JPH0354720A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH0354720A JPH0354720A JP1190972A JP19097289A JPH0354720A JP H0354720 A JPH0354720 A JP H0354720A JP 1190972 A JP1190972 A JP 1190972A JP 19097289 A JP19097289 A JP 19097289A JP H0354720 A JPH0354720 A JP H0354720A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic recording
- recording medium
- magnetic
- oxygen
- Prior art date
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- Pending
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（２）
（３）
産業上の利用分野
本発明は、高密度磁気記録に適する強磁性金属薄膜を磁
気記録層とする磁気記録媒体及びその製造方法に関する
。
気記録層とする磁気記録媒体及びその製造方法に関する
。
従来の技術
記録再生機器の小型化，高性能化の為に記録密度向上の
努力は継続的に行われており、最近では強磁性金属薄膜
を磁気記録層として実用化することが待望されるに至っ
ている［アイイーイーイー トランザクションズ オン
マグネティクス（ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯ
ＮＳ ＯＮＭＡＧＮＥＴＩＣＳ）Ｖｏｌ．ＭＡＧ−２
１ Ｎｏ−３，Ｐ．Ｐ．１２１７〜１２２０ （１９
８５）］。
努力は継続的に行われており、最近では強磁性金属薄膜
を磁気記録層として実用化することが待望されるに至っ
ている［アイイーイーイー トランザクションズ オン
マグネティクス（ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯ
ＮＳ ＯＮＭＡＧＮＥＴＩＣＳ）Ｖｏｌ．ＭＡＧ−２
１ Ｎｏ−３，Ｐ．Ｐ．１２１７〜１２２０ （１９
８５）］。
強磁性金属薄膜は材料としての組合わせは多数考えられ
るが、現実的な可能性が示されているものは少なく、Ｃ
ｏ−Ｃｒ等の垂直磁化膜［特公昭５８−９１号公報、特
開昭６１−１２０３３１号公報］やＣｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−
Ｎｉ −０等の斜め蒸着膜や湿式めっき膜［特公昭４１
−１９３８９号公報、特開昭５３−４２０１０号公報］
等で、実用化の目的で最近ではもっぱら、保護潤滑層の
開究が検討の中心となっている。現状ではポリエチレン
テレフタレートフィルム等の高分子フィルム上に直接あ
るいは微粒子などの下塗りを行った後、電子ビーム蒸着
法やスパッタリング法で強磁性金属薄膜を配し、その面
に直接溶剤に脂肪酸やバーフルオロボリエーテル等の潤
滑剤を溶かした溶液を塗布乾燥する法［特開昭５７−１
７９９４８号公報、特開昭６１−１７８７１８号公報コ
や、酸化膜を介して潤滑剤を配する［特開昭６工〜１５
１８３０号公報コことや、炭素膜とフロロカーボン系の
組み合わせ［特開昭６１−１４２５２５号公報］等が提
案され、磁気ディスクではまだ炭素膜が厚いとはいうも
のの一部実用化され、炭素質についても検討が進み硬度
を高めることの有用性［米国特許第４７１７６２２号明
細書〕も知られるに至っている。
るが、現実的な可能性が示されているものは少なく、Ｃ
ｏ−Ｃｒ等の垂直磁化膜［特公昭５８−９１号公報、特
開昭６１−１２０３３１号公報］やＣｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−
Ｎｉ −０等の斜め蒸着膜や湿式めっき膜［特公昭４１
−１９３８９号公報、特開昭５３−４２０１０号公報］
等で、実用化の目的で最近ではもっぱら、保護潤滑層の
開究が検討の中心となっている。現状ではポリエチレン
テレフタレートフィルム等の高分子フィルム上に直接あ
るいは微粒子などの下塗りを行った後、電子ビーム蒸着
法やスパッタリング法で強磁性金属薄膜を配し、その面
に直接溶剤に脂肪酸やバーフルオロボリエーテル等の潤
滑剤を溶かした溶液を塗布乾燥する法［特開昭５７−１
７９９４８号公報、特開昭６１−１７８７１８号公報コ
や、酸化膜を介して潤滑剤を配する［特開昭６工〜１５
１８３０号公報コことや、炭素膜とフロロカーボン系の
組み合わせ［特開昭６１−１４２５２５号公報］等が提
案され、磁気ディスクではまだ炭素膜が厚いとはいうも
のの一部実用化され、炭素質についても検討が進み硬度
を高めることの有用性［米国特許第４７１７６２２号明
細書〕も知られるに至っている。
発明が解決しようとする課題
しかしながらＣｏ−Ｃｒに代表される垂直磁化膜は短波
長での自己減磁から解放される原理的優位にありながら
、良好な特性を得るには、高分子フィルムを加熱しなく
てはならないことから、ポリイミドフィルム等の耐熱フ
ィルムを必要とし、磁気ヘッドとの高速摺動でのヘノド
タンチの確保がしにくい難点や、巻取り技術的にも難点
があり、シワの発生や熱ダメージの発生でエンベローブ
不良やＤｏの発生といった欠点が生じ易く改善が望まれ
ていた。本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、
低温で高性能な垂直磁化膜として最近注目されているＣ
ｏ−０垂直磁化膜（ＩＥＥＥＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ
ｏｎ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ Ｖｏｌ． Ｍ Ａ Ｇ
− ２ ０、７６８ （１９８４））のＣ／Ｎを更に改
善することで、Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁化膜を越えてかつ、ポ
リエステルフィルム上に低温で製膜してもその記録性能
を達威できる磁気記録媒体を提供するものである。
長での自己減磁から解放される原理的優位にありながら
、良好な特性を得るには、高分子フィルムを加熱しなく
てはならないことから、ポリイミドフィルム等の耐熱フ
ィルムを必要とし、磁気ヘッドとの高速摺動でのヘノド
タンチの確保がしにくい難点や、巻取り技術的にも難点
があり、シワの発生や熱ダメージの発生でエンベローブ
不良やＤｏの発生といった欠点が生じ易く改善が望まれ
ていた。本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、
低温で高性能な垂直磁化膜として最近注目されているＣ
ｏ−０垂直磁化膜（ＩＥＥＥＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ
ｏｎ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ Ｖｏｌ． Ｍ Ａ Ｇ
− ２ ０、７６８ （１９８４））のＣ／Ｎを更に改
善することで、Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁化膜を越えてかつ、ポ
リエステルフィルム上に低温で製膜してもその記録性能
を達威できる磁気記録媒体を提供するものである。
課題を解決するための手段
上記した課題を解決するため、本発明の磁気記録媒体は
、Ｃｏ−０，又はＣｏ−Ｎｉ−０に添加元素としてＺｎ
，Ｃｄ．Ｒｕ．Ｒｅのいずれかを】〜３ａｔ％含む垂直
磁化膜を磁気記録層としたものである。
、Ｃｏ−０，又はＣｏ−Ｎｉ−０に添加元素としてＺｎ
，Ｃｄ．Ｒｕ．Ｒｅのいずれかを】〜３ａｔ％含む垂直
磁化膜を磁気記録層としたものである。
作用
本発明の磁気記録媒体は上記した構成により、（２）Ｃ
ｏのＣ軸配向性が向上し、垂直磁化膜としての配向性が
良好となり、低温でも十分な特性を実現できることにな
る。
ｏのＣ軸配向性が向上し、垂直磁化膜としての配向性が
良好となり、低温でも十分な特性を実現できることにな
る。
実施例
以下、図面を参照しながら本発明の実。施例について説
明する。
明する。
［実施例１コ
第１図は本発明の第１の実施例の磁気記録媒体の拡大断
面図である。第１図ではｌはポリエチレンテレフタレー
ト．ポリエチレンナフタレートボリフェニレンサルファ
イド，ポリエーテルエーテルケトン，ポリイミド等の高
分子フィルムで２は、Ｔｉｅ２，ＣｒｚＯ３，ＺｒＯ２
，Ｔａ２０ｓＳｉＯ２， ポリアミドイミド，ポリエ
チレン等の＠粒子を、直径５０人から３００人の範囲か
ら選び、１０ケ／（μｍ）２から１ ０ ０ ケ／（μ
ｍ） ２の密度の範囲で分散塗布固定した微粒子塗布層
である。３はＣｏ−０又はＣｏ−Ｎｉ−０垂直磁化嗅で
膜中にＺｎ．Ｃｄ，Ｒｕ．Ｒｅのうちのいずれかの元素
を１〜３ａｔ％含有するようｔこしたものである。１ａ
ｔ％以下では室温近傍での成膜に於で、結晶性改善作用
が不十分で、３ａｔ％以上ではかえって、雑音が増加し
、結晶性改善効果があってもＣ／Ｎ改善につながらない
ことから好ましい範囲がある。
面図である。第１図ではｌはポリエチレンテレフタレー
ト．ポリエチレンナフタレートボリフェニレンサルファ
イド，ポリエーテルエーテルケトン，ポリイミド等の高
分子フィルムで２は、Ｔｉｅ２，ＣｒｚＯ３，ＺｒＯ２
，Ｔａ２０ｓＳｉＯ２， ポリアミドイミド，ポリエ
チレン等の＠粒子を、直径５０人から３００人の範囲か
ら選び、１０ケ／（μｍ）２から１ ０ ０ ケ／（μ
ｍ） ２の密度の範囲で分散塗布固定した微粒子塗布層
である。３はＣｏ−０又はＣｏ−Ｎｉ−０垂直磁化嗅で
膜中にＺｎ．Ｃｄ，Ｒｕ．Ｒｅのうちのいずれかの元素
を１〜３ａｔ％含有するようｔこしたものである。１ａ
ｔ％以下では室温近傍での成膜に於で、結晶性改善作用
が不十分で、３ａｔ％以上ではかえって、雑音が増加し
、結晶性改善効果があってもＣ／Ｎ改善につながらない
ことから好ましい範囲がある。
かかる薄膜を形或するのに適しているのは、スパッタリ
ング法か電子ビーム蒸着法かのいずれかであり、一般に
ディスクを対象とする時にはスパッタリング法、テープ
を対象とする時には電子ビーム蒸着法がより望ましいと
いえる。４は保護潤滑層で、プラズマ重合膜，プラズマ
ＣＶＤ膜，脂肪酸，パーフルオ口ポリエーテル類等を絹
み合わせ耐久性要求度合とスベーシング損失の兼ね合い
で最適化すればよい。
ング法か電子ビーム蒸着法かのいずれかであり、一般に
ディスクを対象とする時にはスパッタリング法、テープ
を対象とする時には電子ビーム蒸着法がより望ましいと
いえる。４は保護潤滑層で、プラズマ重合膜，プラズマ
ＣＶＤ膜，脂肪酸，パーフルオ口ポリエーテル類等を絹
み合わせ耐久性要求度合とスベーシング損失の兼ね合い
で最適化すればよい。
以下更に具体的に本発明の実施例について比較例との対
比で説明する。
比で説明する。
厚み１２μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に、直径１００人のＣｒ２０３微粒子を１０ケ／（μｍ
）２配し、Ｃｏ−ａ，Ｃｏ−Ｎｉ一α（αはＺｎ，Ｃｄ
，Ｒｕ，Ｒｅ（’）いずれか）をターゲットとして、Ａ
ｒ＋０２分圧をＯ． Ｏ Ｏ １〜０．０１（Ｔｏｒｒ
）Ａｒ ：Ｈ２＝１〜４．５の範囲で変え、１３．５６
（ＭＨｚ） １．１５〜１．９５（ｋｗ）でスパッタ
リングを行い、垂直磁化膜を０．２μｍ形成した。その
時直径５０ａｎの円筒キャンの媒体温度は２０℃一定と
した。垂直磁化膜の上にモンテジソン社製のフォンブリ
ンｚ−２５を１．２（■／ｒｄ）塗布し８ミリテーブと
した。
に、直径１００人のＣｒ２０３微粒子を１０ケ／（μｍ
）２配し、Ｃｏ−ａ，Ｃｏ−Ｎｉ一α（αはＺｎ，Ｃｄ
，Ｒｕ，Ｒｅ（’）いずれか）をターゲットとして、Ａ
ｒ＋０２分圧をＯ． Ｏ Ｏ １〜０．０１（Ｔｏｒｒ
）Ａｒ ：Ｈ２＝１〜４．５の範囲で変え、１３．５６
（ＭＨｚ） １．１５〜１．９５（ｋｗ）でスパッタ
リングを行い、垂直磁化膜を０．２μｍ形成した。その
時直径５０ａｎの円筒キャンの媒体温度は２０℃一定と
した。垂直磁化膜の上にモンテジソン社製のフォンブリ
ンｚ−２５を１．２（■／ｒｄ）塗布し８ミリテーブと
した。
比較例についても同様の手順でテープ化し、夫々、改造
した８ミリＶＴＲを用いて評価した。使用したヘッドは
ギャップ長０．２μｍの積層合金型ヘッドで、波長０．
３３μｍのディジタル記録を行いＣ／Ｎを１５（ＭＨｚ
）帯域で比較した結果とテープ条件を第１表にまとめて
示した。
した８ミリＶＴＲを用いて評価した。使用したヘッドは
ギャップ長０．２μｍの積層合金型ヘッドで、波長０．
３３μｍのディジタル記録を行いＣ／Ｎを１５（ＭＨｚ
）帯域で比較した結果とテープ条件を第１表にまとめて
示した。
（以 下 余 白）
［実施例２］
課題を解決するための別の手段は、Ｃｏ又はＣｏ−Ｎｉ
をベースとし磁性稀釈元素が主として酸素であり、添加
元素が０．３ 〜１ａｔ％のＧｄ，Ｔｂ，Ｈｏのいずれ
かである垂直磁化膜を磁気記録層としたものである。本
発明の磁気記録媒体は上記した構威により、（２）Ｃｏ
Ｃ軸配同性が向上し、垂直磁化膜としての配同性が良好
になりかつ、Ｇｄ，Ｔｂ，Ｈｏの表面酸化膜がち密に形
成されることで磁気的分離も良好となり短波長での雑音
の改良でトータル的にＣ／Ｎ改善がなされることになる
。
をベースとし磁性稀釈元素が主として酸素であり、添加
元素が０．３ 〜１ａｔ％のＧｄ，Ｔｂ，Ｈｏのいずれ
かである垂直磁化膜を磁気記録層としたものである。本
発明の磁気記録媒体は上記した構威により、（２）Ｃｏ
Ｃ軸配同性が向上し、垂直磁化膜としての配同性が良好
になりかつ、Ｇｄ，Ｔｂ，Ｈｏの表面酸化膜がち密に形
成されることで磁気的分離も良好となり短波長での雑音
の改良でトータル的にＣ／Ｎ改善がなされることになる
。
実施例１で説明したものと殆んどが共通した要素で構成
できる。ここでは磁気記録層について詳しく説明する。
できる。ここでは磁気記録層について詳しく説明する。
実施例１と（２）Ｃｏ又はＣｏ−Ｎｉをベースとし酸素
で磁性を稀釈するところまでは同じであるが添加元素が
Ｇｄ，Ｔｂ，Ｈｏのいずれかでかつ添加量が０．３〜１
ａｔ％の範囲とする点が異なっている。
で磁性を稀釈するところまでは同じであるが添加元素が
Ｇｄ，Ｔｂ，Ｈｏのいずれかでかつ添加量が０．３〜１
ａｔ％の範囲とする点が異なっている。
添加量が０．３ａｔ％以下ではＣ紬改善効果が小さく、
かつ表面酸化層での磁気分離が不十分で雑音も不均一で
あり、１ａｔ％以上では、酸化層の硬さが低下するため
と思われる耐久性の低下がみられることで、この範囲と
することが好ましい。
かつ表面酸化層での磁気分離が不十分で雑音も不均一で
あり、１ａｔ％以上では、酸化層の硬さが低下するため
と思われる耐久性の低下がみられることで、この範囲と
することが好ましい。
以下更に具体的に本発明の実施例について比較例との対
比で説明する。
比で説明する。
厚み１０．２μｍのポリエチレンナフタレートフィルム
上に直径１２０ＡのＺｒ０２微粒子を１６ケ／（μｍ）
２配し、（２）Ｃｏ又はＣｏ−Ｎｉ蒸発源にＧｄ，Ｈｏ
，Ｔｂを供給しながら添加量を変化させ、酸素分圧を２
Ｘ１０−３〜４Ｘ１０−３（Ｔｏｒｒ）の範囲で、電子
ビーム蒸着した。
上に直径１２０ＡのＺｒ０２微粒子を１６ケ／（μｍ）
２配し、（２）Ｃｏ又はＣｏ−Ｎｉ蒸発源にＧｄ，Ｈｏ
，Ｔｂを供給しながら添加量を変化させ、酸素分圧を２
Ｘ１０−３〜４Ｘ１０−３（Ｔｏｒｒ）の範囲で、電子
ビーム蒸着した。
フィルムは直径５０ｃｍ（キャン温度３０℃）の円筒キ
ャンに沿わせ入射角５°〜２５°の範囲で蒸着し、０．
２μｍの垂直磁化膜を形威し、その上にデュポン社製の
、ＫＲＹＴＯＸ−１５ ７ＦＳＭを１（■＃） 塗布し
８ミリの幅でテープを得た。
ャンに沿わせ入射角５°〜２５°の範囲で蒸着し、０．
２μｍの垂直磁化膜を形威し、その上にデュポン社製の
、ＫＲＹＴＯＸ−１５ ７ＦＳＭを１（■＃） 塗布し
８ミリの幅でテープを得た。
比較例は厚み８μｍのポリイミドフィルム上に直径１２
０ＡのＺｒ０２微粒子を１４ケ／（μｍ）２配しその上
Ｉこ直径５０ＣＩＩ＋の円筒キャンを２６０℃に加熱し
、入射角５°以内でＣｏ−Ｃｒ （Ｃｒ２１ａｔ％）を
電子ビーム蒸着したものを加えた。
０ＡのＺｒ０２微粒子を１４ケ／（μｍ）２配しその上
Ｉこ直径５０ＣＩＩ＋の円筒キャンを２６０℃に加熱し
、入射角５°以内でＣｏ−Ｃｒ （Ｃｒ２１ａｔ％）を
電子ビーム蒸着したものを加えた。
各テープを第１の実施例と同様にＣ ／’ Ｎとスチル
特性を比較した結果を第２表に示した。
特性を比較した結果を第２表に示した。
（以 下 余 白）
［実施例３コ
課題を解決する別の手段は、（２）Ｃｏ又はＣｏ−Ｎｉ
をベースと゛し磁性稀釈元素が主として酸素であり、厚
み方向に２分割した時上層側の酸素濃度が下層側の１．
５〜２．５倍の範囲である垂直磁化膜を磁気記録層とし
たものである。本発明の磁気記録媒体は上記した構成に
より、磁気ヘッドとの摺動面が実効的に硬くなり、耐久
性が改善されるので保護膜厚みによるスペーシング損失
を改良できることと、上層側の磁気分離が良好となり雑
音も改良されるので、全体としてＣ／Ｎ改良と耐久性改
善が達成されることになる。
をベースと゛し磁性稀釈元素が主として酸素であり、厚
み方向に２分割した時上層側の酸素濃度が下層側の１．
５〜２．５倍の範囲である垂直磁化膜を磁気記録層とし
たものである。本発明の磁気記録媒体は上記した構成に
より、磁気ヘッドとの摺動面が実効的に硬くなり、耐久
性が改善されるので保護膜厚みによるスペーシング損失
を改良できることと、上層側の磁気分離が良好となり雑
音も改良されるので、全体としてＣ／Ｎ改良と耐久性改
善が達成されることになる。
第２図は本発明の実施例の磁気記録媒体の拡大断面図で
ある。第２図で５は垂直磁化可能なＣｏ−０又はＣｏ−
Ｎｉ−０膜を構成する柱状微粒子の１．５〜２．５倍と
なるよう構成したものである。濃度は厚み方向に勾配を
もつことの方が多いので、平均濃度で比較するものとす
る。かかる比率の濃度の構成を得るには、酸素導入ノズ
ルの配置条件を最適化するか、酸素とＡｒ等の不活性気
体を別ノズルより導入するようにしてもよい。（２）Ｃ
ｏ−Ｎｉ−０は（２）ＣｏとＮｉの比率はＮｉが（２）
Ｃｏに対し１０〜２５ａ ｔ％の範囲が結晶性．耐食性
の改善から好ましい範囲で２５〜３０％の範囲では製造
条件により面心立方型の結晶が混在することがあり、垂
直配向性を低下させることから２５ａｔ％以下とするべ
きである。Ｃｏ−０又はＣｏ−Ｎｉ−Ｏ膜の膜厚は０．
１μｍから０．３μｍの範囲が好ましく、酸素は全体平
均で１５ａｔ％〜３５ａｔ％の範囲で上層と下層の比率
関係を満足させることで条件出ししてまとめていけばよ
い。
ある。第２図で５は垂直磁化可能なＣｏ−０又はＣｏ−
Ｎｉ−０膜を構成する柱状微粒子の１．５〜２．５倍と
なるよう構成したものである。濃度は厚み方向に勾配を
もつことの方が多いので、平均濃度で比較するものとす
る。かかる比率の濃度の構成を得るには、酸素導入ノズ
ルの配置条件を最適化するか、酸素とＡｒ等の不活性気
体を別ノズルより導入するようにしてもよい。（２）Ｃ
ｏ−Ｎｉ−０は（２）ＣｏとＮｉの比率はＮｉが（２）
Ｃｏに対し１０〜２５ａ ｔ％の範囲が結晶性．耐食性
の改善から好ましい範囲で２５〜３０％の範囲では製造
条件により面心立方型の結晶が混在することがあり、垂
直配向性を低下させることから２５ａｔ％以下とするべ
きである。Ｃｏ−０又はＣｏ−Ｎｉ−Ｏ膜の膜厚は０．
１μｍから０．３μｍの範囲が好ましく、酸素は全体平
均で１５ａｔ％〜３５ａｔ％の範囲で上層と下層の比率
関係を満足させることで条件出ししてまとめていけばよ
い。
以下、更に具体的に本発明の実施例について比較例との
対比で説明する。
対比で説明する。
厚み１０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に直径１１０人のＥｕ２０３微粒子を１１ケ／（μｍ）
２配しその上に直径５０ｃｍの円筒キャンから同心状に
４０離したマスクの先端にノズルを配し、蒸着の開始側
のノズルＡからＨｅガスを導入し、蒸着の完了する側の
ノズルＢより０２ガスを導入し、厚み方向の酸素濃度を
調整し、Ｃｏ−０，又はＣｏ−Ｎｉ−０垂直磁化膜を形
成し、その上にデュポン社製のＫＲＹＴＯＸ−１ ４３
ＡＣを１．１（■／ｒｒｒ）塗布し８ミリ幅のテープに
した。比較例は、ノズルＡ，Ｂ共に酸素ガスを導入して
試作したものを用いた。夫々のテープを改造した８ミリ
ビデオにより、ギャップ長０．２μｍの積層合金型ヘッ
ドにより最短波長０．３μｍ帯域１５（ＭＨｚ）で記録
再生しＣ／Ｎを比較し、耐久性としてスチル特性を比較
した。
に直径１１０人のＥｕ２０３微粒子を１１ケ／（μｍ）
２配しその上に直径５０ｃｍの円筒キャンから同心状に
４０離したマスクの先端にノズルを配し、蒸着の開始側
のノズルＡからＨｅガスを導入し、蒸着の完了する側の
ノズルＢより０２ガスを導入し、厚み方向の酸素濃度を
調整し、Ｃｏ−０，又はＣｏ−Ｎｉ−０垂直磁化膜を形
成し、その上にデュポン社製のＫＲＹＴＯＸ−１ ４３
ＡＣを１．１（■／ｒｒｒ）塗布し８ミリ幅のテープに
した。比較例は、ノズルＡ，Ｂ共に酸素ガスを導入して
試作したものを用いた。夫々のテープを改造した８ミリ
ビデオにより、ギャップ長０．２μｍの積層合金型ヘッ
ドにより最短波長０．３μｍ帯域１５（ＭＨｚ）で記録
再生しＣ／Ｎを比較し、耐久性としてスチル特性を比較
した。
テープの条件と比較データを第３表にまとめて示した。
（以 下 余 白）
発明の効果
以上のように本発明によれば、優れたＣ／Ｎと耐久性を
有する垂直磁気記録用の磁気記録媒体を得ることができ
る。
有する垂直磁気記録用の磁気記録媒体を得ることができ
る。
第１図，第２図は本発明の実施例の磁気記録媒体の拡大
断面図である。 １・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・微粒子
塗布層、３・・・・・・垂直磁化膜、５・・・・・・柱
状微粒子。
断面図である。 １・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・微粒子
塗布層、３・・・・・・垂直磁化膜、５・・・・・・柱
状微粒子。
Claims (3)
- （１）Ｃｏ又はＣｏ−Ｎｉをベースとし、磁性稀釈元素
が主として酸素であり、添加元素が１〜３ａｔ％のＺｎ
、Ｃｄ、Ｒｕ、Ｒｅのいずれかである垂直磁化膜を磁気
記録層とすることを特徴とする磁気記録媒体。 - （２）Ｃｏ又はＣｏ−Ｎｉをベースとし磁性稀釈元素が
主として酸素であり添加元素が０．３〜１ａｔ％のＧｄ
、Ｔｂ、Ｈｏのいずれかである垂直磁化膜を磁気記録層
とすることを特徴とする磁気記録媒体。 - （３）Ｃｏ又はＣｏ−Ｎｉをベースとし磁性稀釈元素が
主として酸素であり、厚み方向に２分割した時上層側の
酸素濃度が下層側の１．５〜２．５倍の範囲である垂直
磁化膜を磁気記録層とすることを特徴とする磁気記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1190972A JPH0354720A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1190972A JPH0354720A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0354720A true JPH0354720A (ja) | 1991-03-08 |
Family
ID=16266738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1190972A Pending JPH0354720A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0354720A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007114402A1 (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-11 | Hoya Corporation | 垂直磁気記録ディスク及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-07-24 JP JP1190972A patent/JPH0354720A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007114402A1 (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-11 | Hoya Corporation | 垂直磁気記録ディスク及びその製造方法 |
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