JPH02110992A - パターン接続方法 - Google Patents

パターン接続方法

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JPH02110992A
JPH02110992A JP63264365A JP26436588A JPH02110992A JP H02110992 A JPH02110992 A JP H02110992A JP 63264365 A JP63264365 A JP 63264365A JP 26436588 A JP26436588 A JP 26436588A JP H02110992 A JPH02110992 A JP H02110992A
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JP
Japan
Prior art keywords
paste
conductive pattern
disconnection
thick film
organic
Prior art date
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Pending
Application number
JP63264365A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshio Sugawa
俊夫 須川
Shinsuke Nakamoto
中本 伸介
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP63264365A priority Critical patent/JPH02110992A/ja
Publication of JPH02110992A publication Critical patent/JPH02110992A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/225Correcting or repairing of printed circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は絶縁性基板上に形成された微細な導電パターン
の断線部を修復接続するパターン接続方法に関する。
従来の技術 従来の、たとえば絶縁性基板上に微細な導電パターンを
必要とするサーマルヘッド基板において、導電パターン
断線部を修復接続する方法を図面を用いて説明する。第
3図〜第4図において、絶縁性基板1としては、数十μ
mのガラス層を有するアルミナ基板を用いる。そして、
導電パターン2の形成にあたっては、まずガラス層表面
上に金属導電膜としてたとえばAu膜を全面に形成する
この金属導電膜は蒸着、スパッタリング法あるいは印刷
及び焼成による方法により形成される。そして、印刷及
び焼成による方法においては、たとえば有11Au<メ
タルオルガニヅク)を通常のスクリーン印刷によって塗
布した後、空気あるいは酸素雰囲気に於て750℃〜9
00℃で焼成することによって、厚さ3000A〜70
00八程度の金属導電膜が形成される。
次に、通常のフォトエツチング法によって、金属導電膜
を所望の導電パターン2に形成するが、サーマルヘッド
基板においては、発熱体ドツト密度がl1m1当り8本
(8本/圓)の場合、ピッチが125μmで配線3が通
常50μm程度であり、最も微細な発熱抵抗体部4にお
いては25μm程度の幅でAuのパターンが形成されて
いる。
次に発熱抵抗体として酸化ルチニウム(R20)をスク
リーン印刷によって塗布し、750℃〜900℃程度で
焼成した後に、抵抗値を測定する。そして、抵抗値の測
定によって断線が検出される。この断線は、主として有
機Auの印刷時に発生するピンホール、及びフォトエツ
チング時の感光性樹脂ピンホールによってAuの欠落が
生じたものや、損傷によるものである。この断線を修復
接続するために従来は、顕微鏡で断線部を見ながら極微
細な筆を用いて、第4図に示すようにAuの配線3の欠
落部を接続するように、有機Auペースト5を部分的に
塗布し、750℃〜900℃程度で焼成して断線部にA
uの配線を形成していた。
発明が解決しようとする課題 しかし、上記した従来の方法によれば、有機Auペース
トを所望領域にのみ、他の配線と接触させることなく塗
布しなければならないが、この作業には相当な熟練を要
し、生産性に乏しい問題があった。また、発熱抵抗体の
焼成後に、あらなめて有機Auの焼成を行うので、焼成
時に、発熱抵抗体の抵抗値に変化を生じさせないために
、温度、雰囲気について制約される問題があった。
本発明は、上記課題を解決するもので、特に熟練を要す
ることなく、容易に微細な導電パターンの導電膜欠落に
よる断線を修復するパターン接続方法を提供することを
目的とする。
課題を解決するための手段 上記課題を解決するために、本発明は、導電パターンと
形成された絶縁性基板上に厚膜ペーストを塗布し、前記
導電パターンの断線部に対応する特定領域の厚膜ペース
トに対してレーザ光線を照射し、このレーザ光線により
前記特定領域の厚膜ペーストを選択的に限定して焼成し
、この厚膜ペーストの焼成により前記導電パターンの断
線部にのみ導電体を形成して断線部の接続を行う構成と
したものである。
作用 上記構成により、レーザ光線によって局部的に加えられ
るエネルギーが、断線部に対応する特定領域の厚膜ペー
ストのみを焼成させるので、厚膜ペーストを微細に塗布
する必要がなくなり、熟練を要することなく、容易に断
線部が修復される。
また、加熱を局部的に行うために、焼成による弊害が生
じない。
実施例 以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。第
1図〜第2図において、絶縁性基板11には、フォトエ
ツチングによりAuの導電パターン12が形成されると
ともに、発熱抵抗体が印刷、焼成されている。また、導
電パターン12の配a13の一部には、Au導電膜の欠
落によって断線部14が生じている。そして、この断線
部14の修復接続を行うときには、絶縁性基板11上の
すくなくとも断線部14を含んだ領域に、第2図に示す
ように、厚膜ペーストである有11Auペースト15を
塗布する。
このとき、断線部14に隣接する他の配線13に有機A
uペースト15が塗布されても良く、有機Auペースト
15を広範囲に塗布すればよい0次に、たとえば直径1
0μm程度の照射領域を有するレーザ光線を、断線部1
4に対応する特定V1.域の有機Auペースト15に対
して照射し、レーザ光線により特定領域の有fiAuペ
ースト15のみを選択的に限定して焼成する。そして、
この焼成によって、有機Auペースト15の溶剤が蒸発
および熱分解し、断線部14に対応する有機Auペース
ト15のみが局部的に金属Auとなって、断線部14に
導電体が形成され、断線部14の修復接続が行われる。
この後、レーザ光線を照射しなかった領域に塗布された
有1iAuペースト15を、たとえば、酢Mnグチルな
どの有機溶剤で除去する。そして、有@ A uペース
ト15を除去した絶縁性基板11に保護ガラス層を印刷
および焼成し、さらに制御ICなどの部品を実装してサ
ーマルヘッドを製造する。
したがって、上記した構成においては、レーザ光線によ
って局部的に加えられるエネルギーが、断線部に対応す
る特定領域の有fiAuペーストのみを焼成させるので
、有機Auペーストの塗布を微細に厳密に行う必要がな
くなり、熟練を要することなく容易に断線が修復接続さ
れる。また、加熱を局部的に行うために、構成による弊
害が生じない、さらに、レーザ光線の照射において、直
径10μm程度のレーザー光線は、YAGレーザなどに
よって容易に得ることが可能であり、照射領域の制御に
おいても、X−Yスージによりg&細にかつ自動的に行
えることから工業的生産性の向上がはかられる。また、
本実施例においては、厚膜ペースト材料として有機Au
ペーストを用いて説明したが、通常のガラスフリットタ
イプのAuペーストはもちろんAuのeAg、Ptなど
の金属ペーストや、RuO2などの抵抗用のペーストに
おいても同様の効果が得られるものであり、また基板と
してアルミナ基板以外に、窒化ホウ素などのセラミック
ス基板や、金属表面に絶縁処理をほどこした、たとえば
ホーロー基板などでもかまわないことは言うまでもない
発明の効果 以上述べたように、本発明によれば、断線部に対応する
特定領域の厚膜ペーストに対し、レーザ光線によって局
部的にエネルギーを加えて、特定領域の厚膜ペーストの
みを焼成させるので、厚膜ペーストを微細に塗布する必
要がなくなり、熟練を要することなく、容易に断線部を
修復接続することができる。また、加熱を局部的に行う
ために、焼成による弊害を生じさせない。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例における導電パターンの断線
状態を示す図、第2図は同実施例における有@ A u
ペーストの塗布状態を示す図、第3図は従来の方法にお
ける絶縁性基板上の導電パターンを示す図、第4図は同
方法における有機Auペーストの塗布状態を示す図であ
る。 11・・・絶縁性基板、12・・・導電パターン、13
・・・配線、14・・・断線部、15・・・有11Au
ペースト。 代理人   森  本  義  弘 第1図 /2 第3図 第4図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.導電パターンを形成された絶縁性基板上に厚膜ペー
    ストを塗布し、前記導電パターンの断線部に対応する特
    定領域の厚膜ペーストに対してレーザ光線を照射し、こ
    のレーザ光線により前記特定領域の厚膜ペーストを選択
    的に限定して焼成し、この厚膜ペーストの焼成により前
    記導電パターンの断線部にのみ導電体を形成して断線部
    の接続を行うパターン接続方法。
JP63264365A 1988-10-19 1988-10-19 パターン接続方法 Pending JPH02110992A (ja)

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JP63264365A JPH02110992A (ja) 1988-10-19 1988-10-19 パターン接続方法

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Cited By (4)

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