JPH0210876A - 光送信器を集積回路の光検出器と光結合するための装置 - Google Patents

光送信器を集積回路の光検出器と光結合するための装置

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JPH0210876A
JPH0210876A JP1080204A JP8020489A JPH0210876A JP H0210876 A JPH0210876 A JP H0210876A JP 1080204 A JP1080204 A JP 1080204A JP 8020489 A JP8020489 A JP 8020489A JP H0210876 A JPH0210876 A JP H0210876A
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waveguide structure
light
wst
optical
waveguide
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JP1080204A
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English (en)
Inventor
Holger Karstensen
ホルガー、カルステンゼン
Ekkehard Klement
エケハルト、クレメント
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Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
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Publication date
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    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/43—Arrangements comprising a plurality of opto-electronic elements and associated optical interconnections
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/80—Optical aspects relating to the use of optical transmission for specific applications, not provided for in groups H04B10/03 - H04B10/70, e.g. optical power feeding or optical transmission through water
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
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    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
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  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、一つ又は複数の光送信器を一つ又は複数の
集積回路の一つ又は複数の光検出器と光結合するための
装置に関する。
［従来の技術１ アプライド　オプテ４−／クス（Ａｐｐｌ、　０ｐｔｉ
ｃｓ）。
第２６巻、第２０号、１９８７年１０月１５日。
第４３７７〜４３８４ページから、共通な集積回路に従
属する複数の光送信器をこの集積回路の複数の光検出器
と光結合するための装置が知られており、この装置では
光送信器から送り出された光を複数の光検出器へ導くた
めの光学装置が、送信器及び集積回路の上方に配置され
たホログラムから成り、光送信器から送り出された光が
このホログラムへ送り込まれ、ホログラムはこの送り込
まれた光を集積回路上の所定の光検出器へ分配する。検
出器、ホログラム及び集積回路相互の固定についての詳
細はこの論文には記載されていない。
アプライド　オブテ４−／クス（Ａｐｐｌ、　０ｐｔｉ
ｃｓ）、第２６巻、第１７号、１９８７年９月１日、第
３６４９〜３６５４ページから、複数の光送信器を複数
の光検出器と光結合するための装置が知られており、こ
の装置では光送信器が一つの基板上に配置され透明な層
状の７ライメント用型板により覆われている。この型板
とシリコンから成る層との間には、光送信器から送り出
された光を一つ又は複数の光検出器へ導くための光学装
置としてフレネル位相板レンズが配置され、光送信器か
ら送り出され型板とシリコンから成る層とを透過した光
がこのレンズにより、シリコンから成る層のレンズ及び
送信器と反対側の面上に配置された光検出器へ導かれて
いる。
［発明が解決しようとする課題］ この発明は、できるだけ少ない構造上の費用と高い精度
とにより５種々の集積回路特に計算機チップの外部の光
結合ばかりでなく個々の集積回路での内部の光結合更に
かかる外部及び内部の光結合を組み合わせて製作できる
ような、頭記の種類の光結合装置を提供することを目的
とする。
［課題を解決するための手段］ この目的はこの発明に基づき集積回路、光送信器及び光
検出器がモジュールの形で一つの基板上に固定され、こ
の基板上に間隔保持体が載せられ、間隔保持体がカバー
体により覆われ、間隔保持体及び／又はカバー体に、光
送信器から送り出された光を一つ又は複数の光検出器へ
導くための光学装置が取り付けられることにより達成さ
れる。
［発明の効果］ この解決策により主として三種類だけの構成要素を用い
て、集積された半導体チップの中又は間の内部及び外部
の光結合装置が簡単な方法でかつ高い精度で製作するこ
とができ、しかも外部及び内部の光結合装置を組み合わ
せて製作できるという特別な長所が得られる。
［実施態様］ 達成可能な精度を長期間維持するために、この発明に基
づく装置を請求項２に記載のように構成することが合目
的であり、その際請求項３に記載のシリコンが特に有利
である。なぜならばこの材料は異方性エツチングを施す
ことができ、それによりこの発明の特定の実施ｊＥ様の
場合に必要な傾いた側面の簡単な加工が可能となるから
である。
従来の露光方法により容易にかつ高い精度で製作可能で
あり更にあまねく使用可能であるこの発明に基づく装置
の間隔保持体の特に合目的な構成は請求項４に記載され
ている。
種々の光回路例えば計算機チップの間のデータ交換を可
能にするように、これらの回路又はチップの間の外部の
光結合を形成するために、請求項５に記載の実施態様が
有利である。
請求項５に記載の導波路構造体は請求項６に基づき、望
ましくは請求項７に記載のようにガラスから成る一つ又
は複数の帯状導波路から成るのが有利である。なぜなら
ば導波路構造体は従来の露光プロセスを用いて、同様に
容易に加工可能なガラス層から非常に容易にエツチング
加工できるからである。
光送信器及び光検出器の導波路構造体への結合は種々の
方法で行うことができ、その際有利な可能性が請求項８
ないし１６に記載されている。
請求項９及び１４に記載の実施態様では空所がカバー体
の中に必要である。しかし窓状の開口とすることができ
るカバー体の中のかかる空所は、基板上に固定されたす
べてのモジュールが間隔保持体より低く従ってカバー体
の中の空所が必要でないような、他の実施態様の場合に
も設けることができる。
請求項１７は具体的に外部の光結合を形成するための新
しい装置を志向し、この装置は請求項１８に記載のよう
に形成されるのが有利である。
請求項１８に記載の装置では、外部の光結合と並んで内
部の光結合を容易に同時に実現することもできる。
かかる内部の光結合装置はこの発明に基づく装置では請
求項１９に記載のように構成されるのが合目的である。
かかる装置の有利な実施態様は請求項２０．２１に記載
されている。
集積回路の間又は中の外部及び内部の結合を同時に製作
しようとするときには、請求項１９ないし２１に記載の
装置は特に請求項１８に記載の装置のために特に適して
いる。
外部及び内部の光結合が実現されている又は実現可能で
ある有利な装置は請求項２２に記載されている。
［実施例］ 次にこの発明に基づく光結合装置の複数の実施例を示す
図面によりこの発明の詳細な説明する。
図面において同じ又は相互に対応する部分は同じ符号が
付けられている。
第１図に示す実施例では基板Ｓｕ、間隔保持体Ａｈ及び
カバー体ＤＫはそれぞれ一つのシリコン層から成り、こ
れらの層の厚さは例えば３００　ｐｍないし１１０００
ＩＬである。基板Ｓｕ上には間隔保持体Ａｈの両側に集
積回路ＩＣを備えた各−つのシリコンチップが配置され
、その際左側には左側に配置された集積回路ＩＣに従属
する光送信器Ｏ３が図の紙面に直角に延びるレーザダイ
オードアレーの形で基板Ｓｕ上に配置され、右側には右
側に配置された集積回路ＩＣに従属する光検出器ｏＤが
図の紙面に直角に延びる光検出部アレーの形で基板Ｓｕ
上に配置されている。従属する集積回路ＩＣに電気的に
結合された光送信器ａＳはこの集積回路により制御され
、−力先検出器ｏＤはこれに従属する集積回路ＩＣに電
気的に結合されこの集積回路を制御する。第１図では第
２図、第４図及び第５図のように、光送信器Ｏ８と光検
出器ｏｎとは半導体チップから分離されたモジュールで
ある。しかし第３図の検出器ｏＤの場合のように、これ
らの送信器と検出器とを一緒にチップ上に集積すること
もできる。
間隔保持体Ａｈは領域Ｂｅが空所とされている層とする
のが合目的であり、この領域の中でモジュールが基板Ｓ
ｕ上に例えば接着により固定されている。この領域Ｂｅ
はエツチングにより容易に加工できる。
間隔保持体Ａｈはカバー体ＤＫにより覆われている。カ
バー体ＯＫと間隔保持体Ａｈとの間には光学装置ｏＥと
して導波路構造体−ｓｔが配置され、この導波路構造体
は例えばガラス製の平行な帯状導波路から成ることがで
き、それぞれの導波路が光送信器Ｏ８のレーザダイオー
ドから光検出器ｏｎの従属する光検出部へ通じている。
この導波路構造体Ｗｓｔは、間隔保持体Ａｈ又はカバー
体ＩＩＫ上に例えば８ｇｍないし５０ｇｍのガラス層が
被覆され、この層から従来の露光プロセスにより所望の
導波路構造体１ｓｔがエツチングされることにより容易
に加工できる。ガラス層の被覆は例えば公知のＣＶＤ法
を用いて行うことができる。従って導波路構造体Ｗｓｔ
の加工は容易でかつ問題がない。
光を導波路構造体Ｗｓｔの中へ入射すること又は光を導
波路構造体１ｓｔから出射することは種々の方法で行う
ことができる。第１図に示す実施例では光送信器Ｏ５が
その光を帯状導波路構造体Ｗｓｔの平面の中へ放射する
。この送信器Ｏ８の発光領域ｅＢは帯状導波路構造体１
ｓｔの導波路の端面Ｓｔｆに向かい合い、送信器ａＳか
ら送り出された光がこの端面を通って導波路構造体−ｓ
ｔの中へ入射される。
光送信器Ｏ５の発光領域ｅＢを導波路構造体Ｗｄの高さ
にもってくるために、適当に寸法を選ばれ送信器ｏＳを
上面に取り付けられた台Ｓ層を用いることができる０発
光領域ｅＢの上方に置かれた例えば接触及び電気的結合
用の光送信器ａＳの部品Ｔのための場所を提供するため
に、光送信器の範囲にはこの部品Ｔが突出する空所Ａｓ
ｐが設けられている。この空所Ａｓｐは例えば窓の形で
カバー体ＤＫの中に形成することができ、エツチング例
えばシリコンの異方性エツチングにより加工できる。か
かる空所Ａｓｐはカバー体ＯＫの他の場所にも、例えば
集積回路を備えたモジュールが基板Ｓｕ上に固定されて
いるすべての場所に設けることもできる。
光検出器ｏＤの結合は第１図に示す実施例の場合には偏
向要素Ｕｅ３を介して行われ、この偏向要素は導波路構
造体Ｗｓｔの導波路の端面Ｓｔｆを通って出射される光
をカバー体ＤＫに向かう側の検出器窓Ｄｆへ偏向する。
この偏向要素Ｕｅ３は例えば短い導波路小片Ｗａの斜め
の端面から成ることができ、この導波路小片は導波路構
造体１ｓｔからの光が斜めの端面に当たるようにカバー
体ＯＫの下面に固定されている。
検出器窓Ｄｆが導波路構造体Ｗｓｔの導波路の端面Ｓｔ
ｆに向かい合い、この端面を通って出射される光が直接
検出器窓Ｄｒに送り込まれるように、光検出器ｏｎを配
置することもできる。もしそうであれば第１図に示す実
施例で検出器側に設けられた空所Ａｓｐは絶対に必要で
ある。
入射及び出射のために光偏向が用いられるとき、間隔保
持体Ａｈの厚さは基板上に例えば接着により固定された
モジュールの最大高さより大きくすることができる。カ
バー体［ＩＫの中の空所はこの場合には必要でない。
第２図はかかる実施例を示し、この実施例では入射及び
出射は偏向により行われる。第２図に示す実施例は、光
学装置ｏＥとしての導波路構造体１ｉｓｔの中への光の
入射が偏向により行われることと、カバー体ＤＫの中に
空所が設けられていないこととだけが、第１図に示す実
施例と異なっている。
光送信器ａＳから導波路構造体Ｗｓｔの面に平行に発散
して放射される光は、集光レンズＬ１及び二つの偏向要
素Ｕｅｌ　、　Ｕｅ２により導波路構造体Ｗｓｔの導波
路の端面Ｓｔｆ上に集中される。基板Ｓｕ上に固定され
図示されていない台上に取り付けることができるレンズ
Ｌｉは、レーザダイオードアレーの場合には長手方向を
図の紙面に直角に配置され円形の断面を備えたガラス棒
とすることができる。
第１の偏向要素ＩＪｅｌは間隔保持体Ａｈの斜めの側面
から成るのが合目的であり、この側面は光を他の偏向要
素口ｅ２に向かう方向へ偏向する。斜めの側面は間隔保
持体Ａｈを形成するシリコン層の異方性エツチングによ
り加工できる。他の偏向要素Ｕｅ２は短い導波路小片Ｗ
ａの斜めの端面により形成され、この導波路小片は、斜
めの端面Ｕｅ２が送り込まれた光を導波路構造体１ｓｔ
の導波路の端面Ｓｔｆ上に偏向するように、カバー体口
にの下面に固定されている。
第３図に示す実施例では間隔保持体Ａｈは二つのシリコ
ン層Ｓｃｈ１、Ｓｃｈ２から成るゆ下側のシリコン層Ｓ
ｃｈ　ｌは偏向要素υｅとして働く斜めの側面を有し、
この側面は異方性エツチングにより加工できる。
光送信器ａＳ例えばレーザダイオードから偏向要素Ｕｅ
の方向へ送り出された光は、この偏向要素Ｕｅによりカ
バー体ＤＫの下面に設けられるか又は形成された光分配
装置Ｍｏｌへ偏向され、この光分配装置は光学装置ｏＥ
として集積回路ＩＣを備えた半導体チップ−Ｆに例えば
光検出部の形で集積された光検出器ＯＤにこの送り込ま
れた光を分配する。光分配装ｇｌＨｏｌは例えばホログ
ラムとすることができる。
第３図に示す実施例は、第１図及び第２図に示す実施例
と両立できるという長所を有する。
第４図及び第５図は、第１図及び第２図に示す光結合装
置ばかりでなく第３図に示す光結合装置も同一の基板Ｓ
３１に実現されている実施例を示す、基板Ｓｕはシリコ
ンウェー八から成り、このシリコンウェーハトには間隔
保持体Ａｈの第１の層Ｓｃｈ　１が固定されており、こ
の層の中で方形の領域Ｂｅが空所とされている。各方形
の領域Ｂｅの中に集積回路ＩＣを備えた半導体チー２ブ
と光送信器ａＳとが配置されている。この層Ｓｃｈ　ｌ
上には光学装置ｏＥとして帯状導波路構造体−ｓｔも形
成され、その導波路はクロックパルス発生器ＴＧの光送
信器ｏＳから送り出された光を種々の集積回路ＩＣの光
検出器ｏＤに導く。
第５図には導波路構造体Ｗｓｔを備えた層Ｓｃｈ　１の
モ面図が示されている。第１の層Ｓｃｈ　１の空所とさ
れた領域Ｂｅの側面が傾斜しているので、これらの側面
は偏向要素Ｕｅを形成することができる。
導波路構造体Ｗｓｔ　ｆには間隔保持体Ａｈの第２の層
５ｃｂ２が載せられ、この層は第１の層Ｓｃｈ　１の空
所とされた領域日ｅと重なる空所とされた領域Ｂｅを有
する。第２の層５ｃｈ２上にはカバー体ＤＫがかぶせら
れている９間隔保持体Ａｈの空所とされた各領域Ｂｅの
中にはカバー体ＤＫの下面上に光学装置１ｏＥとして光
分配要素）１ｏ１が設けられているので、各領域の中で
第３図に示す光結合装置が実現されている。
空所とされた領域Ｂｅは高い精度でエツチング又はシリ
コンウェー・への異方性エツチングにより加工できる。
すべての層に対して同一の材料が用いられているので熱
応力は生じない。
基板Ｓｕ、間隔保持体Ａｈ及びカバー体ＤＫ相互の固定
は、例えば相互接着又はねじ締めにより行うことができ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図はそれぞれこの発明に基づく外部の光
結合装置の異なる実施例の断面図、第３図は内部の光結
合装置の一実施例の断面図、第４図は内部及び外部の光
結合装置の一実施例の断面図、第５図は第４図に示す装
置のカバー体と一つの間隔保持体とを取り外した平面図
である。 Ａｈ・・・間隔保持体 Ａｓｐ・・・空所 Ｂｅ・・・領域 Ｄｒ・・・検出器窓 ［）Ｋ・・・カバー体 ｅＢ・・・発光領域 Ｈｏｌ・・・光分配装置 ＩＣ・・・集積回路 Ｌｉ・・・レンズ ｏＤ・・・光検出器 ＯＥ・・・光学装置 ａＳ・・・光送信器 Ｓｃｈ　；　５ｃｈｌ。 Ｓｔｆ・・・端面 Ｓｕ・・・基板 Ｕｅ　　Ｕｅｌ　、　Ｕｅ２、 冒ｄ・・・導波路小片 Ｗｓｔ・・・導波路構造体 Ｕｅ３ Ｓｃｈ２・・・層 ・・・偏向要素

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）一つ又は複数の光送信器（ｏＳ）を一つ又は複数の
    集積回路（ＩＣ）の一つ又は複数の光検出器（ｏＤ）と
    光結合するための装置において、集積回路（ＩＣ）、光
    送信器（ｏＳ）及び光検出器（ｏＤ）がモジュールの形
    で一つの基板（Ｓｕ）上に固定され、この基板（Ｓｕ）
    上に間隔保持体（Ａｈ）が載せられ、間隔保持体（Ａｈ
    ）がカバー体（ＤＫ）により覆われ、間隔保持体（Ａｈ
    ）及び／又はカバー体（ＤＫ）に、光送信器（ｏＳ）か
    ら送り出された光を一つ又は複数の光検出器（ｏＤ）へ
    導くための光学装置（ｏＥ）が取り付けられていること
    を特徴とする光送信器を集積回路の光検出器と光結合す
    るための装置。 ２）基板（Ｓｕ）、間隔保持体（Ａｈ）及びカバー体（
    ＤＫ）が同一の材料又はほぼ同一の熱膨張率を有する材
    料から成ることを特徴とする請求項１記載の装置。 ３）基板（Ｓｕ）及び／又は間隔保持体（Ａｈ）及び／
    又はカバー体（ＤＫ）がシリコンから成ることを特徴と
    する請求項１又は２記載の装置。 ４）間隔保持体（Ａｈ）が一つ又は相互に重畳された複
    数の層（Ｓｃｈ；Ｓｃｈ１、Ｓｃｈ２）から成り、これ
    らの層の中でこれらの層の全厚さにわ たって広がる一つ又は複数の領域（Ｂｅ）が空所とされ
    、この空所の中に基板（Ｓｕ）上に固定されたモジュー
    ルが配置されていることを特徴とする請求項１ないし３
    の一つに記載の装置。 ５）光送信器（ｏＳ）から送り出された光を一つ又は複
    数の光検出器（ｏＤ）へ導くための光学装置（ｏＥ）が
    導波路構造体（Ｗｓｔ）を有し、この導波路構造体が間
    隔保持体（Ａｈ）の中に又は間隔保持体とカバー体（Ｄ
    Ｋ）との間に配置され、光送信器（ｏＳ）から送り出さ
    れた光がこの導波路構造体の中に入射され、光検出器（
    ｏＤ）へ送り込もうとする光がこの導波路構造体から出
    射されることを特徴とする請求項１ないし４の一つに記
    載の装置。 ６）導波路構造体が一つ又は複数の帯状導波路から成る
    ことを特徴とする請求項５記載の装置。 ７）帯状導波路がガラスから成ることを特徴とする請求
    項６記載の装置。 ８）光を導波路構造体（Ｗｓｔ）の中へ入射する光送信
    器（ｏＳ）の発光領域（ｅＢ）が導波路構造体（Ｗｓｔ
    ）の導波路の端面（Ｓｔｆ）に向かい合わせて配置され
    、光送信器（ｏＳ）から送り出された光がこの端面を通
    って導波路構造体（Ｗｓｔ）の中に入射されることを特
    徴とする請求項５ないし７の一つに記載の装置。 ９）導波路構造体（Ｗｓｔ）が間隔保持体（Ａｈ）とカ
    バー体（ＤＫ）との間に配置され、カバー体（ＤＫ）が
    発光領域（ｅＢ）を導波路構造体（Ｗｓｔ）の導波路の
    端面（Ｓｔｆ）に向かい合わせて配置された光送信器（
    ｏＳ）の範囲に空所（Ａｓｐ）を有し、光送信器（ｏＳ
    ）の発光領域（ｅＢ）の高さを越えている部分（Ｔ）が
    この空所の中に突出していることを特徴とする請求項８
    記載の装置。 １０）光送信器（ｏＳ）から送り出され導波路構造体（
    Ｗｓｔ）の中へ入射される光がレンズ（Ｌｉ）により二
    つの偏向要素（Ｕｅ１、Ｕｅ２）を経て導波路構造体（
    Ｗｓｔ）の導波路の端面（Ｓｔｆ）上に集中され、この
    端面を経て光を導波路構造体（Ｗｓｔ）の中へ入射され
    、その際一方の偏向要素（Ｕｅ１）が間隔保持体（Ａｈ
    ）に設けられ、また他方の偏向要素（Ｕｅ２）が導波路
    構造体（Ｗｓｔ）上に載せられたカバー体（ＤＫ）の導
    波路構造体（Ｗｓｔ）を越えて延びる下面に設けられて
    いることを特徴とする請求項５ないし９の一つに記載の
    装置。 １１）一方の偏向要素（Ｕｅ１）が間隔保持体（Ａｈ）
    の傾いた反射性の側面から成ることを特徴とする請求項
    １０記載の装置。 １２）他方の偏向要素（Ｕｅ２）が導波路構造体（Ｗｓ
    ｔ）上に載せられたカバー体（ＤＫ）の下面に設けられ
    た導波路小片（Ｗａ）の傾いた端面から成ることを特徴
    とする請求項１０又は１１記載の装置。 １３）導波路構造体（Ｗｓｔ）からの光を送り込もうと
    する光検出器（ｏＤ）の検出器窓（Ｄｆ）が導波路構造
    体（Ｗｓｔ）の導波路の端面 （Ｓｔｆ）に向かい合わせて配置され、光検出器（ｏＤ
    ）へ送り込もうとする光がこの端面から出射されること
    を特徴とする請求項５ないし１２の一つに記載の装置。 １４）導波路構造体（Ｗｓｔ）が間隔保持体（Ａｈ）と
    カバー体（ＤＫ）との間に配置され、カバー体（ＤＫ）
    が検出器窓（Ｄｆ）を導波路構造体（Ｗｓｔ）の導波路
    の端面（Ｓｔｆ）に向かい合わせて配置された光検出器
    （ｏＤ）の範囲に空所（Ａｓｐ）を有し、光検出器（ｏ
    Ｄ）の検出器窓（Ｄｆ）の高さを越えている部分（ＴＴ
    ）がこの空所の中に突出することを特徴とする請求項１
    ３記載の装置。 １５）導波路構造体（Ｗｓｔ）の導波路の端面（Ｓｔｆ
    ）から出射され光検出器（ｏＤ）の検出器窓（Ｄｆ）へ
    送り込まれる光が、偏向要素（Ｕｅ３）を介して検出器
    窓（Ｄｆ）へ導かれることを特徴とする請求項５ないし
    １４の一つに記載の装置。 １６）偏向要素（Ｕｅ３）が導波路構造体（Ｗｓｔ）上
    に載せられたカバー体（ＤＫ）の導波路構造体（Ｗｓｔ
    ）を越えて延びる下面に設けられた導波路小片（Ｗａ）
    の傾いた端面から成ることを特徴とする請求項１５記載
    の装置。 １７）光学装置（ｏＥ）が少なくとも一つの光送信器（
    ｏＳ）から送り出された光を、集積回路（ＩＣ）を備え
    た種々のモジュールに付設されている複数の光検出器（
    ｏＤ）へ導くことを特徴とする請求項１ないし１６の一
    つに記載の装置。 １８）集積回路（ＩＣ）を備えた種々のモジュールのそ
    れぞれに対して、間隔保持体（Ａｈ）の中に空所とされ
    た各一つの領域（Ｂｅ）が設けられ、当該モジュール及
    びこのモジュールに付設された光検出器（ｏＤ）がこの
    空所の中に配置されていることを特徴とする請求項４な
    いし１７の一つに記載の装置。 １９）光学装置（ｏＥ）がカバー体（ＤＫ）の下面上に
    形成された又は設けられた光分配装置 （Ｈｏｌ）を有し、集積回路（ＩＣ）を備えた所定のモ
    ジュールに付設された光送信器（ｏＳ）から送り出され
    た光がこの光分配装置へ送り込まれ、この光分配装置が
    この光をこのモ ジュールに付設された光検出器（ｏＤ）に分配すること
    を特徴とする請求項１ないし１８の一つに記載の装置。 ２０）光分配装置（Ｈｏｌ）へ送り込もうとする光が光
    偏向要素（Ｕｅ）を介して光分配装置（Ｈｏｌ）へ導か
    れることを特徴とする請求項１９記載の装置。 ２１）偏向要素（Ｕｅ）が間隔保持体（Ａｈ）の傾いた
    反射性の側面から成ることを特徴とする請求項２０記載
    の装置。 ２２）間隔保持体（Ａｈ）が二つの層（Ｓｃｈ１、Ｓｃ
    ｈ２）を有し、間隔保持体（Ａｈ）の空所とされた領域
    （Ｂｅ）の中に配置された光送信器（ｏＳ）から送り出
    された光を間隔保持体 （Ａｈ）の他の空所とされた領域（Ｂｅ）の中に配置さ
    れた光検出器（ｏＤ）へ導くための光学装置（ｏＥ）が
    これらの層（Ｓｃｈ１、Ｓｃｈ２）の間に配置され、間
    隔保持体（Ａｈ）の空所とされた領域（Ｂｅ）の中には
    カバー体（ＤＫ）の下面に光分配装置（Ｈｏ１）が形成
    又は設けられ、この光分配装置が空所とされた領域（Ｂ
    ｅ）の中に配置された光送信器（ｏＳ）から送り出され
    た光を他の空所とされた領域（Ｂｅ）の中に配置された
    光検出器（ｏＤ）に分配することを特徴とする請求項１
    ８ないし２１の一つに記載の装置。
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