JPH02110565A - フォトマスク検査装置およびフォトマスク検査法 - Google Patents
フォトマスク検査装置およびフォトマスク検査法Info
- Publication number
- JPH02110565A JPH02110565A JP63262951A JP26295188A JPH02110565A JP H02110565 A JPH02110565 A JP H02110565A JP 63262951 A JP63262951 A JP 63262951A JP 26295188 A JP26295188 A JP 26295188A JP H02110565 A JPH02110565 A JP H02110565A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- data
- design data
- changed
- pattern image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 7
- 238000013461 design Methods 0.000 claims abstract description 44
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 24
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 17
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 6
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 206010027146 Melanoderma Diseases 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、半導体集積回路の製造に用いられるフォトマ
スクパターン欠陥の検査装置および検査法に関する。
スクパターン欠陥の検査装置および検査法に関する。
(従来の技術)
従来がらフォトマスク(以下、マスクという)のパター
ン欠陥を検査する装置として1次の2種類の欠陥検査装
置が実用化されている。すなわち、1つは隣接した同一
のチップパターンを比較するチップ比較型検査装置であ
り、他の1つは設計データとマスクパターンを比較する
設計データ比較型検査装置である。近年、縮少投影露光
装置、いわゆるステッパーの急速な怜及により、5倍ま
たは10倍等のマスク、いわゆるレチクルの需要が急増
している。レチクルでは、パターン欠陥が存在すると、
ウェハー上の全チップに共通欠陥として転写されるため
、欠陥の存在は許されない。チップサイズの大型化に伴
い、乾板上にパターンを1チツプのみ配置したレチクル
も多く、この場合はチップ比較型検査装置では欠陥検査
ができない。
ン欠陥を検査する装置として1次の2種類の欠陥検査装
置が実用化されている。すなわち、1つは隣接した同一
のチップパターンを比較するチップ比較型検査装置であ
り、他の1つは設計データとマスクパターンを比較する
設計データ比較型検査装置である。近年、縮少投影露光
装置、いわゆるステッパーの急速な怜及により、5倍ま
たは10倍等のマスク、いわゆるレチクルの需要が急増
している。レチクルでは、パターン欠陥が存在すると、
ウェハー上の全チップに共通欠陥として転写されるため
、欠陥の存在は許されない。チップサイズの大型化に伴
い、乾板上にパターンを1チツプのみ配置したレチクル
も多く、この場合はチップ比較型検査装置では欠陥検査
ができない。
また、マスク製作装置の誤動作等により、全チップ共通
に発生した欠陥はチップ比較型検査装置では検出できな
い。これらの理由により、設計データ比較型検査装置は
欠陥検査に不可欠の装置として増々その重要性が増して
きた。
に発生した欠陥はチップ比較型検査装置では検出できな
い。これらの理由により、設計データ比較型検査装置は
欠陥検査に不可欠の装置として増々その重要性が増して
きた。
第4図は、従来の設計データ比較型検査装置の構成を示
している。第4図において、41はフォトマスク、42
は照明光、43は対物レンズ、44は撮像部、45はパ
ターン像展開部、46は設計データ展開部、47は比較
判定部、48は記憶部、49は表示部である。
している。第4図において、41はフォトマスク、42
は照明光、43は対物レンズ、44は撮像部、45はパ
ターン像展開部、46は設計データ展開部、47は比較
判定部、48は記憶部、49は表示部である。
次に、上記従来例の動作について説明する。第4図にお
いて、設計データは予め検査装置のフォーマットに変換
され、ディスク(図示せず)に格納されている。マスク
41を搭載したX、 Yステージ(図示せず)は一定速
度で移動し、マスク41は照明光42により照射されて
、撮像部44にパターン像が取り込まれる。パターン像
は設計データと比較するため5パタ一ン像展開部45に
より撮像素子の分解能や検出感度等を考慮して決められ
た大きさの画素に分解され、5″イジタル化される。こ
れらのディジタル化されたパターン像と設計データは同
期して比較判定部47に送られ、画素毎に比較される。
いて、設計データは予め検査装置のフォーマットに変換
され、ディスク(図示せず)に格納されている。マスク
41を搭載したX、 Yステージ(図示せず)は一定速
度で移動し、マスク41は照明光42により照射されて
、撮像部44にパターン像が取り込まれる。パターン像
は設計データと比較するため5パタ一ン像展開部45に
より撮像素子の分解能や検出感度等を考慮して決められ
た大きさの画素に分解され、5″イジタル化される。こ
れらのディジタル化されたパターン像と設計データは同
期して比較判定部47に送られ、画素毎に比較される。
微少な位置ずれ等を補正した後、両者に差異があれば、
その画素または画素の啜合は欠陥と判定される。この欠
陥は、その位置座標等の情報が記憶部48に記憶される
。検査実行終了後、記憶部に記憶されている欠陥座標に
ステージを移動し、マスクパターンと設計データを表示
部49に表示して、欠陥の種類、大きさ、形状等を同定
する。
その画素または画素の啜合は欠陥と判定される。この欠
陥は、その位置座標等の情報が記憶部48に記憶される
。検査実行終了後、記憶部に記憶されている欠陥座標に
ステージを移動し、マスクパターンと設計データを表示
部49に表示して、欠陥の種類、大きさ、形状等を同定
する。
第5図は、第4図の従来の検査装置により検出された欠
陥の一例を示している。第5図において、51はパター
ン像、52は設計データ、53は黒点欠陥(残留欠陥)
、54はパターン欠陥(欠損欠陥)を示す。
陥の一例を示している。第5図において、51はパター
ン像、52は設計データ、53は黒点欠陥(残留欠陥)
、54はパターン欠陥(欠損欠陥)を示す。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、上記従来の検査装置の構成では、設計デ
ータが変更される毎に、たとえ変更部が僅かのパターン
であっても、すべての設計データを検査装置のフォーマ
ットに変換しなければならない。変更的の検査用データ
を用いて検査すると。
ータが変更される毎に、たとえ変更部が僅かのパターン
であっても、すべての設計データを検査装置のフォーマ
ットに変換しなければならない。変更的の検査用データ
を用いて検査すると。
変更部が欠陥として検出されるが、このパターンが変更
部であるかどうかはマスク設計者以外には判別できない
。設計データの変換には、一般にかなりの時間を要し、
特に最近半導体集積回路の大規模化に伴い、パターン数
が著しく増加する傾向にあり、データ変換時間の増加が
問題となっていた。
部であるかどうかはマスク設計者以外には判別できない
。設計データの変換には、一般にかなりの時間を要し、
特に最近半導体集積回路の大規模化に伴い、パターン数
が著しく増加する傾向にあり、データ変換時間の増加が
問題となっていた。
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので。
データ変換時間を削減するとともに、パターン変更部を
確認することができるマスク検査装置および検査法を提
供することを目的とするものである。
確認することができるマスク検査装置および検査法を提
供することを目的とするものである。
(課題を解決するための手段)
本発明は上記目的を達成するために、マスク検査装置は
、従来の設計データ比較型検査装置の構成に、設計デー
タのうち変更されたパターンのみを画素に分解してディ
ジタル化する参照データ展開部と、参照データも表示で
きる表示部を追加した構成からなるものである。
、従来の設計データ比較型検査装置の構成に、設計デー
タのうち変更されたパターンのみを画素に分解してディ
ジタル化する参照データ展開部と、参照データも表示で
きる表示部を追加した構成からなるものである。
(作 用)
したがって、本発明によれば1.H(2計データが変更
された場合、変更前の検査用データを用いて検査を行い
、変更部が欠陥として検出されると、参照データを表示
部に表示させることにより変更部を確認することができ
る。
された場合、変更前の検査用データを用いて検査を行い
、変更部が欠陥として検出されると、参照データを表示
部に表示させることにより変更部を確認することができ
る。
(実施例)
第1図は本発明の一実施例におけるマスク検査装置の構
成を示すもので、従来の設計データ比較型検査装置(第
4図)に参照データ展開部を追加している。第1図にお
いて、1はフォトマスク、2は照明光、3は対物レンズ
、4は撮像部、5はパターン像展開部、6は設計データ
展開部、7は比較判定部、8は記憶部、9は表示部、1
0は参照データ展開部である。
成を示すもので、従来の設計データ比較型検査装置(第
4図)に参照データ展開部を追加している。第1図にお
いて、1はフォトマスク、2は照明光、3は対物レンズ
、4は撮像部、5はパターン像展開部、6は設計データ
展開部、7は比較判定部、8は記憶部、9は表示部、1
0は参照データ展開部である。
第2図は第1図に示す検査装置により検出されたパター
ンの一例を示す図であり、第3図は設計変更されたパタ
ーンの一例を示す図である。第2図において、15はパ
ターン像、16は設計データ、17は付加パターン、1
8は削除パターンである。また、第3図において、19
は付加パターン、20は削除パターンである。
ンの一例を示す図であり、第3図は設計変更されたパタ
ーンの一例を示す図である。第2図において、15はパ
ターン像、16は設計データ、17は付加パターン、1
8は削除パターンである。また、第3図において、19
は付加パターン、20は削除パターンである。
次に、上記実施例のように構成されたマスク検査装置を
用いたマスク検査法について説明する。
用いたマスク検査法について説明する。
設計データの一部が変更された場合、変更部のパターン
を付加パターンと削除パターンに分けて検査装置のフォ
ーマットに変更しておく、変更されたデータにより製作
したマスクを変更前の検査用データを用いて検査すると
、第2図に示すように変更部が欠陥として検出される。
を付加パターンと削除パターンに分けて検査装置のフォ
ーマットに変更しておく、変更されたデータにより製作
したマスクを変更前の検査用データを用いて検査すると
、第2図に示すように変更部が欠陥として検出される。
すなわち、設計変更によりパターン像には存在するが検
査用データには存在しない付加パターン17と、検査用
データには存在するがパターン像には存在しない削除パ
ターン18が欠陥として検出される。付加パターン17
および削除パターン18が設計変更によるものであるこ
とを確認するために、予め検査装置のフォーマットに変
換済みの変更部のみのパターンを参照データ展開部10
を介して表示部9に表示させると、第3図のパターンが
得られる。第3図の付加パターン19は第2図の付加パ
ターン17と、第3図の削除パターン20は第2図の削
除パターン18と一致する。第3図のパターンは第2図
のパターンと重ねて表示することもでき、設計データの
変更部であることは容易に判定できる。
査用データには存在しない付加パターン17と、検査用
データには存在するがパターン像には存在しない削除パ
ターン18が欠陥として検出される。付加パターン17
および削除パターン18が設計変更によるものであるこ
とを確認するために、予め検査装置のフォーマットに変
換済みの変更部のみのパターンを参照データ展開部10
を介して表示部9に表示させると、第3図のパターンが
得られる。第3図の付加パターン19は第2図の付加パ
ターン17と、第3図の削除パターン20は第2図の削
除パターン18と一致する。第3図のパターンは第2図
のパターンと重ねて表示することもでき、設計データの
変更部であることは容易に判定できる。
上記のように1本実施例によれば、設計データが変更さ
れた場合、変更部を表示する機能を有することにより変
更部を容易に確認することができる。しかも、新たに検
査装置のフォーマットにて変換するデータは変更部のパ
ターンのみであり、その変換時間は極めて短いので、変
換時間を大幅に削減することができる。
れた場合、変更部を表示する機能を有することにより変
更部を容易に確認することができる。しかも、新たに検
査装置のフォーマットにて変換するデータは変更部のパ
ターンのみであり、その変換時間は極めて短いので、変
換時間を大幅に削減することができる。
(発明の効果)
本発明は、上記実施例から明らかなように、従来のデー
タ比較型検査装置に参照データ展開部を追加することに
より、設計データの一部が変更された場合に、変更前の
検査用データを用いて検査して検出された変更部と、予
め検査用データに変換された変更部のみのパターンを表
示部に表示させ比較することにより変更部の確認をする
ことができる。さらに、検査装置のフォーマットに変換
するデータは変更部のみであるから、データの変換時間
を大幅に削減でき、スループットの高いマスク検査装置
およびマスク検査法を実現できるという効果を有する。
タ比較型検査装置に参照データ展開部を追加することに
より、設計データの一部が変更された場合に、変更前の
検査用データを用いて検査して検出された変更部と、予
め検査用データに変換された変更部のみのパターンを表
示部に表示させ比較することにより変更部の確認をする
ことができる。さらに、検査装置のフォーマットに変換
するデータは変更部のみであるから、データの変換時間
を大幅に削減でき、スループットの高いマスク検査装置
およびマスク検査法を実現できるという効果を有する。
第1図は本発明の一実施例におけるマスク検査装置の構
成を示す図、第2図は第1図の検査装置により検出され
たパターンの一例を示す図、第3図は設計変更されたパ
ターンの一例を示す図、第4図は従来の設計データ比較
型検査装置の構成を示す図、第5図は第4図の従来の検
査装置により検出された欠陥の例を示す図である。 1.41・・・フォトマスク、 2.42・・・照明光
、3.43・・・対物レンズ、4.44・・・撮像部、
5.45・・・パターン像展開部、 6,46・・・設
計データ展開部、 7,47・・・比較判定部、8.4
8・・・記憶部、 9,49・・・表示部、IO・・・
参照データ展開部、 15・・・パターン像。 16・・・設計データ、 17.19・・・付加パター
ン。 18、20・・・削除パターン。 特許出願人 松下電子工業株式会社 第 15 ・バクーン像 16−・・↓呆、S十テ゛−タ 17 ・・打力ロへ°ターン 18 ・・百′3 )承ハ゛7−ン 第 囚
成を示す図、第2図は第1図の検査装置により検出され
たパターンの一例を示す図、第3図は設計変更されたパ
ターンの一例を示す図、第4図は従来の設計データ比較
型検査装置の構成を示す図、第5図は第4図の従来の検
査装置により検出された欠陥の例を示す図である。 1.41・・・フォトマスク、 2.42・・・照明光
、3.43・・・対物レンズ、4.44・・・撮像部、
5.45・・・パターン像展開部、 6,46・・・設
計データ展開部、 7,47・・・比較判定部、8.4
8・・・記憶部、 9,49・・・表示部、IO・・・
参照データ展開部、 15・・・パターン像。 16・・・設計データ、 17.19・・・付加パター
ン。 18、20・・・削除パターン。 特許出願人 松下電子工業株式会社 第 15 ・バクーン像 16−・・↓呆、S十テ゛−タ 17 ・・打力ロへ°ターン 18 ・・百′3 )承ハ゛7−ン 第 囚
Claims (2)
- (1)撮像部により結像されたフォトマスクのパターン
像を画素に分解してディジタル化するパターン像展開部
と、フォトマスクの設計データを画素に分解してディジ
タル化する設計データ展開部と、前記ディジタル化され
たパターン像と設計データを比較してその差異を判定す
る比較判定部と、前記差異情報を記憶する記憶部と、設
計データ内の変更パターンのみを画素に分解してディジ
タル化する参照データ展開部と、前記パターン像と設計
データと参照データのうち少なくとも1個を表示する表
示部から構成されることを特徴とするフォトマスク検査
装置。 - (2)撮像部により結像されたフォトマスクのパターン
像を画素に分解してディジタル化するパターン像展開部
と、フォトマスクの設計データを画素に分解してディジ
タル化する設計データ展開部と、前記ディジタル化され
たパターン像と設計データを比較してその差異を判定す
る比較判定部と、前記差異情報を記憶する記憶部と、設
計データ内の変更パターンのみを画素に分解してディジ
タル化する参照データ展開部と、前記パターン像と設計
データと参照データのうち少なくとも1個を表示する表
示部とを備えたフォトマスク検査装置を用い、設計デー
タの一部が変更された場合には、変更前の検査用データ
を用いて検査し、欠陥として検出されたパターンと予め
変更部のみを検査用データに変換し蓄積されているパタ
ーンとを比較し、変更部の確認ができることを特徴とす
るフォトマスク検査法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63262951A JPH02110565A (ja) | 1988-10-20 | 1988-10-20 | フォトマスク検査装置およびフォトマスク検査法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63262951A JPH02110565A (ja) | 1988-10-20 | 1988-10-20 | フォトマスク検査装置およびフォトマスク検査法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02110565A true JPH02110565A (ja) | 1990-04-23 |
Family
ID=17382818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63262951A Pending JPH02110565A (ja) | 1988-10-20 | 1988-10-20 | フォトマスク検査装置およびフォトマスク検査法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02110565A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0580495A (ja) * | 1991-09-19 | 1993-04-02 | Fujitsu Ltd | ホトマスクの欠陥位置指示装置 |
| JP2000515662A (ja) * | 1996-08-07 | 2000-11-21 | マイクロン、テクノロジー、インコーポレーテッド | 欠陥を有する集積回路のテスト時間と修復時間とを最適化するためのシステム |
| JP2009516832A (ja) * | 2005-11-18 | 2009-04-23 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | 検査データと組み合わせて設計データを使用するための方法及びシステム |
-
1988
- 1988-10-20 JP JP63262951A patent/JPH02110565A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0580495A (ja) * | 1991-09-19 | 1993-04-02 | Fujitsu Ltd | ホトマスクの欠陥位置指示装置 |
| JP2000515662A (ja) * | 1996-08-07 | 2000-11-21 | マイクロン、テクノロジー、インコーポレーテッド | 欠陥を有する集積回路のテスト時間と修復時間とを最適化するためのシステム |
| JP2009516832A (ja) * | 2005-11-18 | 2009-04-23 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | 検査データと組み合わせて設計データを使用するための方法及びシステム |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9057711B2 (en) | Inspection apparatus and method | |
| TWI670563B (zh) | 圖案檢查裝置、圖案位置計測裝置、空間影像計測系統、空間影像計測方法、圖案位置修復裝置、圖案位置修復方法、空間影像資料處理裝置、空間影像資料處理方法、圖案之曝光裝置、圖案之曝光方法、遮罩之製造方法、及遮罩之製造系統 | |
| US5795688A (en) | Process for detecting defects in photomasks through aerial image comparisons | |
| KR890003145B1 (ko) | 반도체장치 제조용 마스크패턴 검사방법 | |
| US6268093B1 (en) | Method for reticle inspection using aerial imaging | |
| US6272236B1 (en) | Inspection technique of photomask | |
| US9733640B2 (en) | Method and apparatus for database-assisted requalification reticle inspection | |
| US7469057B2 (en) | System and method for inspecting errors on a wafer | |
| US4778745A (en) | Defect detection method of semiconductor wafer patterns | |
| JPS6076606A (ja) | マスクの欠陥検査方法 | |
| KR20160039642A (ko) | 포토마스크 결함의 변화 모니터링 | |
| US6999611B1 (en) | Reticle defect detection using simulation | |
| CN116152155B (zh) | 用于半导体样本制造的掩模检查 | |
| JPH02110565A (ja) | フォトマスク検査装置およびフォトマスク検査法 | |
| CN116754580B (zh) | 半导体样品制造的掩模检查 | |
| JP2000193596A (ja) | 検査方法 | |
| JPH034895B2 (ja) | ||
| CN101689028B (zh) | 图案数据的处理方法以及电子器件的制造方法 | |
| JPS58196445A (ja) | マスク検査方法 | |
| JP4199759B2 (ja) | インデックス情報作成装置、試料検査装置、レビュー装置、インデックス情報作成方法及びプログラム | |
| TW552657B (en) | Method for detecting wafer level defect | |
| JP2982413B2 (ja) | 共通欠陥検査方法 | |
| JP2010066629A (ja) | パターン検査装置及びパターン検査方法 | |
| JPH0337650A (ja) | マスク・レチクルの欠陥検査装置 | |
| JP2655477B2 (ja) | ウェーハ外観検査装置 |