JPH02112866A - ターゲット用希土合金の製造方法 - Google Patents

ターゲット用希土合金の製造方法

Info

Publication number
JPH02112866A
JPH02112866A JP26481888A JP26481888A JPH02112866A JP H02112866 A JPH02112866 A JP H02112866A JP 26481888 A JP26481888 A JP 26481888A JP 26481888 A JP26481888 A JP 26481888A JP H02112866 A JPH02112866 A JP H02112866A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
alloy
rare earth
target
crucible
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP26481888A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinzo Oshima
信三 大島
Shigeru Tokohira
床平 茂
Masaki Tsuruzono
鶴園 正喜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Kasei Corp
Mitsubishi Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Kasei Corp, Mitsubishi Chemical Industries Ltd filed Critical Mitsubishi Kasei Corp
Priority to JP26481888A priority Critical patent/JPH02112866A/ja
Publication of JPH02112866A publication Critical patent/JPH02112866A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光磁気記録用等の薄膜をスパッタリングにより
製造する際に使用するのに適した希土合金ターゲット用
の希土合金の製造法に関す/ る。
〔従来の技術及び解決すべき課題〕
光磁気ディスク用記録膜の組成として、希土金属と遷移
金属との各種の組み合わせが報告されている。例えば、
Tb−Fe 、Tb−Fe−Co 。
Gd−Tb−Fe 、 Gd−Tb−Fe−Co 、 
T b−Co 。
Tb−Dy−Fe−Co 、 Dy−Fe 、 Gct
−Co  等があげられる。通常、この屯うな組成から
なる記録膜は上述のような合金からなるターゲットや単
独組成の複数のターゲットをスパッタし、基板に堆積さ
せることにより得られる。
このうち連続生産には合金ターゲットを用いる方法が有
利であると言われている。
この合金ターゲットを生産するに際しては、まず合金を
溶解せねばならないが、希土類金属は活性が強いので、
通常のるつぼを用いた溶解では希土類金属とるつぼとが
反応し、合金の汚染を生起したり、合金中の酸素濃度の
増加等が起き、ターゲット用として用い得る良好な合金
が得られなかった。
従来、例えば希土類金属を含む合金(例えばSm−Co
磁石合金)の溶解にアルミするつぼやカルシするつぼが
用いられる例があった。しかしアルミするつぼの場合、
Sm−Co磁石合金のように希土類金属濃度が70−/
J原子係と低い場合でも希土類金属がアルミするつぼと
反応し、合金中のAI含有量の増加がみられた。本発明
が対象とする合金の場合、その用途上希土類金属濃度が
通常lり原子係以上と高いため、反応性はますます上が
り、酸素汚染およびA1の混入が有り、ターゲツト材用
合金としては適さないことが判った。またカルシするつ
ぼは空気中の水分と反応しやすく、本発明に用いる合金
を溶解すると酸素汚染をおこしやすく溶解用のるつぼに
は適さないことが判った。
〔課題を解決するための手段〕
本発明者らは、合金ターゲツト材製造における合金溶解
時の上記問題点を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、特
定の材質からなるるつぼを用いることにより該問題点が
解決されることを見出して本発明に到達した。
即ち、本発明の要旨は、Tb 、 Gd 、 Nd 、
 Ho +Tm、Dy及びErからなる群から選択され
た希土類金属とFe、Co及びNiからなる群から選択
された遷移金属とからなるターゲット用希土合金を製造
するに際し、希土類金属と遷移金属とを窒化硼木製るつ
ぼで溶解し、鋳型に鋳造することを特徴とするターゲッ
ト用希土合金の製造方法、に存する。
以下、本発明につき詳細に説明する。
本発明のターゲット用希土合金は、希土類金属と遷移金
属とからなり、希土類金属としてはTb、Gd、Nd、
Ho、Tm、Dy及びErからなる群から選択された/
種類又Viλ種類以上が使用され、遷移金属としてはF
e、Co及びNiからなる群から選択された7種類又は
2種類以上が使用される。また形成されるスパッタ膜の
特性改良のために少量の第3成分、第≠成分等を添加し
た合金も本発明の合金の範囲に含まれる。
窒化硼木製のるつぼを用いることにより、光磁気ディス
ク用の記録膜を形成するためのターゲットの製造に多く
用いられている合金、すなわち希土類金属をlり原子係
以上含有する希土類金属と遷移金属との合金を汚染する
ことなく溶解及び鋳造が行なえることが判った。特に遷
移金属の共晶組織を持つ合金の場合は活性が強いため本
方法の効果が大きいことが判った。
溶解した合金は通常、鋳型に鋳造されるが、使用される
鋳型は空冷、水冷のいずれでも良い。
しかし、通常、生産性からみて水冷鋳型が使用されるこ
とが多い。また、鋳型の材質は通常使用される鋳鉄、銅
、ステンレスのほか窒化硼素等のセラミックスも使用さ
れる。
このようにして製造された希土合金は通常、次のように
してターゲツト材に加工される。
本合金は通常脆いので、大きいサイズのターゲットに直
接加工して製造することは出来ないそこで、得られた合
金を粉砕し、その後ホントプレス又は熱間等方プレス等
の粉末冶金によりターゲットの形とする方法が採用され
る。また特開昭&/−/≠326!号に記載されている
ようにスパンタリング特性を改良するために共晶組織を
含む合金を一旦製造し、これに成分調節のための金属粉
を混合し、その後ホットプレス又は熱間等方プレス等の
粉末冶金によりターゲットの形に成形する方法も有る。
〔実施例〕
以下、実施例により本発明の具体的態様を更に詳細に説
明するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施
例によって限定されるものではない。
実施例−l T b : F e : Co−20ニア −? :r
 (原子比)ノ合金ターゲット材用合金を製造した。ま
ずテルビウム、鉄及びコバルトの各棟を窒化硼木製るつ
ぼの中に入れ、/IAOO℃で20分間、真空中で溶解
し、次いで銅製の水冷鋳型に鋳造して10ノの合金を得
た。得られた合金の酸素濃度を測定したところ、2jO
ppm であった。またインゴットの3個所からサンプ
ルを採取し、組成を測定したところ、表−7のようであ
った。即ち組成の変動は±0.2原子係以下であり、組
成分布の無い合金が得られた。またるつぼ材による汚染
もなかった。
表−7 (単位:原子%) 中で溶解し、銅製水冷鋳型に鋳造し、10kgの合金を
得た。得られた合金の酸素濃度を測定したところ、30
0ppmであった。またインゴットの3個所からサンプ
ルを採取し、組成を測定したところ、表−コのようであ
った。即ち組成の変動は±0.2原子係以下であり、組
成分布の無い合金が得られた。またるつぼ材による汚染
もなかった。
表−2 (単位:原子係) この合金を粉砕し、熱間等方プレスを行なってターゲツ
ト材を得た。
実施例−2 Tb:Fe:C0=23:tり:♂(原子比)の合金タ
ーゲツト材用合金を製造した。
まずテルビウム−鉄共晶組織合金を製造するため、共晶
組織の組成であるTb:Fe=72=2♂(原子比)の
比率で両金属を窒化硼素のるつぼの中に入れ、7360
℃で20分間、真空この合金を粉砕し、成分調整用に鉄
粉とコバルト粉とを混合し、熱間等方プレスを行なって
ターゲツト材を得た。
比較例−7 実施例−/とほぼ同一組成(Tb:Fe:co=20=
72:♂(原子比))の合金ターゲツト材用合金を製造
した。
まずテルビウム、鉄及びコバルトの各棟をアルミするつ
ぼの中に入れ、14Loo”cで20分間、真空中で溶
解し、銅製の水冷鋳型に鋳造して1okLiの合金を得
た。得られた合金の酸素濃度を測定したところ、4’j
Oppm であった。
またインゴットの3個所からサンプルを採取し、組成を
測定したところ、表−3のようであった。
即ちるつぼ材のアルミニウムによる汚染が多く、ターゲ
ット製造用の合金としては使用出来なかった。
表−3(単位:原子L1)) 比較例−2 実施例−2とほぼ同一組成(Tb:Fe:Co−23:
AP:J’(原子比))の合金ターゲツト材用合金を製
造した。
まずテルビウム−鉄共晶組織合金を製造するため、共晶
組織の組成であるTb:Fe=7j:21(原子比)の
比率で両金属をアルミするつぼの中に入れ、7360℃
で10分間、真空中で溶解し、水冷鋳型に鋳造して10
kgの合金を得た。得られた合金の酸素濃度を測定した
ところ2 / 20 pI)m であった。るつぼを観
察した所、溶湯が接していた面が反応してるつぼの減肉
がみられ、安全上この方法は採用出来ないことが判った
。またインゴット中のAl量を分析したところ、015
重量%であった。従って純度上も本インゴットはターゲ
ツト材の製造に適さないことが判った。
比較例−3 実施例−1とほぼ同一組成(T b : F e e 
Co二23:6り:了(原子比))の合金ターゲット材
用合金を製造した。
まずテルビウム−鉄共晶組織合金を製造するため、共晶
組織の組成であるTb:Fe=72:21(原子比)の
比率で両金属をカルシするつぼの中に入れ、/3!0℃
″で20分間、真空中で溶解し、水冷鋳型に鋳造してl
O#の合金を得た。得られた合金の酸素濃度を測定した
ところ、/3夕Oppm であった。従って本合金はタ
ーゲツト材の製造には不適当であることが判った°。
〔発明の効果〕
本発明の方法で得られた合金は、不純物汚染が少なく、
光磁気ディスク等の記録層を形成すルタメノスパッタリ
ングターゲノトを製造するための合金として用いて大変
好適なものである。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)Tb、Gd、Nd、Ho、Tm、Dy及びErか
    らなる群から選択された希土類金属とFe、Co及びN
    iからなる群から選択された遷移金属とからなるターゲ
    ット用希土合金を製造するに際し、希土類金属と遷移金
    属とを窒化硼素製るつぼで溶解し、鋳型に鋳造すること
    を特徴とするターゲット用希土合金の製造方法。
  2. (2)請求項/に記載のターゲット用希土合金の製造方
    法において、溶解された合金中の希土類金属濃度が19
    原子%以上であることを特徴とする方法。
JP26481888A 1988-10-20 1988-10-20 ターゲット用希土合金の製造方法 Pending JPH02112866A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26481888A JPH02112866A (ja) 1988-10-20 1988-10-20 ターゲット用希土合金の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26481888A JPH02112866A (ja) 1988-10-20 1988-10-20 ターゲット用希土合金の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02112866A true JPH02112866A (ja) 1990-04-25

Family

ID=17408635

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP26481888A Pending JPH02112866A (ja) 1988-10-20 1988-10-20 ターゲット用希土合金の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH02112866A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20020106297A1 (en) Co-base target and method of producing the same
US4814053A (en) Sputtering target and method of preparing same
JPH05222488A (ja) 永久磁石用合金鋳塊及びその製造法
JP3535253B2 (ja) R−Fe−B系永久磁石用鋳片の製造方法
JPH02107762A (ja) 光磁気記録用合金ターゲット
JPH02112866A (ja) ターゲット用希土合金の製造方法
JPS6270550A (ja) タ−ゲツト材
JPH0430450B2 (ja)
JPH0430451B2 (ja)
JP2002226970A (ja) Co系ターゲットおよびその製造方法
JPS6373502A (ja) 希土類磁石の製造方法
JPS63206466A (ja) 蒸着用Fe−Si基合金
JP2677068B2 (ja) 合金ターゲットの製造方法
JPS63130769A (ja) ターゲット材
KR20260003350A (ko) 고포화자화를 갖는 연자성 비정질 Fe-Co 합금
KR100625834B1 (ko) 멜트 드래깅법에 의한 철­크롬­코발트계 본드자석용분말 제조방법
JP6506659B2 (ja) 磁気記録用非晶質合金およびスパッタリングターゲット材並びに磁気記録媒体
JPH0119449B2 (ja)
JPS5985844A (ja) 急冷磁石合金
JPH04314855A (ja) Co−Cr−Pt合金製スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JPH04297546A (ja) 高純度フエロボロン母合金の製造方法
JPH05320832A (ja) 希土類金属−鉄系永久磁石用合金鋳塊及びその製造法並びに永久磁石
JPH0770745A (ja) 希土類磁性膜用ターゲットの製造方法
JPS62263939A (ja) 合金タ−ゲツト材の製造法
JPH05135925A (ja) 希土類磁石材料の製造方法