JPH02109364A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH02109364A JPH02109364A JP26047888A JP26047888A JPH02109364A JP H02109364 A JPH02109364 A JP H02109364A JP 26047888 A JP26047888 A JP 26047888A JP 26047888 A JP26047888 A JP 26047888A JP H02109364 A JPH02109364 A JP H02109364A
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- Japan
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- schottky barrier
- region
- semiconductor
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- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 16
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 13
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 4
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、高い逆方向降伏電圧を有するショットキバリ
ア半導体装置に関するものである。
ア半導体装置に関するものである。
（従来の技術）
一般に、ショットキバリア半導体装置は、高速スイッチ
ング特性を有することから、スイッチング電源回路等の
出力整流ダイオードとして用いられるが、その出力電圧
を高くするには逆方向降伏電圧特性が高いことが要求さ
れる。
ング特性を有することから、スイッチング電源回路等の
出力整流ダイオードとして用いられるが、その出力電圧
を高くするには逆方向降伏電圧特性が高いことが要求さ
れる。
従来、ショットキバリア半導体装置において。
逆方向降伏電圧を高くするには、ガードリング領域を設
け、かつそのガードリング領域を形成する半導体領域を
低濃度化することによって対応していた。
け、かつそのガードリング領域を形成する半導体領域を
低濃度化することによって対応していた。
すなわち、第３図は従来のショットキバリア半導体装置
の一例の断面を示しており、同図において１は任意の一
導電型の半導体領域で、たとえばＮ型半導体シリコン基
板、２はそれを同一導電型の低濃度半導体領域で、たと
えば低濃度Ｎ型半導体シリコン領域、３はガードリング
領域としての反対導電型の、たとえばＰ型拡散領域、４
はショットキバリア領域、５はショットキバリアメタル
領域、そして６はカソード電極であり、７は絶縁膜であ
る。
の一例の断面を示しており、同図において１は任意の一
導電型の半導体領域で、たとえばＮ型半導体シリコン基
板、２はそれを同一導電型の低濃度半導体領域で、たと
えば低濃度Ｎ型半導体シリコン領域、３はガードリング
領域としての反対導電型の、たとえばＰ型拡散領域、４
はショットキバリア領域、５はショットキバリアメタル
領域、そして６はカソード電極であり、７は絶縁膜であ
る。
このように従来のショットキバリア半導体装置は、高い
逆方向降伏電圧を得るために、ガードリング領域を設け
、かつ低濃度の反対導電型半導体領域を形成することに
よって対応していた。
逆方向降伏電圧を得るために、ガードリング領域を設け
、かつ低濃度の反対導電型半導体領域を形成することに
よって対応していた。
（発明が解決しようとする課Ｍ）
しかしながら、このような従来のショットキバリア半導
体装置では、高い逆方向降伏電圧を得るためにガードリ
ング領域を複数形成する必要があり、そのためチップサ
イズは小さくならず、したがって製造原価が高くなる要
因になっていた。
体装置では、高い逆方向降伏電圧を得るためにガードリ
ング領域を複数形成する必要があり、そのためチップサ
イズは小さくならず、したがって製造原価が高くなる要
因になっていた。
さらに１反対導電型の半導体ｑ（域を低濃度化すれば、
順方向電圧が増加するため、上記したガードリング領域
の場合と同様にチップサイズを小さくできず、やはり原
価に影響する欠点があった。
順方向電圧が増加するため、上記したガードリング領域
の場合と同様にチップサイズを小さくできず、やはり原
価に影響する欠点があった。
本発明の目的は、逆方向降伏電圧を高くする場合に生ず
るショットキバリア半導体装置における」−記の欠点を
排除した半導体装置を提供することである。
るショットキバリア半導体装置における」−記の欠点を
排除した半導体装置を提供することである。
（課題を解決するための手段）
本発明の半導体装置は、−導電型の第１の半導体領域と
、この第１の半導体領域−ヒに形成された同一導電型の
第２の低濃度半導体領域と５第２の半導体領域に形成さ
れた同一導電型の第３の低濃度半導体領域と、この第３
の半導体領域表面一トに形成されたショットキバリアメ
タル層を具備するショットキバリア半導体装置において
、第２の半導体領域より第３の半導体領域の不純物濃度
が低いものである。
、この第１の半導体領域−ヒに形成された同一導電型の
第２の低濃度半導体領域と５第２の半導体領域に形成さ
れた同一導電型の第３の低濃度半導体領域と、この第３
の半導体領域表面一トに形成されたショットキバリアメ
タル層を具備するショットキバリア半導体装置において
、第２の半導体領域より第３の半導体領域の不純物濃度
が低いものである。
（作 用）
本発明は上記のような低濃度半導体領域を２層に分ける
ことによって、ショットキバリア半導体装置の逆方向降
伏電圧は、ショットキバリアメタル層に接する低濃度半
導体領域の比抵抗に大きく依存するようになり、比抵抗
が高くなるにつれて逆方向降伏電圧は高くなるに の現象はショットキバリア接合面のシリコンの比抵抗を
高くすることによって、その接合面における電界強度が
高くなるためであり、従来の半導体領域、たとえばＮ型
シリコン領域の比抵抗を高くする必要はなく、ショット
キバリア接合面のシリコン比抵抗を高くするだけでよい
。また」二記高比抵抗領域の形成により、ガードリング
領域近辺の電界密度が減少し、高い逆方向降伏電圧が得
られることになる。
ことによって、ショットキバリア半導体装置の逆方向降
伏電圧は、ショットキバリアメタル層に接する低濃度半
導体領域の比抵抗に大きく依存するようになり、比抵抗
が高くなるにつれて逆方向降伏電圧は高くなるに の現象はショットキバリア接合面のシリコンの比抵抗を
高くすることによって、その接合面における電界強度が
高くなるためであり、従来の半導体領域、たとえばＮ型
シリコン領域の比抵抗を高くする必要はなく、ショット
キバリア接合面のシリコン比抵抗を高くするだけでよい
。また」二記高比抵抗領域の形成により、ガードリング
領域近辺の電界密度が減少し、高い逆方向降伏電圧が得
られることになる。
さらに高比抵抗領域は、従来の半導体領域に比べて？Ｊ
膜となるため、順方向電圧を低く押えることが可能とな
る。
膜となるため、順方向電圧を低く押えることが可能とな
る。
（実施例）
本発明の一実施例を第１図および第２図に基づいて説明
する。
する。
第１図は本発明の半導体装置の断面図である。
同図において第３図に示した従来例と同じ部分について
は同一符号を付し、その説明を省略する。
は同一符号を付し、その説明を省略する。
８は本発明の特徴である低濃度Ｎ型半導体シリコン領域
である。
である。
一導電型半導体として、たとえばＮ型半導体シリコン基
板１に、それと同一導電型の所定の低濃度のＮ型半導体
シリコン領域２をエピタキシャル成長させる。さらに上
記低濃度半導体領域より。
板１に、それと同一導電型の所定の低濃度のＮ型半導体
シリコン領域２をエピタキシャル成長させる。さらに上
記低濃度半導体領域より。
より低濃度のＮ型半導体シリコン領域８をエピタキシャ
ル成長させる。
ル成長させる。
さらにガードリング領域となる反対導電型のＰ型拡散領
域３を、低濃度Ｎ型半導体シリコン領域８を貫通させた
構造で形成し、ショットキバリア領域４の窓形成を行う
。
域３を、低濃度Ｎ型半導体シリコン領域８を貫通させた
構造で形成し、ショットキバリア領域４の窓形成を行う
。
そののち５シヨツトキバリアメタル領域５を形成させ、
カソード電極６．絶縁膜７を設ける。
カソード電極６．絶縁膜７を設ける。
第２図は以上のようにして形成した本発明のショットキ
バリア半導体装置の逆方向降伏電圧特性（実線図示）と
順方向電圧特性（破線図示）を示す図で、低濃度Ｎ型半
導体シリコン領域８の比抵抗（Ωａｌ）をパラメータに
している。
バリア半導体装置の逆方向降伏電圧特性（実線図示）と
順方向電圧特性（破線図示）を示す図で、低濃度Ｎ型半
導体シリコン領域８の比抵抗（Ωａｌ）をパラメータに
している。
この図から明らかなように、本発明は従来のショットキ
バリア半導体装置と比べて、順方向電圧（右スケール）
はあまり変化することなく、逆方向降伏電圧（左スケー
ル）は増加している。
バリア半導体装置と比べて、順方向電圧（右スケール）
はあまり変化することなく、逆方向降伏電圧（左スケー
ル）は増加している。
（発明の効果）
本発明によれば、順方向電圧の増加を抑制して高い逆方
向降伏電圧を得ることが可能なショットキバリア半導体
装置であり、半導体素子の有効利用と原価低減に大きく
寄与し、その実用上の効果は極めて大である。
向降伏電圧を得ることが可能なショットキバリア半導体
装置であり、半導体素子の有効利用と原価低減に大きく
寄与し、その実用上の効果は極めて大である。
第１図は本発明の一実施例における半導体装置の断面図
、第２図は同特性説明図、第３図は従来のショットキバ
リア半導体装置の断面図である。 】８ ・・・Ｎ型半導体シリコン基板、 ２，８・・・
低濃度Ｎ型半導体シリコン領域、３ ・・・ Ｐ型拡散
領域（ガードリング領域）、４ ・・・ショットキバリ
ア領域、 ５・・・ショットキバリアメタル領域、 ６
・・・カソード電極、 ７ ・・・絶縁膜。 特許出願人 松下電子工業株式会社 第 図 ・・・Ｎ雪し午導捧パ／リコン基才及 ２・・°イ氏Ｊ友Ｎ型キ導体シリコン碩絨３・・・Ｐ工
籾散頓賊 ４・・ ：／クットベハソア材り戎 ５・・・ショットもぐりアメタト頓埴 ６ ・ クツ ソー ド′ 電）（と７・・・ 胞
殊凍
、第２図は同特性説明図、第３図は従来のショットキバ
リア半導体装置の断面図である。 】８ ・・・Ｎ型半導体シリコン基板、 ２，８・・・
低濃度Ｎ型半導体シリコン領域、３ ・・・ Ｐ型拡散
領域（ガードリング領域）、４ ・・・ショットキバリ
ア領域、 ５・・・ショットキバリアメタル領域、 ６
・・・カソード電極、 ７ ・・・絶縁膜。 特許出願人 松下電子工業株式会社 第 図 ・・・Ｎ雪し午導捧パ／リコン基才及 ２・・°イ氏Ｊ友Ｎ型キ導体シリコン碩絨３・・・Ｐ工
籾散頓賊 ４・・ ：／クットベハソア材り戎 ５・・・ショットもぐりアメタト頓埴 ６ ・ クツ ソー ド′ 電）（と７・・・ 胞
殊凍
Claims (1)
- 一導電型の第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域
上に形成された同一導電型の第２の低濃度半導体領域と
、前記第２の半導体領域に形成された同一導電型の第３
の低濃度半導体領域と、前記第３の半導体領域表面上に
形成されたシヨットキバリアメタル層を具備するショッ
トキバリア半導体装置において、前記第２の半導体領域
より、前記第３の半導体領域の不純物濃度が低いことを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26047888A JPH02109364A (ja) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26047888A JPH02109364A (ja) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02109364A true JPH02109364A (ja) | 1990-04-23 |
Family
ID=17348511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26047888A Pending JPH02109364A (ja) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02109364A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6975013B2 (en) | 1997-06-02 | 2005-12-13 | Fuji Electric Co., Ltd. | Diode and method for manufacturing the same |
-
1988
- 1988-10-18 JP JP26047888A patent/JPH02109364A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6975013B2 (en) | 1997-06-02 | 2005-12-13 | Fuji Electric Co., Ltd. | Diode and method for manufacturing the same |
| US7112865B2 (en) | 1997-06-02 | 2006-09-26 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | Diode and method for manufacturing the same |
| US7187054B2 (en) | 1997-06-02 | 2007-03-06 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | Diode and method for manufacturing the same |
| US7276771B2 (en) | 1997-06-02 | 2007-10-02 | Fuji Electric Co., Ltd. | Diode and method for manufacturing the same |
| DE19824514B4 (de) * | 1997-06-02 | 2010-02-11 | Fuji Electric Co., Ltd., Kawasaki | Diode |
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