JPH02116018A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH02116018A JPH02116018A JP63267428A JP26742888A JPH02116018A JP H02116018 A JPH02116018 A JP H02116018A JP 63267428 A JP63267428 A JP 63267428A JP 26742888 A JP26742888 A JP 26742888A JP H02116018 A JPH02116018 A JP H02116018A
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- Japan
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- magnetic recording
- film
- recording medium
- fine particles
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- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録に適する垂直磁気記録用の磁気
記録媒体に関する。
記録媒体に関する。
従来の技術
垂直磁気記録は、高密度になる程、損失が小さくなるこ
とで、将来は1μmX1μmのビット面積での情報のや
りとりを実現できる記録技術として期待されている。し
かしながら実用的な面でみてみると、ヘッド摺動時の磁
気記録媒体の部分的な破壊損傷の問題に代表される解決
すべき課題が残されている。現在Co −Crに代表さ
れる垂直磁化膜はスパッタリング法を中心に研究が進め
られていて、成膜条件による改善の試み〔第29期日本
潤滑学会春期研究発表会予稿集、377頁(1985)
:]各種の保護膜〔日本応用磁気学会。
とで、将来は1μmX1μmのビット面積での情報のや
りとりを実現できる記録技術として期待されている。し
かしながら実用的な面でみてみると、ヘッド摺動時の磁
気記録媒体の部分的な破壊損傷の問題に代表される解決
すべき課題が残されている。現在Co −Crに代表さ
れる垂直磁化膜はスパッタリング法を中心に研究が進め
られていて、成膜条件による改善の試み〔第29期日本
潤滑学会春期研究発表会予稿集、377頁(1985)
:]各種の保護膜〔日本応用磁気学会。
第46回研究会46−7.57頁(1986))や表面
性を検討し突起を減らすことの有効性の確認〔磁気記録
研究会資料MR87−46,9頁(19B?))や、C
o−Cr蒸着膜では後酸化による改善〔磁気記録研究会
資料MR5s−11(1988)E等が報告されている
。
性を検討し突起を減らすことの有効性の確認〔磁気記録
研究会資料MR87−46,9頁(19B?))や、C
o−Cr蒸着膜では後酸化による改善〔磁気記録研究会
資料MR5s−11(1988)E等が報告されている
。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記した構成では、求められる耐久性を
得る上では十分とは言い難く、微粒子をフィルム面に配
し、真実接触面積を減らすことが有効であることが報告
され、摩擦抵抗やスチル耐久が改善されるようになって
きている〔特開昭59−121631号公報、特開昭6
1−16020号公報〕が、垂直磁気記録をより高密度
域に進めようとすると、 /Nが悪く、耐久性とc/N
を共に満足できないといった課題がちシ改善が望まれて
いた。
得る上では十分とは言い難く、微粒子をフィルム面に配
し、真実接触面積を減らすことが有効であることが報告
され、摩擦抵抗やスチル耐久が改善されるようになって
きている〔特開昭59−121631号公報、特開昭6
1−16020号公報〕が、垂直磁気記録をより高密度
域に進めようとすると、 /Nが悪く、耐久性とc/N
を共に満足できないといった課題がちシ改善が望まれて
いた。
本発明は上記した事情に鑑み、なされたもので、耐久性
とc/Nを共に改善した垂直磁気記録用の磁気記録媒体
を提供するものである。
とc/Nを共に改善した垂直磁気記録用の磁気記録媒体
を提供するものである。
課題を解決するための手段
上記した課題を解決するため本発明の磁気記録媒体は、
平板状の微粒子の形成する突起を有するC。
平板状の微粒子の形成する突起を有するC。
系合金垂直磁化膜を磁気記録層としたものである。
作 用
本発明の磁気記録媒体は、上記した構成により、微粒子
による結晶配向性の乱れが無視できるようになり、c/
Nは高密度化を進めても平滑面との差は小さくできる一
方、耐久性は、真実接触面積は大幅に低減できるので、
向上せしめることができることになる。
による結晶配向性の乱れが無視できるようになり、c/
Nは高密度化を進めても平滑面との差は小さくできる一
方、耐久性は、真実接触面積は大幅に低減できるので、
向上せしめることができることになる。
実施例
以下、図面を参照しながら、本発明の一実施例について
説明する。図は本発明の一実施例の磁気記録媒体の拡大
断面図である。図で、1は平滑なポリエチレンテレフタ
レート、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンナ
フタレート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサル7
オン、ポリエーテルサルフオン、ポリアミド、ポリイミ
ド等の高分子フィルムで、平均粗さ6人〜50人、最大
粗さ30人〜1oO人のものが好ましい。2は平板状の
微粒子で、真空中で、Cr 、Mo 、Ta 、W 、
Cs 、Rb 、Ba等を蒸発法で微粒子化したものの
中で、厚みが80〜160人、実効的な大きさ(円とみ
なした時の直径に相当するものと定義する)は300〜
800(人)ぐらいのものの中から選んで、0.6〜2
0V(μm )2の範囲で配したものが望ましい。3は
Co−0r。
説明する。図は本発明の一実施例の磁気記録媒体の拡大
断面図である。図で、1は平滑なポリエチレンテレフタ
レート、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンナ
フタレート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサル7
オン、ポリエーテルサルフオン、ポリアミド、ポリイミ
ド等の高分子フィルムで、平均粗さ6人〜50人、最大
粗さ30人〜1oO人のものが好ましい。2は平板状の
微粒子で、真空中で、Cr 、Mo 、Ta 、W 、
Cs 、Rb 、Ba等を蒸発法で微粒子化したものの
中で、厚みが80〜160人、実効的な大きさ(円とみ
なした時の直径に相当するものと定義する)は300〜
800(人)ぐらいのものの中から選んで、0.6〜2
0V(μm )2の範囲で配したものが望ましい。3は
Co−0r。
Go −T i 、Co −W 、 Co −Mo 、
Co−Cr−Nb等の無直磁化嘆で、スパッタリング法
、電子ビーム蒸着法、イオンブレーティング法、イオン
ピームデボジシヲン法、等により、形成され不もので、
1000人から30oO人の範囲のものが好ましく、積
層化したものでもよいのは勿論である。4は保護潤滑層
で、5lo2膜、 BN膜、カーボン膜、プラズマ重合
膜などのいわゆる保護膜とパーフルオロアルキルポリエ
ーテル、脂肪酸、脂肪酸アミド、ンリコン含有有機化合
物等のいわゆる潤滑剤を重ねたもので、ヌペーシング損
失の点から厚くせずに求められる潤滑性、耐久性を得る
ための設計にしなければならない。本発明はディスクテ
ープに限らず実施できるものである。
Co−Cr−Nb等の無直磁化嘆で、スパッタリング法
、電子ビーム蒸着法、イオンブレーティング法、イオン
ピームデボジシヲン法、等により、形成され不もので、
1000人から30oO人の範囲のものが好ましく、積
層化したものでもよいのは勿論である。4は保護潤滑層
で、5lo2膜、 BN膜、カーボン膜、プラズマ重合
膜などのいわゆる保護膜とパーフルオロアルキルポリエ
ーテル、脂肪酸、脂肪酸アミド、ンリコン含有有機化合
物等のいわゆる潤滑剤を重ねたもので、ヌペーシング損
失の点から厚くせずに求められる潤滑性、耐久性を得る
ための設計にしなければならない。本発明はディスクテ
ープに限らず実施できるものである。
以下、更に具体的に本発明の実施例について比較例との
対比で詳しく説明する。
対比で詳しく説明する。
〔実施例−1〕
平均粗さ30人、最大粗さ60人の厚み10μmのポリ
エチレンナフタレートフィルム上に、蒸発法で得たNb
微粒子〔平板状で、厚みは1oo入。
エチレンナフタレートフィルム上に、蒸発法で得たNb
微粒子〔平板状で、厚みは1oo入。
等何円直径450人(六角形)〕を5 V(μm)2配
し、高周波スパッタリング法、でCo−Cr −Nb(
Co:Cr:Nb=79:15:6 wt%)垂直磁化
膜を1900人配し、その上にモンテフルオス社製のパ
ーフルオロポリエーテル6フオンプリン2−26”をト
リフロロエモレン溶液として塗布・乾燥し、約80人潤
滑剤層を形成して8ミリ幅の磁気テープに加工した。
し、高周波スパッタリング法、でCo−Cr −Nb(
Co:Cr:Nb=79:15:6 wt%)垂直磁化
膜を1900人配し、その上にモンテフルオス社製のパ
ーフルオロポリエーテル6フオンプリン2−26”をト
リフロロエモレン溶液として塗布・乾燥し、約80人潤
滑剤層を形成して8ミリ幅の磁気テープに加工した。
〔実施例2〕
Nb微粒子を蒸発法で得たOr微粒子〔平板上で厚み8
0人、六角形で等何円直径500人〕を6ケ/Cpm)
配し、その上にCo−Cr(Cr:20wt%)垂
直磁化膜を高周波スパッタリング法で1800人形成し
、同じ潤滑剤を配し、8ミリテープを得た。
0人、六角形で等何円直径500人〕を6ケ/Cpm)
配し、その上にCo−Cr(Cr:20wt%)垂
直磁化膜を高周波スパッタリング法で1800人形成し
、同じ潤滑剤を配し、8ミリテープを得た。
〔実施例−3〕
実施例−1でNb微粒子を蒸発法で得たV微粒子〔平板
状で厚み130人2等価円直径330人(六角形と四角
形がほぼ1:1に混在)〕を1oV(μm)配し、高周
波スパッタリング法でCo −Cr −W−V(Co:
Cr :W:V =77 : 15 : 3 :swt
%)垂直磁化膜20oO人 を配し、他は同じ8ミリテ
ープを得た。
状で厚み130人2等価円直径330人(六角形と四角
形がほぼ1:1に混在)〕を1oV(μm)配し、高周
波スパッタリング法でCo −Cr −W−V(Co:
Cr :W:V =77 : 15 : 3 :swt
%)垂直磁化膜20oO人 を配し、他は同じ8ミリテ
ープを得た。
〔比較例−1〜3〕
実施例に相当して、微粒子を直径160人の球状のS
i02微粒子を16ケ/(μm)2.厚み10μmのポ
リエチレンテレフタレートフィルム(平均粗さ26人、
最大粗さ60人)上に配し、夫々Co −Cr−Nb、
Co−Cr 、Co−0r −W−V 垂直磁化膜。
i02微粒子を16ケ/(μm)2.厚み10μmのポ
リエチレンテレフタレートフィルム(平均粗さ26人、
最大粗さ60人)上に配し、夫々Co −Cr−Nb、
Co−Cr 、Co−0r −W−V 垂直磁化膜。
7オンブリンZ−26を配し、8ミリ幅のテープに加工
した。
した。
上記したテープを改造した8ミリビデオにょ9比較評価
した。ギャップ長0.12μmのメタルインギャップ型
アモルファスヘッドによりトラックピッチ10μm、ビ
ット長0.2μmの矩形波信号を記録シ、帯域6(Wh
)のc/N(dB)と、各環境テノくり返し再生で、1
00パス目のc/Nと、ジッターの有無を調べた結果を
表にまとめて示した。
した。ギャップ長0.12μmのメタルインギャップ型
アモルファスヘッドによりトラックピッチ10μm、ビ
ット長0.2μmの矩形波信号を記録シ、帯域6(Wh
)のc/N(dB)と、各環境テノくり返し再生で、1
00パス目のc/Nと、ジッターの有無を調べた結果を
表にまとめて示した。
発明の効果
以上のように本発明によれば、c/Nと耐久性をバラン
スよく改良した垂直磁気記録媒体が得られるといったす
ぐれた効果がある。
スよく改良した垂直磁気記録媒体が得られるといったす
ぐれた効果がある。
図は本発明の一実施例の磁気記録媒体の拡大断面図であ
る。 1・・・・・・高分子フィルム、2・・・・・・平板状
微粒子、3・・・・・・垂直磁化膜。
る。 1・・・・・・高分子フィルム、2・・・・・・平板状
微粒子、3・・・・・・垂直磁化膜。
Claims (1)
- 平板状の微粒子の形成する突起を有するCo系合金垂直
磁化膜を配したことを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63267428A JPH02116018A (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63267428A JPH02116018A (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02116018A true JPH02116018A (ja) | 1990-04-27 |
Family
ID=17444711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63267428A Pending JPH02116018A (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02116018A (ja) |
-
1988
- 1988-10-24 JP JP63267428A patent/JPH02116018A/ja active Pending
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