JPH02114626A - 光電子マスク - Google Patents
光電子マスクInfo
- Publication number
- JPH02114626A JPH02114626A JP63268513A JP26851388A JPH02114626A JP H02114626 A JPH02114626 A JP H02114626A JP 63268513 A JP63268513 A JP 63268513A JP 26851388 A JP26851388 A JP 26851388A JP H02114626 A JPH02114626 A JP H02114626A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- photoelectron
- oxide
- cesium
- photoelectronic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野1
本発明は光電子効果を利用した光電子ビーム露光用マス
クの光電子放射膜材料に関する。
クの光電子放射膜材料に関する。
[従来の技術]
光電子効果を最も量子効果の高い状態で発揮する材料に
セシウム(Cs)があるが、従来光電子マスクには石英
等の透明基板表面にパターン状にクロム膿等の先遣へい
膜を形成し、その表面にITO膜を形成後、ヨウ化セシ
ウムの光電子膜を形成して成るのが通例であった。すな
わち、ヨウ化セシウムは透明であり、光電子マスク等に
用いられていた。酸化セシウムと銀の化合物やセシウム
とアンチモンの化合物に比し透過光に対する光放射効率
が高く光電子マスクとして利用するのに都合が良かった
。
セシウム(Cs)があるが、従来光電子マスクには石英
等の透明基板表面にパターン状にクロム膿等の先遣へい
膜を形成し、その表面にITO膜を形成後、ヨウ化セシ
ウムの光電子膜を形成して成るのが通例であった。すな
わち、ヨウ化セシウムは透明であり、光電子マスク等に
用いられていた。酸化セシウムと銀の化合物やセシウム
とアンチモンの化合物に比し透過光に対する光放射効率
が高く光電子マスクとして利用するのに都合が良かった
。
〔発明が解決しようとする課題1
しかし、上記従来技術によるとヨウ化セシウム膜は絶縁
性であり、ITO膜等の透明な導電性模を予め形成する
必要があると云う課題があった。
性であり、ITO膜等の透明な導電性模を予め形成する
必要があると云う課題があった。
本発明はかかる従来技術の課題を解決するために、透明
でかつ導電性のある光電子膜を提供する事を目的とする
。
でかつ導電性のある光電子膜を提供する事を目的とする
。
〔課題を解決するための手段J
上記課題を解決するために、本発明は光電子マスクに関
し、光電子膜を酸化セシウムと酸化錫の化合物となす手
段をとるか、あるいは酸化セシウムとITOの化合物と
なす手段をとる。
し、光電子膜を酸化セシウムと酸化錫の化合物となす手
段をとるか、あるいは酸化セシウムとITOの化合物と
なす手段をとる。
【実 施 例]
以下、実施例により本発明を詳述する。
第1図は本発明の一実施例を示す光電子マスクとその作
用を示す図である。すなわち1mn+厚程度の石英等か
ら成る透明基板1の表面には500人厚程度の石質等か
ら成る光遮へい膜2がパターン状に形成され、その表面
に、1000人厚程度の酸化セシウムと酸化錫との化合
物から成る光電子膜3が形成され、該光電子膜3と対向
基板4との間に電圧をかけつつ、前記透明基板lの裏面
から光λνの照射を行なうと、前記光電子膜3の表面か
らパターン状に光電子e−が放射され、対向基板4に結
像されて成る様子を示している。
用を示す図である。すなわち1mn+厚程度の石英等か
ら成る透明基板1の表面には500人厚程度の石質等か
ら成る光遮へい膜2がパターン状に形成され、その表面
に、1000人厚程度の酸化セシウムと酸化錫との化合
物から成る光電子膜3が形成され、該光電子膜3と対向
基板4との間に電圧をかけつつ、前記透明基板lの裏面
から光λνの照射を行なうと、前記光電子膜3の表面か
らパターン状に光電子e−が放射され、対向基板4に結
像されて成る様子を示している。
尚、透明基板1は石英の他サファイア、あるいは蛍石で
あっても良く、光電子膜3は酸化セシウムと酸化錫の化
合物の他、酸化セシウムとITOあるいは酸化セシウム
と酸化イリジウムであっても良く、又、酸化セシウムは
、酸化リチウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化
ルビジウム等の他のアルカリ金属の酸化物であっても良
い。
あっても良く、光電子膜3は酸化セシウムと酸化錫の化
合物の他、酸化セシウムとITOあるいは酸化セシウム
と酸化イリジウムであっても良く、又、酸化セシウムは
、酸化リチウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化
ルビジウム等の他のアルカリ金属の酸化物であっても良
い。
[発明の効果1
本発明により、光電子マスク用の光電子膜に透明で且つ
、導電性のある光電子膜が提供することができ、ITO
IIi等の予備的な導電膜を必要としない光電子マスク
を提供することができる効果がある。
、導電性のある光電子膜が提供することができ、ITO
IIi等の予備的な導電膜を必要としない光電子マスク
を提供することができる効果がある。
第1図は本発明の一実施例とその作用を示す図である。
・透明基板
・光遮へい膜
・光電子膜
・対向基板
・光
・電子
・電圧
以上
Claims (1)
- 光電子放射膜を酸化セシウムと酸化錫の化合物となすか
あるいは酸化セシウムとITO(イリジウム、錫酸化物
)の化合物となす事を特徴とする光電子マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63268513A JPH02114626A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | 光電子マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63268513A JPH02114626A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | 光電子マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02114626A true JPH02114626A (ja) | 1990-04-26 |
Family
ID=17459555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63268513A Pending JPH02114626A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | 光電子マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02114626A (ja) |
-
1988
- 1988-10-25 JP JP63268513A patent/JPH02114626A/ja active Pending
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