JPH02116020A - 磁気ディスク - Google Patents
磁気ディスクInfo
- Publication number
- JPH02116020A JPH02116020A JP26821988A JP26821988A JPH02116020A JP H02116020 A JPH02116020 A JP H02116020A JP 26821988 A JP26821988 A JP 26821988A JP 26821988 A JP26821988 A JP 26821988A JP H02116020 A JPH02116020 A JP H02116020A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magnetic disk
- oxygen
- magnetic
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Thin Magnetic Films (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気ディスク、更に詳しくは優れた、かつ安
定した結晶配向性をもつ磁気記録媒体膜を有する磁気デ
ィスクに関する。
定した結晶配向性をもつ磁気記録媒体膜を有する磁気デ
ィスクに関する。
フロッピーディスク、ハードディスク等の磁気ディスク
を製造する際、ターゲットと基板の間にマスクを設ける
か、ターゲット径を小さくし、スパッタ法によりスパッ
タ粒子を斜めに基板に入射させる方法が知られている(
特開昭62−82516号、同62−82517号)、
このようにして、非磁性基板上に、第1層として、例え
ばCr層、第2層として例えばCos Co−Jlli
層が積層された磁気ディスクが製造される。
を製造する際、ターゲットと基板の間にマスクを設ける
か、ターゲット径を小さくし、スパッタ法によりスパッ
タ粒子を斜めに基板に入射させる方法が知られている(
特開昭62−82516号、同62−82517号)、
このようにして、非磁性基板上に、第1層として、例え
ばCr層、第2層として例えばCos Co−Jlli
層が積層された磁気ディスクが製造される。
しかしながら、このような磁気ディスク(第1層の非磁
性Crの膜厚は1000〜6000人、第2層の磁性C
oもしくはCo−Niの膜厚は250〜500人)は、
保磁力Hcが12000e程度、Hcの周方向と径方向
の比(Hc比)が1.2〜1.7 、角型比Sが0.8
程度、保磁力角型比S0が0.85程度であり、その静
磁気特性が充分なものではない。
性Crの膜厚は1000〜6000人、第2層の磁性C
oもしくはCo−Niの膜厚は250〜500人)は、
保磁力Hcが12000e程度、Hcの周方向と径方向
の比(Hc比)が1.2〜1.7 、角型比Sが0.8
程度、保磁力角型比S0が0.85程度であり、その静
磁気特性が充分なものではない。
本発明の目的は、このような事情に鑑み、静磁気特性が
可及的に向上した磁気ディスクを提供することにある。
可及的に向上した磁気ディスクを提供することにある。
本発明は、前記目的を達成するものとして、非磁性基板
上に、実質的にCrからなる第1層、およびCo−Ni
系もしくはCo系磁気記録媒体膜である第2層が形成さ
れてなる磁気ディスクにおいて、該第2層中にYSLa
、、 Ces Pr%Nds Sl1% Gd5Tbs
Dyのうちの1種以上および酸素を含有せしめたこと
を特徴とするものである。
上に、実質的にCrからなる第1層、およびCo−Ni
系もしくはCo系磁気記録媒体膜である第2層が形成さ
れてなる磁気ディスクにおいて、該第2層中にYSLa
、、 Ces Pr%Nds Sl1% Gd5Tbs
Dyのうちの1種以上および酸素を含有せしめたこと
を特徴とするものである。
以下、本発明を更に詳細に説明する。
本発明の磁気ディスクにおいて、まず、非磁性基板とし
ては、At’、N1−P下地が施されたAIAJ110
2、耐熱性プラスチック、ガラスなどが使用できる。
ては、At’、N1−P下地が施されたAIAJ110
2、耐熱性プラスチック、ガラスなどが使用できる。
次に、この非磁性基板上に、第1層として形成されるC
r層は、実質的にCrからなるものであり、Cr単味で
も、Cus Tas W、、Nb、Tt、■、Zr5M
0%Znなどの元素が添加されていてもよい、また、こ
のCr層には、酸素が10重量%以下含有せしめられて
いることが好ましい、この酸素は、第1層として形成さ
れるCr層の結晶配向性、ひいては第2層のCoもしく
はCo−Ni層の結晶配向性を向上させ、HcおよびH
c比を向上させる。この量が10%を超えると、第1層
のCr層の表面に酸化膜が生成し、第2層のCoもしく
はCo−Ni層のエピタキシャル成長が不可能になり易
くなるため、磁気特性が急激に劣化する。
r層は、実質的にCrからなるものであり、Cr単味で
も、Cus Tas W、、Nb、Tt、■、Zr5M
0%Znなどの元素が添加されていてもよい、また、こ
のCr層には、酸素が10重量%以下含有せしめられて
いることが好ましい、この酸素は、第1層として形成さ
れるCr層の結晶配向性、ひいては第2層のCoもしく
はCo−Ni層の結晶配向性を向上させ、HcおよびH
c比を向上させる。この量が10%を超えると、第1層
のCr層の表面に酸化膜が生成し、第2層のCoもしく
はCo−Ni層のエピタキシャル成長が不可能になり易
くなるため、磁気特性が急激に劣化する。
更に、前記Cr層上に形成される第2層のCo−Ni層
は、30重量%以下のNiを含有するのが好ましい、3
0%を超えると、この層の残留磁化が大幅に減少し、磁
気特性が劣化する。また、第2層のCoもしくはCo−
Ni層には、Y% La5Cev Prs NdxSs
SGd、 Tb、 Dyのうち1種以上Rが含有せしめ
られていることが必要であり、その量は好ましくは15
重量%以下である。このRはHcを向上させるために添
加含有させる。Rの量が15重量%を超えると、Hcや
飽和磁化が減少する傾向が生ずる。
は、30重量%以下のNiを含有するのが好ましい、3
0%を超えると、この層の残留磁化が大幅に減少し、磁
気特性が劣化する。また、第2層のCoもしくはCo−
Ni層には、Y% La5Cev Prs NdxSs
SGd、 Tb、 Dyのうち1種以上Rが含有せしめ
られていることが必要であり、その量は好ましくは15
重量%以下である。このRはHcを向上させるために添
加含有させる。Rの量が15重量%を超えると、Hcや
飽和磁化が減少する傾向が生ずる。
更に、この層には、酸素が含有せしめられていることが
必要であり、その量は、好ましくは重量にて500pp
−〜10%である。この酸素はHcおよびHc比を向上
させるために添加含有させる。これは、酸素が結晶粒を
微細化すると共に結晶粒界に偏析し、結晶粒を孤立化さ
せることによると推察される。酸素量が500pp−未
満では、上記酸素の効果が希薄であるのみならず、成膜
時装置内で発生する酸素を主とする微量の不純物ガスに
より、磁気ディスクの静磁気特性が成膜ごとにバラつき
易くなる。一方、10%を超えると、第2層のCOもし
くはCo−Ni層が酸化し静磁気特性が劣化する。
必要であり、その量は、好ましくは重量にて500pp
−〜10%である。この酸素はHcおよびHc比を向上
させるために添加含有させる。これは、酸素が結晶粒を
微細化すると共に結晶粒界に偏析し、結晶粒を孤立化さ
せることによると推察される。酸素量が500pp−未
満では、上記酸素の効果が希薄であるのみならず、成膜
時装置内で発生する酸素を主とする微量の不純物ガスに
より、磁気ディスクの静磁気特性が成膜ごとにバラつき
易くなる。一方、10%を超えると、第2層のCOもし
くはCo−Ni層が酸化し静磁気特性が劣化する。
本発明の第1層、第2層の膜は、スパッタリング法、真
空蒸着法、イオンブレーティング法などにより形成する
ことができる。
空蒸着法、イオンブレーティング法などにより形成する
ことができる。
以下、本発明の実施例を比較例、従来例と共に説明する
。
。
実施例1
厚さ1.5 vanの、N1−Pめっき下地が施された
A11M板上に、マグネトロンスパッタ装置を用いて、
第1層として膜厚3000人のCr単味層、第2層とし
てNi2O重量%、RO〜18重量%、残部COからな
り、膜厚500人の磁気記録媒体膜を形成した。
A11M板上に、マグネトロンスパッタ装置を用いて、
第1層として膜厚3000人のCr単味層、第2層とし
てNi2O重量%、RO〜18重量%、残部COからな
り、膜厚500人の磁気記録媒体膜を形成した。
この際の成膜条件はいずれの試験においても次の通りで
あった。
あった。
第1表
注:酸素ガスは、バリアプルリークパルプを用いて導入
した。
した。
得られた磁気ディスクは切断し、各々、組成分析と磁気
特性の評価に供した0組成分析はEPMA分析、SIM
S分析および化学分析を併用し、また、磁気特性は、振
動試料型磁力計により測定した。
特性の評価に供した0組成分析はEPMA分析、SIM
S分析および化学分析を併用し、また、磁気特性は、振
動試料型磁力計により測定した。
得られた結果を第2表を示す。
実施例2
第1層を形成する際、Nbを重量にて1.5%添加した
以外は、実施例1と同様にして磁気ディスクを得て、評
価に供した。また、添加したNbの組成分析はEPM八
分へによった。
以外は、実施例1と同様にして磁気ディスクを得て、評
価に供した。また、添加したNbの組成分析はEPM八
分へによった。
得られた結果を第3表に示す。
以上から明らかなように、本発明により、従来の、第2
層としてのCOもしくはCo−Ni層に実質的に酸素を
含有せしめない磁気ディスクに比較して、静磁気特性を
著しく向上せしめることができる。
層としてのCOもしくはCo−Ni層に実質的に酸素を
含有せしめない磁気ディスクに比較して、静磁気特性を
著しく向上せしめることができる。
また、本発明は制御容易な酸素導入により製造すること
ができるので、良好な配向性のものを成膜ごとにバラク
かせず、安定して提供することができる。
ができるので、良好な配向性のものを成膜ごとにバラク
かせず、安定して提供することができる。
Claims (1)
- (1)非磁性基板上に、実質的にCrからなる第1層、
およびCo−Ni系もしくはCo系磁気記録媒体膜であ
る第2層が形成されてなる磁気ディスクにおいて、該第
2層中にY、La、Ce、Pr、Nd、Sm、GdTb
、Dyのうちの1種以上および酸素を含有せしめたこと
を特徴とする磁気ディスク。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26821988A JPH02116020A (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | 磁気ディスク |
| EP19890305008 EP0342966A3 (en) | 1988-05-18 | 1989-05-17 | Magnetic disc |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26821988A JPH02116020A (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | 磁気ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02116020A true JPH02116020A (ja) | 1990-04-27 |
Family
ID=17455567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26821988A Pending JPH02116020A (ja) | 1988-05-18 | 1988-10-26 | 磁気ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02116020A (ja) |
-
1988
- 1988-10-26 JP JP26821988A patent/JPH02116020A/ja active Pending
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