JPH0222556B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0222556B2 JPH0222556B2 JP24123084A JP24123084A JPH0222556B2 JP H0222556 B2 JPH0222556 B2 JP H0222556B2 JP 24123084 A JP24123084 A JP 24123084A JP 24123084 A JP24123084 A JP 24123084A JP H0222556 B2 JPH0222556 B2 JP H0222556B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring conductor
- conductor layer
- layer
- wiring
- layers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 111
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 106
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- -1 silver ions Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、複数の配線導体層が絶縁層を介して
立体交差する多層配線基板の製造方法に関するも
のである。
立体交差する多層配線基板の製造方法に関するも
のである。
配線基板の導電性を良くするには、その配線導
体層を形成する材料としてAu、Ptなど比抵抗の
低い貴金属導体を使用すれば良いが、これらの貴
金属導体は高価であるため、通常の配線導体層の
うち特に高い導電性の要求される部分に限つて、
貴金属導体が選択的に使用されている。
体層を形成する材料としてAu、Ptなど比抵抗の
低い貴金属導体を使用すれば良いが、これらの貴
金属導体は高価であるため、通常の配線導体層の
うち特に高い導電性の要求される部分に限つて、
貴金属導体が選択的に使用されている。
第２図ａ〜ｅは、配線導体層の材料として、一
部にAu系導体、その他の部分に銀パラジウム系
導体を使用した多層配線基板の製造方法の従来例
を示したものであつて、次の手順によりその製造
が行われる。
部にAu系導体、その他の部分に銀パラジウム系
導体を使用した多層配線基板の製造方法の従来例
を示したものであつて、次の手順によりその製造
が行われる。
(1) 最初に、低比抵抗のAu系導体からなる第１
の配線導体層１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，
１ｆを、アルミナ等からなる絶縁基板２の一面
の一部に印刷し、これを乾燥した後、約850〜
950℃に加熱して焼成する〔第２図ａ〕。
の配線導体層１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，
１ｆを、アルミナ等からなる絶縁基板２の一面
の一部に印刷し、これを乾燥した後、約850〜
950℃に加熱して焼成する〔第２図ａ〕。
(2) 次に、銀パラジウム系導体からなる第２の配
線導体層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅ，３
ｆ，３ｇ，３ｈを、同様にして絶縁基板２上に
印刷・焼成して形成する。このうち、配線導体
層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆについ
ては、その一部をそれぞれ前記第１の配線導体
層１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆに重ね
て、各々これらの配線導体層に接続させてある
〔第２図ｂ〕。
線導体層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅ，３
ｆ，３ｇ，３ｈを、同様にして絶縁基板２上に
印刷・焼成して形成する。このうち、配線導体
層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆについ
ては、その一部をそれぞれ前記第１の配線導体
層１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆに重ね
て、各々これらの配線導体層に接続させてある
〔第２図ｂ〕。
(3) 次いで、結晶化ガラス等を絶縁層４として、
前記第１の配線導体層１ｅ、第２の配線導体層
３ｆ，３ｇの一部を覆うように前記絶縁基板２
上に印刷し、これを乾燥した後、焼成する〔第
２図ｃ〕。同図において、５は上記絶縁層４と
同時に形成される別の絶縁層である。
前記第１の配線導体層１ｅ、第２の配線導体層
３ｆ，３ｇの一部を覆うように前記絶縁基板２
上に印刷し、これを乾燥した後、焼成する〔第
２図ｃ〕。同図において、５は上記絶縁層４と
同時に形成される別の絶縁層である。
(4) 更に、銀パラジウム系導体からなる別の第２
の配線導体層６を、前記絶縁層４を介して前記
第１の配線導体層１ｅ、先の第２の配線導体層
３ｆ，３ｇの立体交差し両端部が配線導体層３
ｄ，３ｈの一部と重なるように印刷・焼成して
形成する〔第２図ｄ〕。これにより、第２の配
線導体層３ｄ，３ｈ間は、他の配線導体層と導
通することなく後に形成された第２の配線導体
層６を介して接続される。
の配線導体層６を、前記絶縁層４を介して前記
第１の配線導体層１ｅ、先の第２の配線導体層
３ｆ，３ｇの立体交差し両端部が配線導体層３
ｄ，３ｈの一部と重なるように印刷・焼成して
形成する〔第２図ｄ〕。これにより、第２の配
線導体層３ｄ，３ｈ間は、他の配線導体層と導
通することなく後に形成された第２の配線導体
層６を介して接続される。
(5) この後、前記配線導体層３ａ，３ｂ間、およ
び．配線導体層３ｆ，３ｇ間にまたがる酸化ル
テニウム系などの抵抗体７，８を、印刷・焼成
して形成し、最後に絶縁基板２上の所定面域
に、非結晶質ガラスからなるカバーガラス保護
層９を印刷し、約500℃で焼成する〔第２図
ｅ〕。
び．配線導体層３ｆ，３ｇ間にまたがる酸化ル
テニウム系などの抵抗体７，８を、印刷・焼成
して形成し、最後に絶縁基板２上の所定面域
に、非結晶質ガラスからなるカバーガラス保護
層９を印刷し、約500℃で焼成する〔第２図
ｅ〕。
ところが上記従来例のように、絶縁層４を介し
て立体交差する上下の配線導体層の組合せとし
て、下層がAu系導体からなる配線導体層１ｅ、
上層が銀パラジウム系導体からなる配線導体層６
である組合せを有する場合、上層の配線導体層６
の焼成工程中に、絶縁層４（電解質の高温絶縁ガ
ラス）を介して上下層の異種金属導体間に電位差
が発生し（AuよりもAgの方がイオン化傾向が大
きい）、上層の配線導体層６をなす銀パラジウム
系導体の銀イオンAg+を上記絶縁層４を通つて、
Au系導体からなる下層の配線導体層１ｅ表面に
拡散することになる。そして、この間に高温のガ
ラス絶縁層４から酸素が離脱し、上下配線導体層
６，１ｅの交差部Ａに気泡が発生する。そのた
め、得られる多層配線基板は、上記した交差部Ａ
において、上下の配線導体層６，１ｅ間の絶縁性
等の信頼性の支障が生じるという問題点を有して
いた。
て立体交差する上下の配線導体層の組合せとし
て、下層がAu系導体からなる配線導体層１ｅ、
上層が銀パラジウム系導体からなる配線導体層６
である組合せを有する場合、上層の配線導体層６
の焼成工程中に、絶縁層４（電解質の高温絶縁ガ
ラス）を介して上下層の異種金属導体間に電位差
が発生し（AuよりもAgの方がイオン化傾向が大
きい）、上層の配線導体層６をなす銀パラジウム
系導体の銀イオンAg+を上記絶縁層４を通つて、
Au系導体からなる下層の配線導体層１ｅ表面に
拡散することになる。そして、この間に高温のガ
ラス絶縁層４から酸素が離脱し、上下配線導体層
６，１ｅの交差部Ａに気泡が発生する。そのた
め、得られる多層配線基板は、上記した交差部Ａ
において、上下の配線導体層６，１ｅ間の絶縁性
等の信頼性の支障が生じるという問題点を有して
いた。
そこで従来は、この種の多層配線基板の製造に
おいて、上記した交差部Ａにおける絶縁性等の信
頼性の低下を回避しようとすれば、立体交差する
上下の各配線導体層の材料として、同一種の貴金
属導体（上記従来例の場合、上下の配線導体層
６，１ｅを共にAu系導体で形成）を使用する必
要があり、それだけ製造コストが増大するという
不都合を招来していた。
おいて、上記した交差部Ａにおける絶縁性等の信
頼性の低下を回避しようとすれば、立体交差する
上下の各配線導体層の材料として、同一種の貴金
属導体（上記従来例の場合、上下の配線導体層
６，１ｅを共にAu系導体で形成）を使用する必
要があり、それだけ製造コストが増大するという
不都合を招来していた。
本発明は、従来例にみられる上記不都合を考慮
してなされたものであつて、貴金属導体を多用す
ることなく、上下配線導体層の立体交差部におい
て、気泡発生に起因する絶縁性等の低下を来すこ
とのない、信頼性の高い多層配線基板を得るよう
にした多層配線基板の製造方法の提供を目的とす
るものである。
してなされたものであつて、貴金属導体を多用す
ることなく、上下配線導体層の立体交差部におい
て、気泡発生に起因する絶縁性等の低下を来すこ
とのない、信頼性の高い多層配線基板を得るよう
にした多層配線基板の製造方法の提供を目的とす
るものである。
本発明の多層配線基板の製造方法は、所定の導
体からなる第１配線導体層形成工程と、前記第１
配線導体層を被覆する絶縁層を前記基板上に形成
する絶縁層形成工程と、前記第１配線導体層と異
なる導体からなりダミー接続部を介して連続する
第２配線導体層を、前記絶縁層を介して前記第１
配線導体層と立体交差し一部が第１配線導体層と
接続されるように印刷・焼成して形成する第２配
線導体層形成工程と、前記第２配線導体層形成工
程の後に前記ダミー接続部を切断するダミー接続
部切断工程とを含むことを特徴とするものであ
る。
体からなる第１配線導体層形成工程と、前記第１
配線導体層を被覆する絶縁層を前記基板上に形成
する絶縁層形成工程と、前記第１配線導体層と異
なる導体からなりダミー接続部を介して連続する
第２配線導体層を、前記絶縁層を介して前記第１
配線導体層と立体交差し一部が第１配線導体層と
接続されるように印刷・焼成して形成する第２配
線導体層形成工程と、前記第２配線導体層形成工
程の後に前記ダミー接続部を切断するダミー接続
部切断工程とを含むことを特徴とするものであ
る。
本発明に係る多層配線基板の製造方法の一実施
例を、第２図ａ〜ｆに基いて以下に詳述する。
例を、第２図ａ〜ｆに基いて以下に詳述する。
(1) 先ず最初に、低比抵抗のAu系導体からなる
第１の配線導体層１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１
１ｄ，１１ｅ，１１ｆを、アルミナ等からなる
絶縁基板１２の一面の一部に印刷し、これを乾
燥した後、加熱して焼成〔第１図ａ〕。
第１の配線導体層１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１
１ｄ，１１ｅ，１１ｆを、アルミナ等からなる
絶縁基板１２の一面の一部に印刷し、これを乾
燥した後、加熱して焼成〔第１図ａ〕。
(2) 次に、銀パラジウム系導体からなる第２の配
線導体層１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ，１
３ｅ，１３ｆ，１３ｇ，１３ｈを、同様にして
絶縁基板１２上に印刷・焼成して形成する。こ
のうち、配線導体層１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，
１３ｄ，１３ｅ，１３ｆについては、その一部
をそれぞれ前記第１の配線導体層１１ａ，１１
ｂ，１１ｃ，１１ｄ，１１ｅ，１１ｆに重ね
て、各々これらの配線導体層に接続させてい
る。特に配線導体層１３ｄ，１３ｅ間は、狭幅
のダミー接続部１３′で橋絡して、互いに連続
するパターンとしている〔第１図ｂ〕。
線導体層１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ，１
３ｅ，１３ｆ，１３ｇ，１３ｈを、同様にして
絶縁基板１２上に印刷・焼成して形成する。こ
のうち、配線導体層１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，
１３ｄ，１３ｅ，１３ｆについては、その一部
をそれぞれ前記第１の配線導体層１１ａ，１１
ｂ，１１ｃ，１１ｄ，１１ｅ，１１ｆに重ね
て、各々これらの配線導体層に接続させてい
る。特に配線導体層１３ｄ，１３ｅ間は、狭幅
のダミー接続部１３′で橋絡して、互いに連続
するパターンとしている〔第１図ｂ〕。
(3) 次いで、結晶化ガラス等からなる絶縁層１４
を、前記第１の配線導体層１１ｅ、第２の配線
導体層１３ｆ，１３ｇの一部を覆うように前記
絶縁基板１２上に印刷し、これを乾燥した後、
焼成する〔第１図ｃ〕。同図において、１５は
上記絶縁基板１４と同時に形成される別の絶縁
層である。
を、前記第１の配線導体層１１ｅ、第２の配線
導体層１３ｆ，１３ｇの一部を覆うように前記
絶縁基板１２上に印刷し、これを乾燥した後、
焼成する〔第１図ｃ〕。同図において、１５は
上記絶縁基板１４と同時に形成される別の絶縁
層である。
(4) 更に、銀パラジウム系導体からなる別の第２
の配線導体層１６を、前記絶縁層１４を介して
前記第１の配線導体層１１ｅ、先の第２の配線
導体層１３ｆ，１３ｇと立体交差し両端部が先
の第２の配線導体層１３ｄ，１３ｈの一部と重
なるように印刷・焼成して形成する〔第１図
ｃ〕。これにより、先の第２の配線導体層１３
ｄ、１３ｈ間は、後に形成された第２の配線導
体層１６を介して接続され、この配線導体層１
６と、その下層に位置する他の配線導体層とは
その交差部において絶縁状態に保たれる。
の配線導体層１６を、前記絶縁層１４を介して
前記第１の配線導体層１１ｅ、先の第２の配線
導体層１３ｆ，１３ｇと立体交差し両端部が先
の第２の配線導体層１３ｄ，１３ｈの一部と重
なるように印刷・焼成して形成する〔第１図
ｃ〕。これにより、先の第２の配線導体層１３
ｄ、１３ｈ間は、後に形成された第２の配線導
体層１６を介して接続され、この配線導体層１
６と、その下層に位置する他の配線導体層とは
その交差部において絶縁状態に保たれる。
(5) この後、前記配線導体層１３ａ，１３ｂ間、
および配線導体層１３ｆ，１３ｇ間にまたがる
酸化ルテニウム系などの抵抗体１７，１８を、
印刷・焼成して形成し、更に絶縁基板１２上の
所定面域（ダミー接続部１３′の部分を除く）
に、非結晶質ガラスからなるカバーガラス保護
層１９を印刷し、約500℃に加熱して焼成する
〔第１図ｅ〕。
および配線導体層１３ｆ，１３ｇ間にまたがる
酸化ルテニウム系などの抵抗体１７，１８を、
印刷・焼成して形成し、更に絶縁基板１２上の
所定面域（ダミー接続部１３′の部分を除く）
に、非結晶質ガラスからなるカバーガラス保護
層１９を印刷し、約500℃に加熱して焼成する
〔第１図ｅ〕。
(6) 最後に、第２の配線導体層１３ｂ，１３ｅ間
に橋絡する前記ダミー接続部１３′を、レーザ
ー光線により切断して、所望の多層配線基板を
得る〔第１図ｆ〕。
に橋絡する前記ダミー接続部１３′を、レーザ
ー光線により切断して、所望の多層配線基板を
得る〔第１図ｆ〕。
以上の製造工程において、Au系導体からなる
第１の配線導体層１１ｅと、絶縁層１４を介して
立体交差する銀パラジウム系導体からなる第２の
配線導体層１６とは、焼成処理のさい、第２の配
線導体層１３ｂ，１３ｅ、ダミー接続部１３′を
介して導通状態に保たれているので、上記交差部
での上下層の異種金属導体間のイオン化傾向の差
（AuよりもAgの方がイオン化傾向が大きい）に
起因して、焼成中の電解質の高温絶縁層１４を介
し上下層間、即ち配線導体層１１ｅ，１６間に電
位差が生じることはない。従つて焼成のさい、上
記交差部において、上層の配線導体層１６から銀
イオン（Ag+）が絶縁層１４を通つて下層の配線
導体層１１ｅ表面に拡散するという現象は発生せ
ず、この間、高温の絶縁層１４（絶縁ガラス）か
ら酸素が離脱することもなく、焼成に伴なう上下
層交差部における気泡の発生が回避される。そし
て、すべての焼成処理が終り前記ダミー接続部１
３′が不要となつた最後の段階でダミー接続部１
３′を切断して、配線導体層１３ｄ，１３ｅ間を
本来の非導通状態に切り離すものである。
第１の配線導体層１１ｅと、絶縁層１４を介して
立体交差する銀パラジウム系導体からなる第２の
配線導体層１６とは、焼成処理のさい、第２の配
線導体層１３ｂ，１３ｅ、ダミー接続部１３′を
介して導通状態に保たれているので、上記交差部
での上下層の異種金属導体間のイオン化傾向の差
（AuよりもAgの方がイオン化傾向が大きい）に
起因して、焼成中の電解質の高温絶縁層１４を介
し上下層間、即ち配線導体層１１ｅ，１６間に電
位差が生じることはない。従つて焼成のさい、上
記交差部において、上層の配線導体層１６から銀
イオン（Ag+）が絶縁層１４を通つて下層の配線
導体層１１ｅ表面に拡散するという現象は発生せ
ず、この間、高温の絶縁層１４（絶縁ガラス）か
ら酸素が離脱することもなく、焼成に伴なう上下
層交差部における気泡の発生が回避される。そし
て、すべての焼成処理が終り前記ダミー接続部１
３′が不要となつた最後の段階でダミー接続部１
３′を切断して、配線導体層１３ｄ，１３ｅ間を
本来の非導通状態に切り離すものである。
本発明の多層配線基板の製造方法は、以上のよ
うに、絶縁層を介して立体交差する互いに異種導
体からなる上下層の配線導体層間をダミー接続部
を介して連続させておき、しかる後に上層の配線
導体層その他の焼成処理を行ない、その後にダミ
ー接続部を切断して、上下層の配線導体層間を本
来の非導通状態に切り離すようにしたから、焼成
処理のさい、上下層の配線導体層間に異種導体間
のイオン化傾向の差に起因する電位差が生じるこ
とはない。従つて焼成処理のさい、絶縁層を通つ
て上下層の一方の配線導体層から他の配線導体層
へ導体イオンが拡散するという現象が回避され、
上下層の交差部において絶縁層の気泡の発生を見
ることもない。それ故、従来の製造方法にダミー
接続部を切断する工程を付加するだけで、立体交
差部において気泡発生に起因する絶縁性通の低下
を招来することがなく、信頼性の高い多層配線基
板を、貴金属を多用することなく安価に製造する
ことが出来るという優れた効果を奏しうる。
うに、絶縁層を介して立体交差する互いに異種導
体からなる上下層の配線導体層間をダミー接続部
を介して連続させておき、しかる後に上層の配線
導体層その他の焼成処理を行ない、その後にダミ
ー接続部を切断して、上下層の配線導体層間を本
来の非導通状態に切り離すようにしたから、焼成
処理のさい、上下層の配線導体層間に異種導体間
のイオン化傾向の差に起因する電位差が生じるこ
とはない。従つて焼成処理のさい、絶縁層を通つ
て上下層の一方の配線導体層から他の配線導体層
へ導体イオンが拡散するという現象が回避され、
上下層の交差部において絶縁層の気泡の発生を見
ることもない。それ故、従来の製造方法にダミー
接続部を切断する工程を付加するだけで、立体交
差部において気泡発生に起因する絶縁性通の低下
を招来することがなく、信頼性の高い多層配線基
板を、貴金属を多用することなく安価に製造する
ことが出来るという優れた効果を奏しうる。
第１図ａ〜ｆは本発明の一実施例を示す工程説
明図、第２図ａ〜ｅは従来例を示す工程説明図で
ある。 １１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ，１１ｅ，１
１ｆは第１の配線導体層、１２は絶縁基板、１３
ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ，１３ｅ，１３ｆ，
１３ｇ，１３ｈ，１６は第２の配線導体層、１
３′はダミー接続部、１４は絶縁層である。
明図、第２図ａ〜ｅは従来例を示す工程説明図で
ある。 １１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ，１１ｅ，１
１ｆは第１の配線導体層、１２は絶縁基板、１３
ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ，１３ｅ，１３ｆ，
１３ｇ，１３ｈ，１６は第２の配線導体層、１
３′はダミー接続部、１４は絶縁層である。
Claims (1)
- １ 所定の導体からなる第１配線導体層を絶縁基
板上に形成する第１配線導体層形成工程と、前記
第１配線導体層を被覆する絶縁層を前記基板上に
形成する絶縁層形成工程と、前記第１配線導体層
と異なる導体からなりダミー接続部を介して連続
する第２配線導体層を、前記絶縁層を介して前記
第１配線導体層と立体交差し一部が第１配線導体
層と接続されるように印刷・焼成して形成する第
２配線導体層形成工程と、前記第２配線導体層形
成工程の後に前記ダミー接続部を切断するダミー
接続部切断工程とを含むことを特徴とする多層配
線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24123084A JPS61119096A (ja) | 1984-11-15 | 1984-11-15 | 多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24123084A JPS61119096A (ja) | 1984-11-15 | 1984-11-15 | 多層配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61119096A JPS61119096A (ja) | 1986-06-06 |
| JPH0222556B2 true JPH0222556B2 (ja) | 1990-05-18 |
Family
ID=17071136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24123084A Granted JPS61119096A (ja) | 1984-11-15 | 1984-11-15 | 多層配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61119096A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6347605B2 (ja) * | 2013-12-27 | 2018-06-27 | 京セラ株式会社 | 圧電発振器 |
| JP6374163B2 (ja) * | 2013-12-27 | 2018-08-15 | 京セラ株式会社 | 圧電発振器 |
| JP6396019B2 (ja) * | 2013-12-27 | 2018-09-26 | 京セラ株式会社 | 圧電発振器の製造方法 |
-
1984
- 1984-11-15 JP JP24123084A patent/JPS61119096A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61119096A (ja) | 1986-06-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0213958B2 (ja) | ||
| JPH0222556B2 (ja) | ||
| KR970063036A (ko) | 서멀헤드 및 그 제조방법 | |
| JPS6216546B2 (ja) | ||
| JPS63141388A (ja) | 厚膜回路基板の製造方法 | |
| JPH0743339A (ja) | セラミック酸素センサの製造方法 | |
| JPH02110992A (ja) | パターン接続方法 | |
| JP2007027501A (ja) | チップ抵抗器 | |
| JPS6165465A (ja) | 厚膜多層基板における膜抵抗体の製造方法 | |
| JPH0346518Y2 (ja) | ||
| JPH07211509A (ja) | チップ抵抗器とその製造方法 | |
| JPH0770378B2 (ja) | 回路基板 | |
| JPH0818240A (ja) | 厚膜回路基板 | |
| JPS60219758A (ja) | 多層厚膜基板の製造方法 | |
| JPH0922816A (ja) | 抵抗器の製造方法 | |
| JPH0751806Y2 (ja) | 厚膜回路装置 | |
| JPH04237172A (ja) | 電歪効果素子 | |
| JPS60219707A (ja) | 膜抵抗体の製造方法 | |
| JPS63283104A (ja) | ＡｌＮ基板上への抵抗体の形成方法 | |
| JPH0426182A (ja) | 厚膜印刷基板 | |
| JPH05144553A (ja) | ヒータおよびヒータの製造方法 | |
| JPS5773959A (en) | Manufacture of thick film hybrid integrated circuit board | |
| JPS6045095A (ja) | 厚膜多層基板の製造方法 | |
| JPS63281499A (ja) | 多層配線基板 | |
| JPS5820159B2 (ja) | 交叉配線を有する薄膜回路基板の製造方法 |