしながら、前者の方法にあっては、おのおのの金属
のスパッタ飛散速度が異なるため、一定の合金比率を得
るためＫは、スパッタ電極への印加電圧や成膜時間を精
密にコントロールする必要があり、技術的かつ作業性は
きわめて困難である。
のスパッタ飛散速度が異なるため、一定の合金比率を得
るためＫは、スパッタ電極への印加電圧や成膜時間を精
密にコントロールする必要があり、技術的かつ作業性は
きわめて困難である。
後者の方法では、複数の金属粉を焼結するために触媒を
用いる必要性があるため、触媒自身が合金に含まれてし
まい、スパッタしたときに触媒をもスパッタして、触媒
を構成する原子がウェーッ・表面に飛着し、薄膜の純度
を低下させてしまう。そこで、第１図に示すようなスパ
ッタターゲットが考えられる。このスパッタターゲット
１は、３つのターゲット材２，３．４から構成されてお
シ、例えばターゲツト材２は最も外側の位置に旧年−材
料で円環状に配設されている。ターゲツト材３はターゲ
ツト材２と同一材料の８ｉで構成されておシ、円板状を
している。ターゲツト材４はターゲット材２，３と異な
る単一材料、例えばＭ。
用いる必要性があるため、触媒自身が合金に含まれてし
まい、スパッタしたときに触媒をもスパッタして、触媒
を構成する原子がウェーッ・表面に飛着し、薄膜の純度
を低下させてしまう。そこで、第１図に示すようなスパ
ッタターゲットが考えられる。このスパッタターゲット
１は、３つのターゲット材２，３．４から構成されてお
シ、例えばターゲツト材２は最も外側の位置に旧年−材
料で円環状に配設されている。ターゲツト材３はターゲ
ツト材２と同一材料の８ｉで構成されておシ、円板状を
している。ターゲツト材４はターゲット材２，３と異な
る単一材料、例えばＭ。
で部材２と部材３の間に円環状に配設されている。
このような同心円状に異なる材料を配置するようなスパ
ッタターゲットを製造するには、ターゲット２の場合ま
ずＳｉ単一材料で構成された円板（８ｉ平板）を用意し
、その円板のＭＯを配設する部分（ターゲツト材４を構
成する部分）を同心円状に切削する。さらに、ＭＯ単一
材料で構成された平板（Ｍｏ平板）を用意し、８ｉ単一
材料で構成されたターゲツト材３を配設する部分を切削
する。そして、切削して加工され九Ｓｉ平板に加工済み
のＭＯ平板を組み込んでスパッタターゲット１を製造す
る。つまシ、このようなターゲットを製造するには、高
価な複数の単一材料を応々に切削加工する必要があるた
め、むだとなる部分が非常に多いことを本発明者は発見
した。
ッタターゲットを製造するには、ターゲット２の場合ま
ずＳｉ単一材料で構成された円板（８ｉ平板）を用意し
、その円板のＭＯを配設する部分（ターゲツト材４を構
成する部分）を同心円状に切削する。さらに、ＭＯ単一
材料で構成された平板（Ｍｏ平板）を用意し、８ｉ単一
材料で構成されたターゲツト材３を配設する部分を切削
する。そして、切削して加工され九Ｓｉ平板に加工済み
のＭＯ平板を組み込んでスパッタターゲット１を製造す
る。つまシ、このようなターゲットを製造するには、高
価な複数の単一材料を応々に切削加工する必要があるた
め、むだとなる部分が非常に多いことを本発明者は発見
した。
本発明の目的は、試料表面上に形成する膜の合金組成比
の制御が容易にするスパッタ技術を提供することである
。
の制御が容易にするスパッタ技術を提供することである
。
本発明の他の目的は、材料にむだが生じないような構成
のスパッタターゲットを提供することである。
のスパッタターゲットを提供することである。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるでお
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるでお
ろう。
〔発明の概要〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりです。
を簡単に説明すれば、下記のとおりです。
すなわち、ターゲツト材を構成する材料のスパッタ飛散
速度に応じて、そのターゲツト材が占める面積比を変え
、かつターゲツト材を放射状に配置することＫよシ、試
料表面上に形成する腰の合金組成比を容易に制御するこ
とができる。
速度に応じて、そのターゲツト材が占める面積比を変え
、かつターゲツト材を放射状に配置することＫよシ、試
料表面上に形成する腰の合金組成比を容易に制御するこ
とができる。
第３図は本発明の一実施例であるスパッタターゲットの
平面図、第４図は、第３図の■−■線断面図である。第
３図におい゛てスパッタターゲラ目０は、２種類のター
ゲツト材１１と１２を交互に配置しておシ、例えばター
ゲツト材１１を８ｉの単一材料から、ターゲツト材１２
をＭＯの単一材料から構成しているとする。以下、ター
ゲツト材１１を８ｉ材１１と、ターゲツト材１２をＭＯ
材１２とすると、Ｓｉ材１１とＭＯ材１２の占める面積
比θＩ ：０２は次のように決定する。例えば、ウェー
ハ等の試料に形成する膜のＳｉとＭＯの合金比率を５：
３で成膜したい場合を考えてみると、８ｉとＭＯのスパ
ッタ飛散速度（ｉ形成速度）は、スパッタ源として人ｒ
（アルゴンイオン）ヲ用いて、例えば６００Ｖの電圧
を印加した時に、５：９である（ＨＡＮＤＢＯＯＫ Ｏ
Ｆ ＴＨＩＮ ＦＩＬＭＴＢＣＨＮＯＬＯＧＹ、１９７
０参照）。
平面図、第４図は、第３図の■−■線断面図である。第
３図におい゛てスパッタターゲラ目０は、２種類のター
ゲツト材１１と１２を交互に配置しておシ、例えばター
ゲツト材１１を８ｉの単一材料から、ターゲツト材１２
をＭＯの単一材料から構成しているとする。以下、ター
ゲツト材１１を８ｉ材１１と、ターゲツト材１２をＭＯ
材１２とすると、Ｓｉ材１１とＭＯ材１２の占める面積
比θＩ ：０２は次のように決定する。例えば、ウェー
ハ等の試料に形成する膜のＳｉとＭＯの合金比率を５：
３で成膜したい場合を考えてみると、８ｉとＭＯのスパ
ッタ飛散速度（ｉ形成速度）は、スパッタ源として人ｒ
（アルゴンイオン）ヲ用いて、例えば６００Ｖの電圧
を印加した時に、５：９である（ＨＡＮＤＢＯＯＫ Ｏ
Ｆ ＴＨＩＮ ＦＩＬＭＴＢＣＨＮＯＬＯＧＹ、１９７
０参照）。
よって、合金比は、スパッタ飛散速度と面積比の積に比
例するので、θＩ 二〇、＝３：１とすればウェー八表
面に形成される膜のＳｉとＭｏの合金比を５：３に設定
することができる。本実施例においては、Ｓｉ材（θ、
＝ ６７．５°）とＭｏ材（θ、 ＝ ２２．５°）
を各４片ずつ交互に組み合せて８ｉとＭｏのターゲット
占有面積を３：１に形成している。なお、θ８．θ！を
出来るだけ小さくした方が成膜むらをなくすのく良い。
例するので、θＩ 二〇、＝３：１とすればウェー八表
面に形成される膜のＳｉとＭｏの合金比を５：３に設定
することができる。本実施例においては、Ｓｉ材（θ、
＝ ６７．５°）とＭｏ材（θ、 ＝ ２２．５°）
を各４片ずつ交互に組み合せて８ｉとＭｏのターゲット
占有面積を３：１に形成している。なお、θ８．θ！を
出来るだけ小さくした方が成膜むらをなくすのく良い。
次に、本実施例におけるスパッタターゲットの製造方法
（試料表面上に８４とＭＯの合金比が５：３である膜を
形成する場合）の−例を述べる。
（試料表面上に８４とＭＯの合金比が５：３である膜を
形成する場合）の−例を述べる。
まず、半径孔のＳｉ及びＭＯの単一材料からなる円板を
用意し、Ｓｉで構成された円板についてはθ＋＝６７．
５°で、Ｍｏで構成された円板についてはθ、＝２２．
５°で切断する。これらのターゲツト材を交互に組み合
せて円板型のスパッタターゲラ）１０を形成する。ター
ゲツト材の固定は、第４図に示すように例えばバッキン
グプレート１３上に敷設したインジウム等のメタル１４
を使用してボンディングして行なり７１、第５囚に示す
ようにねじ９等を用いて機械的に固定する。なお、残っ
たＳｉ材やＭｏ材は、他のスパッタターゲットを形成す
るときに用いることができるので、スパッタターゲット
を製造するときに無駄になる材料はほとんどなく、有効
に利用することができる。
用意し、Ｓｉで構成された円板についてはθ＋＝６７．
５°で、Ｍｏで構成された円板についてはθ、＝２２．
５°で切断する。これらのターゲツト材を交互に組み合
せて円板型のスパッタターゲラ）１０を形成する。ター
ゲツト材の固定は、第４図に示すように例えばバッキン
グプレート１３上に敷設したインジウム等のメタル１４
を使用してボンディングして行なり７１、第５囚に示す
ようにねじ９等を用いて機械的に固定する。なお、残っ
たＳｉ材やＭｏ材は、他のスパッタターゲットを形成す
るときに用いることができるので、スパッタターゲット
を製造するときに無駄になる材料はほとんどなく、有効
に利用することができる。
第６図は本発明の一実施例であるスパッタ装置である。
真空室１５は、真空ポンプ（図示せず）によシ排気管１
６を介して真空排気されており、その状態で少量のガス
（例えばＡｒガス）がガス導入管１７より注入され、圧
力を約１０””” ｔｏｒｒ台に維持されている。スパ
ッタ電極１８に内蔵された電磁石１９又は永久磁石で磁
力を発生させ、スパッタターゲット１０上に磁束を発生
させる。この状態で電極１８すなわちターゲットｌＯと
アノード２１間で電圧を加えると、磁束の内側にプラズ
マリン°グ２２が発生する。このプラズマリング２２内
のプラズマはガスのイオン化される状態であり、正イオ
ン、本実施例ではＡｒがスパッタターゲット１０に電気
的に引きつけられ、その衝突エネルギーにてスパッタタ
ーゲット１０から、そのスパッタターゲット１０を構成
する原子が飛散し、試料でるるウェーハ２３に成膜する
。ところで、このスパッタターゲットｌＯは複数種のタ
ーゲツト材が放射状に分割して配列しているので固定部
材例えば固定リング２４がスパッタターゲラ）１０の周
囲に配設されている。この固定部材２４はアーム２５に
連結している図示しない駆動体によシ、中心方向又はそ
の逆方向にスライドし、スパッタターゲラ）１０の大き
さに達した時に停止して、スパッタターゲラ）１０の上
面を抑圧できるように構成されている。このため、スパ
ッタターゲラ）１０は、パツキン夛プレート１３に敷設
したメタル１４によシ下面を固定され、固定リング２４
により上面を固定され、ターゲットを構成するターゲツ
ト材がずれるようなことは生じない。それゆえ、スパッ
タターゲットをスパッタ装置の上部に配置する場合であ
っても適用できうる。
６を介して真空排気されており、その状態で少量のガス
（例えばＡｒガス）がガス導入管１７より注入され、圧
力を約１０””” ｔｏｒｒ台に維持されている。スパ
ッタ電極１８に内蔵された電磁石１９又は永久磁石で磁
力を発生させ、スパッタターゲット１０上に磁束を発生
させる。この状態で電極１８すなわちターゲットｌＯと
アノード２１間で電圧を加えると、磁束の内側にプラズ
マリン°グ２２が発生する。このプラズマリング２２内
のプラズマはガスのイオン化される状態であり、正イオ
ン、本実施例ではＡｒがスパッタターゲット１０に電気
的に引きつけられ、その衝突エネルギーにてスパッタタ
ーゲット１０から、そのスパッタターゲット１０を構成
する原子が飛散し、試料でるるウェーハ２３に成膜する
。ところで、このスパッタターゲットｌＯは複数種のタ
ーゲツト材が放射状に分割して配列しているので固定部
材例えば固定リング２４がスパッタターゲラ）１０の周
囲に配設されている。この固定部材２４はアーム２５に
連結している図示しない駆動体によシ、中心方向又はそ
の逆方向にスライドし、スパッタターゲラ）１０の大き
さに達した時に停止して、スパッタターゲラ）１０の上
面を抑圧できるように構成されている。このため、スパ
ッタターゲラ）１０は、パツキン夛プレート１３に敷設
したメタル１４によシ下面を固定され、固定リング２４
により上面を固定され、ターゲットを構成するターゲツ
ト材がずれるようなことは生じない。それゆえ、スパッ
タターゲットをスパッタ装置の上部に配置する場合であ
っても適用できうる。
次に、マグネトロンスパッタ装置に本発明を適用した場
合、プラズマ形状の違いによるスパッタターゲットの構
造を第８図から第１０ＦｇＪを用いて説明する。なお、
スパッタターゲットは２ｇｉ類のターゲツト材Ａ及びＢ
から構成されているとする。
合、プラズマ形状の違いによるスパッタターゲットの構
造を第８図から第１０ＦｇＪを用いて説明する。なお、
スパッタターゲットは２ｇｉ類のターゲツト材Ａ及びＢ
から構成されているとする。
第８図は、プラズマリング２６が円形に発生する場合の
スパッタターゲット２７を示しておシ、ターゲット討入
及びＢを、プラズマリング２６の円弧の法線に直交する
方向に配列する。
スパッタターゲット２７を示しておシ、ターゲット討入
及びＢを、プラズマリング２６の円弧の法線に直交する
方向に配列する。
第９図は、プラズマリング２８がだ円形に発生する場合
のスパッタターゲット２９を示しておシ、ターゲツト材
Ａ及びＢを、プラズマリング２８が円弧の部分について
はその法線に直交する方向に、直線部分についてはその
直線部分と直交するように配列している。
のスパッタターゲット２９を示しておシ、ターゲツト材
Ａ及びＢを、プラズマリング２８が円弧の部分について
はその法線に直交する方向に、直線部分についてはその
直線部分と直交するように配列している。
第１０図は、プラズマリング３０の内側にスパッタター
ゲット３１を載置する場合を示しており、ターゲツト材
Ａ及びＢは、プラズマリング３００法線に対して直交す
る方向に配置している。
ゲット３１を載置する場合を示しており、ターゲツト材
Ａ及びＢは、プラズマリング３００法線に対して直交す
る方向に配置している。
（１） 異なるスパッタ材料からなる平板を複数枚用意
し、前記平板をおのおの分割し、その分割したターゲツ
ト材の一部を放射状に組み合わせて一枚のスパッタター
ゲットを構成することにより、簡単にスパッタターゲッ
トが得られ、しかも前記スパッタターゲットの製造時に
残ったターゲツト材を、他のスパッタターゲットの製造
時に用いることができるので、高価なスパッタ材料を無
駄にすることを防止できる。
し、前記平板をおのおの分割し、その分割したターゲツ
ト材の一部を放射状に組み合わせて一枚のスパッタター
ゲットを構成することにより、簡単にスパッタターゲッ
トが得られ、しかも前記スパッタターゲットの製造時に
残ったターゲツト材を、他のスパッタターゲットの製造
時に用いることができるので、高価なスパッタ材料を無
駄にすることを防止できる。
（２）異なるスパッタ材料からなる平板を分割して、タ
ーゲツト材を形成し、そのターゲツト材の一部を放射状
に組み立て、かつ異なるスパッタ材料がおのおの占める
面積比を、スパッタ飛散速度または成膜する合金比に応
じて設定することによシ、試料表面上に所望の合金比に
膜を形成することができる。
ーゲツト材を形成し、そのターゲツト材の一部を放射状
に組み立て、かつ異なるスパッタ材料がおのおの占める
面積比を、スパッタ飛散速度または成膜する合金比に応
じて設定することによシ、試料表面上に所望の合金比に
膜を形成することができる。
（３）マグネトロンスパッタで発生するプラダ１リング
の形状によシ、スパッタ材料の異なる複数枚の一平板を
分割して形成したターゲツト材の組み合せる方向を設定
することにより、プラズマリングが大小に変動しても各
ターゲツト材が占める面積比が一足であるようにするこ
とによル、試料表面上に形成する換を安定した合金比に
て形成することができる。
の形状によシ、スパッタ材料の異なる複数枚の一平板を
分割して形成したターゲツト材の組み合せる方向を設定
することにより、プラズマリングが大小に変動しても各
ターゲツト材が占める面積比が一足であるようにするこ
とによル、試料表面上に形成する換を安定した合金比に
て形成することができる。
以上、本発明者によってなされ九発明を実施例にもとづ
き具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。たとえば、本実施例
ではマグネトロンスパッタ装置を用いた場合について述
べたが、その他のスパッタ装置例えば、コンベンショナ
ルダイオードスパッタ装置等にも適用できる。また、ス
パッタターゲットは、メタルボンディング、あるいは機
械的のみで固定されるようにしてもよい。
き具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。たとえば、本実施例
ではマグネトロンスパッタ装置を用いた場合について述
べたが、その他のスパッタ装置例えば、コンベンショナ
ルダイオードスパッタ装置等にも適用できる。また、ス
パッタターゲットは、メタルボンディング、あるいは機
械的のみで固定されるようにしてもよい。
また、本例ではＭＯとＳｉのターゲツト材を交互に配列
して形成しているが、不規則に配列してもよい。
して形成しているが、不規則に配列してもよい。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置を形成す
るためのスパッタ技術に適用した場合について説明した
が、それに限定されるものではなく、たとえば、磁気テ
ープやその他の物品に薄膜を形成する場合に用いること
ができる。
をその背景となった利用分野である半導体装置を形成す
るためのスパッタ技術に適用した場合について説明した
が、それに限定されるものではなく、たとえば、磁気テ
ープやその他の物品に薄膜を形成する場合に用いること
ができる。
第１図は、考えられるスパッタターゲットの平面図、
第２図は、第１図■−■線の断面図、
第３図は、本発明の一実施例であるスパッタターゲット
の平面図、 第４図は、スパッタターゲットをメタルボンディングに
て固定した場合についての説明図、第５図は、スパッタ
ターゲットを機械的に接合した場合について、第３図■
−ｖ線断面図、第６図は、本発明の一実施例であるスパ
ッタ装置、 第７図は、スパッタターゲットの固定部材の概略図、 第８図は、円形のプラズマリングが発生する場合に適用
できるスパッタターゲットを説明するための図、 第９図は、だ円状のプラズマリングが発生する場合に適
用できるスパッタターゲットを説明するための図、 第１Ｏ図は、円筒状のスパッタターゲットを説明するた
めの図でおる。 １．１０．２７，２９．３１・・・スパッタターゲット
、２，３．１１・・・８１材からなるターゲツト材、４
．１２・・・ＭＯ材からなるターゲツト材、９・・・ね
じ、１３・・・バッキングプレート、１４・・・メタル
（メタルボンディング）、１５・・・真空室、１６・・
・排気管、１７・・・ガス導入管、１Ｂ・・・スパッタ
電極、１９・・・電磁石、２１・・・アノード、２２．
２６，２，８゜３０・・・プラズマリング、２３・・・
ウェーハ、２４・・・固定部材、２５・・・アーム。 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図 １ 第 ４ 図 ／ｊ 第 ５ 図 第 ６ 図 第 ７ 図 第 ８ 図 Ａ 第 ９ 図 第１０図
の平面図、 第４図は、スパッタターゲットをメタルボンディングに
て固定した場合についての説明図、第５図は、スパッタ
ターゲットを機械的に接合した場合について、第３図■
−ｖ線断面図、第６図は、本発明の一実施例であるスパ
ッタ装置、 第７図は、スパッタターゲットの固定部材の概略図、 第８図は、円形のプラズマリングが発生する場合に適用
できるスパッタターゲットを説明するための図、 第９図は、だ円状のプラズマリングが発生する場合に適
用できるスパッタターゲットを説明するための図、 第１Ｏ図は、円筒状のスパッタターゲットを説明するた
めの図でおる。 １．１０．２７，２９．３１・・・スパッタターゲット
、２，３．１１・・・８１材からなるターゲツト材、４
．１２・・・ＭＯ材からなるターゲツト材、９・・・ね
じ、１３・・・バッキングプレート、１４・・・メタル
（メタルボンディング）、１５・・・真空室、１６・・
・排気管、１７・・・ガス導入管、１Ｂ・・・スパッタ
電極、１９・・・電磁石、２１・・・アノード、２２．
２６，２，８゜３０・・・プラズマリング、２３・・・
ウェーハ、２４・・・固定部材、２５・・・アーム。 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図 １ 第 ４ 図 ／ｊ 第 ５ 図 第 ６ 図 第 ７ 図 第 ８ 図 Ａ 第 ９ 図 第１０図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、異なるスパッタ材料からなるターゲツト材を放射状
に複数個配列したスパッタターゲットであって、前記ス
パッタ材料がそれぞれ占める面積の比を、それぞれのス
パッタ材料のスパッタ飛散速度または成膜する合金比に
応じていることを特徴とするスパッタターゲット。 ２、異なるスパッタ材料からなるターゲツト材を放射状
に複数個配列して円形に構成したスパッタターゲットで
あって、プラズマが発生する領域に対応する各ターゲツ
ト材が、前記領域の法線方向に対して直角方向に配置さ
れ、そのスパッタ材料がそれぞれ占める面積の比を、そ
れぞれのスパッタ材料のスパッタ飛散速度または成膜す
る合金比に応じていることを特徴とする特許請求の範囲
第１ 項記載のスパッタターゲット。 ３、異なるスパッタ材料からなるターゲツト材を放射状
に複数個配列して円筒形に構成したスパッタターゲット
であって、プラズマが発生する領域に対応する各ターゲ
ツト材が、前記領域の法線に対して直角方向に配置され
、そのスパッタ材料がそれぞれ占める面積の比を、それ
ぞれのスパッタ材料のスパッタ飛散速度または成膜する
合金比に応じていることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のスパッタターゲット。 ４、異なるスパッタ材料からなるターゲツト材を放射状
に複数個配列し、前記スパッタ材料がそれぞれ占める面
積の比を、それぞれのスパッタ材料のスパッタ飛散速度
または成膜する合金比に応じてなるスパッタターゲット
をスパッタリングして、試料表面上に薄膜を形成するス
パッタリング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4911084A JPS60194069A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | スパツタタ−ゲツト及びスパツタリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4911084A JPS60194069A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | スパツタタ−ゲツト及びスパツタリング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60194069A true JPS60194069A (ja) | 1985-10-02 |
Family
ID=12821928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4911084A Pending JPS60194069A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | スパツタタ−ゲツト及びスパツタリング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60194069A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0347963A (ja) * | 1989-03-01 | 1991-02-28 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲットおよび金属膜の形成方法 |
| US5190630A (en) * | 1989-03-01 | 1993-03-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sputtering target |
| CN105817627A (zh) * | 2016-03-28 | 2016-08-03 | 航天材料及工艺研究所 | 一种整体成形大长径比钨管靶材的制备方法 |
| CN111349898A (zh) * | 2020-05-19 | 2020-06-30 | 河南大学 | 一种应用于多脉冲激光共沉积的靶材 |
| CN111349897A (zh) * | 2020-05-19 | 2020-06-30 | 河南大学 | 一种套装靶材的制备方法 |
-
1984
- 1984-03-16 JP JP4911084A patent/JPS60194069A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0347963A (ja) * | 1989-03-01 | 1991-02-28 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲットおよび金属膜の形成方法 |
| US5190630A (en) * | 1989-03-01 | 1993-03-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sputtering target |
| CN105817627A (zh) * | 2016-03-28 | 2016-08-03 | 航天材料及工艺研究所 | 一种整体成形大长径比钨管靶材的制备方法 |
| CN111349898A (zh) * | 2020-05-19 | 2020-06-30 | 河南大学 | 一种应用于多脉冲激光共沉积的靶材 |
| CN111349897A (zh) * | 2020-05-19 | 2020-06-30 | 河南大学 | 一种套装靶材的制备方法 |
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