JPH02111978A - 光走査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、所定方向に移動する被走査媒体に光ビーム
を被走査媒体の穆動方向に直行する方向に対して走査す
る光走査装置に関するものである。

（従来の技術） 従来、この種の画像記録装置には画像情報に応じた光ビ
ームを像担持体となる感光体に走査する光走査装置、例
えばレーザビームプリンタにおいては、スキャナモータ
により回転されるポリゴンミラー、結像レンズ等からな
る走査機構が具備されている。

そして、一定速度で回転されるポリゴンミラーにより画
像情報に基づいて変調されたレーザビームを所定速度で
回転すると規定されている感光体上に結像させ、静電潜
像を形成している。

このうち、光走査系を構成する回転多面体等の偏向反射
面の加工誤差による倒れや回転軸の倒れにより生じる走
査線ピッチむらを光学的または電気的に除去している。

ところが、通常この種の光走査方法または光走査装置に
おいては、偏向方向と直行する方向の副走査は主に機械
的に被走査媒体となる、例えば感光体をわ動させること
により行うため、種々の電気的および機械的調整により
感光体の′８ＷＪＪ速度を一定に保持させることは困難
となる。

このような被走査媒体の移動速度むらが原因で、被走査
媒体上に描かれる走査線は不規則なピッチとなり易い。

特にこの種のピッチむらは、通常走査線のピッチに対し
てかなり周期的なむらとして現われるため、非常に目立
つものとなる。

一方、この種の被走査媒体に移動速度むらが生じする原
因としては、駆動系の電動機の回転むら、電動機の回転
力を被走査媒体に伝える伝達系の摩擦力、張力の不規則
な変化、被走査媒体がドラム状である場合には、回転軸
の偏心、ドラムの真円度の歪等が考えられ、これらの原
因による被走査媒体の移動速度のむらを解消するため、
速度むらを検知する手段を設け、この検知手段からの検
知信号に基づき光源からの光束を偏向器によフて被走査
媒体に走査される主走査方向と略直交する方向に光束を
、例えば第２の偏向器によって偏向して対処する等の提
案が成されている。

（発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、この種の方法では、副走査方向（光ビー
ム走査方向と直交する方向）の速度を高精細に制御する
必要があり、以下に説明するような幾多の困難がある。

すなわち、副走査方向の光走査間隔ｔは、分解能（１／
　ｐ　ｍｍ）と被走査媒体の移動速度（■ｍｍ／５ｅｃ
）で一義的（ｔ≦１／ｐｖ）に決定される。

一方、被走査媒体に与えられる光エネルギー（Ｅ）は、
単位時間当たりの光束（Φ）と、単位時間当たりの光走
査面積との比率（Φ・ｔ／ｖ４）で与えられ、結果とし
て光エネルギーの比率は、被走査媒体の速度比率として
与えられる。すなわち、被走査媒体の移動速度変化率が
α％のとと、被走査媒体に与えれる光エネルギーまたは
露光量の変化率もα％となる。

以下、第１０図および第１１図を参照しながら走査ムラ
および光エネルギーまたは露光量の変化率と速度むらと
の関係について説明する。

第１０図は被走査媒体の速度むら特性を説明する特性図
であり、縦軸は走査速度Ｖを示し、Ｖ。

が被走査媒体の平均速度を示す。また、横軸は時間ｔを
示す。

今、被走査媒体がｖ＝ｖｏｓｉｎ（ｌπｆ　ｔ）なる正
弦波で規定される走査速度むらを生じている場合、例え
ば第１０図において、被走査媒体の平均速度ｖ　０＝　
１６０　ｍｍ／ｓｅｃ、分解能１／１６ｍｍ（約４００
ＤＰＩ）とすると、副走査間隔Δ１＝０゜４ｍ５ｅ　ｃ
である。この被走査媒体が±０，８％の変動を５０Ｈｚ
の周期でむらがあると（人間の目に目立ち易い長周期ピ
ッチである）、図中Ｔ１＝１０ｍｓｅｃとなる。

一方、速度変動の最大速度Ｖ□８および最小速度ｖ１ｎ
は、下記第（１）式および第（２）式で与えられる。

最大速度ｖ　ｓａｗ　＝　１６０　（ｍｍ／５ｅｃ）　
ｘ　　１００．８／１００〜１６１　、　３　　ｍｍ／
５ｅｃ ・・・・・・（１） 最小速度Ｖ１．ｌＩｎ　＝１６０（ｍｍ／５ｅｃ）　ｘ
　　９９．２／１００〜１　５８．　７　　　ｍｍ／ｓ
ｅｃ ・・・・・・（２） このことから、図中Ａ点における走査間隔は、最大速度
ｖ、、、ｘ×副走査問隔Δを岬６４．５μｍとなり、図
中Ｂにおける走査間隔は、最小速度’ｌ’＋ａｌｎＸ副
走査問隔Δｔ＃６３．５μｍとなる。

さらに、このＡ、Ｂ点間の時間（半周期ＴＩ）１、：Ｔ
１／Δｔ＝２５木の光走査が行われ、５本の光走査で約
１μｍ、１本当たりの光走査では平均的には、１／２５
μｍ（厳密には各走査毎のずれ量の積分として与えられ
るので、基準走査位置からのずれ量はもっと大きくなる
）のずれが生じることになる。

第１１図は光束と濃度との相関関係を説明する相対図で
あり、上縦軸が表面電位Ｖを、下段ｃＦ！［ｌＩが基準
濃度信号り。を示し、右横軸が光量（光エネルギー）Ｅ
を、左横軸が濃度りを示す。

この図から解るように、オリジナル濃度または基準濃度
信号Ｄ０に対して光走査のため光量Ｅが定められ、この
光量已に対して被走査媒体である光半導体の表面電位（
電荷量）■が決定される。

この被走査媒体表面の表面電位Ｖに対して粉体等の着色
剤を現像装置によって現像することによって、紙等の転
写材に濃度りなる画像を顕像化させることができる。こ
こで、光量（光エネルギー）ＥがΔＥだけ変化すると、
被走査媒体表面上の表面電位はΔＶだけ変化し、その結
果最終的に濃度ΔＤだけ変化することとなる。

前述したように、被走査媒体の速度変動は、光エネルギ
ー変動と等価のため、±０．８％の速度むらは、上０゜
８％の光ユむらとなって表現される。

一般に、被走査媒体である光半導体の物性、粉体等の着
色剤を現像するための現像方法等によって光量（光エネ
ルギー）ＥがΔＥだけ変化すると、ΔＶ、ΔＤの変化率
は異なるが、光走査によって階調を持たせる場合、例え
ば光源からの光束を時間変調させたり、輝度変調させた
りして階調を持たせる場合には、第１１図に示した光量
幅を広く使うため、特にΔＥの変化幅をできるだけ小さ
くする必要がある。

実験によれば、このようなむらは、図中の濃度ΔＤの幅
が、±０．０２〜±０．０３以上（反射率測定法による
）変化した場合に認知される。このため、濃度ΔＤの幅
として、すなわち速度変動Δ■を少なくとも±２％以内
、好ましくは±１％以内に抑えることが望ましいことが
考察された。

これを上述した速度変動±０．８％で、各走査間隔のズ
レ量は、平均すると約１／２５μｍであり、上２゜４％
としても約３／２５μｍを制御する必要性が生じる。

この走査間隔を光束の副走査間隔の位置制御、すなわち
副走査駆動系のみの制御によって達成することはきわめ
て困難であるという重大な問題点があった。

この発明は、上記の問題点を解決するためになされたも
ので、被走査媒体の副走査方向移動むらを検知して、検
知された被走査体の副走査方向移動むらに基づいて一方
の走査系から走査される光束の強度を他方の走査系から
走査する光束により可変することにより、副走査方向に
移動する被走査媒体上へのビーム走査むらを除去できる
光走査装置を得ることを目的とする。

〔課コを解決するための手段〕

この発明に係る光走査装置は、被走査媒体に設定された
基準８勅速度に対する実移動速度むらを検知する検知手
段と、この検知手段により検知された実移動速度むらユ
に基づいて第１光束の被走査媒体への強度を調整する第
２光束を発生させる第２の光源と、この第２の光源から
の第２光源と第１光源からの第１光束とを合成する合成
手段とを設けたものである。

（作用） この発明においては、検知手段により被走査媒体に設定
された基準移動速度に対する実■３動速度むらが検知さ
れると、第２の光源より第１の光源からの第１光束の走
査間隔が一定となるように第２の光源より第２光束を発
生させ、合成手段により第１光束と第２光束とを合成し
て第１光束の被走査媒体への強度を可変調整させ、合成
された合成光束を偏向手段により偏向して、被走査媒体
に走査させる。

〔実施例〕

第１図はこの発明の一実施例を示す光走査装置を説明す
る斜視図であり、１ａは第２光源となる第２半導体レー
ザユニットで、制御回路４ａからの駆動電流に応じて光
束（第２光束）Ｌａを合成手段となるビームスプリッタ
１ｃに照射する。

１ｂは第１光源となる第１半導体レーザユニットで、例
えば図示しないホストから制御回路４ｂに人力される画
像情報に基づいて変調された第１光束Ｌｂをビームスプ
リッタ１ｃに照射する。

２は偏向手段となるポリゴンミラーで、スキャナモータ
２ａにより一定速度で回転され、ビームスプリッタ１Ｃ
により合成出力される合成光束Ｌ１を偏向して、偏向光
束Ｌ２を被走査媒体となる、例えば感光ドラム３（矢印
Ｄ２方向に回転８勤する）上に、すなわち矢印Ｄ２方向
と直交する矢印ＤＩ方向に水平走査する。

５は検知手段となる検出器で、感光ドラム３上に記録さ
れた、例えば濃淡が周期的に変化するパターンを感光ド
ラム３の実駆動に並行して光学的に読み取り、読取り信
号を制御回路４ａに出力する。制御回路４ａには、あら
−かじめ感光ドラム３の実穆動速度を検出するための周
期パターンデータ（基準移動速度データとなる周期パタ
ーンデータ）が記憶されており、この周期パターンデー
タと上記検出器５が読み取った周期パターン信号列との
時間的差分を演算して、速度むらを補正する、すなわち
第１光束Ｌｂの強度を偏向するための駆動電流を第２半
導体レーザユニット１ａに出力する。

第２図は、第１図に示した第１光束Ｌｂ、第２光束Ｌａ
の光束特性を説明する特性図であり、縦軸は光束Φを示
し、横軸は駆動電流ｉを示す。

この図において、■は第１光束特性を示し、第１図に示
した第１半導体レーザユニット１ｂより照射される第１
光束Ｌｂに対応し、この第１光束Ｌｂが基本走査光束と
なる。なお、第１光束Ｌｂは、しきい値電流Ｉｔｈを越
えると、駆動電流ｉに略比例して大きくなる。

ＩＩは第２光束特性を示し、第１図に示した第２半導体
レーザユニット１ａより照射される第２光束Ｌａに対応
し、この第２光束Ｌａが走査むら補正用の光束として機
能する。ＩＩＩは第３光束特性を示し、第１図に示した
第２半導体レーザユニット１ａより照射される第゛２光
束Ｌａの光路中にＮＤフィルタを介した場合の光束特性
に対応する。

次に第１図の動作を第３図および第４図を参照しながら
説明する。

第１半導体レーザユニット１ｂより発生された第１光束
Ｌｂがビームスプリッタ１ｃを介してポリゴンミラー２
に走査されると、偏向された偏向光束Ｌ２を被走査媒体
となる、例えば感光ドラム３（矢印Ｄ２方向に回転わ動
する）上に、すなわち矢印Ｄ２方自と直交する矢印り、
方向に対して周期的に水平走査される。なお、感光ドラ
ム３の駆動手段は図示していない。

このとき、感光ドラム３の８勤速度むらに起因して第３
図に示すような走査線むらが発生する。

第３図は、第１図に示した感光ドラム３に形成される走
査線むらを説明する模式図であり、Ｈ２は疎走査線エリ
アで、感光ドラム３のＢ動速度（矢印Ｄ２方向への移動
速度）が速い場合に相当し、走査線間隔が疎となる。Ｈ
ｌは密走査線エリアで、感光ドラム３のＢ動速度（矢印
Ｄ２方向への移動速度）が遅い場合に相当し、走査線間
隔が密となる。このような密度むらがピッチむらとなっ
て観察される。

そこで、第４図に示すように感光ドラム３の被画像領域
に設けられ、かつ感光ドラム３の）３動方向に対して周
期的に濃淡が変化するパターン５ｃを、例えばＬＥＤ発
光素子で構成される発光部５ａにより露光し、その反射
光を受光することにより移動むらを検知する検出器５に
より検出して、その検出データ列を制御回路４ａに出力
する。そして、制御回路４ａがあらかじめ記憶された周
期変化データ列（感光ドラム３が理想的に等速度移動し
た場合に出力される周期データ列）と検出データ列とを
比較してその差分ΔＸを演算する。そして、その差分Δ
Ｘを相殺する”Ａ　Ｄ　Ｔ；’＋＊を第２半導体レーザ
ユニット１ａに出力する。これにより、第２半導体レー
ザユニット１ａより光束（第２光束）Ｌａを合成手段と
なるビームスプリッタ１Ｃに出力する。

例えば第２図に示す第１光束特性■に対応する第１半導
体レーザユニット１ｂより発生される光束（第１光束）
Ｌｂにより基本走査を行い、８勤むらに応じた、すなわ
ち検出器５からの出力に基づいて演算された差分ΔＸを
相殺する駆ｗに流を第２半導体レーザユニット１ａに出
力し、第２図に示した第２光束特性１１を有する光束（
第２光束）Ｌａをビームスプリッタ１ｃに出力すること
により、第３図に示したピッチむらを補正し、所定のピ
ッチで偏向光束Ｌ２を被走査媒体となる、例えば感光ド
ラム３に走査できる。このように、光源の出力の小さい
第２半導体レーザユニット１ａを利用すると、第２光束
特性ＩＩに示されるように光束Φが小さい（光量エネル
ギーが小さい）ため、第２半導体レーザユニット１ａの
光量を犬ぎく変化させても被走査媒体となる感光ドラム
３の表面電位変化は、１半導体レーザユニット１ｂより
発生される光束（第１光束）Ｌｂに基づく表面電位変化
よりも小さくなる。従って、顕像化手段となる濃度変化
は小さくなり、微妙な濃度むら（ピッチむら）を補正す
ることかできる。

一方、第２図に示す第３光束特性Ｉｎを有する第２半導
体レーザユニット１ａを利用する場合には、光束（第２
光束）Ｌａ中にＮＤフィルタを挿入し、電流変化に対す
る光量変化率を小さくして使用し、その透過率は０〜１
００％のうち、任意の透過率のものを選択して使用し、
これにより上記のとおり感光ドラム３の移動速度むらに
起因したピッチむらを解消することができる。

次に第５図および第６図（ａ）〜（Ｃ）を参照しながら
検出器５の構成および制御回路４ａについて説明する。

第５図は、第１図に示した検出器５の構成を説明する回
路ブロック図であり、第４図と同一のものには同じ符号
を付しである。

この図において、５ｄは波形整形回路で、受光部５ｂか
ら出力された検知信号を波形整形したパルスを位相検出
回路５ｆに出力する。位相検出回路５ｆは、基準パルス
発振器５ｅからの出力波形（周期的に濃淡が変化するパ
ターン５ｃが基準速度で検出された場合に相当するパル
ス）と波形整形回路５ｄから実測出力されたパターン５
ｃに対応するパルスとの位相差を検出し、増幅器５ｇか
ら差分ΔＸとして制御回路４ａに出力する。

発光部５ａは、感光ドラム３上に記録され、感光ドラム
３の移動方向に対して周期的に濃淡が変化する、例えば
バーコード等のパターン５ｃを一定光量で連続的に照射
する。この照射により得られる反射光は受光部５ｂに検
知され、周期的に濃淡が変化するパターン５Ｃに対応し
た周期的に変化する波形となるが、感光ドラム３の移動
速度にむらがあると一定周期ではなくなる。従って、受
光部５ｂの出力は、感光ドラム３の所定の８勤量を表わ
す一定周期の基準パルスと対比すると、不規則な位相差
が生じる。これを位相検出回路５ｆにより検出して差分
ΔＸとして制御回路４ａに出力する。

第６図（ａ）、（ｂ）は、第１図に示した制御回路４ａ
の構成を説明する回路ブロック図であり、これらの図に
おいて、１１はＡ／Ｄ変換器で、検出器５から出力され
る差分ΔＸをディジタル信号に変換し、差分データΔＤ
ｘをＣＰＵ１２に出力する。ＣＰＵ１２は差分データΔ
Ｄｘに基づいて第２半導体レーザユニット１ａの光束Ｌ
ａを得るための基準電流値とを比較して変化分を算出す
る。そして、その変化分データをＤ／Ａ変換器１３によ
りアナログ信号に変換し、このアナログ信号により定電
流回路１４を働かせ、第２半導体レーザユニット１ａを
駆動する。

１５は光量モニタ回路で、第２半導体レーザユニット１
ａからの光束Ｌａの経時変化および発熱に起因する光量
変動を捕らえて光束Ｌａを所定値に安定させるための光
量補正信号をＣＰＵ１２に出力する。

第６図（ｃ）は、第６図（ａ）、（ｂ）に示した第２半
導体レーザユニット１ａの構成を説明するブロック図で
あり、２１は半導体レーザで、万端は基準電源２３に接
続され、他方端は定電流回路１４に接続され、定電流回
路１４から出力される駆動電流により発光し、所定の光
束Ｌａを発射する。２２はフォトダイオードで、半導体
レーザ２１のバックビームを受光し、可変抵抗器２４に
より決定される光量モニタ電位ｖ■を光量モニタ回路１
５に出力させる。

なお、上記実施例においては、第２半導体レーザユニッ
トｌａ、第１半導体レーザユニット１ｂの光束Ｌａ、Ｌ
ｂに着目して光束を制御してピッチむらを制御する場合
について説明したが、第２半導体レーザユニットｌａ、
第１半導体レーザユニット１ｂの中心発光波長に着目し
て、すなわち感光ドラム３の感度特性に着目して微妙な
濃度むらを補正することもできる。

第７図は、第１図に示した感光ドラム３の波長−感度特
性を示す特性図であり、縦軸は感光ドラム３の光感度の
波長依存性を示し、横軸は第２半導体レーザユニットＩ
ａ、第１半導体レーザユニッ）−１ｂの中心発光波長（
λ）を示す。

この図から解るように、第１半導体レーザユニット１ｂ
の中心発光波長λ１の方が波長依存性が高くし、第２半
導体レーザユニット１ａの波長依存性λ２が波長依存性
が低く設定（ただし、λ１〉λ２の関係）し、検出器５
から検出された感光ドラム３の移動速度むらに基づいて
第２半導体レーザユニット１ａへの駆動電流を制御する
ことにより、濃度むらを補正することができる。

なお、第２半導体レーザユニットｌａ、第１半導体レー
ザユニット１ｂの中心発光波長λ１λ２は感光ドラム３
の波長−感度特性に併せて任意に選択すれば良い。この
実施例においては、第２半導体レーザユニット１ａの出
力を５　ｍ　Ｗ　、第１半導体レーザユニット１ｂの出
力を１０ｍ　Ｗとし、ＮＤフィルタの透過率を３０〜５
０％とし、さらに感光ドラム３として有機光半導体（ｏ
ＰＣ）に対して中心発光波長λ１．λ２を約７８０ｎｍ
、８２０ｎｍとしているものを採用している。

そして、走査密度が疎となる、第３図に示す線走査線エ
リアＨ２のところの表面電位は全体に低下し、逆に回走
査線エリアＨ１なところは表面電位が増加し、図示しな
い現像手段により顕像化された時は均一な濃度となる。

なお、上記実施例ではバックグラウンド露光方式（非露
光部を現像）する場合にこの発明を適用する場合につい
て説明したが、イメージ露光方式（露光部が現像される
）の場合であってもこの発明を適用でき、光量が増大し
て表面電位が低くなったところが濃く現像される。また
、上記実施例では、各走査線毎の走査間隔異常を検出し
て光束を補正して走査線ピッチむらを解消する場合につ
いて説明したが、走査線ピッチが課な場合と走査線ピッ
チが密な場合との平均から光束を補正してもピッチむら
を軽減することができる。

さらに、上記実施例では感光ドラム３、すなわち被走査
媒体の速度むらを感光ドラム３に記録された濃淡が周期
的に変化する、例えばバーコード列からなるパターン５
Ｃを読取って検出したが、感光ドラム３に設けるエンコ
ーダからのパルス信号により検出しても良い。

また、上記実施例においては、レーザ光束を駆動電流制
御により調整して走査線ピッチむらを解消する場合につ
いて説明したが、第２半導体レーザユニットｉａ、ｉ１
半導体レーザユニット１ｂの点灯時間をパルス幅変調し
て、例えば第８図（ａ）、（ｂ）に示されるように、１
画素に対する点灯時間を±Δを時間制御、すなわち同図
（ａ）においては、連続点灯時間をＯ〜Δを時間だけ制
御することにより黒べた画像むらを、同図（ｂ）におい
ては、±Δを時間制御することによりハーフトーン画像
むらを押えることができる。

第９図はこの発明による走査線ピッチむら補正処理手順
の一例を説明するフローチャートである。なお、（１）
〜（１０）は各ステップを示す。

制御回路４ｂは、ドラム駆動指令が入力されるのを待機
しく１）　　　ドラム駆動指令が入力されたら、感光ド
ラム３の駆動を開始しく２）　　　ドラム回転が定常回
転となる、すなわち被走査速度が定常速度となるのを待
機する（３）。

そして、定常回転に到達したら、検出器５が感光ドラム
３上のパターン５Ｃの読取りを開始する（４）。次いで
、制御回路４ａは検出器５により検出されたパターン読
取りデータとあらかじめ記憶された基準周期パターンデ
ータとを比較して疎の差分を演算する（５） 次いで、この差分が「０」かどうかを判断しく６）、Ｎ
ｏならば制御回路４ａが第２半導体レーザユニット１ａ
への駆動電流を決定しく７）　　ビームスプリッタ１ｃ
により各光束Ｌａ、Ｌｂを合成し、合成光束Ｌ１をポリ
ゴンミラー２により偏向して感光ドラム３を走査する（
８）。次いで、走査データが終了したかどうかを判断し
く９）　　ＹＥＳならば処理を終了し、Ｎｏならばステ
ップ（６）に戻る。

一方、ステップ（６）の判断でＹＥＳの場合には、第１
半導体レーザユニット１ｂからの単独の光束（第１光束
）Ｌｂをポリゴンミラー２により偏向して感光ドラム３
上を走査しく１０）、ステップ（９）に戻る。

〔発明の効果〕

以上説明したように、この発明は被走査媒体に設定され
た基準移動速度に対する実移動速度むらを検知する検知
手段と、この検知手段により検知された実移動速度むら
量に基づいて第１光束の被走査媒体への強度を調整する
第２光束を発生させる第２の光源と、この第２の光源か
らの第２光源と第１光源からの第１光束とを合成する合
成手段とを設けたので、従来の回路および被走査媒体駆
動系を大幅に変更することなく、被走査媒体に速度むら
が発生したことによる走査線ピッチむらを精度良く検出
し、かつ精度良く補正できる。

従って、被走査媒体に対して光束を均一のピッチで露光
走査でき、被走査媒体上に形成される静電潜像を顕像化
した場合に均一濃度または適正な中間良画像を形成でき
る当の優れた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示す光走査装置を説明す
る斜視図、第２図は、第１図に示した第１光束、第２光
束の光束特性を説明する特性図、第３図は、第１図に示
した感光ドラムに形成される走査線むらを説明する模式
図、第４図は、第１図に示した検出器のパターン読取り
処理を説明する斜視図、第５図は、第１図に示した検出
器の構成を説明する回路ブロック図、第６図（ａ）。 （ｂ）は、第１図に示した制御回路の構成を説明する回
路ブロック図、第６図（Ｃ）は、第６図（ａ）、（ｂ）
に示した第２半導体レーザユニットの構成を説明するブ
ロック図、第７図は、第１図に示した感光ドラムの波長
−感度特性を示す特性図、第８図（ａ）、（ｂ）はこの
発明によるレーザ光束制御原理を説明する原理説明図、
第９図はこの発明による走査線ピッチむら補正処理手順
の一例を説明するフローチャート、第１０図は被走査媒
体の速度むら特性を説明する特性図、第１１図は光束と
濃度との相関関係を説明する相対図である。 図中、１ａは第２半導体レーザユニット、１ｂは第１半
導体レーザユニット、１ｃはビームスプリッタ、２はポ
リゴンミラー　３は感光ドラム、４ａ、４ｂは制御回路
、５は検出器である。 第１図 ２、ボ°リゴンミラ− ３−感光ドラム 第 図 駆動を洸 第 図 第 図 発光波長（λ） 第 図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 第１光束を発生する第１の光源と、この第１の光源から
   発生される第１光束を被走査媒体上に偏向する偏向手段
   と、前記被走査媒体を前記第１光束の走査方向に対して
   直交する方向に移動させる移動手段とを有する光走査装
   置において、前記被走査媒体に設定された基準移動速度
   に対する実移動速度むらを検知する検知手段と、この検
   知手段により検知された実移動速度むら量に基づいて前
   記第１光束の前記被走査媒体への強度を調整する第２光
   束を発生させる第２の光源と、この第２の光源からの第
   ２光源と前記第１光源からの第１光束とを合成する合成
   手段とを具備したことを特徴とする光走査装置。