JPH02114539A - 樹脂封止型半導体装置の組立方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置の組立方法

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JPH02114539A
JPH02114539A JP26782088A JP26782088A JPH02114539A JP H02114539 A JPH02114539 A JP H02114539A JP 26782088 A JP26782088 A JP 26782088A JP 26782088 A JP26782088 A JP 26782088A JP H02114539 A JPH02114539 A JP H02114539A
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JP
Japan
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lead
wiring
leads
lead frame
resin
Prior art date
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Pending
Application number
JP26782088A
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English (en)
Inventor
Hideaki Takano
英明 高野
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は樹脂封止型半導体装置の組立方法に関する。
[従来の技術] 第4図は、従来の樹脂封止型半導体装置の組立方法に使
用するリードフレームの1つのパターンを示す部分平面
図である。
テープ状のリードフレームの幅方向中央に設けられたア
イランド部22は例えば正方形をなし、その4隅部は吊
りリード21によってリードフレームの幅方向端部のフ
レーム部分に保持されている。また、アイランド部22
の各4辺に向けて夫々例えば5本の配線リード23が延
出して配置されている。この配線リード23はアイラン
ド部22とは分離した状態で配置されている。
なお、多ピンリ′−ドフレームの場合は、配線リード2
3は幅が0.1mu、長さが20+nn及び厚さが0 
、1 mmと細く、長く、そして薄い形状を有している
従来の樹脂封止型半導体装置の組立方法は上述のリード
フレームを使用して以下の工程から構成されている。
(1)ダイボンディング工程 グイシングされた各ペレット(図示せず)をアイランド
部22の上に銀ペースト等の樹脂で接着した後、加熱処
理して固着する。
(2)ワイヤボンディング工程 ペレット上の電極と配線リード23とをワイヤボンディ
ングにより配線する。
(3)封止工程 アイランド部22上のペレット、ボンディングワイヤ及
び配線リード23の先端部を樹脂により封止し、これら
を相互に固定する。
(4)外部リード切断・加工工程 配線リード23が樹脂封止部から適長突出するようにし
てこれを切断し、更に、これを曲げ加工する。
[発明が解決しようとする課題] しかしなから、従来の樹脂封止型半導体装置の組立方法
においては、使用するリードフレームの配線リード23
の先端部か自由端になっており、また、特に多ピンリー
ドフレームの場合には、各配線リード23か細く、長く
、薄いためリード変形が生じ易い。このため、リードフ
レームの製造歩留が低く、従来方法においては使用する
リードフレームの価格が高いという難点がある。
また、ダイボンディング工程においては、ペレットをア
イランド部22に固着するための加熱処理により、又は
リードフレームの取扱い不注意により、配線リード23
が容易に変形してしまう。
このため、ワイヤボンディング工程においてボンディン
グすべき配線リード23の位置が変動してしまい、その
歩留を低下させるという問題点がある。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
リード変形が生じ難く、製造コストか低いリードフレー
ムを使用することができると共に、ワイヤボンディング
工程の歩留を著しく向上させることができ、処理コスト
を低減させることができる樹脂封止型半導体装置の組立
方法を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 本発明に係る樹脂封止型半導体装置の組立方法は、アイ
ランド部と配線リードとを一体的に連結したリードフレ
ームに対しペレットを前記アイランド部上に搭載する工
程と、前記ペレットと前記配線リードとの間をワイヤボ
ンディングすると共に前記配線リードと前記アイランド
とを切断分離する工程と、前記ペレットを樹脂封止する
工程とを有することを特徴とする。
[作用] 本発明において使用するリードフレームは、アイランド
部と配線リードとを一体的に連結しており、各配線リー
ドはその先端部かアイランド部に支持されているため、
その製造時における配線リードの変形が抑制される。こ
のため、リードフレームの製造コストか低い。また、リ
ードフレームの取扱い時又はペレットの搭載時にも各配
線リードの変形が抑制されるから、ワイヤボンディング
に際しても配線リードの位置すれかなくその歩留が著し
く向上する。
そして、このワイヤボンディング後、又はペレット搭載
後ワイヤボンディング前に、前記配線リードとアイラン
ド部とを切断分離する。その後、ペレットを樹脂封止す
ることにより、爾後従来同様の工程で樹脂封止型半導体
装置を組立てることができる。このようにして、本発明
により低コストで高歩留の樹脂封止型半導体装置を組立
てることができる。
[実施例] 次に、本発明の実施例について添付の図面を参照して説
明する。
第1図は本発明の実施例に係る樹脂封止型半導体装置の
組立方法に使用するリードフレーム1の1つのパターン
を示す平面図である。
2本の帯状の外部フレーム10は相互に平行に延長して
おり、この2本の外部フレーム10の中央に、複数個の
アイランド部2が所定のビッヂで配置されている。また
、各アイランド部2は例えば正方形をなし、その2辺が
外部フレーム10と平行になっている。各アイランド部
2の外部フレーム10と平行の2辺は外部フレーム10
に垂直に延長する複数本の配線リード3(図示例は5本
)によって外部フレーム10と連結されている。
方、各アイランド部2の他の2辺は1対の外部フレーム
10間の中央で外部フレーム10と平行に延長する配線
リード3(図示例は5本)によって隣接するアイランド
部2の対向する辺と連結されている。
このように、各配線リード3はそのアイランド部2側の
先端がアイランド部2と一体的に連結されていて、アイ
ランド部2により保持されている。
また、各フレームにおいて複数本の配線リード3を相互
に連結する支持リードllbがアイランド部2を取り囲
むようにして設けられている。一方、支持リードlla
が配線リード3の一部と交差して1対の外部フレーム1
0間を連結するように設けられており、この支持リード
llaによって各フレームが仕切られている。
このように、本発明の実施例に使用するリードフレーム
1はアイランド部2と配線リード3とを一体的に連結し
ており、各配線リード3はその先端部がアイランド部2
に支持されているため、リードフレーム1の製造時に不
要な力が作用したとしてもその変形が抑制される。これ
により、製造歩留が向上するのでリードフレーム1の製
造コストは低い。
本発明の第1の実施例においては、先ず、上述のリード
フレーム1のアイランド部2上に銀ペースト5(第2図
参照)等によりペレット4を接着した後、加熱処理によ
りペレット4をアイランド部2に固着させる。
次いで、第2図に示す切断装置により配線り一部3を切
断する。この切断装置は下金型7と上金型6とから構成
されている。この下金型7は金属製ブロックで形成゛さ
れ、その厚さ方向に貫通する溝7aが設けられている。
また、上金型6は逆U字形をなし、その両先端部は溝7
aに整合する位置に設けられている。そして、上金型6
が下降し、その両先端部が下金型7の溝7aに貫入する
ことにより、下金型7上に載置されたリードフレーム1
の配線リード3が剪断される。
このような下金型7の上面にタイボンディング工程が終
了したリードフレーム1を溝7aと配線リード3の切断
予定位置とが整合するように、位置決めして載置する。
その後、上金型6を下降させ、上金型6の先端部を47
 aに貫入させて配線リード3とアイランド部2とを剪
断により切断分離する。
次いで、ペレット4の電極と配線リード3とをワイヤボ
ンディングにより配線した後、アイランド部2上のペレ
ット4、ボンディングワイヤ(図示せず)及び配線リー
ド3の一部を樹脂により封止し、これらを相互に固定す
る。
その後、・リード3を外部フレーム10から切り離して
、樹脂封止部から突出した部分のり−ド33曲げ加工す
ることにより、樹脂封止型半導体装置が組立てられる。
本実施例においては、ダイボンディング工程において、
アイランド部2と配線リード3とが一体的に連結された
リードフレーム1を使用しているから、各配線リード3
はその先端部がアイランド部2に支持されているため、
ペレット4をアイランド部2に固着させるための加熱処
理時又はリードフレーム1の取扱い時に、配線リード3
が変形することが抑制される。このためワイヤボンディ
ング時にはボンディングすべき配線リード3の位置の変
動が防止される。これにより、ワイヤボンディング工程
における歩留を著しく向上させることができる。
一方、同一のリードフレーム1を使用しても上金型6及
び下金型7を夫々側の大きさのものに交換することによ
り、切断位置を変更することが可能であり、ペレット4
をダイボンディングした後に配線リード3を切断するか
ら、アイランド部2より大きいペレット4を搭載するこ
とが可能となる。これにより、リードフレーム1の汎用
性が高く、ペレット4の大きさに応じて多数種類のリー
ドフレーム1を用意しておく必要が解消される。
次に、本発明の第2の実施例について説明する。
先ず、第3図に示すように、リードフレーム1のアイラ
ンド部2にペレット4を搭載した後、ペレット4上の電
極と配線リード3とをボンディングワイヤ12により配
線する。
次いで、切断装置により配線リード3を切断して配線リ
ード3とアイランド部2とを分離する。
この切断装置は第3図に示すようにレーザ発振器9と、
この発振器9からのレーザ光13を配線リード3の所定
の切断位置に向けるミラー8とを有する。このミラー8
はモータ(図示せず)により回転駆動されて、そのレー
ザ光13に対する角度を連続的に変えて、リードフレー
ム1の下面を走査するようになっている。なお、配線リ
ード3のみを切断するように、レーザ光13の焦点は配
線リード3の下面に合わされている。
この切断工程においては、先ず、ワイヤボンディングさ
れたリードフレーム1をミラー8の上方に配置し、レー
ザ発振器9から発振されたレーザ光13をミラー8によ
り配線リード3の所定の切断位置に向ける。
そして、ミラー8を回転駆動して、I/−ザ光13をリ
ードフレーム1の下面で走査して配線り−ド3を切断す
る。これにより、配線リード3とアイランド部2とを切
断分離する。
次いで、樹脂封止工程によりペレット4、ボンディング
ワイヤ12及び配線リード3を相互に固定する。その後
、樹脂封止部から突出した部分のリード3を所定長さだ
け残して切断し、この部分を曲げ加工して樹脂封止型半
導体装置が組立てられる。
本実施例においては、配線リード3をワイヤボンディン
グ後にレーザ光13により切断するから、その切断位置
を容易に変更修正することができるので、第1の実施例
に比して、切断工程における″柔軟性が優れているとい
う利点がある。
[発明の効果] 本発明によれば、アイランド部と配線リードとを一体的
に連結したリードフレームを使用するから、各配線リー
ドはその先端部がアイランド部に支持されるため、リー
ドフレームの製造時に不要な力が作用したとしても配線
リードの変形か抑制される。これにより、製造歩留が著
しく向」ニするので、リードフレームの製造コストが低
い。
また、ダイボンディング時又はリードフレームの取扱い
時にも、各配線リードの変形が抑制されるので、ワイヤ
ボンディング時にボンディングすべき配線リードの位置
の変動が防止されろ。このためペレット上の電極と配線
リードとの間のワイヤボンディングを高歩留で行うこと
ができる。
このようにして、本発明によれば、樹脂封止型半導体装
置の組立工程における処理コストを著しく低減すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例に係る樹脂封止型半導体装置の
組立方法に使用するリードフレームの1つのパターンを
示す平面図、第2図は本発明の第1の実施例に使用する
切断装置を示す断面図、第3図は本発明の第2の実施例
に使用する切断装置を示す断面図、第4UAは従来の樹
脂封止型半導体装置の組立方法に使用するリードフレー
ムの1つのパターンを示す部分平面図である。 1;リードフレーム、2,22;アイランド部、3.2
3;配線リード、4;ペレット、5;銀ペースト、6;
上金型、7;下金型、8;ミラー9;レーザ発振器、1
0;外部フレーム、11a。 11b;支持リード、12;ボンディングワイヤ、13
;レーザ光、21;吊りリード 第1ズ 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)アイランド部と配線リードとを一体的に連結した
    リードフレームに対しペレットを前記アイランド部上に
    搭載する工程と、前記ペレットと前記配線リードとの間
    をワイヤボンディングすると共に前記配線リードと前記
    アイランド部とを切断分離する工程と、前記ペレットを
    樹脂封止する工程とを有することを特徴とする樹脂封止
    型半導体装置の組立方法。
JP26782088A 1988-10-24 1988-10-24 樹脂封止型半導体装置の組立方法 Pending JPH02114539A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0817996A (ja) * 1994-06-29 1996-01-19 Nec Kyushu Ltd リードフレーム並びに半導体装置及びその製造方法
DE19842683A1 (de) * 1998-09-17 1999-12-16 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines Chipmoduls sowie in diesem Verfahren einsetzbare Komponenten
US6399414B1 (en) 1999-09-10 2002-06-04 Oki Electric Industry Co., Ltd. Method for forming semiconductor device

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