JPH02226516A - 磁気ディスク - Google Patents
磁気ディスクInfo
- Publication number
- JPH02226516A JPH02226516A JP4541889A JP4541889A JPH02226516A JP H02226516 A JPH02226516 A JP H02226516A JP 4541889 A JP4541889 A JP 4541889A JP 4541889 A JP4541889 A JP 4541889A JP H02226516 A JPH02226516 A JP H02226516A
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- JP
- Japan
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- layer
- magnetic disk
- magnetic
- disk
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- Pending
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気ディスク、更に詳しくは優れた、かつ安
定した結晶配向性をもつ磁気記録媒体膜を有する磁気デ
ィスクに関する。
定した結晶配向性をもつ磁気記録媒体膜を有する磁気デ
ィスクに関する。
フロッピーディスク、ハードディスク等の磁気ディスク
を製造する際、ターゲットと基板の間にマスクを設ける
か、ターゲット径を小さくし、スパッタ法によりスパッ
タ粒子を斜めに基板に入射させる方法が知られている（
特開昭６２−８２５１６号、同６２−８２５１７号）。
を製造する際、ターゲットと基板の間にマスクを設ける
か、ターゲット径を小さくし、スパッタ法によりスパッ
タ粒子を斜めに基板に入射させる方法が知られている（
特開昭６２−８２５１６号、同６２−８２５１７号）。
このようにして、非磁性基板上に、第１層として、例え
ばＣｒ層、第２層として例えばＣ０％ Ｃｏ−Ｎｉ層が
積層された磁気ディスクが製造される。
ばＣｒ層、第２層として例えばＣ０％ Ｃｏ−Ｎｉ層が
積層された磁気ディスクが製造される。
しかしながら、このような磁気ディスク（第１層の非磁
性Ｃｒの膜厚は１０００〜６０００人、第２層の磁性Ｇ
ｏもしくはＣｏ−Ｎｉの膜厚は２５０〜５００人）は、
保磁力Ｈｃが１２０００ ｅ程度、Ｈｃの周方向と径方
向の比（Ｉｌｃ比）が１．２〜１．７、角型比Ｓが０．
８程度、保磁力角型比ＳＩが０．８５程度であり、その
静磁気特性が充分なものではない。
性Ｃｒの膜厚は１０００〜６０００人、第２層の磁性Ｇ
ｏもしくはＣｏ−Ｎｉの膜厚は２５０〜５００人）は、
保磁力Ｈｃが１２０００ ｅ程度、Ｈｃの周方向と径方
向の比（Ｉｌｃ比）が１．２〜１．７、角型比Ｓが０．
８程度、保磁力角型比ＳＩが０．８５程度であり、その
静磁気特性が充分なものではない。
本発明の目的は、このような事情に鑑み、静磁気特性が
可及的に向上した磁気ディスクを提供することにある。
可及的に向上した磁気ディスクを提供することにある。
本発明は、前記目的を達成するものとして、非磁性基板
上に、Ｃｏ系もしくはＣｏ−Ｎｉ系下地層である第１層
、実質的にＣｒからなる第２層およびＣｏ系もしくはＣ
ｏ−Ｎｉ系磁気記録媒体膜である第３層が形成されてな
る磁気ディスクである。
上に、Ｃｏ系もしくはＣｏ−Ｎｉ系下地層である第１層
、実質的にＣｒからなる第２層およびＣｏ系もしくはＣ
ｏ−Ｎｉ系磁気記録媒体膜である第３層が形成されてな
る磁気ディスクである。
以下、本発明を更に詳細に説明する。
本発明の磁気ディスクにおいて、まず、非磁性基板とし
ては、Ａｌ、Ｎ１−Ｐ下地が施された八β、Ａ １ ｇ
ｏ３、耐熱性プラスチック、ガラスなどが使用できる。
ては、Ａｌ、Ｎ１−Ｐ下地が施された八β、Ａ １ ｇ
ｏ３、耐熱性プラスチック、ガラスなどが使用できる。
次に、この非磁性基板上に第１層として形成されるＣｏ
系もしくはＣｏ−Ｎｉ系下地層は、本発明の磁気ディス
クの特徴となるものである。この下地層は、必要に応じ
て、もしくは不可避的に添加、混入される元素が含有さ
れていても良い。
系もしくはＣｏ−Ｎｉ系下地層は、本発明の磁気ディス
クの特徴となるものである。この下地層は、必要に応じ
て、もしくは不可避的に添加、混入される元素が含有さ
れていても良い。
なお、この層の組成は、ディスク作成の便宜的な意味で
、後述の第３層としての磁気記録媒体膜の組成と同様に
することが好ましい。
、後述の第３層としての磁気記録媒体膜の組成と同様に
することが好ましい。
この層を形成することによって、得られる磁気ディスク
の静磁気特性が著しく向上する。そして、この層の膜厚
は、１０人未満では上記効果が充分でなく、一方、２０
０人を超えると上記効果が低下し易くなるので、１０〜
２００人が好ましい。
の静磁気特性が著しく向上する。そして、この層の膜厚
は、１０人未満では上記効果が充分でなく、一方、２０
０人を超えると上記効果が低下し易くなるので、１０〜
２００人が好ましい。
この層の上記効果が発揮されるのは、この層の形成によ
り、実質的にＣｒからなる第２層がそのｂｃｃ（１１０
）面を基板面に平行に向け、かつ、＜ １００ ＞方向
をディスク円周方向に向けた優れた結晶配向を有し易く
なり、従って、その上にエピタキシャル成長する磁気記
録媒体膜である第３層が、ディスク円周方向に磁化容易
軸をもつ優れた磁気的配向を有するようになることによ
ると推察される。
り、実質的にＣｒからなる第２層がそのｂｃｃ（１１０
）面を基板面に平行に向け、かつ、＜ １００ ＞方向
をディスク円周方向に向けた優れた結晶配向を有し易く
なり、従って、その上にエピタキシャル成長する磁気記
録媒体膜である第３層が、ディスク円周方向に磁化容易
軸をもつ優れた磁気的配向を有するようになることによ
ると推察される。
更に、上記第１層上に形成される第２層の実質的にＣｒ
からなる層は、Ｃｒ単味でも、Ｃｕ、 Ｎｂ５Ｔｉ。
からなる層は、Ｃｒ単味でも、Ｃｕ、 Ｎｂ５Ｔｉ。
ＶＳＺｒＳＭＯ％ Ｚｎｓ Ｗ％ Ｔａや酸素などの元
素が１０重量％程度以下含有されていてもよい。
素が１０重量％程度以下含有されていてもよい。
そして、上記第２層上に第３層として磁気記録媒体膜が
形成される。Ｃｏ−Ｎｉ層は、通常、３０重量％以下の
Ｎｉを含有する。また、この第３層には、ＣｕＳＮｂ、
、Ｔｉ、 Ｖ、ＣｒｌＺｒ５Ｍ０ＳＺｎｓ Ｗ％ Ｔａ
ｚ Ｙ％Ｌａ５Ｃｅｓ Ｐｒ５Ｎｄｓ Ｓｒｓ、、 Ｇ
ｄ５Ｔｂ、、口ｙや酸素などの元素が１０重量％程度以
下含有されていてもよい。
形成される。Ｃｏ−Ｎｉ層は、通常、３０重量％以下の
Ｎｉを含有する。また、この第３層には、ＣｕＳＮｂ、
、Ｔｉ、 Ｖ、ＣｒｌＺｒ５Ｍ０ＳＺｎｓ Ｗ％ Ｔａ
ｚ Ｙ％Ｌａ５Ｃｅｓ Ｐｒ５Ｎｄｓ Ｓｒｓ、、 Ｇ
ｄ５Ｔｂ、、口ｙや酸素などの元素が１０重量％程度以
下含有されていてもよい。
本発明の第１層、第２層の膜は、スパッタリング法、真
空蒸着法、イオンブレーティング法などにより形成する
ことができる。
空蒸着法、イオンブレーティング法などにより形成する
ことができる。
以下、本発明の実施例を比較例、従来例と共に説明する
。
。
実施例１〜３
厚さ１．５Ｒの、Ｎ１−Ｐめっき下地が施されたへβ基
板上に、マグネトロンスパッタ装置を用いて、第１層と
してＮｉ２Ｏ重量％、残部ＣｏからなるＣｏ −Ｎｉ層
、第２層としてＣｒ単味層、第３層としてＮｉ２Ｏ重量
％、残部Ｃｏからなり、膜厚５００人の磁気記録媒体膜
を形成した。この際の成膜条件はいずれの試験において
も次の通りであった。
板上に、マグネトロンスパッタ装置を用いて、第１層と
してＮｉ２Ｏ重量％、残部ＣｏからなるＣｏ −Ｎｉ層
、第２層としてＣｒ単味層、第３層としてＮｉ２Ｏ重量
％、残部Ｃｏからなり、膜厚５００人の磁気記録媒体膜
を形成した。この際の成膜条件はいずれの試験において
も次の通りであった。
第１表
得られた磁気ディスクは切断し、各々、組成分析と磁気
特性の評価に供した。組成分析は、ＥＰＭＡ分析を用い
、また、磁気特性は、振動試料型磁力計により測定した
。
特性の評価に供した。組成分析は、ＥＰＭＡ分析を用い
、また、磁気特性は、振動試料型磁力計により測定した
。
得られた結果を第２表に示す。
従来例１．２
第１層を形成しなかった以外は、実施例１． ２と同様
にして磁気ディスクを得て、評価に供した。
にして磁気ディスクを得て、評価に供した。
得られた結果を第２表に示す。
実施例６〜１１
第２層を形成する際、Ｎｂを重量にて１．５％添加した
（実施例６．７）、第１Ｎおよび第３層を形成する際、
更にＳｍを重量にて３％添加した（実施例８．９）並び
に第１層および第３ＮをＣｏ単味とした（実施例１０．
１１）以外は、実施例１，２と同様にして磁気ディスク
を得て、評価に供した。
（実施例６．７）、第１Ｎおよび第３層を形成する際、
更にＳｍを重量にて３％添加した（実施例８．９）並び
に第１層および第３ＮをＣｏ単味とした（実施例１０．
１１）以外は、実施例１，２と同様にして磁気ディスク
を得て、評価に供した。
得られた結果を第２表に示す。
比較例１〜４．従来１例３．４
第１層を形成しなかった以外は、実施例６．７（比較例
１．２）、実施例８．９（比較例３，４）および実施例
１０．１１（従来例３，４）と同様にして磁気ディスク
を得て、評価に供した。得られた結果を第２表に示す。
１．２）、実施例８．９（比較例３，４）および実施例
１０．１１（従来例３，４）と同様にして磁気ディスク
を得て、評価に供した。得られた結果を第２表に示す。
以上から明らかなように、本発明により、優れた結晶配
向を有し、静磁気特性、とくに保磁力比と角型比を著し
く向上せしめた磁気ディスクを提供することができる。
向を有し、静磁気特性、とくに保磁力比と角型比を著し
く向上せしめた磁気ディスクを提供することができる。
Claims (1)
- （１）非磁性基板上に、Ｃｏ系もしくはＣｏ−Ｎｉ系下
地層である第１層、実質的にＣｒからなる第２層および
Ｃｏ系もしくはＣｏ−Ｎｉ系磁気記録媒体膜である第３
層が形成されてなる磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4541889A JPH02226516A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4541889A JPH02226516A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 磁気ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02226516A true JPH02226516A (ja) | 1990-09-10 |
Family
ID=12718718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4541889A Pending JPH02226516A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 磁気ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02226516A (ja) |
-
1989
- 1989-02-28 JP JP4541889A patent/JPH02226516A/ja active Pending
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